JPH01245086A - 薄膜ｅｌ素子及びその製造法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子及びその製造法Info
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- JPH01245086A JPH01245086A JP63069865A JP6986588A JPH01245086A JP H01245086 A JPH01245086 A JP H01245086A JP 63069865 A JP63069865 A JP 63069865A JP 6986588 A JP6986588 A JP 6986588A JP H01245086 A JPH01245086 A JP H01245086A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、交流電界の印加によってＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈するＥＬ素子に
関するものであり、特にその薄膜発光層に関するもので
ある。
ｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈するＥＬ素子に
関するものであり、特にその薄膜発光層に関するもので
ある。
（従来の技術）
一般的に薄膜ＥＬ索子は第１図に示すとおりガラス等の
透明基板１上に透明電極２を形成し、この透明電極２上
に第一絶縁層３、発光層４、第二絶縁層５を順次形成し
、さらにその上に背面電極６を形成した二重絶縁構造を
有している。
透明基板１上に透明電極２を形成し、この透明電極２上
に第一絶縁層３、発光層４、第二絶縁層５を順次形成し
、さらにその上に背面電極６を形成した二重絶縁構造を
有している。
現在、この様な構造の薄膜ＥＬ素子の発光層の母材とし
てＺｎＳを用いたものが実用化されており、さらに近年
、ＥＬ水素子多色化を目的としてＣａＳ、ＳｒＳ等のア
ルカリ土類金属硫化物を母材とした発光層をもつＥＬ水
素子注目されている。
てＺｎＳを用いたものが実用化されており、さらに近年
、ＥＬ水素子多色化を目的としてＣａＳ、ＳｒＳ等のア
ルカリ土類金属硫化物を母材とした発光層をもつＥＬ水
素子注目されている。
例えばＥｕをドープしたＣａＳを発光層として用いたＥ
Ｌ水素子赤色に、ＣｅをドープしたＳｒＳを発光層とし
て用いたＥＬ水素子青緑色に発光する。また、５ｒＳｌ
：ＣｅとＥｕをドープしたＥＬ索子は、はぼ可視光全領
域のスペクトルを有するために良質な白色発光素子とし
て期待されているが、発光特性の点から未だ実用化に至
っていない。
Ｌ水素子赤色に、ＣｅをドープしたＳｒＳを発光層とし
て用いたＥＬ水素子青緑色に発光する。また、５ｒＳｌ
：ＣｅとＥｕをドープしたＥＬ索子は、はぼ可視光全領
域のスペクトルを有するために良質な白色発光素子とし
て期待されているが、発光特性の点から未だ実用化に至
っていない。
また、従来Ｃａ５ＳＳｒＳ等のアルカリ土類金属硫化物
を母材とした発光層を調製する方法としては、基板温度
を５００℃以上に保ちながら蒸着する方法あるいは比較
的低温の基板上に蒸着した後に７００℃以上の温度で熱
処理する方法が行なわれているが、高い基板温度と合わ
せて蒸着装置の耐久性の点で問題があり、更にＳｒＳに
関しては酸素を取込みやすいために化学量論比がずれや
す＜、硫黄の同時蒸着が必要になるという問題がある。
を母材とした発光層を調製する方法としては、基板温度
を５００℃以上に保ちながら蒸着する方法あるいは比較
的低温の基板上に蒸着した後に７００℃以上の温度で熱
処理する方法が行なわれているが、高い基板温度と合わ
せて蒸着装置の耐久性の点で問題があり、更にＳｒＳに
関しては酸素を取込みやすいために化学量論比がずれや
す＜、硫黄の同時蒸着が必要になるという問題がある。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、優れた発光特性を有し、しかも比較的
低温で成膜可能な発光層をを有するＥＬ水素子提供する
ことにある。
低温で成膜可能な発光層をを有するＥＬ水素子提供する
ことにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は上記問題点を解決するために、鋭意検討を
行った結果、ＳｒＳにＺｎＳが３４ ｍｏ１％程度まで
固溶し、その前後の組成において比較的低い基板温度で
薄膜を調製しても良好な発光特性が得られることを見出
し、本発明を完成するに至った。
行った結果、ＳｒＳにＺｎＳが３４ ｍｏ１％程度まで
固溶し、その前後の組成において比較的低い基板温度で
薄膜を調製しても良好な発光特性が得られることを見出
し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、組成式が
Ｓｒ Ｚｎ Ｓ
１−ｘ ｘ
（ただし、０．０５≦Ｘ≦０．６）
で表される母材に光学的に活性である遷移金属あるいは
希土類元素をドープした発光層を有することを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子である。
希土類元素をドープした発光層を有することを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子である。
本発明の薄膜ＥＬ素子は、第１図に示すとおりガラス等
の基板１上にＩ ｎ Ｏ、Ｓ ｎ Ｏ２、ＩＴＯ，Ｚ
ｎＯ：Ａｔ等の透明電極２を形成し、この透明電極２上
にＹ Ｏ、ＴＬＯ、ＳｉＮ。
の基板１上にＩ ｎ Ｏ、Ｓ ｎ Ｏ２、ＩＴＯ，Ｚ
ｎＯ：Ａｔ等の透明電極２を形成し、この透明電極２上
にＹ Ｏ、ＴＬＯ、ＳｉＮ。
２３ ．２
Ａ Ｉ Ｏ−Ｓ ｔ Ａ Ｉ ＯＮ ＳＳ ｉＯ２、
Ｔａ Ｏ、、ＳｒＴｉＯ３等の単層あるいは多層の第一
絶縁層３を形成し、さらにその上層に発光層４、第一絶
縁層と同様の材料からなる第二絶縁層５、Ａ１等の背面
電極６で構成されたものが例示できる。
Ｔａ Ｏ、、ＳｒＴｉＯ３等の単層あるいは多層の第一
絶縁層３を形成し、さらにその上層に発光層４、第一絶
縁層と同様の材料からなる第二絶縁層５、Ａ１等の背面
電極６で構成されたものが例示できる。
本発明のＥＬ索子におけるＳｒ Ｚｎ Ｓを１−
ｘ ｘ 母材とする発光層は、Ｘが０．３４以下ではほぼ１００
％のＺｎＳがＳｒＳに固溶し、それ以上では過剰のＺｎ
Ｓの相分離が生じ、Ｘが０．６より大きな領域では、分
離したＺｎＳが著しく多くなるために発光特性が低下す
る。また、Ｘが０．０５以下では輝度向上の効果が少な
い。さらに発光層の組成領域を０．２≦Ｘ≦０．４５と
すれば、ｘ−０，３４の飽和輝度と比較し、５０％以上
の飽和輝度が得られるので好ましい。
ｘ ｘ 母材とする発光層は、Ｘが０．３４以下ではほぼ１００
％のＺｎＳがＳｒＳに固溶し、それ以上では過剰のＺｎ
Ｓの相分離が生じ、Ｘが０．６より大きな領域では、分
離したＺｎＳが著しく多くなるために発光特性が低下す
る。また、Ｘが０．０５以下では輝度向上の効果が少な
い。さらに発光層の組成領域を０．２≦Ｘ≦０．４５と
すれば、ｘ−０，３４の飽和輝度と比較し、５０％以上
の飽和輝度が得られるので好ましい。
更に本発明のＥＬ水素子おける発光層は、Ｃｕ。
Ｓｎ、Ｐｂ等の遷移金属あるいはＬａ、Ｃｅ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ等の希土類元素の１種以上を母
材中にドープするものである。そのドープ量は０．００
０５〜０．０２ｍｏ１％であることが好ましく、この範
囲より多い場合、発光特性が低下し、少ない場合、発光
が弱くなるおそれがある。
材中にドープするものである。そのドープ量は０．００
０５〜０．０２ｍｏ１％であることが好ましく、この範
囲より多い場合、発光特性が低下し、少ない場合、発光
が弱くなるおそれがある。
また、このうち特にＥｕ及びＣｅまたはＥｕをドープし
、発光層の組成式を Ｓｒ Ｚｎ Ｓ：Ｃｅ 、Ｅｕ 、Ｍｋｌ−
ｘ Ｘ Ｙ Ｚ（ただし、０．０５
≦Ｘ≦０．６． ０．０００５＜ｙ ＜０．０２゜ ０≦ｚ＜０．０１．０≦ｋ＜０．０３、Ｍ−Ｌ ｉ、Ｎ
ａ５Ｋ、Ｒｂ。
、発光層の組成式を Ｓｒ Ｚｎ Ｓ：Ｃｅ 、Ｅｕ 、Ｍｋｌ−
ｘ Ｘ Ｙ Ｚ（ただし、０．０５
≦Ｘ≦０．６． ０．０００５＜ｙ ＜０．０２゜ ０≦ｚ＜０．０１．０≦ｋ＜０．０３、Ｍ−Ｌ ｉ、Ｎ
ａ５Ｋ、Ｒｂ。
Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ、り
とすることにより、青緑色から白色を経てオレンジがか
った赤色までの発光を呈するＥＬ水素子得られる。この
とき、２が０に近づく程、発光色は青緑色に近づき、ｙ
が０．０００５に近づき２が０．０１に近づく程オレン
ジがかった赤色を呈する。更にｙに対して２の値が３０
〜４０％程度である場合、白色光を呈する。またＭは、
電荷補償のためのものでＣｅ濃度と同程度に添加するこ
とにより発光特性の安定化が望める。
った赤色までの発光を呈するＥＬ水素子得られる。この
とき、２が０に近づく程、発光色は青緑色に近づき、ｙ
が０．０００５に近づき２が０．０１に近づく程オレン
ジがかった赤色を呈する。更にｙに対して２の値が３０
〜４０％程度である場合、白色光を呈する。またＭは、
電荷補償のためのものでＣｅ濃度と同程度に添加するこ
とにより発光特性の安定化が望める。
本発明のＥＬ素子における発光層は蒸着法、スパッタリ
ング法、ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＥ法等によって調製される
が、母材中で光学的に活性である遷移金属あるいは希土
類元素とＳｒＳ及びＺｎＳを用いて、基板温度を１５０
℃以上４００℃以下に保って蒸着法あるいはスパッタリ
ング法により薄膜を調製することにより、ｚｎＳがＺｒ
Ｓに充分固溶し、優れた発光特性を有する発光層が得ら
れるので好ましい。更に、調製後の発光層を真空中ある
いは不活性ガス雰囲気中、５００℃以上で熱処理すれば
、発光層の結晶性の改善が為され、より優れた発光特性
を得ることができる。また本発明のＥＬ素子における発
光層以外の層については、従来の蒸着法、スパッタリン
グ法、ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＥ法等により調製することが
できる。
ング法、ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＥ法等によって調製される
が、母材中で光学的に活性である遷移金属あるいは希土
類元素とＳｒＳ及びＺｎＳを用いて、基板温度を１５０
℃以上４００℃以下に保って蒸着法あるいはスパッタリ
ング法により薄膜を調製することにより、ｚｎＳがＺｒ
Ｓに充分固溶し、優れた発光特性を有する発光層が得ら
れるので好ましい。更に、調製後の発光層を真空中ある
いは不活性ガス雰囲気中、５００℃以上で熱処理すれば
、発光層の結晶性の改善が為され、より優れた発光特性
を得ることができる。また本発明のＥＬ素子における発
光層以外の層については、従来の蒸着法、スパッタリン
グ法、ＭＯＣＶＤ法、ＡＬＥ法等により調製することが
できる。
（実施例）
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない
。
本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない
。
実施例１
第１図に示すＥＬ素子を次の手順で作製した。
始めに、透明電極２をバターニングしたガラス基板１上
にＳｉ ＡＩ ＯＮ の組成の５．５
０．５ ０．５ ７．５ ターゲツトを用い、Ａ ｒ ： Ｎ ２の比率を３：１
とした混合ガス中でスパッタリングを行うことにより、
厚さ２００ｎｍの第一絶縁層３を調製した。
にＳｉ ＡＩ ＯＮ の組成の５．５
０．５ ０．５ ７．５ ターゲツトを用い、Ａ ｒ ： Ｎ ２の比率を３：１
とした混合ガス中でスパッタリングを行うことにより、
厚さ２００ｎｍの第一絶縁層３を調製した。
その後、ＳｒＳにＺｎＳを０から５０ｍｏ１％混合し、
さらにＣｅ Ｆ ｓを０．２ｍｏ１％混合したペレット
を真空中で電子ビーム加熱することにより、温度２００
℃に保持した第一絶縁層３上に蒸若して、１１０００ｎ
の厚みの発光層４を調製した。
さらにＣｅ Ｆ ｓを０．２ｍｏ１％混合したペレット
を真空中で電子ビーム加熱することにより、温度２００
℃に保持した第一絶縁層３上に蒸若して、１１０００ｎ
の厚みの発光層４を調製した。
その後、熱処理を６５０℃の温度で１時間、Ａ「ガス気
流中で行った後、前述の第一絶縁層３と同じ方法で厚さ
２００ｎｍの第二絶縁層５を調製し、さらにＡＩからな
る背面電極６を電子ビーム蒸着法により調製し、青緑色
に発光する薄膜ＥＬ素子を得た。
流中で行った後、前述の第一絶縁層３と同じ方法で厚さ
２００ｎｍの第二絶縁層５を調製し、さらにＡＩからな
る背面電極６を電子ビーム蒸着法により調製し、青緑色
に発光する薄膜ＥＬ素子を得た。
得られた薄膜ＥＬ素子の発光層中のＣｅ濃度はＺｎ５ｆ
Ｊ度が変化してもほぼ０．２ｗｏ１％であった。第２図
にＺｎＳ濃度に対してＥＬ素子の飽和輝度の変化を示す
。第２図よりＥＬ素子の飽和輝度はＺｎＳ濃度３４ ｌ
ｌｏｌ％付近まで増加し、それ以上で急激に減少してい
る。第３図にＺｎＳ濃度３１．５０■ｏ１％でのＸ線回
折パターンを示す。
Ｊ度が変化してもほぼ０．２ｗｏ１％であった。第２図
にＺｎＳ濃度に対してＥＬ素子の飽和輝度の変化を示す
。第２図よりＥＬ素子の飽和輝度はＺｎＳ濃度３４ ｌ
ｌｏｌ％付近まで増加し、それ以上で急激に減少してい
る。第３図にＺｎＳ濃度３１．５０■ｏ１％でのＸ線回
折パターンを示す。
ＺｎＳ濃度３１ ｌｌｏｌ％ではＳｒＳとＺｎＳの固溶
体Ｓｒ Ｚ Ｓの（２００）面の強い配向がみ１
−ｘ ｘ られ、分離したＺｎＳに因るピーク強度は極弱い。
体Ｓｒ Ｚ Ｓの（２００）面の強い配向がみ１
−ｘ ｘ られ、分離したＺｎＳに因るピーク強度は極弱い。
それに対してＺｎＳ濃度５０ｍｏ１％ではＳｒＳとＺｎ
’Ｓの固溶体Ｓｒ Ｚ Ｓの（２００）面と１−
ｘ ｘ （１１１）面がみられ、さらに分離したＺｎＳに因るピ
ークとしてα−ＺｎＳの（１００）面と（ＯＯ２）面が
みられ、ｚｎＳの分離が進んでいる。第４図に（２００
）、（１１１）、（００２）のピーク強度とＺｎＳ濃度
の関係を示す。ｘ −０，３４の前後で（２００’）の
ピーク強度は最大で、この面の配向性も最も強くなり、
この様な配向性の向上がＥＬ素子の輝度の向上に貢献し
ていると考えられる。またＺｎＳ （００２）の強度が
ｘ＞０．４で顕著に増加することから、Ｘ〉０．３４で
の輝度の急激な低下は相分離による影響と考えられる。
’Ｓの固溶体Ｓｒ Ｚ Ｓの（２００）面と１−
ｘ ｘ （１１１）面がみられ、さらに分離したＺｎＳに因るピ
ークとしてα−ＺｎＳの（１００）面と（ＯＯ２）面が
みられ、ｚｎＳの分離が進んでいる。第４図に（２００
）、（１１１）、（００２）のピーク強度とＺｎＳ濃度
の関係を示す。ｘ −０，３４の前後で（２００’）の
ピーク強度は最大で、この面の配向性も最も強くなり、
この様な配向性の向上がＥＬ素子の輝度の向上に貢献し
ていると考えられる。またＺｎＳ （００２）の強度が
ｘ＞０．４で顕著に増加することから、Ｘ〉０．３４で
の輝度の急激な低下は相分離による影響と考えられる。
実施例２
実施例１と同様の方法で発光層の組成についてのみ、
Ｓｒ Ｚｎ
０．８７ ０．３３８’ Ｃｅ”
として、黄緑色のＥＬ素子を作製し、ｙを０．００１か
ら０．０１まで変化させて発光特性を調べた。第５図に
薄膜ＥＬ素子の飽和輝度とＣｅ７ａ度の関係を示す。図
より０．００２＜ｙ ＜Ｏ，ｏ。
ら０．０１まで変化させて発光特性を調べた。第５図に
薄膜ＥＬ素子の飽和輝度とＣｅ７ａ度の関係を示す。図
より０．００２＜ｙ ＜Ｏ，ｏ。
７で高い飽和輝度を示すことがわかる。
実施例３
実施例１と同様の方法でＥＬ素子を作製し、発光層の組
成についてのみ、 Ｓｒ Ｚｎ Ｓ：Ｃｅ
、Ｅｕ 。
成についてのみ、 Ｓｒ Ｚｎ Ｓ：Ｃｅ
、Ｅｕ 。
０．６７ ０．３３ ０．００４
ＺＫＯ，００４ として、Ｚを０．０００５から０．００４まで変化させ
たところ、０．００１＜ｚ ＜Ｑ、００２５の領域で良
好な白色発光をする薄膜ＥＬ索子が得られた。
ＺＫＯ，００４ として、Ｚを０．０００５から０．００４まで変化させ
たところ、０．００１＜ｚ ＜Ｑ、００２５の領域で良
好な白色発光をする薄膜ＥＬ索子が得られた。
（発明の効果）
以上述べたとおり、本発明の薄膜ＥＬ素子は、発光層の
母材としてＳｒ Ｚｎ Ｓの組成物を１−ｘ
Ｘ 用いる多色化ＥＬ素子であり、付活剤をかえることによ
り青緑色、白色等の高輝度発光が得られ、また、発光層
の成膜プロセスにおいては、１５０〜４００℃の基板温
度で優れた発光特性を有する発光層を得ることができ更
にこの温度は従来法と比較し、基本的に低温であるため
に通常のプラネタリ−型または公転ドーム型の蒸着機、
あるいは大型のスパッタリング装置等にて大面積の薄膜
を形成することができる。
母材としてＳｒ Ｚｎ Ｓの組成物を１−ｘ
Ｘ 用いる多色化ＥＬ素子であり、付活剤をかえることによ
り青緑色、白色等の高輝度発光が得られ、また、発光層
の成膜プロセスにおいては、１５０〜４００℃の基板温
度で優れた発光特性を有する発光層を得ることができ更
にこの温度は従来法と比較し、基本的に低温であるため
に通常のプラネタリ−型または公転ドーム型の蒸着機、
あるいは大型のスパッタリング装置等にて大面積の薄膜
を形成することができる。
また、多色ＥＬパネルを製造する場合に、発光層の成膜
プロセスの基板温度を２００℃以下に設定することも可
能であり、その場合リフトオフ法により発光層をパター
ニングすることができ、条件の複雑なエツチングプロセ
スを経ることなくマルチカラーが実現できる。
プロセスの基板温度を２００℃以下に設定することも可
能であり、その場合リフトオフ法により発光層をパター
ニングすることができ、条件の複雑なエツチングプロセ
スを経ることなくマルチカラーが実現できる。
第１図は本発明の薄膜ＥＬ素子の構造の一例を示す図で
ある。 第２図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子を５ｋＨｚで
交流駆動をした場合の飽和輝度とＺｎＳ濃度の関係を示
す図である。 第３図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子の発光層のＺ
ｎ５ａ度３１，５０ａ＋ｏ１％でのＸ線回折パターンを
示す図である。 第４図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子の発光層のＺ
ｎ５ａ度にたいして固溶体Ｓｒ Ｚ−ｘ ｘ Ｓの（２００）面と（１１１）面のピーク強度及びα−
ＺｎＳの（ＯＯ２）面のピーク強度とＺｎＳ７Ｑ度の関
係を示す図である。 第５図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子の飽和輝度と
発光層中のＣｅ濃度の関係を示す図である。 図中、
ある。 第２図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子を５ｋＨｚで
交流駆動をした場合の飽和輝度とＺｎＳ濃度の関係を示
す図である。 第３図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子の発光層のＺ
ｎ５ａ度３１，５０ａ＋ｏ１％でのＸ線回折パターンを
示す図である。 第４図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子の発光層のＺ
ｎ５ａ度にたいして固溶体Ｓｒ Ｚ−ｘ ｘ Ｓの（２００）面と（１１１）面のピーク強度及びα−
ＺｎＳの（ＯＯ２）面のピーク強度とＺｎＳ７Ｑ度の関
係を示す図である。 第５図は実施例１で得られた薄膜ＥＬ素子の飽和輝度と
発光層中のＣｅ濃度の関係を示す図である。 図中、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 組成式が Ｓｒ＿１＿−＿ｘＺｎ＿ｘＳ （ただし、０．０５≦ｘ≦０．６） で表される母材に光学的に活性である遷移金属あるいは
希土類元素をドープした発光層を有することを特徴とす
る薄膜ＥＬ素子。 （２） 組成式が Ｓｒ＿１＿ｘＺｎ＿ｘＳ：Ｃｅ＿ｙ、Ｅｕ＿２、Ｍ＿ｋ
（ただし、０．０５≦ｘ≦０．６、 ０．０００５＜ｙ＜０．０２、 ０≦ｚ＜０．０１、０≦ｋ＜０．０３、 Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、 Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ） である発光層を有する特許請求の範囲第１項記載の薄膜
ＥＬ素子。 （３） 薄膜発光層を母材中で光学的に活性である遷移
金属あるいは希土類元素とＳｒＳ及びＺｎＳを用いて、
基板温度を１５０℃以上４００℃以下に保って蒸着法あ
るいはスパッタリング法により調製することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の薄膜ＥＬ素子の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069865A JPH01245086A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069865A JPH01245086A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245086A true JPH01245086A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13415118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069865A Pending JPH01245086A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 薄膜ｅｌ素子及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266872A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 白色発光薄膜ｅｌ素子 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069865A patent/JPH01245086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266872A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 白色発光薄膜ｅｌ素子 |
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