JPH04121992A - エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は電界の印加に応じて発光を示す薄膜エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下、“ＥＬ素子゛と略記する）
その製造方法に関するものである。

［従来の技術］ ＺｎＳやＺｎ５ｅ等の化合物半導体にＭｎ等の発光中心
を添加したものに高電圧を印加するコトで発光するエレ
クトロルミネッセンスの現象は古くから知られている。

近年、二重絶縁層型ＥＬ素子の開発（ニス・アイ・デイ
、７４ダイジエストーオブ・テクニイカル・ベーバーズ
、８４頁、１９７４年；　ＳＩＤ　７４　Ｄｉｇｅｓｔ
　ｏｆ　ＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ　１９７４、
ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサエティ、
１１４巻、１０６Ｂ頁、１９６７年；　Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｓｉｃａｌ　５ｏｃｉｅ
ｔｙ。

１１４．１０６６．１９８７）により、輝度及び寿命が
飛躍的に向上し、薄膜ＥＬ素子は薄型デイスプレィに応
用されるようになり、市販されるまでになった。

ＥＬ素子の発光色は、発光層を構成する半導体母体と、
添加される発光中心の組合せで決まる。例えばＺｎＳ母
体に発光中心としてＭ　ｎを添加すると黄どう色、又、
Ｔｂを添加すると緑色のエレクトロルミネッセンス発光
（以下″ＥＬ発光”と略記する）か得られる。

ところで、フルカラーの薄膜デイスプレィをＥＬ素子を
用いて作製する場合、赤、青、緑の３原色を発光するＥ
Ｌ素子が必要であり、各色を高輝度に発光するＥＬ素子
の開発か精力的に進められている。これらの３原色のう
ち、青色についてはＺｎＳにＴｍをドープしたＺｎＳ：
Ｔｍ発光層や５ｒＳｌ：ＣｅをドープしたＳｒＳ：Ｃｅ
発光層で青色ＥＬ発光が得られることが知られている（
特公昭８３−４６１１７　、小林洋志他、テレビジョン
学会誌、４０巻、９９１頁、１９８６年）。

しかしながら、これらのＥＬ素子は輝度が不十分である
という問題点を有する。中でも、青色ＥＬ素子は特に低
輝度である。Ｓ　ｒＳ　：　Ｃｅ発光層を有する素子は
電子ビーム蒸着法で作製しＨ２Ｓ雰囲気中、６００℃で
３０分間アニールする方法で駆動周波数２．５Ｋ　Ｈｚ
で約１００フートランバート（３５００ｄ／■２）の輝
度が得られた（特公昭Ｂ３−４８１１７号公報）。その
後、ＳｒＳを電子ビーム蒸着する際に、硫黄を共蒸着す
る方法で駆動周波数５Ｋ　）ｌｚで最高輝度ＩＢＯＯｃ
ｄ／ｍ　’が達成され、この値がこれまでの最高の輝度
であった。（エア争アイ帝デイ、８Ｂダイジエスト・オ
ブ・ベーバーズ、２９頁、１９８６年、　ＳＩＤ８ＢＤ
ｉ−ｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒ
ｓ　Ｐ、２９．１９８６）。

しかし、この値も実用レベルからは、はるかに低く、高
輝度発光を示すＥＬ素子を製造するための条件が数多く
検討されている。例えばＭＢＥ（モレキュラー　ビーム
・エピタキシャル）法やＭＯＣＶＤ　（有機金属ガス気
相成長）法を用いて高結晶性の発光層を製造する方法な
どが知られている。これらの方法により、Ｚ　ｎ　Ｓ　
：　Ｍ　ｎ発光層を有する、黄とう色発光を示すＥＬ素
子では、かなり効果を得ているが、青色を示すＳ　ｒＳ
　：　Ｃｅ発光層では顕著な効果は得られていない。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は薄膜デイスプレィを作製するのに十分な輝度を
有する薄膜ＥＬ素子を提供して従来技術の上記問題点を
解消しようとするものである。

［課題を解決するための手段］ かかる状況下において、本発明者等は、高輝度発光を示
すＳｒＳ素子の製造方法について鋭意検討した。本発明
者等は金属硫化物を母材とする発光層を硫化性ガスで加
熱処理する方法について詳細に検討した結果、特公昭［
ｉ３−４８１１７号公報に記載されているような温度が
６５０℃未満で熱処理時間が１時間未満の場合や、特開
平１−２７２０９３号公報の実施例に記載されているよ
うな発光層をＥＢ蒸着で作製し、加熱処理時の硫化性ガ
ス濃度がｔｏｐａ以下と低い場合には高輝度発光しない
が、発光層をスパッタ法で作製し、さらに分圧２０Ｐａ
以上の硫化性ガス雰囲気中で、加熱温度を６５０℃以上
にし、かつ、時間を１時間以上とすることで、輝度が急
激に増加することを見出だし、本発明をなすにいたった
。

すなわち、本発明の概要は一般式ＭＳまたはＳｒＧａ２
Ｓ４で表せる硫化物を母材とする発光層を分圧が２ＯＰ
ａ以上の硫化性ガス雰囲気中、６５０℃以上８５０℃以
下の温度で１時間以上加熱処理を行うことを特徴とする
薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。

但し、上記一般式において、ＭはＣａ　ＳＺ　ｎ　ｓお
よびＳｒとＣａ５Ｂａｘ　Ｚｎ、Ｃｃｌから選ばれる１
種以上との合金のうち何れかであり、Ｓは硫黄である。

本発明における一般式ＭＳで表せる硫化物の中でもＣａ
５ＳＳ　ｒｘ　Ｃａ、−８Ｓ１Ｓｒ、Ｂａ＋−５ＳＺｎ
Ｓ、Ｓｒｘ　Ｚｎ、−ｓ。

は高輝度を示し好ましい。中でも、ＳｒＳを主成分とす
る金属硫化物は硫化性ガスによるアニールの効果が大き
く好ましく、上記一般式中Ｘは０．６以上１未満が好ま
しい。

発光層の製膜方法としては特に限定されず、公知の方法
が用いられるが、スパッタ法により作製した素子は特に
高輝度発光を示し好ましい。

硫化性ガスとしては、特に限定されないが、硫化水素、
二硫化炭素、硫黄蒸気、エチルメルカプタン、メチルメ
ルカプタン等のメルカプタン類、ジメチル硫黄、ジエチ
ル硫黄等を挙げることかできる。中でも、硫化水素ガス
は輝度向上の効果が大きく好ましい。これは硫化水素が
一部加熱分解して発生する水素に、微量酸素を除去する
大きな効果があるためてはないかと推定される。

加熱処理温度は好ましくは６５０℃以上８５０℃以下で
ある。６５０℃未満では硫化性ガスの効果が小さく、真
空中又は不活性ガス中で加熱処理した素子と比較して若
干高輝度となる程度である。

硫化性ガスの効果は６５０℃以上、特に７００℃以上で
著しい。８５０℃を越えると透明電極の劣化や絶縁耐圧
の低下があり好ましくない。

本発明における発光層の、加熱処理時 間は、１時間以上必要である。第２図にＳｒｏ、ｇＺｎ
ｏ、１を母材とし、ＣｅＦ３を発光中心とした発光層に
おいて、７００℃で、Ｈ２Ｓを１．Ｏｍｏ１％含むアル
ゴン気流中で加熱した時の輝度（５ＫＨｚ、　ｓｉｎ波
駆動駆動び平均結晶粒径と加熱時間の関係を示すが、１
時間以上で輝度は、急激に増加する。加熱処理時間は加
熱温度により異なるが、２時間以上が好ましく、３時間
以上ではさらに好ましい。２４時間以上の加熱を行って
も輝度の増加は飽和しており、それ以上の大きな効果は
ない。

硫化性ガスの雰囲気としては、２ＯＰａ以上、より好ま
しくは１００Ｐａ以上である。この条件を作る方法とし
ては、真空排気等により減圧したところに硫化性ガスを
導入する方法、硫化性ガス、あるいは不活性ガス等で希
釈した硫化性ガスを流す方法等がある。不活性ガスで希
釈した硫化性ガスの場合、分圧１０Ｐａは全圧１気圧で
は０．０１％に相当する。不活性ガスで希釈した硫化性
ガスを雰囲気ガスとして用いる場合の硫化性ガス濃度は
０．０２〜１００ｍｏ１％、より好ましくは０．１〜１
００ｍｏ１％である。希釈ガスとしてはＡｒ、Ｈｅ等の
不活性ガスが用いられる。又、加圧下の加熱処理でも良
い。第２図にＳ　ｒ　ｏ９Ｚ　ｎｏ、＋を母材とし、Ｃ
ｅＦ、を発光中心とした発光層において、加熱温度７０
０℃、加熱時間４時間の時の加熱処理時の雰囲気ガス中
の硫化性ガス分圧と輝度（５ＫＨ２Ｓｓｉｎ波駆動）の
関係を示す。硫化性ガス分圧が１ＯＰａを越えると輝度
は増加しだす。硫化性ガス分圧１０３以上では輝度の増
加は飽和する。

本発明の発光層中にドープされる発光中心としては特に
限定されないが、Ｃｅ　％　Ｅ　ｕ　ＳＰ　ｒ　ｓＴｂ
、Ｔｍ、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ　ｒ。

Ｍｎ、Ｃｕ等から選ばれる１種又は２種以上を挙げるこ
とができる。中でもＣｅを発光中心として含む場合が高
輝度発光を示すために好ましい。発光中心は金属で添加
しても化合物で添加してもかまわない。例えば、Ｃｅの
場合は、Ｃｅ５ＣｅＦ３、ＣｅＣｌ　３、Ｃｅ　Ｉ　３
、ＣｅＢｒ３、Ｃｅ２Ｓ３、Ｅｕの場合はＥｕ。

ＥｕＦｓ　　、　　ＥｕＣ１ｘ　　、　　Ｅｕ１３　　
、　　ＥｕＢｒ５　　、Ｅｕ２Ｓ３、Ｐｒの場合は、Ｐ
ｒ５ＰｒＦ３、ＰｒＣｌ３　、　Ｐｒ１３　、　ＰｒＢ
ｒ３　　、Ｐｒ２Ｓ３、Ｔｍの場合は、ＴｍＳＴｍＦ３
、ＴｍＣｌ　　：ｔ　　、　　Ｔｍ１ｙ　　、　　Ｔｍ
Ｂｒ３　　、Ｔｍ２Ｓ３、Ｓｍの場合は、Ｓｍ、ＳｍＦ
ｘ、ＳｍＣ１３、ＳｍＩ　　３　、　　ＳｍＢ　　ｒ　
　３　　、Ｓｍ２Ｓ３、Ｎｄの場合は、Ｎｄ１ＮｄＦ３
、ＮｄＣ１ｘ　　、　　Ｎｄ１ｚ　　、　　ＮｄＢｒｘ
　　、Ｎｄ２Ｓ３、Ｄｙの場合は、Ｄｙ、ＤＹＦ３、Ｄ
）／Ｃ１３、Ｄｙｌ　　３、ＤｙＢｒ３、Ｄｙ５２８３
、Ｈｏの場合は、ＨＯ，ＨＯＦ３、ＨＯＣ１３、ＨＯＩ
３　、ＨｏＢｒ３　、ＨＯ２５３、Ｅｒの場合は、Ｅｒ
、ＥｒＦａ、ＥｒＣ１ｚ、Ｅｒ１３、ＥｒＢｒ）、 Ｅｒ２Ｓｚ、Ｍｎの場合は、Ｍｎ、、ＭｎＦ２、ＭｎＣ
ｌ２　、Ｍｎ１２　、ＭｎＢｒ２　、ＭｎＳ。

Ｃｕの場合はＣｕ　％　Ｃｕ　Ｆ　ｓ　Ｃｕ　Ｆ　２、
ＣｕＣ１、ＣｕＣＩ　２、Ｃｕｒ、Ｃｕｌ　２、Ｃｕ　
Ｂ　ｒ　％　Ｃｕ　Ｂ　ｒ　２　、Ｃｕ　２　Ｓ　−、
Ｃｕ　Ｓが挙げられる。発光中心の濃度は特に限定され
ないが、あまり少ないと発光輝度が上からす、又、あま
り多すぎると発光層の結晶性が悪くなったり、濃度消光
が起って輝度か上からない。好ましくは母体に対して０
．０１〜５１１ｏ１％、より好ましくは０．０５〜２ｍ
ｏ１％の範囲である。本発明のＳｒＳ発光層では、電荷
補償材を添加した方か添加しない場合と比べて高輝度に
発光する。電荷補償材の濃度としては、特に限定されな
いが、好ましくは母体に対して０．０１〜５ｍｏ１９６
、より好ましくは０．０５〜２ａ＋ｏ！％の範囲である
。

ガラス基板又は石英基板上にインジウム・スズ酸化物（
ＩＴＯと略記する）電極を作製し、その上に絶縁層、硫
化物を主成分とする発光層を形成し、次いで硫化性ガス
の雰囲気中で加熱処理をおこなうと、上に絶縁層と硫化
物発光層が形成されていない、露出したＩＴＯ電極は硫
化性ガスとの接触により絶縁体となり、素子に電圧を印
加するのが不可能となる。本発明者らも、当初この現象
により、硫化性ガス雰囲気中での加熱処理は不可能と考
えたが、絶縁層と硫化物発光層で覆われたＩＴＯ電極は
導電性を維持していることを見い出し、加熱処理後に、
絶縁層と硫化物発光層を一部分剥離し、ＩＴＯ電極を露
出させ、この部分に電圧印加用のリード線を接続するこ
とで、ＥＬ素子を作製する方法を開発した。又、露出し
たＩＴＯ電極部分だけをＰｔ、Ａｕｓ又はＭｏＳ　ｉ　
２、Ｍｏ２　Ｓ　ｉ　３などのモリブデンシリサイド、
ＷＳｉ２、Ｗ５Ｓｉ３などのタングステンシリサイド等
の硫化性ガスの浸透を防止する導電層でカバーする方法
でも素子を作製できる。硫化性ガスに対して耐性を有す
る電極上に絶縁層及び発光層を形成し、硫化性ガス雰囲
気中での加熱処理後に、最上部にＩＴＯ電極を形成する
構造のＥＬ素子では、このような工夫は必要ない。

本発明のＥＬ素子に用いられる絶縁層としては特に限定
されない。例えばＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｔｉ０ｚ、Ａｌ
２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴａｚＯｓ、ＢａＴａ２０５、Ｓｒ
ＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｚｒ０ｚ等やこ
れらの混合膜又は２種以上の積層膜を挙げることができ
る。絶縁層の膜厚は特に限定されないが、好ましくは５
００〜３００００人の範囲であり、より好ましくは１０
００〜１５０００人の範囲である。

絶縁層と発光層の間には、成膜時、加熱処理時に両者の
反応を防ぐためにバッファー層を用いることが好ましい
。バッファー層としては特に限定されないが、金属硫化
物層、中でもＺ　ｎ　Ｓ　％Ｃｄ　Ｓ　ＳＳ　ｒ　Ｓ　
ＳＣａ　Ｓ　％　Ｂ　ａ　Ｓ　−ＣｕＳ等が挙げられる
。バッファー層の膜厚は特に限定されないが１００〜１
００００　Ａ、の範囲であり、より好ましくは５００〜
３０００人の範囲である。

本発明において、発光層の膜厚は特に限定されないが、
薄すぎると発光輝度が低く、厚すぎると発光開始電圧が
高くなるため、好ましくは５００〜３００００　人の範
囲であり、より好ましくは１０００〜１５０００人の範
囲である。

硫化性ガス中での加熱処理により、高輝度を示すＥＬ素
子が得られる理由としては、硫化性ガスは発光層中及び
加熱雰囲気中に微量存在する酸素ガスを除去する効果も
あると推定される。

Ｓ　ｒＳ　：　Ｃｅ発光層中に微量存在する酸素は輝度
低下の原因になると指摘され［ジャバニズ・ジャーナル
・オブ・アブライドフィジイックス、２７巻、Ｌ　１９
２３頁、１９８８年；　ＪＡＰＡＮＥＳＥ）ＱＵｌ？Ｎ
ＡＬ　　ＯＦ　　ＡＰＰＬＩＤ　　Ｐ）ｔＹｓＩｃｓ、
２７．Ｌ　　１９２３（１９Ｈ）］微量酸素を除く方法
か望まれていた。本発明法は膜中の微量酸素を除く効果
も有し、ＳｒＳ：Ｃｅ発光層系において、特に大きな輝
度向上効果が得られるものと推定される。

［実施例コ 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。

実施例１および比較例１ 反応性スパッタ法により、ガラス基板上（ＨＯＹＡ株式
会社製、　ＮＡ−４０）に厚さ約１０００人のＩＴｏ電
極を形成した。

さらに、Ｔａターゲット、及び５ｉ０２ターゲツトを用
いて、酸素３０％、アルゴン７０％の混合ガスを導入し
て反応性スパッタ蒸着を行い、厚さ４０００人のＴａ２
０５と厚さ１０００人のＳｉＯ２を順次形成し、絶縁層
とした。

続いてＺｎＳターゲットを用いてアルゴンガス中のスパ
ッタ蒸着により厚さ約１０００人のＺｎＳ薄膜を作製し
た。その後ＳｒＳとＺｎＳを９対１のモル比で混合し、
さらに０．３ＩＩｌｏ１％のＣｅＦ３及びＫＣＩを混合
した粉末をターゲットに用い、２ｍｏ１％の硫化水素を
含むＡｒガスを３０ｍＴｏｒｒの圧力で導入して、基板
温度２５０”Ｃてスパッタ蒸着を行い　厚さ約６０００
人のＳ　ｒｏ、ｇ　Ｚｎｏ、、　Ｓ　：　Ｃｅ膜を作製
した。このようにして得られた膜を硫化水素をｌＯｍｏ
１％含むＡｒガスを１００ａ＋Ｉ／ｓｉｎで流しつツ、
７２０”Ｃで、４時間加熱処理した。

次に再びスパッタ法により、厚さ約１０００人のＺｎＳ
及び５ｉ０２と厚さ４０００人のＴａ　２０ｓを順次形
成し絶縁層とした。

次にＡＩを真空蒸着して上部電極とした。下部電極は発
光層及び絶縁層の一部を剥離させてＩＴＯ電極を露出し
、これを用いた。

硫化水素中で加熱処理した素子の最大輝度は、５ＫＨｚ
、　ｓｉｎ　？ｔｉ駆動で４０００ｃｄ／ｍ　’であっ
た。比較のために、加熱処理をＡｒ中で行い、他は実施
例１と同様にして作製した素子の最高輝度は５００ｃｄ
／ｍ　’であった。

実施例２ 発光層をＥＢ蒸着法で作製した以外は実施例１と同様に
して素子を作製した。最高輝度は１ＢＯＯｃｄ／ｍ　２
であった。

比較例２ 加熱処理をＨ２Ｓを５％含むＮ２ガス気流中、６００℃
で３０分行ったこと以外は、実施例１と同様にして素子
を作製した。素子の最高輝度は５ＫＨｚ、　ｓｉｎ波駆
動駆動００ｃｄ／ａ＋　２であった。

実施例３ 素子を作製する際の発光層の両側のＺｎＳ層を除いたこ
と以外は実施例１と同様にして素子を作製した。この素
子は最大輝度３５００ｃｄ／ｍ２（５ｋＨｚ、　ｓｉｎ
波駆動駆動示した。

実施例４ 素子を作製する際の、ＳｒＳ発光層の両側のＺｎＳをＳ
ｒＳに変えたこと以外は、実施例１と同様にして素子を
作製した。この素子は最大輝度４５００ｃｄ／ｍ　’　
　（５Ｋ）Ｉ’ｚ、　ｓｉｎ波駆動駆動示した。

実施例５ 発光層を作製する際の、スパッタガスをＡｒガスした以
外は実施例１と同様にして素子を作製した。この素子は
最大輝度４３００ｃｄ／ｍ　２（５ＫＨｚ。

ｓｉｎ波駆動駆動示した。

実施例６−１５、比較例３−５ 加熱処理温度と加熱処理時の硫化水素濃度を表１に示す
ように変化させた以外は１．８実施例１と同様にして、
薄膜ＥＬ素子を得た。発光輝度の測定結果を第１表に示
す。

第１表 実施例１６ 硫化物発光層として、Ｓ　ｒｏ　　、Ｃａ０．、Ｓ中に
０．Ｂａｏ１％のＣｅＦｚとＰｒＦ３とＫＣＩを添加し
た、粉末ターゲットを用いたスノク・フタ法で作製した
Ｓｒ、、Ｃａ、、、Ｓ：Ｃｅ、Ｐｒを使用する以外はす
べて実施例１と同様にしてＳｒｏ　　９Ｃａ、、、Ｓ：
Ｃｅ、Ｐｒ薄膜ＥＬ素子を作製した。この素子は最大輝
度３０００　　ｃｄ／＋ｎ’（５ＫＨｚ、　ｓｉｎ波駆
動）を示した。

実施例１７ 硫化物発光層として、Ｓ　ｒｏ、　９ＢａＯ，ｌ　Ｓ中
に０ＪＩＩｌｏ１％のＣｅＦ３とＫＣｌ、及び０．０２
１１１゜％のＥｕＦ３を添加した、粉末ターゲットを用
いたスパッタ法で作製したＳ　ｒｏ、　ｇＢ　ａｏ、Ｉ
　Ｓ　：Ｃｅ　ｓ　Ｅ　ｕを使用する以外はすべて実施
例１と同様にしてＳｒＯ，ｇＢａｏ、Ｉ　Ｓ：Ｃｅ、Ｅ
ｕ薄膜ＥＬ素子を作製した。この素子は最大輝度３２０
０ｃ、６７ｍ２（５ＫＨｚＳｓｉｎ波駆動）を示した。

実施例１８ 硫化性ガスが二硫化炭素を１ｍｏ１％含むＡｒガス中で
、温度６８０℃で加熱処理したこと以外は実施例１と同
様にしてＳｒｏ、　　Ｂａｏ、ＩＳ：Ｃｅ素子を作製し
た。この素子は最大輝度２８００ｃｄ／ｍ２（５ＫＨｚ
、　ｓｉｎ波駆動）を示した。

実施例１９ 硫化物発光層として、Ｓ　ｒｏ、Ｆ　Ｚ　ｎｏ、＋　Ｓ
中に０．３ｉｏ１％のＳｍＦ　３とＫＣＩを添加した粉
末ターゲットを用いたスパッタ法で作製したＳ　ｒｏ、
’）Ｚｎｏ、、Ｓ　：　Ｓｍを使用する以外はすべて実
施例１と同様にしてＳ　ｒｏ、９Ｚ　ｎｏ、＋　Ｓ　’
Ｓｍ薄膜ＥＬ素子を作製した。この素子は最大輝度３２
０ｃｄ／ｍ　’　　（５ＫＨｚ、　ｓｉｎ波駆動）を示
した。

実施例２Ｏ−２６ Ｓ　ｒｏ、Ｚｎｏ、＋　Ｓ中の発光中心を第２表に示す
ように変化させた以外は、実施例１と同様にして薄膜Ｅ
Ｌ素子を得た。発光輝度測定結果を第２表に示す。

第２表 実施例２７ 発光層として１ｍｏ１％のＭｎを発光中心として添加し
たＺｎＳを用いた事以外は実施例１と同様にして素子を
作製した。本素子はＡｒ中で熱処理して作製した素子の
約３倍の輝度を示した。

実施例２８ 発光層としてＣｅＦ３とＫＣＩを０．３ｍｏ１％添加し
たＣａＳを用いた事以外は実施例１と同様にして素子を
作製した。本素子はＡｒ中で熱処理して作製した素子の
約２倍の輝度を示した。

実施例２つ 発光層としてＣｅＦ３とＫＣＩを０　、３１１１ｏ　１
％添加したＳｒＧａ２Ｓ４用いた事以外は実施例１と同
様にして素子を作製した。本素子はＡｒ中で熱処理して
作製した素子の約２倍の輝度を示した。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明方法による高輝度なエレク
トロルミネッセンス素子を用いることにより、フルカラ
ーのＥＬデイスプレィを作製することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はＳ　Ｔｏ、ｑ　Ｚｎｏ、＋　Ｓ　：　Ｃｅ素子
の輝度と加熱処理時間との関係を示すグラフ、第２図は
Ｓ　ｒａ、ｅ　Ｚｎｏ、＋　Ｓ　：　Ｃｅ素子の輝度と
加熱処理時の雰囲気ガス中のＨ２Ｓ分圧との関係を示す
グラフである。 第 図 第 Ｈ２Ｓの分圧（Ｐａ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式ＭＳまたはＳｒＧａ＿２Ｓ＿４で表せる母
   材に、発光中心をドープした発光層を有する薄膜エレク
   トロルミネッセンス素子の製造方法において、以下に記
   載する（ａ）〜（ｆ）の製造行程を有することを特徴と
   するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 但し、上記一般式において、 ＭはＣａ、Ｚｎ、およびＳｒとＣａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ
   、から選ばれる１種以上との合 金のうち何れか、 Ｓは硫黄である。 （ａ）基板上に電圧印加用の導電性の薄膜電極をつける
   。 （ｂ）導電性薄膜上に電気絶縁層をつける。 （ｃ）上記絶縁性薄膜上に金属硫化物を母材とし、発光
   中心が付与された発光薄膜をつ ける。 （ｄ）基板上に発光層まで順次成膜したものを、６５０
   ℃以上８５０℃以下の温度で１時間以上、２０Ｐａ以上
   の分圧を有する硫化性ガス雰囲気中でアニールする。 （ｅ）アニールの後、発光層の上に電気絶縁層をつける
   。 （ｆ）絶縁性薄膜の上に電圧印加用の導電性の薄膜電極
   をつける。
2. （２）一般式ＭＳで表せる母材がＣａＳ、 Ｓｒ＿ｘＣａ＿１＿−＿ｘＳ、Ｓｒ＿ｘＢａ＿１＿−＿
   ｘＳ、ＺｎＳ、Ｓｒ＿ｘＺｎ＿１＿−＿ｘＳ、 Ｓｒ＿ｘＣｄ＿１＿−＿ｘＳ、 （但し、上記式中ｘは１未満の正の数値を示す。） の何れかである請求項（１）記載のエクトロルミネッセ
   ンス素子の製造方法。