JPH0439893A - セレン含有化合物半導体薄膜の製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
セレン含有化合物半導体薄膜の製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0439893A JPH0439893A JP2144555A JP14455590A JPH0439893A JP H0439893 A JPH0439893 A JP H0439893A JP 2144555 A JP2144555 A JP 2144555A JP 14455590 A JP14455590 A JP 14455590A JP H0439893 A JPH0439893 A JP H0439893A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高結晶性のセレン含有化合物半導体薄膜の製造
方法およびその薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス
素子に関するものである。
方法およびその薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス
素子に関するものである。
Ｚｎ５ｅ、 ＣｄＳｅ、 ５ｒＳｅ、 ＣａＳｅ等はエ
レクトロルミッセンス（ＥＬ）や発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）への応用が期待される化合物半導体である。これら
半導体薄膜は蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ法（モレキュ
ラービームエピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ法（有機金属
ガス気相成長法）等で作成される。
レクトロルミッセンス（ＥＬ）や発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）への応用が期待される化合物半導体である。これら
半導体薄膜は蒸着法、スパッタ法、ＭＢＥ法（モレキュ
ラービームエピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ法（有機金属
ガス気相成長法）等で作成される。
しかし、これらの方法で作成された薄膜はＳｅ欠陥が多
く、また結晶性も十分でなく、電子モビリティ−の高い
膜が得られず、またＰ型半導体の作成が困難であった。
く、また結晶性も十分でなく、電子モビリティ−の高い
膜が得られず、またＰ型半導体の作成が困難であった。
たとえば５ｒＳｅを母体としてＣｅを発光中心としてド
ープした薄膜（ＳｒＳｅ ： Ｃｅ）を発光層とするＥ
Ｌ素子は青色の発光を示すが、Ｓｅ欠陥の少ない、良質
の５ｒＳｅが製造できないために、その輝度は数１０ｃ
ｄ／ ｒｒｆ （５ＫＨｚ）と極めて低くその改良が望
まれている。
ープした薄膜（ＳｒＳｅ ： Ｃｅ）を発光層とするＥ
Ｌ素子は青色の発光を示すが、Ｓｅ欠陥の少ない、良質
の５ｒＳｅが製造できないために、その輝度は数１０ｃ
ｄ／ ｒｒｆ （５ＫＨｚ）と極めて低くその改良が望
まれている。
かかる状況下において、本発明者等はＳｅ欠陥の少ない
、高結晶性の薄膜およびそれを用いた高輝度発光を示す
ＥＬ素子の製造法について鋭意検討した結果、公知技術
により作成したセレン含有化合物半導体をセレン化水素
等のセレン含有ガス雰囲気中で熱処理することにより、
Ｓｅの欠陥の少ない薄膜が得られ、それを用いたＥＬ素
子が高輝度発光するのを見いだし本発明をなすに至った
。
、高結晶性の薄膜およびそれを用いた高輝度発光を示す
ＥＬ素子の製造法について鋭意検討した結果、公知技術
により作成したセレン含有化合物半導体をセレン化水素
等のセレン含有ガス雰囲気中で熱処理することにより、
Ｓｅの欠陥の少ない薄膜が得られ、それを用いたＥＬ素
子が高輝度発光するのを見いだし本発明をなすに至った
。
すなわち、本発明はＣａ、 Ｓｒ＋ Ｂａ＋ Ｚｎ＋
Ｃｄ＋ Ａｇ＋Ｈｇより選ばれる１種または２種以上の
金属を含むセレン含有化合物半導体薄膜をセレン含有ガ
ス雰囲気中で熱処理することを特徴とする高結晶性のセ
レン含有化合物半導体の製造方法および上記セレン含有
化合物半導体薄膜を発光層として用いるエレクトロルミ
ネッセンス素子である。
Ｃｄ＋ Ａｇ＋Ｈｇより選ばれる１種または２種以上の
金属を含むセレン含有化合物半導体薄膜をセレン含有ガ
ス雰囲気中で熱処理することを特徴とする高結晶性のセ
レン含有化合物半導体の製造方法および上記セレン含有
化合物半導体薄膜を発光層として用いるエレクトロルミ
ネッセンス素子である。
本発明におけるセレン含有化合物半導体としてはＺｎ５
ｅ、 ＺｎＳ＋−ｘｓｅｘ ＋ ＣｄＳｅ、 ＣｄＳ、
−ｘＳｅ、 、 ＣａＳｅ。
ｅ、 ＺｎＳ＋−ｘｓｅｘ ＋ ＣｄＳｅ、 ＣｄＳ、
−ｘＳｅ、 、 ＣａＳｅ。
５ｒＳｅ、 ＢａＳｅ、 ＨｇＳｅ、 Ｚｎ＋−ｘｓｒ
ｘｓｅ＋ Ｚｎ＋−ｘｓｒｘｓ、−、Ｓｅ。
ｘｓｅ＋ Ｚｎ＋−ｘｓｒｘｓ、−、Ｓｅ。
等をあげることができる。ここでｘ、ｙは１以下の正の
値を示す。
値を示す。
これら化合物の薄膜作成方法としては従来公知の方法が
選択でき特に制約されない、公知方法としては、蒸着法
、スパッタ法、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法等をあげること
ができる。
選択でき特に制約されない、公知方法としては、蒸着法
、スパッタ法、ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法等をあげること
ができる。
セレン含有ガスとしては特に限定されないが、セレン化
水素、ジメチルセレン、ジエチルセレン等のアルキルセ
レン、セレノフェン、Ｓｅ蒸気等をあげることができる
。これらガスはＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスで希釈して用
いることができる。ガス濃度としては特に限定されない
が、０．００１％〜１００％、より好ましくは０．００
５％〜１０％である。セレン含有ガスの濃度が０．００
１％〜未満では効果が小さく、１０％を越えても効果は
飽和する傾向にある。熱処理温度は、好ましくは５５０
°Ｃ以上８５０°Ｃ以下である。５５０°Ｃ未満では熱
処理効果が小さり、５５０°Ｃ以上、特に６５０″Ｃ以
上が好ましい。８５０℃を越えると、ＥＬ素子に応用し
た場合、基板のガラスの軟化や、透明電極の劣化がおこ
り好ましくない。
水素、ジメチルセレン、ジエチルセレン等のアルキルセ
レン、セレノフェン、Ｓｅ蒸気等をあげることができる
。これらガスはＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスで希釈して用
いることができる。ガス濃度としては特に限定されない
が、０．００１％〜１００％、より好ましくは０．００
５％〜１０％である。セレン含有ガスの濃度が０．００
１％〜未満では効果が小さく、１０％を越えても効果は
飽和する傾向にある。熱処理温度は、好ましくは５５０
°Ｃ以上８５０°Ｃ以下である。５５０°Ｃ未満では熱
処理効果が小さり、５５０°Ｃ以上、特に６５０″Ｃ以
上が好ましい。８５０℃を越えると、ＥＬ素子に応用し
た場合、基板のガラスの軟化や、透明電極の劣化がおこ
り好ましくない。
加熱処理を行う時間は特に制約されないが、加熱温度に
より異なる一定時間以上の加熱が必要である。また必要
以上に長く行っても効果は飽和する。そのため加熱温度
を決めれば加熱に必要な時間は容易に決定できる。処理
温度が６７０°Ｃ以下の場合は１時間以上、６５０°Ｃ
以下の場合は４時間以上が好ましい。
より異なる一定時間以上の加熱が必要である。また必要
以上に長く行っても効果は飽和する。そのため加熱温度
を決めれば加熱に必要な時間は容易に決定できる。処理
温度が６７０°Ｃ以下の場合は１時間以上、６５０°Ｃ
以下の場合は４時間以上が好ましい。
本方法により得られるセレン含有化合物半導体薄膜は、
Ｓｅ欠陥が少なく高結晶性である特徴を有する。そのた
めに、この方法で得られるセレン含有化合物半導体薄膜
に、チッ素、リチウム等をドープすることによりＰ−型
半導体を得ることが出来、ｎ−型半導体と組み合わせる
ことにより整流素子、トランジスタ、発光ダイオード等
に利用できる。セレン含有化合物半導体には、ワイドバ
ンドギャップを有するものも多く、それらを用いた発光
ダイオードは青色発光が可能となる。また発光ダイオー
ドを改良することで、半導体レーザに応用できる可能性
も有する。また、本発明のセレン含有化合物半導体とＳ
ｉ半導体等を組み合わせることにより、タンデム型の高
効率太陽電池を製作することが可能である。
Ｓｅ欠陥が少なく高結晶性である特徴を有する。そのた
めに、この方法で得られるセレン含有化合物半導体薄膜
に、チッ素、リチウム等をドープすることによりＰ−型
半導体を得ることが出来、ｎ−型半導体と組み合わせる
ことにより整流素子、トランジスタ、発光ダイオード等
に利用できる。セレン含有化合物半導体には、ワイドバ
ンドギャップを有するものも多く、それらを用いた発光
ダイオードは青色発光が可能となる。また発光ダイオー
ドを改良することで、半導体レーザに応用できる可能性
も有する。また、本発明のセレン含有化合物半導体とＳ
ｉ半導体等を組み合わせることにより、タンデム型の高
効率太陽電池を製作することが可能である。
さらに、本方法により得られたセレン含有化合物半導体
は、エレクトロルミネッセンス素子の発光層材料として
好適である。
は、エレクトロルミネッセンス素子の発光層材料として
好適である。
本発明のエレクトロルミネッセンス素子において、Ｓｅ
発光層中にドープされる発光中心としてはとしては特に
限定されないが、Ｃｅ、 Ｅｕ、 Ｐｒ、 Ｔｂ。
発光層中にドープされる発光中心としてはとしては特に
限定されないが、Ｃｅ、 Ｅｕ、 Ｐｒ、 Ｔｂ。
Ｔｍ Ｓｍ、 Ｎｄ、 Ｄｙ、 Ｈｏ、 Ｅｒ＋ Ｍ
ｎ、 Ｃｕ等から選ばれる１種または２種以上をあげる
ことができる。中でもＣｅを発光中心として含む場合が
高輝度発光を示すために好ましい。発光中心は金属で添
加しても化合物で添加してもかまわない。たとえば、Ｃ
ｅの場合は、Ｃｅ、 ＣｅＰ、 ＣｅＦ、、、 ＣｅＣ
１：＋＋ Ｃｅ１．、 ＣｅＢｒ、。
ｎ、 Ｃｕ等から選ばれる１種または２種以上をあげる
ことができる。中でもＣｅを発光中心として含む場合が
高輝度発光を示すために好ましい。発光中心は金属で添
加しても化合物で添加してもかまわない。たとえば、Ｃ
ｅの場合は、Ｃｅ、 ＣｅＰ、 ＣｅＦ、、、 ＣｅＣ
１：＋＋ Ｃｅ１．、 ＣｅＢｒ、。
ＣｅｚＳ３． ＣｅｚＳｅ、、； Ｅｕの場合は、Ｅｕ
＋ ＥｕＦ３． ＥｕＣ１：＋ＥｕＩ）、ＥｕＢｒ１＋
ＥｕｚＳ：、、ＥｕｚＳｅｚ；、 Ｐｒの場合は、Ｐ
ｒ。
＋ ＥｕＦ３． ＥｕＣ１：＋ＥｕＩ）、ＥｕＢｒ１＋
ＥｕｚＳ：、、ＥｕｚＳｅｚ；、 Ｐｒの場合は、Ｐ
ｒ。
ＰｒＦ３＋ ＰｒＣ１ｔ、 Ｐｒ１．、、 ＰｒＢｒ３
． ＰｒｚＳ＋、 ＰｒｚＢｅ３：Ｔｍの場合は、Ｔｍ
、 ＴＩＩＩＦ！１ ＴｍＣｌ３． Ｔｍ１３． Ｔｍ
Ｂｒ、、、 ＴｍｚＳ３゜Ｔｍ２Ｓｅ３；Ｓｍの場合は
、Ｓｍ、 ＳｍＦ３＋ ＳｍＣ１１，ＳｍＩｚ＋Ｓｎ
＋Ｂｒｚ、 ＳｍｚＳ：＋、ＳｍｚＳｅ、、； Ｎｄ
の場合は、Ｎｄ、 ＮｄＦ３ＮｄＣ１ｚ、ＮｄＩ３．
ＮｄＢｒ３． ＮｄｚＳ３．ＮｄｚＳｅ３； ＤＶの場
合は、Ｄｙ、 ｏｙＦ３． ＤｙＣｌ：＋＋ ＤｙＩ３
． ＤｙＢｒ３． ＤｙｚＳ＊＋ ＤＶｚＳｅ＋；Ｈｏ
の場合は、Ｈｏ＋ＨｏＦ３．ＨｏＣ１：＋、Ｈｏ１３．
ＨｏＢｒ１＋ＨｏｚＳ３＋ＨｏｚＳｅ３； Ｅｒの場合
は、Ｅｒ、 ＥｒＦ、 ＥｒＣｈ＋ Ｅｒｈ＋ＥｒＢｒ
３． ＥｒｚＳ３． ＥｒｚＳｅｚ； Ｍｎの場合は、
Ｍｎ、 ＭｎＦｚ。
． ＰｒｚＳ＋、 ＰｒｚＢｅ３：Ｔｍの場合は、Ｔｍ
、 ＴＩＩＩＦ！１ ＴｍＣｌ３． Ｔｍ１３． Ｔｍ
Ｂｒ、、、 ＴｍｚＳ３゜Ｔｍ２Ｓｅ３；Ｓｍの場合は
、Ｓｍ、 ＳｍＦ３＋ ＳｍＣ１１，ＳｍＩｚ＋Ｓｎ
＋Ｂｒｚ、 ＳｍｚＳ：＋、ＳｍｚＳｅ、、； Ｎｄ
の場合は、Ｎｄ、 ＮｄＦ３ＮｄＣ１ｚ、ＮｄＩ３．
ＮｄＢｒ３． ＮｄｚＳ３．ＮｄｚＳｅ３； ＤＶの場
合は、Ｄｙ、 ｏｙＦ３． ＤｙＣｌ：＋＋ ＤｙＩ３
． ＤｙＢｒ３． ＤｙｚＳ＊＋ ＤＶｚＳｅ＋；Ｈｏ
の場合は、Ｈｏ＋ＨｏＦ３．ＨｏＣ１：＋、Ｈｏ１３．
ＨｏＢｒ１＋ＨｏｚＳ３＋ＨｏｚＳｅ３； Ｅｒの場合
は、Ｅｒ、 ＥｒＦ、 ＥｒＣｈ＋ Ｅｒｈ＋ＥｒＢｒ
３． ＥｒｚＳ３． ＥｒｚＳｅｚ； Ｍｎの場合は、
Ｍｎ、 ＭｎＦｚ。
ＭｎＣ１ｚ、 ＭｎＩｚ＋ ＭｎＢｒ２． ＭｎＳ、
ＭｎＳｅ； Ｃｕの場合は、Ｃｕ、ＣｕＦ、ＣｕＦｚ＋
ＣｕＣ１，ＣｕＣ１ｚ、ＣｕＩ、ＣｕＩ２．ＣｕＢ
ｒ。
ＭｎＳｅ； Ｃｕの場合は、Ｃｕ、ＣｕＦ、ＣｕＦｚ＋
ＣｕＣ１，ＣｕＣ１ｚ、ＣｕＩ、ＣｕＩ２．ＣｕＢ
ｒ。
ＣｕＢｒｚ＋ ＣｕｚＳ、 Ｃ＋ｇＳｅ、 ＣｕＳ、
Ｃｕ５ｅが挙げられる。
Ｃｕ５ｅが挙げられる。
発光中心の濃度は特に限定されないが、あまり少ないと
発光輝度が上がらず、また、あまり多すぎると発光層の
結晶性が悪くなったり、濃度消光が起こって輝度が上が
らない。好ましくは母体に対して０．０１〜５ ｒａｏ
１％、より好ましくは０．０５〜２ＩＩＩ０１％の範
囲である。本発明の５ｒＳｅ発光層では、電荷補償材を
添加した方が添加しない場合と比べて高輝度に発光する
。電荷補償材としては特に限定されないが、ＫＣｌ、
ＫＢｒ、 ＫＦ、 ＮａＣｌ、 ＮａＢｒ、 ＮａＦ、
Ｌｉ（Ｊ。
発光輝度が上がらず、また、あまり多すぎると発光層の
結晶性が悪くなったり、濃度消光が起こって輝度が上が
らない。好ましくは母体に対して０．０１〜５ ｒａｏ
１％、より好ましくは０．０５〜２ＩＩＩ０１％の範
囲である。本発明の５ｒＳｅ発光層では、電荷補償材を
添加した方が添加しない場合と比べて高輝度に発光する
。電荷補償材としては特に限定されないが、ＫＣｌ、
ＫＢｒ、 ＫＦ、 ＮａＣｌ、 ＮａＢｒ、 ＮａＦ、
Ｌｉ（Ｊ。
ＬｉＢｒ、 ＬｉＦなどをあげることができる。電荷補
償材の濃度としては特に限定されないが、好ましくは母
体に対して０．０１〜５＋ｗｏｆ％、より好ましくは０
．０５〜２ ｖａｏ ｊ！％の範囲である。本発明のＥ
ｌ、素子に用いられる絶縁層としては特に限定されない
。
償材の濃度としては特に限定されないが、好ましくは母
体に対して０．０１〜５＋ｗｏｆ％、より好ましくは０
．０５〜２ ｖａｏ ｊ！％の範囲である。本発明のＥ
ｌ、素子に用いられる絶縁層としては特に限定されない
。
例えば＋５ｆＯｚ＋ ＹｔＯ＋＋ ｒｉｏ２１ Ａｌｚ
Ｃｈ、 ［ｏ２． Ｔａｘｅｓ。
Ｃｈ、 ［ｏ２． Ｔａｘｅｓ。
ＢａＴａｔＯｂ＋ ５ｒＴｉＯｉ、 ＰｂＴｉＯｓ、
Ｓｉ３Ｎ４． Ｚｒ０ｚ等やこれらの混合膜または２種
以上の積層膜をあげることができる。絶縁層の膜厚は特
に限定されないが、好ましくは５００〜３００００人の
範囲であり、より好ましくは１０００〜１５０００人の
範囲である。
Ｓｉ３Ｎ４． Ｚｒ０ｚ等やこれらの混合膜または２種
以上の積層膜をあげることができる。絶縁層の膜厚は特
に限定されないが、好ましくは５００〜３００００人の
範囲であり、より好ましくは１０００〜１５０００人の
範囲である。
絶縁層と発光層の間には、成膜時、加熱処理時に両者の
反応を防ぐためにバッファー層を用いることが好ましい
。バッファー層としては特に限定されないが、金属硫化
物層、中でもＺｎＳ、 ＣｄＳ、ＳｒＳ。
反応を防ぐためにバッファー層を用いることが好ましい
。バッファー層としては特に限定されないが、金属硫化
物層、中でもＺｎＳ、 ＣｄＳ、ＳｒＳ。
ＣａＳ、 ＢａＳ、 ＣｕＳ等および金属セレン化物層
、中でもＺｎ５ｅ、 ＣｄＳｅ、 ５ｒＳｅ、 ＣａＳ
ｅ＋ ＢａＳｅ等が挙げられる。バッファー層の膜厚は
特に限定されないが１００〜１００００人の範囲であり
、より好ましくは５００〜３０００人の範囲である。
、中でもＺｎ５ｅ、 ＣｄＳｅ、 ５ｒＳｅ、 ＣａＳ
ｅ＋ ＢａＳｅ等が挙げられる。バッファー層の膜厚は
特に限定されないが１００〜１００００人の範囲であり
、より好ましくは５００〜３０００人の範囲である。
本発明のＥＬ素子において、発光層の膜厚は特に限定さ
れないが、薄すぎると発光輝度が低く、厚すぎると発光
開始電圧が高くなるため、好ましくは５００〜３０００
０人の範囲であり、より好ましくは１０００〜１５００
０人の範囲である。
れないが、薄すぎると発光輝度が低く、厚すぎると発光
開始電圧が高くなるため、好ましくは５００〜３０００
０人の範囲であり、より好ましくは１０００〜１５００
０人の範囲である。
本発明によれば、Ｓｅ欠陥の少ない高結晶性のＳｅ含有
化合物半導体薄膜が得られ、それを用いたＥＬ素子は高
輝度発光する。本発明法により作製した。５ｒＳｅ ：
Ｃｅ素子は、輝度１００ ｃｄ／ｒｒｆ （５ＫＨｚ
）以上の高輝度を示す。
化合物半導体薄膜が得られ、それを用いたＥＬ素子は高
輝度発光する。本発明法により作製した。５ｒＳｅ ：
Ｃｅ素子は、輝度１００ ｃｄ／ｒｒｆ （５ＫＨｚ
）以上の高輝度を示す。
以下、実施例により本発明を説明する。
実施例１および比較例１
反応性スパッタ法により、ガラス基板上（）ＩＯＹＡ株
式会社製、ＮＡ−４０）に厚さ約１０００人のＩＴＯ電
極を形成した。さらに、ＴａターゲットおよびＳｉＯ□
ターゲットを用いて、酸素３０％、アルゴン７０％の混
合ガスを導入して反応性スパッタ蒸着を行い。厚さ４０
００人のＴａ、０．と厚さ１０００人の５ｉＯｚを順次
形成し絶縁層とした。続いてＺｎ５ｅターゲツトを用い
てアルゴンガス中のスパッタ蒸着により厚さ約１０００
人のＺｎ５ｅ薄膜を作製した。その後５ｒＳｅと５ｒＳ
ｅに対して０．３ｍｏｆ％のＣｅＦｔおよびＫｃｌを混
合た粉末をターゲットに用い、計ガスを３０ｍＴｏｒｒ
の圧力で導入して、基板温度２５０°Ｃでスパッタ蒸着
を行い、厚さ約６０００人のＳｒＳ：Ｃｅ膜を作製した
。
式会社製、ＮＡ−４０）に厚さ約１０００人のＩＴＯ電
極を形成した。さらに、ＴａターゲットおよびＳｉＯ□
ターゲットを用いて、酸素３０％、アルゴン７０％の混
合ガスを導入して反応性スパッタ蒸着を行い。厚さ４０
００人のＴａ、０．と厚さ１０００人の５ｉＯｚを順次
形成し絶縁層とした。続いてＺｎ５ｅターゲツトを用い
てアルゴンガス中のスパッタ蒸着により厚さ約１０００
人のＺｎ５ｅ薄膜を作製した。その後５ｒＳｅと５ｒＳ
ｅに対して０．３ｍｏｆ％のＣｅＦｔおよびＫｃｌを混
合た粉末をターゲットに用い、計ガスを３０ｍＴｏｒｒ
の圧力で導入して、基板温度２５０°Ｃでスパッタ蒸着
を行い、厚さ約６０００人のＳｒＳ：Ｃｅ膜を作製した
。
このようにして得られた膜をセレン化水素を１ａ＋ｏｆ
％含むＡｒガス中、７２０ ”Ｃで４時間加熱処理した
。
％含むＡｒガス中、７２０ ”Ｃで４時間加熱処理した
。
次に、再びスパッタ法により厚さ約１０００人のＺｎ５
ｅおよびＳｉＯ□と厚さ４０００人のＴａｚ０５を順次
形成し絶縁層とした。つぎに、ＡＩを真空蒸着して上部
電極とした。下部電極は発光層及び絶縁層の一部を剥離
させてＩＴＯ電極を露出し、これを用いた。本素子の最
大輝度は、５ＫＨｚ 、 ｓｉｎ波駆動駆動００ ｃｄ
／ボであった。比較のために、加熱処理をＡｒ中で行い
、他は実施例１と同様にして作成した素子の最高輝度は
１５ ｃｄ／ｒｒｆであった。
ｅおよびＳｉＯ□と厚さ４０００人のＴａｚ０５を順次
形成し絶縁層とした。つぎに、ＡＩを真空蒸着して上部
電極とした。下部電極は発光層及び絶縁層の一部を剥離
させてＩＴＯ電極を露出し、これを用いた。本素子の最
大輝度は、５ＫＨｚ 、 ｓｉｎ波駆動駆動００ ｃｄ
／ボであった。比較のために、加熱処理をＡｒ中で行い
、他は実施例１と同様にして作成した素子の最高輝度は
１５ ｃｄ／ｒｒｆであった。
Claims (2)
- （１）Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｇ，Ｈｇより
選ばれる１種または２種以上の金属を含むセレン含有化
合物半導体薄膜をセレン含有ガス雰囲気中で熱処理する
ことを特徴とする高結晶性のセレン含有化合物半導体薄
膜の製造方法 - （２）請求項（１）記載のセレン含有化合物半導体薄膜
を発光層として用いるエレクトロルミネッセンス素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144555A JPH0439893A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | セレン含有化合物半導体薄膜の製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144555A JPH0439893A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | セレン含有化合物半導体薄膜の製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0439893A true JPH0439893A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15365000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144555A Pending JPH0439893A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | セレン含有化合物半導体薄膜の製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0439893A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007086310A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting material, light emitting device, and electronic device |
| WO2007086311A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting material, light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP2144555A patent/JPH0439893A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007086310A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting material, light emitting device, and electronic device |
| WO2007086311A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting material, light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
| US7560749B2 (en) | 2006-01-27 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting material, light emitting device, and electronic device |
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