JPS61183813A - 導電膜の形成方法 - Google Patents
導電膜の形成方法Info
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- JPS61183813A JPS61183813A JP2194685A JP2194685A JPS61183813A JP S61183813 A JPS61183813 A JP S61183813A JP 2194685 A JP2194685 A JP 2194685A JP 2194685 A JP2194685 A JP 2194685A JP S61183813 A JPS61183813 A JP S61183813A
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- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
開示技術は、ガラス等の基板の表面に導電材を付着させ
て導電膜を形成する製造技術の分野に属する。
て導電膜を形成する製造技術の分野に属する。
而して、この出願の発明はガラス等の基板に酸化インジ
ウム、及び、酸化スズ等から成る導電材をスパッタ等の
物理的薄膜形成法（以下、ＰＶＤ法と称す。）により付
着させて透明導電膜（以下、ＩＴＯ膜と称す。）を形成
し、該導電膜に部分的に異なる電気抵抗値を生じさせる
ようにしたＩＴＯ膜の形成方法に関する発明であり、特
に、上記ＰＶＤ法による導電膜の形成を所定真空圧下の
密封状態で行った後に、該所定真空圧の酸素分圧より低
い酸素分圧を有する雰囲気下で該導電膜の−部にレーザ
ービーム等の放射ビームを照射し、或いは、所定真空圧
下の密封状態でのＰＶＤ法による導電膜形成プロセスに
おいて該所定真空圧下の酸素分圧が降下するようにして
、形成途中の該導電膜の一部にレーザービーム等の放射
ビームを照射して、該放射ビームを照射された部分の電
気抵抗値を非照射部より高くするようにした導電膜の形
成方法に係る発明である。
ウム、及び、酸化スズ等から成る導電材をスパッタ等の
物理的薄膜形成法（以下、ＰＶＤ法と称す。）により付
着させて透明導電膜（以下、ＩＴＯ膜と称す。）を形成
し、該導電膜に部分的に異なる電気抵抗値を生じさせる
ようにしたＩＴＯ膜の形成方法に関する発明であり、特
に、上記ＰＶＤ法による導電膜の形成を所定真空圧下の
密封状態で行った後に、該所定真空圧の酸素分圧より低
い酸素分圧を有する雰囲気下で該導電膜の−部にレーザ
ービーム等の放射ビームを照射し、或いは、所定真空圧
下の密封状態でのＰＶＤ法による導電膜形成プロセスに
おいて該所定真空圧下の酸素分圧が降下するようにして
、形成途中の該導電膜の一部にレーザービーム等の放射
ビームを照射して、該放射ビームを照射された部分の電
気抵抗値を非照射部より高くするようにした導電膜の形
成方法に係る発明である。
〈従来技術〉
従来、ガラス等の基板上に酸化インジウム、及び、酸化
スズ等から成る導電材を付着させてＩＴＯ膜を形成する
場合には、スパッタリング等のＰＶＤ法が多く採用され
ている。
スズ等から成る導電材を付着させてＩＴＯ膜を形成する
場合には、スパッタリング等のＰＶＤ法が多く採用され
ている。
そして、該ＩＴ’○膜はその使用目的により部分的に異
なる電気抵抗値分布を有することを要求されることがあ
り、その場合にはＩＴＯ膜の電気抵抗値が膜厚に比例す
ることを利用して、例えば、ＰＶＤ法により一定膜厚の
ＩＴＯ膜を形成した後に、導電材と基板との間にマスク
材を介在させて更にＰＶＤ法による部分的な膜形成を行
い、該マスクにより導電材の飛翔を制御して、ＩＴＯ膜
の膜厚分布を任意に設定し、所定の電気抵抗値の分布を
得ている。
なる電気抵抗値分布を有することを要求されることがあ
り、その場合にはＩＴＯ膜の電気抵抗値が膜厚に比例す
ることを利用して、例えば、ＰＶＤ法により一定膜厚の
ＩＴＯ膜を形成した後に、導電材と基板との間にマスク
材を介在させて更にＰＶＤ法による部分的な膜形成を行
い、該マスクにより導電材の飛翔を制御して、ＩＴＯ膜
の膜厚分布を任意に設定し、所定の電気抵抗値の分布を
得ている。
又、任意に電気抵抗値を分布させる他の方法として、Ｐ
ＶＤ法により一定膜厚のＩＴＯ膜を形成した侵に、該Ｉ
ＴＯ膜表面に印刷法、写真製版法等により適宜マスク材
を積層し、更に、湿式エツチング、又は、乾式エツチン
グを行ってＩＴＯ膜の所定部位を削り取り、膜厚を減少
させことにより、所定の電気抵抗値の分布を得ている。
ＶＤ法により一定膜厚のＩＴＯ膜を形成した侵に、該Ｉ
ＴＯ膜表面に印刷法、写真製版法等により適宜マスク材
を積層し、更に、湿式エツチング、又は、乾式エツチン
グを行ってＩＴＯ膜の所定部位を削り取り、膜厚を減少
させことにより、所定の電気抵抗値の分布を得ている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
而しながら、上述従来の導電膜の形成方法においては、
上述筒１の方法による場合には、導電材がマスク材を廻
り込んで飛翔して基板に付着することもあるために、複
雑な形状の電気抵抗値分布の形成が困難であるという難
点があり、又、ＩＴＯ膜の膜厚に差を生じさせているの
で、光の透過率に差が生ずるという欠点があると共に、
膜表面の凹凸は外観上好ましくないという不具合もあっ
た。
上述筒１の方法による場合には、導電材がマスク材を廻
り込んで飛翔して基板に付着することもあるために、複
雑な形状の電気抵抗値分布の形成が困難であるという難
点があり、又、ＩＴＯ膜の膜厚に差を生じさせているの
で、光の透過率に差が生ずるという欠点があると共に、
膜表面の凹凸は外観上好ましくないという不具合もあっ
た。
又、上述他の方法による場合には、マスク材を１７０１
１１表面に積層するためには、極めて複雑な工程が必要
とされるという不利点があり、電気抵抗値が連続的に変
化する分布に形成することが難かしいという難点もあり
、更に、第１の方法と同様に、光の透過率に差が生ずる
という欠点や、膜表面の凹凸は外観上好ましくないとい
う不具合もあった。
１１表面に積層するためには、極めて複雑な工程が必要
とされるという不利点があり、電気抵抗値が連続的に変
化する分布に形成することが難かしいという難点もあり
、更に、第１の方法と同様に、光の透過率に差が生ずる
という欠点や、膜表面の凹凸は外観上好ましくないとい
う不具合もあった。
この出願の発明の目的は上述従来技術に基づく導電膜の
形成方法の問題点を解決すべき技術的課題とし、導電膜
の膜厚を均一にして、光の透過率を一定にすると共に、
外観上も見栄えを向上させて、任意の電気抵抗値分布が
得られるようにして、各種製造産業における薄膜技術利
用分野に益する優れた導電膜の形成方法を提供せんとす
るものである。
形成方法の問題点を解決すべき技術的課題とし、導電膜
の膜厚を均一にして、光の透過率を一定にすると共に、
外観上も見栄えを向上させて、任意の電気抵抗値分布が
得られるようにして、各種製造産業における薄膜技術利
用分野に益する優れた導電膜の形成方法を提供せんとす
るものである。
〈問題点を解決するための手段・作用〉上述目的に沿い
先述特許請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成
は、前述問題点を解決するために、所定真空圧下の密封
状態の中でスパッタリング等のＰＶＤ法により基板上に
導電材を付着させて、一定の電気抵抗値を有する均一な
膜厚の導電膜を形成し、その後、上記所定真空圧の酸素
分圧より低い一定の酸素分圧以上の酸素雰囲気下で、該
導電膜の任意の一部にレーザービーム等の放射ビームを
照射し部分的な加熱を施して、或いは、上記ＰＶＤ法に
よる導電膜形成プロセスで所定真空圧下の酸素分圧が降
下するようにして、形成途中の該導電膜の任意の一部に
上記放射ビームを照射し部分的な加熱と共に、結晶性を
向上させて、照射部の電気抵抗値を非照射部より低くす
るようにし、導電膜の均一な膜厚を維持しながら電気抵
抗値に変化を生じさせることが出来、電気抵抗値の変化
を連続的にも、或いは、断続的にも設定することが出来
て、電気抵抗値分布の自由度が向上され、又、導電膜の
表面は平滑で外観上も見栄えが向上され、光の透過率も
均一にすることが出来るようにした技術的手段を講じた
ものである。
先述特許請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成
は、前述問題点を解決するために、所定真空圧下の密封
状態の中でスパッタリング等のＰＶＤ法により基板上に
導電材を付着させて、一定の電気抵抗値を有する均一な
膜厚の導電膜を形成し、その後、上記所定真空圧の酸素
分圧より低い一定の酸素分圧以上の酸素雰囲気下で、該
導電膜の任意の一部にレーザービーム等の放射ビームを
照射し部分的な加熱を施して、或いは、上記ＰＶＤ法に
よる導電膜形成プロセスで所定真空圧下の酸素分圧が降
下するようにして、形成途中の該導電膜の任意の一部に
上記放射ビームを照射し部分的な加熱と共に、結晶性を
向上させて、照射部の電気抵抗値を非照射部より低くす
るようにし、導電膜の均一な膜厚を維持しながら電気抵
抗値に変化を生じさせることが出来、電気抵抗値の変化
を連続的にも、或いは、断続的にも設定することが出来
て、電気抵抗値分布の自由度が向上され、又、導電膜の
表面は平滑で外観上も見栄えが向上され、光の透過率も
均一にすることが出来るようにした技術的手段を講じた
ものである。
〈実施例〉
次に、この出願の発明の実施例を第１図以下の図面に従
って説明すれば以下の通りである。
って説明すれば以下の通りである。
第１図に示す実施例において、１はスパッタリング装置
であって、この出願の発明の実施に使用するものであり
、当該実施例においては、自動車のデフロスタ−用ウィ
ンドを物理的薄膜形成法としてのスパッタリングで製造
する際に使用するものである。
であって、この出願の発明の実施に使用するものであり
、当該実施例においては、自動車のデフロスタ−用ウィ
ンドを物理的薄膜形成法としてのスパッタリングで製造
する際に使用するものである。
ガラス製の基板２を真空槽３にセットし、排気弁４を開
放して真空槽３内を１ｘ １０’ Ｔｏｒｒの真空度に
保持し、ガス人口弁５を開放してアルゴンと酸素の混合
ガスを導入し、該真空槽３内に於いて、酸素分圧を１ｘ
１０′Ｔｏｒｒ以上となるようにし、又、アルゴン分圧
を１×１０″４〜１０″３ＴＯｒｒの範囲になるように
セットする。
放して真空槽３内を１ｘ １０’ Ｔｏｒｒの真空度に
保持し、ガス人口弁５を開放してアルゴンと酸素の混合
ガスを導入し、該真空槽３内に於いて、酸素分圧を１ｘ
１０′Ｔｏｒｒ以上となるようにし、又、アルゴン分圧
を１×１０″４〜１０″３ＴＯｒｒの範囲になるように
セットする。
次に、基板２を３００℃以下に所定に加熱し、更に、酸
化インジウム、及び、酸化スズから成る１０ｗｔ％の化
学量論組成の導電材としてのターゲット６に高周波電源
７を介して、１３．６Ｍ Ｈｚ、１．５ｋＷの電力を印
加しスパッタリングを行い、約１Ｘ１０−３Ωｃｍの比
抵抗を有するＩＴＯ膜を基板２の表面に形成する。
化インジウム、及び、酸化スズから成る１０ｗｔ％の化
学量論組成の導電材としてのターゲット６に高周波電源
７を介して、１３．６Ｍ Ｈｚ、１．５ｋＷの電力を印
加しスパッタリングを行い、約１Ｘ１０−３Ωｃｍの比
抵抗を有するＩＴＯ膜を基板２の表面に形成する。
尚、上述スパッタリング条件はＩＴＯ膜の比抵抗を約ｌ
Ｘ１０−３Ωｃｍにするための一条件であって、スパッ
タリングプロセスにおける基板２の加熱温度は、第５図
に示す様に、ＩＴＯ膜の抵抗値に大きな影響を与えるた
め、所定に選択する必要があり、又、酸素分圧はＩＴＯ
膜の透光性を向上させるためには、２ｘ １０−３ Ｔ
ｏｒｒを上限として高圧力の方が良いが、上記基板２
の加熱温度との関係から制限を受け、概ね２Ｘ１０′〜
１×１０′ＴＯｒｒとした場合に、良好な結果が得られ
た。
Ｘ１０−３Ωｃｍにするための一条件であって、スパッ
タリングプロセスにおける基板２の加熱温度は、第５図
に示す様に、ＩＴＯ膜の抵抗値に大きな影響を与えるた
め、所定に選択する必要があり、又、酸素分圧はＩＴＯ
膜の透光性を向上させるためには、２ｘ １０−３ Ｔ
ｏｒｒを上限として高圧力の方が良いが、上記基板２
の加熱温度との関係から制限を受け、概ね２Ｘ１０′〜
１×１０′ＴＯｒｒとした場合に、良好な結果が得られ
た。
そして、上述スパッタリング条件下で０．１〜２．０μ
の均一な膜厚になるようにＩＴＯ膜の形成を行ったとこ
ろ、ＩＴＯ膜はその膜厚に対応して数Ω／口〜数百Ω／
口のシート抵抗を有し、光の透過率は７０％以上となっ
た。
の均一な膜厚になるようにＩＴＯ膜の形成を行ったとこ
ろ、ＩＴＯ膜はその膜厚に対応して数Ω／口〜数百Ω／
口のシート抵抗を有し、光の透過率は７０％以上となっ
た。
次に、排気弁４を開放して真空槽３内の真空度を１ｘ１
０’ Ｔｏｒｒ以下にして、上述ＩＴＯ膜形成時におけ
る真空圧下の酸素分圧より低い所定の酸素分圧を有する
雰囲気を形成する。
０’ Ｔｏｒｒ以下にして、上述ＩＴＯ膜形成時におけ
る真空圧下の酸素分圧より低い所定の酸素分圧を有する
雰囲気を形成する。
更に、該低酸素分圧雰囲気下において、基板２の温度を
３０℃以下に冷却した後、レーザー発信機８により発生
させた放射ビームとしてのレーザービーム９を窓１０、
固定式反射１ｉ１１、及び、可動式反射鏡１２を介して
、基板２のＩＴＯ膜の所定部位に照射し、照射部を４５
０〜５５０℃に加熱すると、該照射部のＩＴＯ膜のキャ
リア濃度が増大してキャリヤ易初度が向上され、その結
果、電気抵抗値は非照射部より低くなり、最良の条件下
においては比抵抗を２ｘ１０’Ωｃｉ＋に低下させるこ
とも可能である。
３０℃以下に冷却した後、レーザー発信機８により発生
させた放射ビームとしてのレーザービーム９を窓１０、
固定式反射１ｉ１１、及び、可動式反射鏡１２を介して
、基板２のＩＴＯ膜の所定部位に照射し、照射部を４５
０〜５５０℃に加熱すると、該照射部のＩＴＯ膜のキャ
リア濃度が増大してキャリヤ易初度が向上され、その結
果、電気抵抗値は非照射部より低くなり、最良の条件下
においては比抵抗を２ｘ１０’Ωｃｉ＋に低下させるこ
とも可能である。
尚、上記レーザービーム９はＩＴＯＩＩ！ｉｌの温度を
３５０℃以上に加熱し得るエネルギーが必要とされ、例
えば、０．５ｍｍ径の平行光線束の）ｌｅ−Ｊｌｅレー
ザーを使用して５ｍｍ厚のガラス製基板上に形成された
膜厚１μのＩＴＯ膜に対して加熱低抵抗化処理を行うに
は２００ｍＷ以上の出力を要し、更に、ＩＴｏ膜を損傷
させることなく加熱するためには、長波長の赤外光レー
ザーが望ましい。
３５０℃以上に加熱し得るエネルギーが必要とされ、例
えば、０．５ｍｍ径の平行光線束の）ｌｅ−Ｊｌｅレー
ザーを使用して５ｍｍ厚のガラス製基板上に形成された
膜厚１μのＩＴＯ膜に対して加熱低抵抗化処理を行うに
は２００ｍＷ以上の出力を要し、更に、ＩＴｏ膜を損傷
させることなく加熱するためには、長波長の赤外光レー
ザーが望ましい。
又、上記可動式反射鏡１２は外部より制御される駆動機
構を有し、レーザービーム９を基板２のＩＴｏ膜の任意
の部位に照射し、或いは、走査照射することが出来るよ
うにされており、必要に応じて複数の鏡を組合せること
も可能である。
構を有し、レーザービーム９を基板２のＩＴｏ膜の任意
の部位に照射し、或いは、走査照射することが出来るよ
うにされており、必要に応じて複数の鏡を組合せること
も可能である。
更に、上記可動式反射鏡１２をＮＣ制御し、レーザー出
力を０Ｎ−ＯＦＦ制御するようにすると、電気抵抗値の
複雑な分布形状を有するＩＴＯ膜も形成可能であり、電
気抵抗値の変化を連続的にも、或いは、断続的にも分布
させることが出来る。
力を０Ｎ−ＯＦＦ制御するようにすると、電気抵抗値の
複雑な分布形状を有するＩＴＯ膜も形成可能であり、電
気抵抗値の変化を連続的にも、或いは、断続的にも分布
させることが出来る。
尚、第２図はこの出願の発明を使用して製造され、ＩＴ
Ｏ膜を被覆されたデフロスタ−用ウィンドの平面図を示
すものであり、シート抵抗値は２〜５Ω／口に分布され
、ハツチング部Ａは低い電気抵抗値を有する部位であっ
て、ハツチング部Ｂは高い電気抵抗値を有する部位であ
る。
Ｏ膜を被覆されたデフロスタ−用ウィンドの平面図を示
すものであり、シート抵抗値は２〜５Ω／口に分布され
、ハツチング部Ａは低い電気抵抗値を有する部位であっ
て、ハツチング部Ｂは高い電気抵抗値を有する部位であ
る。
又、上述第１実施例において、ＰＶＤ法によるＩＴＯ膜
形成後に真空槽３内に残留するアルゴン、酸素の混合ガ
スを真空度５Ｘ１０４〜１×１０″４ＴＯｒｒの水素ガ
スに置換した弱還元性雰囲気下で、上述同一条件のレー
ザービーム９の照射を行った場合には、同一の電気抵抗
値に低下させるために必要な照射時間が約５分の１に短
縮される。
形成後に真空槽３内に残留するアルゴン、酸素の混合ガ
スを真空度５Ｘ１０４〜１×１０″４ＴＯｒｒの水素ガ
スに置換した弱還元性雰囲気下で、上述同一条件のレー
ザービーム９の照射を行った場合には、同一の電気抵抗
値に低下させるために必要な照射時間が約５分の１に短
縮される。
更に、第２図に示す実施例はＩＴＯｇ！の形成にＰＶＤ
法として蒸着法を採用した場合のイオンブレーティング
装置を示すものであって、当該第２実施例による場合に
は、基板２をイオンブレーティング装置１′の真空槽３
′にセットし、該真空槽３′内を１ｘ １０−′Ｔ ｏ
ｒｒの真空度に保持し、前述第１実施例と同様に、アル
ゴン、酸素の混合ガスを導入し、更に、高周波アンテナ
１３に１３．６ＭＨｚの高周波を発生させる。
法として蒸着法を採用した場合のイオンブレーティング
装置を示すものであって、当該第２実施例による場合に
は、基板２をイオンブレーティング装置１′の真空槽３
′にセットし、該真空槽３′内を１ｘ １０−′Ｔ ｏ
ｒｒの真空度に保持し、前述第１実施例と同様に、アル
ゴン、酸素の混合ガスを導入し、更に、高周波アンテナ
１３に１３．６ＭＨｚの高周波を発生させる。
上述雰囲気下において、銅製水冷ハース１４に載置され
、酸化インジウム、及び、酸化スズから成る１０Ｗ［％
の化学量論組成のペレット状の導電材６′に、電子銃８
′から発射された電子ビーム９′を照射し、導電材６′
をイオン化させて基板２に蒸着させ、０３１〜２．０μ
の均一な膜厚を有し、数Ω／口〜数百Ω／口のシート抵
抗を有するＩＴＯ膜を形成する。
、酸化インジウム、及び、酸化スズから成る１０Ｗ［％
の化学量論組成のペレット状の導電材６′に、電子銃８
′から発射された電子ビーム９′を照射し、導電材６′
をイオン化させて基板２に蒸着させ、０３１〜２．０μ
の均一な膜厚を有し、数Ω／口〜数百Ω／口のシート抵
抗を有するＩＴＯ膜を形成する。
尚、この場合において、高周波アンテナ１３による高周
波の発生は導電材６′のイオン化を促進させるためであ
り、又、基板２の加熱は行わなかった。
波の発生は導電材６′のイオン化を促進させるためであ
り、又、基板２の加熱は行わなかった。
次に、真空槽３′内を１ｘｌＯ’ Ｔｏｒｒ以下の真空
度に維持しつつ、他の電子銃８１から発射された放射ビ
ームとしての電子ビーム９′を偏向コイル１５によりＩ
ＴＯ膜の所定部位に偏向させて照射し、照射部を所定に
加熱すると、先述第１実施例と同様な作用効果により、
該照射部の電気抵抗値は非照射部より低くすることが出
来る。
度に維持しつつ、他の電子銃８１から発射された放射ビ
ームとしての電子ビーム９′を偏向コイル１５によりＩ
ＴＯ膜の所定部位に偏向させて照射し、照射部を所定に
加熱すると、先述第１実施例と同様な作用効果により、
該照射部の電気抵抗値は非照射部より低くすることが出
来る。
尚、上記電子ビーム９′はＩＴＯ膜の損傷防止のために
パルス的に発生させ、電子銃８１に印加される加速電圧
は５０ｖ以下とした。
パルス的に発生させ、電子銃８１に印加される加速電圧
は５０ｖ以下とした。
又、上述第２実施例において、電子銃８′に替えて水素
イオン銃を使用し、放射ビームとしてのイオンビームに
よるＩＴ○膜の部分照射加熱を行った場合にも、上述同
様の作用効果により照射部の電気抵抗値を低下させるこ
とが出来る。
イオン銃を使用し、放射ビームとしてのイオンビームに
よるＩＴ○膜の部分照射加熱を行った場合にも、上述同
様の作用効果により照射部の電気抵抗値を低下させるこ
とが出来る。
更に、又、上述第２実施例において、電子銃８１の替わ
りにスズイオンを含む放射ビームとしてのアルゴンイオ
ンビームを発生させるイオン銃を使用し、ＩＴ○膜の所
定部位にイオンビームによる部分照射加熱を行うと共に
、スズイオンの打込みを行うと、加熱によりキャリヤ易
動度の向上と共に、ＩＴＯ膜中のドーパント濃度が増加
され、その結果、電気抵抗値は非照射部より低下させる
ことが出来る。
りにスズイオンを含む放射ビームとしてのアルゴンイオ
ンビームを発生させるイオン銃を使用し、ＩＴ○膜の所
定部位にイオンビームによる部分照射加熱を行うと共に
、スズイオンの打込みを行うと、加熱によりキャリヤ易
動度の向上と共に、ＩＴＯ膜中のドーパント濃度が増加
され、その結果、電気抵抗値は非照射部より低下させる
ことが出来る。
そして、前述第１実施例、或いは、上述第２実施例は共
に、ＰＶＤ法による基板上へのＩＴＯ膜の形成工程とＩ
ＴＯ膜の電気抵抗値低減化のための放射ビーム照射工程
とを別工程で行う方法であるが、スパッタリング、蒸着
等のＰＶＤ法によるＩＴＯ膜の形成と同時に、レーザー
ビーム、イオンビーム等の放射ビームの照射を行う方法
によってもＩＴＯ膜の部分的な電気抵抗値の低減化が可
能である。
に、ＰＶＤ法による基板上へのＩＴＯ膜の形成工程とＩ
ＴＯ膜の電気抵抗値低減化のための放射ビーム照射工程
とを別工程で行う方法であるが、スパッタリング、蒸着
等のＰＶＤ法によるＩＴＯ膜の形成と同時に、レーザー
ビーム、イオンビーム等の放射ビームの照射を行う方法
によってもＩＴＯ膜の部分的な電気抵抗値の低減化が可
能である。
これら場合において、放射ビームの照射によりＩＴＯ膜
は部分加熱されて結晶性が向上され、同時に、導電材の
飛翔粒子の励起状態への活性化が行われて酸素との反応
性が向上されＩＴＯ膜の結晶性が向上されて、キャリヤ
易動度が向上され、その結果、放射ビーム照射部の電気
抵抗値は低下される。
は部分加熱されて結晶性が向上され、同時に、導電材の
飛翔粒子の励起状態への活性化が行われて酸素との反応
性が向上されＩＴＯ膜の結晶性が向上されて、キャリヤ
易動度が向上され、その結果、放射ビーム照射部の電気
抵抗値は低下される。
尚、第４図に示すグラフはＩＴ○膜形成時において、酸
素分圧Ｐ［単位：ｐａ］がＩＴ○膜のシート抵抗値Ｒ［
単位：Ω／口］に及ぼす影響を示すものであって、該グ
ラフは基板温度ｔを３５０℃で一定とし、Ｉ Ｔ０１１
１１厚を１．０ＯＯｔ＋ｆｆ＋とじた場合の一例である
。
素分圧Ｐ［単位：ｐａ］がＩＴ○膜のシート抵抗値Ｒ［
単位：Ω／口］に及ぼす影響を示すものであって、該グ
ラフは基板温度ｔを３５０℃で一定とし、Ｉ Ｔ０１１
１１厚を１．０ＯＯｔ＋ｆｆ＋とじた場合の一例である
。
又、第５図に示すグラフはＩＴＯ膜形成時において、基
板温度ｔ ｃｌｔ位二℃］がＩＴＯ膜のシート抵抗値
Ｒ［単位Ω／口］に及ぼす影響を示すものであって、該
グラフは酸素分圧Ｐを２×１０う［単位：Ｐａ］で一定
とし、ＩＴ○膜厚を１，０００ｎｍとした場合の一例で
ある。
板温度ｔ ｃｌｔ位二℃］がＩＴＯ膜のシート抵抗値
Ｒ［単位Ω／口］に及ぼす影響を示すものであって、該
グラフは酸素分圧Ｐを２×１０う［単位：Ｐａ］で一定
とし、ＩＴ○膜厚を１，０００ｎｍとした場合の一例で
ある。
更に、第６図に示すグラフはＩＴＯ膜形成後に局部的加
熱処理をした場合の該加熱温度Ｔ［単位：℃］と初期抵
抗値Ｒ１に対する加熱処理後の抵抗値Ｒ［の比との関係
を示すものであって、一点鎖線は酸素分圧Ｐを２５Ｅ単
位：Ｐａ］で一定とした場合でありほぼ大気圧下に相当
し、鎖線は酸素分圧Ｐを２，５ｘ１０−’ ［単位：
Ｐａ］ｒ一定とした場合であり、実線は酸素分圧Ｐを２
．５Ｘ１０’ ［単位：Ｐａ］で一定とした場合である
。
熱処理をした場合の該加熱温度Ｔ［単位：℃］と初期抵
抗値Ｒ１に対する加熱処理後の抵抗値Ｒ［の比との関係
を示すものであって、一点鎖線は酸素分圧Ｐを２５Ｅ単
位：Ｐａ］で一定とした場合でありほぼ大気圧下に相当
し、鎖線は酸素分圧Ｐを２，５ｘ１０−’ ［単位：
Ｐａ］ｒ一定とした場合であり、実線は酸素分圧Ｐを２
．５Ｘ１０’ ［単位：Ｐａ］で一定とした場合である
。
く他の実施例〉
尚、この出願の発明の実施態様は上述各実施例に限るも
のでないことは勿論であり、例えば、基板はガラス製に
限らず、アルミナ等のセラミックス製、或いは、ポリカ
ーボネイト樹脂等のプラスチックス製、或いは、銅等の
金属製でも良い等種々の態様が採用可能である。
のでないことは勿論であり、例えば、基板はガラス製に
限らず、アルミナ等のセラミックス製、或いは、ポリカ
ーボネイト樹脂等のプラスチックス製、或いは、銅等の
金属製でも良い等種々の態様が採用可能である。
ぐ発明の効果〉
以上、この出願の発明によれば、基板に形成される導電
膜の膜厚を一定に維持させ、任意の部位だけを低い電気
抵抗値に変えることが出来、更に、電気抵抗値の分布形
状を自由に設定することが出来ると共に、電気抵抗値の
変化を連続的にも、或いは、断続的にも設定することが
出来、又、外観を損なうこともなく、光の透過率も一定
にすることが出来るという優れた効果が奏される。
膜の膜厚を一定に維持させ、任意の部位だけを低い電気
抵抗値に変えることが出来、更に、電気抵抗値の分布形
状を自由に設定することが出来ると共に、電気抵抗値の
変化を連続的にも、或いは、断続的にも設定することが
出来、又、外観を損なうこともなく、光の透過率も一定
にすることが出来るという優れた効果が奏される。
而して、所定真空圧下の密封状態で物理的薄膜形成法に
より基板上に導電材を付着させて、一定の電気抵抗値を
有する均一な膜厚の導電膜を形成し、その後に、Ｌ記所
定真空圧の酸素分圧より低い一定の酸素分圧以上の酸素
雰囲気下で上記導電膜の任意の部位に放射ビームを照射
するようにしたことにより、或いは、所定真空圧下の密
封状態での物理的薄膜形成法による基板上への導電膜の
形成プロセスにて、該所定真空圧下の酸素分圧が降下す
るようにして、該形成途中の導電膜の任意の部位に放射
ビームを照射するようにしたことにより、該照射部だけ
を部分的に加熱してキャリヤ濃度を増加させ、電気抵抗
値を低くすることが出来、基本的に導電膜は全域に亘っ
て均一な膜厚にすることが出来、外観上、極めて見栄え
が良くなり、又、光の透過率も一定にすることが出来る
という優れた効果が奏される。
より基板上に導電材を付着させて、一定の電気抵抗値を
有する均一な膜厚の導電膜を形成し、その後に、Ｌ記所
定真空圧の酸素分圧より低い一定の酸素分圧以上の酸素
雰囲気下で上記導電膜の任意の部位に放射ビームを照射
するようにしたことにより、或いは、所定真空圧下の密
封状態での物理的薄膜形成法による基板上への導電膜の
形成プロセスにて、該所定真空圧下の酸素分圧が降下す
るようにして、該形成途中の導電膜の任意の部位に放射
ビームを照射するようにしたことにより、該照射部だけ
を部分的に加熱してキャリヤ濃度を増加させ、電気抵抗
値を低くすることが出来、基本的に導電膜は全域に亘っ
て均一な膜厚にすることが出来、外観上、極めて見栄え
が良くなり、又、光の透過率も一定にすることが出来る
という優れた効果が奏される。
又、放射ビームの照射により導電膜を局部的に加熱し、
低い電気抵抗値に変化させるようにしたことにより、所
定の条件設定によって、任意の電気抵抗値に設定するこ
とが出来、更に、電気抵抗値の分布形状を自由に設定す
ることが出来ると共に、電気抵抗値の変化を連続的にも
、或いは、断続的にも設定することが出来るという優れ
た効果が奏される。
低い電気抵抗値に変化させるようにしたことにより、所
定の条件設定によって、任意の電気抵抗値に設定するこ
とが出来、更に、電気抵抗値の分布形状を自由に設定す
ることが出来ると共に、電気抵抗値の変化を連続的にも
、或いは、断続的にも設定することが出来るという優れ
た効果が奏される。
図面は、この出願の発明の実施例を示すものであり、第
１図は１実施例に使用するスパッタリング装置の概略系
統図、第２図はこの出願の発明の実施により製造された
デフロスタ−用ウィンドの平面図、第３図は他の実施例
に使用するイオンブレーティング装置の概略系統図、第
４図は酸素分圧Ｐとシート抵抗値Ｒとの相関グラフ図、
第５図は基板温度でとシート抵抗ｌｉ！Ｒとの相関グラ
フ図、第６図は加熱温度Ｔと加熱処理前後の抵抗値比Ｒ
ｔ／Ｒｉとの相関グラフ図である。 ２・・・基板、 ６．６′・・・導電材、９．９′・
・・放射ビーム 第１図 第２図 第４図 一旦」ｈＬ− 第５図 一見「ａ− Ｔ（’Ｃ）
１図は１実施例に使用するスパッタリング装置の概略系
統図、第２図はこの出願の発明の実施により製造された
デフロスタ−用ウィンドの平面図、第３図は他の実施例
に使用するイオンブレーティング装置の概略系統図、第
４図は酸素分圧Ｐとシート抵抗値Ｒとの相関グラフ図、
第５図は基板温度でとシート抵抗ｌｉ！Ｒとの相関グラ
フ図、第６図は加熱温度Ｔと加熱処理前後の抵抗値比Ｒ
ｔ／Ｒｉとの相関グラフ図である。 ２・・・基板、 ６．６′・・・導電材、９．９′・
・・放射ビーム 第１図 第２図 第４図 一旦」ｈＬ− 第５図 一見「ａ− Ｔ（’Ｃ）
Claims (2)
- （１）基板上に導電材を物理的薄膜形成法により付着さ
せて導電膜を形成し、該導電膜に部分的に異なる電気抵
抗値を生じさせるようにした導電膜の形成方法において
、上記物理的薄膜形成法による導電膜の形成を所定真空
圧下の密封状態で行った後に、該所定真空圧の酸素分圧
より低い酸素分圧を有する雰囲気下で該導電膜の一部に
放射ビームを照射し、該放射ビームによる照射部の電気
抵抗値を非照射部より低くするようにしたことを特徴と
する導電膜の形成方法。 - （２）基板上に導電材を物理的薄膜形成法により付着さ
せて導電膜を形成し、該導電膜に部分的に異なる電気抵
抗値を生じさせるようにした導電膜の形成方法において
、上記物理的薄膜形成法による導電膜の形成を所定真空
圧下の密封状態で行い、而して該導電膜形成プロセスに
て該所定真空圧下の酸素分圧が降下するようにして、該
形成途中の導電膜の一部に放射ビームを照射し、該放射
ビームによる照射部の電気抵抗値を非照射部より低くす
るようにしたことを特徴とする導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194685A JPS61183813A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2194685A JPS61183813A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183813A true JPS61183813A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12069222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2194685A Pending JPS61183813A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183813A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4941430A (en) * | 1987-05-01 | 1990-07-17 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | Apparatus for forming reactive deposition film |
| JPH0375355A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置 |
| JPH11297138A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-10-29 | Hoya Corp | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2012219320A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置 |
| JP2012528779A (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-15 | サン−ゴバン グラス フランス | 薄膜層堆積方法及び得られる製品 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2194685A patent/JPS61183813A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4941430A (en) * | 1987-05-01 | 1990-07-17 | Nihon Sinku Gijutsu Kabusiki Kaisha | Apparatus for forming reactive deposition film |
| JPH0375355A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Showa Shinku:Kk | 成膜装置 |
| JPH11297138A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-10-29 | Hoya Corp | 透明導電膜の形成方法 |
| JP4503110B2 (ja) * | 1998-02-12 | 2010-07-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電膜の形成方法 |
| JP2012528779A (ja) * | 2009-06-05 | 2012-11-15 | サン−ゴバン グラス フランス | 薄膜層堆積方法及び得られる製品 |
| US9199874B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-12-01 | Saint-Gobain Glass France | Method for depositing a thin film, and resulting material |
| JP2012219320A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 太陽電池用透明導電膜の形成方法およびその形成装置 |
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