JPS61179013A - 導電膜の形成方法 - Google Patents
導電膜の形成方法Info
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- JPS61179013A JPS61179013A JP1662085A JP1662085A JPS61179013A JP S61179013 A JPS61179013 A JP S61179013A JP 1662085 A JP1662085 A JP 1662085A JP 1662085 A JP1662085 A JP 1662085A JP S61179013 A JPS61179013 A JP S61179013A
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- Japan
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- conductive film
- electrical resistance
- resistance value
- film
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
開示技術は、ガラス等の基板の表面に導電材を付着させ
て形成する導電膜製造の技術分野に属する。
て形成する導電膜製造の技術分野に属する。
而して、この発明はガラス等の基板に酸化インジウム、
及び、酸化スズ等から成る導電材をスパッタ等の物理的
薄膜形成法（以下、ＰＶＤ法と称す。）により付着させ
て透明導電ＩＩ（１２下、ＩＴＯ膜と称す。）を形成し
、該導電膜に部分的に異なる電気抵抗値を生じさせるよ
うにしたＩＴＯＩＩの形成方法に関する発明であり、特
に、上記ＰＶＤ法による導電膜の形成を所定真空圧下の
密封状態で行った後に、該所定真空圧の酸素分圧より高
い酸素分圧を有する雰囲気下で該導電膜の一部にレーザ
ービーム等の放射ビームを照射し、照射部の電気抵抗値
を非照射部より高くするようにした導電膜の形成方法に
係る発明である。
及び、酸化スズ等から成る導電材をスパッタ等の物理的
薄膜形成法（以下、ＰＶＤ法と称す。）により付着させ
て透明導電ＩＩ（１２下、ＩＴＯ膜と称す。）を形成し
、該導電膜に部分的に異なる電気抵抗値を生じさせるよ
うにしたＩＴＯＩＩの形成方法に関する発明であり、特
に、上記ＰＶＤ法による導電膜の形成を所定真空圧下の
密封状態で行った後に、該所定真空圧の酸素分圧より高
い酸素分圧を有する雰囲気下で該導電膜の一部にレーザ
ービーム等の放射ビームを照射し、照射部の電気抵抗値
を非照射部より高くするようにした導電膜の形成方法に
係る発明である。
〈従来技術〉
従来、ガラス等の基板上に酸化インジウム、及び、酸化
スズ等から成る導電材を付着させてＩＴＯ膜を形成する
場合には、スパッタリング等のＰＶＤ法が多く採用され
ている。
スズ等から成る導電材を付着させてＩＴＯ膜を形成する
場合には、スパッタリング等のＰＶＤ法が多く採用され
ている。
そして、該ＩＴＯ膜はその使用目的により部分的に異な
る電気抵抗値分布を有することを要求されることがあり
、その場合にはＩＴＯ膜の電気抵抗値が膜厚に比例する
ことを利用して、例えば、ＰＶＤ法により一定膜厚のＩ
ＴＯ膜を形成した後に、導電材と基板との間にマスク材
を介在させて更にＰＶＤ法による部分的な膜形成を行い
、該マスクにより導電材の飛翔を制御して、ＩＴＯ膜の
膜厚分布を任意に設定し、所定の電気抵抗値の分布を得
ている。
る電気抵抗値分布を有することを要求されることがあり
、その場合にはＩＴＯ膜の電気抵抗値が膜厚に比例する
ことを利用して、例えば、ＰＶＤ法により一定膜厚のＩ
ＴＯ膜を形成した後に、導電材と基板との間にマスク材
を介在させて更にＰＶＤ法による部分的な膜形成を行い
、該マスクにより導電材の飛翔を制御して、ＩＴＯ膜の
膜厚分布を任意に設定し、所定の電気抵抗値の分布を得
ている。
又、任意に電気抵抗値を分布させる他の方法として、Ｐ
ＶＤ法により一定膜厚のＩＴＯ膜を形成した後に、該Ｉ
ＴＯ膜表面に印刷法、写真製版法等により適宜マスク材
を積層し、更に、湿式エツチング、又は、乾式エツチン
グを行ってＩＴＯ膜の所定部位を削り取り、膜厚を減少
させことにより、所定の電気抵抗値の分布を得ている。
ＶＤ法により一定膜厚のＩＴＯ膜を形成した後に、該Ｉ
ＴＯ膜表面に印刷法、写真製版法等により適宜マスク材
を積層し、更に、湿式エツチング、又は、乾式エツチン
グを行ってＩＴＯ膜の所定部位を削り取り、膜厚を減少
させことにより、所定の電気抵抗値の分布を得ている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
而しながら、上述従来の導電膜の形成方法においては、
上述第１の方法による場合には、導電材がマスク材を廻
り込んで飛翔し基板に付着することもあるために、複雑
な形状の電気抵抗値分布の形成が困難であるという難点
があり、又、ＩＴＯ膜の膜厚に差を生じさせているので
、光の透過率に差が生ずるという欠点があると共に、膜
表面の凹凸は外観上好ましくないという不具合もあった
。
上述第１の方法による場合には、導電材がマスク材を廻
り込んで飛翔し基板に付着することもあるために、複雑
な形状の電気抵抗値分布の形成が困難であるという難点
があり、又、ＩＴＯ膜の膜厚に差を生じさせているので
、光の透過率に差が生ずるという欠点があると共に、膜
表面の凹凸は外観上好ましくないという不具合もあった
。
又、上述他の方法による場合には、マスク材をＩＴＯＩ
Ｉ表面に積層するためには、極めて複雑な工程が必要と
されるという不利点がありＳ−電気抵抗値が連続的に変
化する分布に形成することが難かしいという難点もあり
、更に、第１の方法と同様に、光の透過率に差が生ずる
という欠点や、膜表面の凹凸は外観上好ましくないとい
う不具合もあった。
Ｉ表面に積層するためには、極めて複雑な工程が必要と
されるという不利点がありＳ−電気抵抗値が連続的に変
化する分布に形成することが難かしいという難点もあり
、更に、第１の方法と同様に、光の透過率に差が生ずる
という欠点や、膜表面の凹凸は外観上好ましくないとい
う不具合もあった。
この発明の目的は上述従来技術に基づく導電膜の形成方
法の問題点を解決すべき技術的課題とし、導電膜の膜厚
を均一にして、光の透過率を一定にすると共に、外観上
も向上させて、・任意の電気抵抗値分布が得られるよう
にして、各種製造産業における薄膜技術利用分野に益す
る優れた導電膜の形成方法を提供せんとするものである
。
法の問題点を解決すべき技術的課題とし、導電膜の膜厚
を均一にして、光の透過率を一定にすると共に、外観上
も向上させて、・任意の電気抵抗値分布が得られるよう
にして、各種製造産業における薄膜技術利用分野に益す
る優れた導電膜の形成方法を提供せんとするものである
。
〈問題点を解決するための手段・作用〉上述目的に沿い
先述特許請求の範囲を要旨とするこの発明の構成は、前
述問題点を解決するために、所定真空圧下の密封状態の
中でスパッタリング等のＰＶＤ法により基板上に導電材
を付着させて、一定の電気抵抗値を有する均一な膜厚の
導電膜を形成し、その後、上記所定真空圧の酸素分圧よ
り高い一定の酸素分圧以上の酸素雰囲気下で、該導電膜
の任意の一部にレーザービーム等の放射ビームを照射し
部分的な加熱を施して、照射部の電気抵抗値を非照射部
より高くするようにし、導電膜の均一な膜厚を維持しな
がら電気抵抗値に変化を生じさせることが出来、電気抵
抗値の変化を連続的にも、或いは、断続的にも設定する
ことが出来て、電気抵抗値分布の自由度が向上され、又
、導電膜の表面は平滑で外観上も向上され、光の透過率
も均一にすることが出来るようにした技術的手段を講じ
たものである。
先述特許請求の範囲を要旨とするこの発明の構成は、前
述問題点を解決するために、所定真空圧下の密封状態の
中でスパッタリング等のＰＶＤ法により基板上に導電材
を付着させて、一定の電気抵抗値を有する均一な膜厚の
導電膜を形成し、その後、上記所定真空圧の酸素分圧よ
り高い一定の酸素分圧以上の酸素雰囲気下で、該導電膜
の任意の一部にレーザービーム等の放射ビームを照射し
部分的な加熱を施して、照射部の電気抵抗値を非照射部
より高くするようにし、導電膜の均一な膜厚を維持しな
がら電気抵抗値に変化を生じさせることが出来、電気抵
抗値の変化を連続的にも、或いは、断続的にも設定する
ことが出来て、電気抵抗値分布の自由度が向上され、又
、導電膜の表面は平滑で外観上も向上され、光の透過率
も均一にすることが出来るようにした技術的手段を講じ
たものである。
〈実施例〉
次に、この発明の１実施例を第１図以下の図面に従って
説明すれば以下の通りである。
説明すれば以下の通りである。
第１図において、１はスパッタリング装置であって、こ
の発明の実施に使用するものであり、当該実施例におい
ては、自動車のデフロスタ−用ウィンドを物理的薄膜形
成法としてのスパッタリングで製造する際に使用するも
のである。
の発明の実施に使用するものであり、当該実施例におい
ては、自動車のデフロスタ−用ウィンドを物理的薄膜形
成法としてのスパッタリングで製造する際に使用するも
のである。
ガラス製の基板２を真空槽３にセットし、排気弁４を開
放して真空槽３内を１ｘ １０’ Ｔｏｒ、ｒの真空度
に保持し、ガス人口弁５を開放してアルゴンと酸素の混
合ガスを導入し、該真空槽３内に於いて、酸素分圧をｌ
ｘ １０４Ｔ ｏｒｒ以上となるようにし、又、アルゴ
ン分圧を１ｘ １０’ 〜１０’３ Ｔ’ｏｒｒの範囲
になるようにセットする。
放して真空槽３内を１ｘ １０’ Ｔｏｒ、ｒの真空度
に保持し、ガス人口弁５を開放してアルゴンと酸素の混
合ガスを導入し、該真空槽３内に於いて、酸素分圧をｌ
ｘ １０４Ｔ ｏｒｒ以上となるようにし、又、アルゴ
ン分圧を１ｘ １０’ 〜１０’３ Ｔ’ｏｒｒの範囲
になるようにセットする。
次に、基板２を３５０℃以上に所定に加熱し、更に、酸
化インジウム、及び、酸化スズから成る１０ｗｔ％の化
学量論組成の導電材としてのターゲット６に＾周波電源
７を介して、１３．６Ｍル、１．５ｋＷの電力を印加し
スパッタリングを行い、約２×１０→ΩＣ■の比抵抗を
有するＩＴＯ膜を基板２の表面に形成する。
化インジウム、及び、酸化スズから成る１０ｗｔ％の化
学量論組成の導電材としてのターゲット６に＾周波電源
７を介して、１３．６Ｍル、１．５ｋＷの電力を印加し
スパッタリングを行い、約２×１０→ΩＣ■の比抵抗を
有するＩＴＯ膜を基板２の表面に形成する。
尚、上述スパッタリング条件はＩＴＯ膜の比抵抗を約２
Ｘ １０’：’ΩＣＩにするための一条件であって、ス
パッタリングプロセスにおける基板２の加熱温度はＩＴ
ＯＩＩの抵抗値に大きな影響を与えるため、所定に選択
する必要があり、又、酸素分圧はＩＴＯ膜の透光性を向
上させるためには、２Ｘ１０’Ｔｏｒｒを上限として高
圧力の方が良いが、上記基板２の加熱温度との関係から
制限を受け、概ね５×１’Ｏ’ 〜１ｘ１０’ Ｔｏｒ
ｒとした場合に、良好な結果が得られた。
Ｘ １０’：’ΩＣＩにするための一条件であって、ス
パッタリングプロセスにおける基板２の加熱温度はＩＴ
ＯＩＩの抵抗値に大きな影響を与えるため、所定に選択
する必要があり、又、酸素分圧はＩＴＯ膜の透光性を向
上させるためには、２Ｘ１０’Ｔｏｒｒを上限として高
圧力の方が良いが、上記基板２の加熱温度との関係から
制限を受け、概ね５×１’Ｏ’ 〜１ｘ１０’ Ｔｏｒ
ｒとした場合に、良好な結果が得られた。
そして、上述スパッタリング条件下で０．１〜２６０μ
の均一な膜厚になるようにＩＴＯ膜の形成を行ったとこ
ろ、ＩＴＯ膜はその膜厚に対応して１．４〜３０Ω／口
のシート抵抗を有し、光の透過率は７０％以上となった
。
の均一な膜厚になるようにＩＴＯ膜の形成を行ったとこ
ろ、ＩＴＯ膜はその膜厚に対応して１．４〜３０Ω／口
のシート抵抗を有し、光の透過率は７０％以上となった
。
次に、真空槽３からアルゴンと酸素の混合ガスを排気し
、ガス人口弁５から酸素を導入して、真空槽３内を酸素
分圧ＩＸ １０”’Ｔ Ｏｒｒ以上の酸素雰囲気にする
。
、ガス人口弁５から酸素を導入して、真空槽３内を酸素
分圧ＩＸ １０”’Ｔ Ｏｒｒ以上の酸素雰囲気にする
。
更に、該酸素雰囲気下において、基板２の温度を３０℃
以下に冷却した後、レーザー発信機８により発生させた
放射ビームとしてのレーザービーム９を窓１０、固定式
反射鏡１１、及び、可動式反射鏡１２を介して、基板２
のＩＴＯ膜の所定部位に照射し、照射部を４５０〜５５
０℃に加熱すると、該照射部のｔＴｏ膜のキャリア濃度
が減少し、その結果、電気抵抗値は非照射部より高くな
る。
以下に冷却した後、レーザー発信機８により発生させた
放射ビームとしてのレーザービーム９を窓１０、固定式
反射鏡１１、及び、可動式反射鏡１２を介して、基板２
のＩＴＯ膜の所定部位に照射し、照射部を４５０〜５５
０℃に加熱すると、該照射部のｔＴｏ膜のキャリア濃度
が減少し、その結果、電気抵抗値は非照射部より高くな
る。
尚、上記レーザービーム９はＩＴＯ膜の温度を３５０℃
以上に加熱し得るエネルギーが必要とされ、例えば、０
．５ｎ＋ｍ径の平行光線束の）ｌｅ−Ｎｅレーザーを使
用して５ｇ＋ｍ厚のガラス製基板上に形成された膜厚１
μのＩＴＯＩＩに対して加熱高抵抗化処理を行うには２
００ｍＷ以上の出力を要し、更に、ＩＴＯＩＩを損傷さ
せることなく加熱するためには、長波長の赤外光レーザ
ーが望ましい。
以上に加熱し得るエネルギーが必要とされ、例えば、０
．５ｎ＋ｍ径の平行光線束の）ｌｅ−Ｎｅレーザーを使
用して５ｇ＋ｍ厚のガラス製基板上に形成された膜厚１
μのＩＴＯＩＩに対して加熱高抵抗化処理を行うには２
００ｍＷ以上の出力を要し、更に、ＩＴＯＩＩを損傷さ
せることなく加熱するためには、長波長の赤外光レーザ
ーが望ましい。
又、上記可動式反射鏡１２は外部より制御される駆動機
構を有し、レーザービーム９を基板２のｌＴｏ膜の任意
の部位に照射し、或いは、走査照射することが出来るよ
うにされており、必要に応じて複数の鏡を組合せること
も可能である。
構を有し、レーザービーム９を基板２のｌＴｏ膜の任意
の部位に照射し、或いは、走査照射することが出来るよ
うにされており、必要に応じて複数の鏡を組合せること
も可能である。
更に、上記可動式反射１１１２をＮＧ制御し、レーザー
出力を０Ｎ−ＯＦＦｉｌｌｌＫｌするようにすると、電
気抵抗値の複雑な分布形状を有するＩＴＯ膜も形成可能
であり、電気抵抗値の変化を連続的にも、或いは、断続
的にも分布させることが出来る。
出力を０Ｎ−ＯＦＦｉｌｌｌＫｌするようにすると、電
気抵抗値の複雑な分布形状を有するＩＴＯ膜も形成可能
であり、電気抵抗値の変化を連続的にも、或いは、断続
的にも分布させることが出来る。
尚、第２図はこの発明を使用して製造され、ＩＴＯＩＩ
Ｉを被覆されたデフロスタ−用ウィンドの平面図を示す
ものであり、シート抵抗値は２〜５Ω／口に分布され、
ハツチング部Ａは低い電気抵抗値を有する部位であって
、ハツチング部Ｂ Ｇ、を高い電気抵抗値を有する部位
である。
Ｉを被覆されたデフロスタ−用ウィンドの平面図を示す
ものであり、シート抵抗値は２〜５Ω／口に分布され、
ハツチング部Ａは低い電気抵抗値を有する部位であって
、ハツチング部Ｂ Ｇ、を高い電気抵抗値を有する部位
である。
又、第３図はレーザービーム照射によりＩＴＯ膜を４５
０℃に加熱した場合に、真空槽３内の酸素分圧Ｐ〔単位
：Ｐａ）が［ＴＯ膜のレーザー照射部の比抵抗ρ〔単位
：ΩＣ１１〕に及ぼす影響を示すグラフであり、このグ
ラフからもわかる通り、レーザー照射条件次第によって
は無限大の電気抵抗値にすることも可能である。
０℃に加熱した場合に、真空槽３内の酸素分圧Ｐ〔単位
：Ｐａ）が［ＴＯ膜のレーザー照射部の比抵抗ρ〔単位
：ΩＣ１１〕に及ぼす影響を示すグラフであり、このグ
ラフからもわかる通り、レーザー照射条件次第によって
は無限大の電気抵抗値にすることも可能である。
〈他の実施例〉
尚、この発明の実ｍ態様は上述実施例に限るものでない
ことは勿論であり、例えば、基板はガラス製に限らず、
アルミナ等のセラミックス製、或いは、ポリカーボネイ
ト樹脂等のプラスチックス製、或いは、銅等の金属製で
も良いし、又、放射ビームの照射時における所定の酸素
分圧を有する雰囲気は空気により形成してもよい等種々
の態様が採用可能である。
ことは勿論であり、例えば、基板はガラス製に限らず、
アルミナ等のセラミックス製、或いは、ポリカーボネイ
ト樹脂等のプラスチックス製、或いは、銅等の金属製で
も良いし、又、放射ビームの照射時における所定の酸素
分圧を有する雰囲気は空気により形成してもよい等種々
の態様が採用可能である。
〈発明の効果〉
以上、この発明によれば、基板に形成される導電膜の膜
厚を一定に維持させ、任意の部位だけを高い電気抵抗値
に変えることが出来、更に、電気抵抗値の分布形状を自
由に設定することが出来ると共に、電気抵抗値の変化を
連続的にも、或いは、断続的にも設定することが出来、
又、外観を損なうこともなく、光の透過率も一定にする
ことが出来るという優れた効果が奏される。
厚を一定に維持させ、任意の部位だけを高い電気抵抗値
に変えることが出来、更に、電気抵抗値の分布形状を自
由に設定することが出来ると共に、電気抵抗値の変化を
連続的にも、或いは、断続的にも設定することが出来、
又、外観を損なうこともなく、光の透過率も一定にする
ことが出来るという優れた効果が奏される。
而して、所定真空圧下の密封状態で物理的薄膜形成法に
より基板上に導電材を付着させて、一定の電気抵抗値を
有する均一な膜厚の導電膜を形成し、その後に、上記所
定真空圧の酸素分圧より高い一定の酸素分圧以上の酸素
雰囲気下で上記導電膜の任意の部位に放射ビームを照射
するようにしたことにより、該照射部だけを部分的に加
熱してキャリヤ濃度を減少させ、電気抵抗値を高くする
ことが出来、基本的に導１！躾は全域に亘って均一な膜
厚にすることが出来て、外観上、極めて見栄えば良くな
り、又、光の透過率も一定にすることが出来るという優
れた効果が奏される。
より基板上に導電材を付着させて、一定の電気抵抗値を
有する均一な膜厚の導電膜を形成し、その後に、上記所
定真空圧の酸素分圧より高い一定の酸素分圧以上の酸素
雰囲気下で上記導電膜の任意の部位に放射ビームを照射
するようにしたことにより、該照射部だけを部分的に加
熱してキャリヤ濃度を減少させ、電気抵抗値を高くする
ことが出来、基本的に導１！躾は全域に亘って均一な膜
厚にすることが出来て、外観上、極めて見栄えば良くな
り、又、光の透過率も一定にすることが出来るという優
れた効果が奏される。
又、放射ビームの照射により導電膜を局部的に加熱し、
高い電気抵抗値に変化させるようにしたことにより、所
定の条件設定によって、任意の電気抵抗値に設定するこ
とが出来、更に、電気抵抗値の分布形状を自由に設定す
ることが出来ると共に、電気抵抗値の変化を連続的にも
、或いは、断続的にも設定することが出来るという優れ
た効果が奏される。
高い電気抵抗値に変化させるようにしたことにより、所
定の条件設定によって、任意の電気抵抗値に設定するこ
とが出来、更に、電気抵抗値の分布形状を自由に設定す
ることが出来ると共に、電気抵抗値の変化を連続的にも
、或いは、断続的にも設定することが出来るという優れ
た効果が奏される。
図面は、この発明の１実施例を示すものであり、第１図
はこの発明に使用するスパッタリング装置の概略系統図
、第２図はこの発明の実施により製造されたデフロスタ
−用ウィンドの平面図、第３図は酸素分圧と放射ビーム
照射部の比抵抗との関係を示すグラフである。 ２・・・基板、 ６・・・導電材、 ９・・・放射ビーム
はこの発明に使用するスパッタリング装置の概略系統図
、第２図はこの発明の実施により製造されたデフロスタ
−用ウィンドの平面図、第３図は酸素分圧と放射ビーム
照射部の比抵抗との関係を示すグラフである。 ２・・・基板、 ６・・・導電材、 ９・・・放射ビーム
Claims (1)
- 基板上に導電材を物理的薄膜形成法により付着させて導
電膜を形成し、該導電膜に部分的に異なる電気抵抗値を
生じさせるようにした導電膜の形成方法において、上記
物理的薄膜形成法による導電膜の形成を所定真空圧下の
密封状態で行った後に、該所定真空圧の酸素分圧より高
い酸素分圧を有する雰囲気下で該導電膜の一部に放射ビ
ームを照射し、照射部の電気抵抗値を非照射部より高く
するようにしたことを特徴とする導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1662085A JPS61179013A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1662085A JPS61179013A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179013A true JPS61179013A (ja) | 1986-08-11 |
Family
ID=11921377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1662085A Pending JPS61179013A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008181796A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1662085A patent/JPS61179013A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008181796A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
| JP4547501B2 (ja) * | 2007-01-25 | 2010-09-22 | 防衛省技術研究本部長 | 透明導電性材料の導電率制御法、デバイス作製法及びデバイス |
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