JPH01249171A - 無機酸化物膜を有する基体の製造方法 - Google Patents
無機酸化物膜を有する基体の製造方法Info
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- JPH01249171A JPH01249171A JP63079794A JP7979488A JPH01249171A JP H01249171 A JPH01249171 A JP H01249171A JP 63079794 A JP63079794 A JP 63079794A JP 7979488 A JP7979488 A JP 7979488A JP H01249171 A JPH01249171 A JP H01249171A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、オーバーコート膜(ハードコート膜)ある
いは機能性膜(導電性膜、活性吸着性膜)として用いら
れる無機酸化物膜を、プラスチック成型品やプラスチッ
クフィルムなどの耐熱性の低い基体に対して形成するこ
とのできる方法に関する。
いは機能性膜(導電性膜、活性吸着性膜)として用いら
れる無機酸化物膜を、プラスチック成型品やプラスチッ
クフィルムなどの耐熱性の低い基体に対して形成するこ
とのできる方法に関する。
従来、ガラスやセラミックなどの基体表面に、ハードコ
ート膜などのオーバーコート膜として、あるいは導電性
膜や活性吸着性膜などの機能性膜として、無機酸化物膜
が設けられた基体がある。 この無機酸化物膜が設けられた基体は、たとえば液晶デ
イスプレィに使用されている透明電極基板や透明絶縁基
板など、あるいは広告表示板、帯電防止板、スイッチ基
板、電気回路基板、センサー基板などへの応用が考えら
れるものである。 このような無機酸化物膜を有する基体の製造方法として
は、無機酸化物の水和物の分散液を、ディッピング法、
スピナー法、ロールコータ−法などで基体に塗布した後
、電気炉などで450〜900℃で0.5〜3時間加熱
して脱水反応させ、無機酸化物膜を基体に形成する方法
があった。 また、無機酸化物膜のパターン化が必要な場合は、次の
ような方法で行なっていた。まず、ポジ型レジストイン
キを基体に塗布して不必要な部分を紫外線露光し、分解
させて紫外線照射部を水洗除去する0次に、無機酸化物
の水和物の分散液をディッピング法、スピナー法、ロー
ルコータ−法などで基体に塗布した後、100〜200
℃で10〜20分間仮焼成した後、レジスト剥離を行な
うことで、非パターン部の水和物を除去する0次に、5
00〜900℃で0.5〜3時間本焼成を行なっていた
。 また、他の方法として、基体を加熱し、CVD法により
無機酸化物膜を形成する方法があった。 この場合に無機酸化物膜をパターン化するには、まず、
基体全面にCVD法により無機酸化物膜を形成した後、
レジストを塗布し、所望のパターンにて露光・現像を行
ない、その後エツチング処理を行なう方法があった。
ート膜などのオーバーコート膜として、あるいは導電性
膜や活性吸着性膜などの機能性膜として、無機酸化物膜
が設けられた基体がある。 この無機酸化物膜が設けられた基体は、たとえば液晶デ
イスプレィに使用されている透明電極基板や透明絶縁基
板など、あるいは広告表示板、帯電防止板、スイッチ基
板、電気回路基板、センサー基板などへの応用が考えら
れるものである。 このような無機酸化物膜を有する基体の製造方法として
は、無機酸化物の水和物の分散液を、ディッピング法、
スピナー法、ロールコータ−法などで基体に塗布した後
、電気炉などで450〜900℃で0.5〜3時間加熱
して脱水反応させ、無機酸化物膜を基体に形成する方法
があった。 また、無機酸化物膜のパターン化が必要な場合は、次の
ような方法で行なっていた。まず、ポジ型レジストイン
キを基体に塗布して不必要な部分を紫外線露光し、分解
させて紫外線照射部を水洗除去する0次に、無機酸化物
の水和物の分散液をディッピング法、スピナー法、ロー
ルコータ−法などで基体に塗布した後、100〜200
℃で10〜20分間仮焼成した後、レジスト剥離を行な
うことで、非パターン部の水和物を除去する0次に、5
00〜900℃で0.5〜3時間本焼成を行なっていた
。 また、他の方法として、基体を加熱し、CVD法により
無機酸化物膜を形成する方法があった。 この場合に無機酸化物膜をパターン化するには、まず、
基体全面にCVD法により無機酸化物膜を形成した後、
レジストを塗布し、所望のパターンにて露光・現像を行
ない、その後エツチング処理を行なう方法があった。
しかし、これらの方法では、無機酸化物膜を形成すると
きの加熱温度が高いので、使用する基体が熱で変形しな
り破損したりしないように、加熱温度以上の耐熱性を有
するものを使用したり、無機酸化物膜の品質を犠牲にし
て低温で加熱したりしなければならなかった。また、無
機酸化物膜のパターン化が必要な場合は、パターン化す
る工程が多く、また非常に煩雑で、各工程ごとにロスが
発生するので、トータルロス率も高く、生産上問題であ
った。 この発明の目的は以上のような問題点を解決し、耐熱性
の低い基体に対しても無機酸化物膜を有する基体を製造
することのできる方法を提供することにある。
きの加熱温度が高いので、使用する基体が熱で変形しな
り破損したりしないように、加熱温度以上の耐熱性を有
するものを使用したり、無機酸化物膜の品質を犠牲にし
て低温で加熱したりしなければならなかった。また、無
機酸化物膜のパターン化が必要な場合は、パターン化す
る工程が多く、また非常に煩雑で、各工程ごとにロスが
発生するので、トータルロス率も高く、生産上問題であ
った。 この発明の目的は以上のような問題点を解決し、耐熱性
の低い基体に対しても無機酸化物膜を有する基体を製造
することのできる方法を提供することにある。
この発明は、以上の目的を達成するために、レーザー照
射を行なうことにより、無機酸化物膜を形成するように
構成した。すなわちこの発明の無機酸化物膜を有する基
体の製造方法は、基体に無機酸化物の水和物を塗布した
後、レーザー照射を行なうことにより前記水和物を脱水
反応させて無機酸化物膜にするように構成した。 この発明をさらに詳しく説明する。 まず、基体に無機酸化物の水和物を塗布する。 基体としては、ガラス、セラミック、金属、FRPなと
の耐熱性を有するもののほか、プラスチック成型品、プ
ラスチックフィルム、ポリ液晶フィルムなどの耐熱性の
低いものを用いることができる。プラスチック成型品、
プラスチックフィルムの材質としては、ポリエーテルエ
ーテルケトンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、ボリフェニレンサ
ルファドフィルムなどがある。透明ガラス、透明プラス
チックフィルムは、透明性が優れているので、透明基板
を得るには特に好適である。 このような基体の上に、無機酸化物の水和物の分散液(
ゾル)を、ロールコータ−法、スピナー法、ディッピン
グ法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などによって
、乾燥時0.001〜20μmの膜厚になるように塗布
した後、30〜150℃で0,5〜60分間乾燥する。 無機酸化物の水和物の無機元素としては、アルミニウム
、チタニウム、ケイ素、ジルコニウム、インジウム、ス
ズ、亜鉛、ゲルマニウム、イツトリウム、スカンジウム
、ガリウム、ハフニウム、ニッケル、コバルト、クロム
、鉄、マンガン、バリウムなどを単独あるいは混合して
用いる。また、アルミニウム、チタニウム、ケイ素、ジ
ルコニウム、インジウム、スズ、亜鉛を単独あるいは混
合して用いると、無機酸化物膜の透明性、造膜性が特に
優れたものとなる。 次いで、レーザー照射を行なって前記水和物を脱水反応
させて無機酸化物膜にする。 ここで使用するレーザーとしては、炭酸ガス(CO2)
レーザー(CW、パルス)、あるいはヤグ(YAG)レ
ーザー(CW、パルス)などがある。無機酸化物膜水和
物の塗布膜厚が、初期乾燥時で0.1〜10μm程度の
場合、CWのCO2レーザーを例にすれば、出力25〜
50A(10〜100W程度)、加工速度1〜100m
m/秒で所望の無機酸化物膜を得ることができる。 レーザー照射前および照射中に、必要に応じて、基体が
熱変形を起こさない範囲で加熱してもよい。 これは、無機酸化物膜の形成時に無機酸化物膜から内部
歪を取り除いてクラックなどの発生を防止するためであ
る。 また、無機酸化物膜をパターン化する場合、必要な部分
にのみレーザー照射を行い、脱水反応を生じさせ、生成
した無機酸化物膜と基体とを密着させた後、水または酸
あるいはアルカリにて洗浄して非照射部の無機酸化物の
水和物を除去することによって、パターン化された無機
酸化物膜を有する基体を得ることができる。コストメリ
ットなどを考慮して、この後にさらに加熱を行なって脱
水反応を進行させ、無機酸化物膜を強固にしてもよい。 また、無機酸化物の水和物の種類によっては、その機能
をより効果的に発現させるために、パターン化された無
機酸化物膜を有する基体を所望の温度、雰囲気中にて焼
成してもよい。たとえば、インジウムとスズの無機酸化
物膜を有する基体を形成する際、レーザー照射後、N2
雰囲気中にて200〜350℃で1〜3時間焼成するこ
とによって、無機酸化物膜の電気抵抗値を安定させるこ
とが可能である。
射を行なうことにより、無機酸化物膜を形成するように
構成した。すなわちこの発明の無機酸化物膜を有する基
体の製造方法は、基体に無機酸化物の水和物を塗布した
後、レーザー照射を行なうことにより前記水和物を脱水
反応させて無機酸化物膜にするように構成した。 この発明をさらに詳しく説明する。 まず、基体に無機酸化物の水和物を塗布する。 基体としては、ガラス、セラミック、金属、FRPなと
の耐熱性を有するもののほか、プラスチック成型品、プ
ラスチックフィルム、ポリ液晶フィルムなどの耐熱性の
低いものを用いることができる。プラスチック成型品、
プラスチックフィルムの材質としては、ポリエーテルエ
ーテルケトンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリア
ミドフィルム、ポリイミドフィルム、ボリフェニレンサ
ルファドフィルムなどがある。透明ガラス、透明プラス
チックフィルムは、透明性が優れているので、透明基板
を得るには特に好適である。 このような基体の上に、無機酸化物の水和物の分散液(
ゾル)を、ロールコータ−法、スピナー法、ディッピン
グ法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などによって
、乾燥時0.001〜20μmの膜厚になるように塗布
した後、30〜150℃で0,5〜60分間乾燥する。 無機酸化物の水和物の無機元素としては、アルミニウム
、チタニウム、ケイ素、ジルコニウム、インジウム、ス
ズ、亜鉛、ゲルマニウム、イツトリウム、スカンジウム
、ガリウム、ハフニウム、ニッケル、コバルト、クロム
、鉄、マンガン、バリウムなどを単独あるいは混合して
用いる。また、アルミニウム、チタニウム、ケイ素、ジ
ルコニウム、インジウム、スズ、亜鉛を単独あるいは混
合して用いると、無機酸化物膜の透明性、造膜性が特に
優れたものとなる。 次いで、レーザー照射を行なって前記水和物を脱水反応
させて無機酸化物膜にする。 ここで使用するレーザーとしては、炭酸ガス(CO2)
レーザー(CW、パルス)、あるいはヤグ(YAG)レ
ーザー(CW、パルス)などがある。無機酸化物膜水和
物の塗布膜厚が、初期乾燥時で0.1〜10μm程度の
場合、CWのCO2レーザーを例にすれば、出力25〜
50A(10〜100W程度)、加工速度1〜100m
m/秒で所望の無機酸化物膜を得ることができる。 レーザー照射前および照射中に、必要に応じて、基体が
熱変形を起こさない範囲で加熱してもよい。 これは、無機酸化物膜の形成時に無機酸化物膜から内部
歪を取り除いてクラックなどの発生を防止するためであ
る。 また、無機酸化物膜をパターン化する場合、必要な部分
にのみレーザー照射を行い、脱水反応を生じさせ、生成
した無機酸化物膜と基体とを密着させた後、水または酸
あるいはアルカリにて洗浄して非照射部の無機酸化物の
水和物を除去することによって、パターン化された無機
酸化物膜を有する基体を得ることができる。コストメリ
ットなどを考慮して、この後にさらに加熱を行なって脱
水反応を進行させ、無機酸化物膜を強固にしてもよい。 また、無機酸化物の水和物の種類によっては、その機能
をより効果的に発現させるために、パターン化された無
機酸化物膜を有する基体を所望の温度、雰囲気中にて焼
成してもよい。たとえば、インジウムとスズの無機酸化
物膜を有する基体を形成する際、レーザー照射後、N2
雰囲気中にて200〜350℃で1〜3時間焼成するこ
とによって、無機酸化物膜の電気抵抗値を安定させるこ
とが可能である。
基体に無機酸化物の水和物を塗布する0次いで、レーザ
ー照射を行なう。無機酸化物の水和物は、熱エネルギー
などにより脱水縮合反応を起こし、無機酸化物膜となる
が、この熱エネルギーなどを与えるのにレーザーを用い
る。レーザーは部分的にエネルギーを集中することがで
きるので、耐熱性の低い基体に対しても何ら影響を及ぼ
さずに無機酸化物膜を形成することができる。このよう
にして無機酸化物膜を有する基体が得られる。また、レ
ーザー照射を所望のパターンにスキャニングすることに
より、脱水反応を必要な部分だけに行なって無機酸化物
膜をパターン化することができる。
ー照射を行なう。無機酸化物の水和物は、熱エネルギー
などにより脱水縮合反応を起こし、無機酸化物膜となる
が、この熱エネルギーなどを与えるのにレーザーを用い
る。レーザーは部分的にエネルギーを集中することがで
きるので、耐熱性の低い基体に対しても何ら影響を及ぼ
さずに無機酸化物膜を形成することができる。このよう
にして無機酸化物膜を有する基体が得られる。また、レ
ーザー照射を所望のパターンにスキャニングすることに
より、脱水反応を必要な部分だけに行なって無機酸化物
膜をパターン化することができる。
え11L
アルミナ水和物の分散液(ゾル)をロールコータ−でガ
ラス板の上に、乾燥時10μmの膜厚になるように塗布
した後、60℃で15分間乾燥した。 次に、このガラス板を150℃に加熱しながら、特別な
光学システムで直径10μmにレーザー光を絞ったYA
Gレーザ−(出力50W)にて、円周のパターンにレー
ザー照射を行なってパターン化して脱水反応を進行させ
た後、非照射部のゾルを薄い酸でシャワー洗浄して除去
した。その後、450℃で2時間加熱しさらに脱水反応
を進行させた。 このようにしてパターン化された透明なアルミナ膜を有
するガラス板を得た。 実]I阻3− インジウムとスズの混合酸化物ゾルをガラス板に、乾燥
時150nmの膜厚になるようにスピナーコートした後
、50℃で30分間乾燥した。 次に、このガラス板を200℃に加熱しながら、特別な
光学システムで直径10μmにレーザー光を絞ったCW
のCo2レーザー(出力45W)にて、電気回路のパタ
ーンにレーザー照射を行なってパターン化して脱水反応
を進行させた後、非照射部を希アルカリで洗浄して除去
した。その後、N2雰囲気中で500℃で130分間加
熱しさらに脱水反応を進行させた。 このようにしてインジウム・スズ酸化物膜による透明電
極を備えたガラス板を得た。 アルミナとマグネシア混合ゾルをロールコータ−でポリ
イミドフィルムの上に、乾燥時3μmの膜厚になるよう
に塗布した後、60℃で40分間および150℃で30
分間乾燥した。 次に、直径100μmにレーザー光を絞ったCWの00
2レーザー(出力50W)にて、上記のポリイミドフィ
ルムの全面にレーザー照射を行なって脱水反応を進行さ
せた。 このようにしてアルミナ・マグネシア膜を有するポリイ
ミドフィルムを得た。 夾差1」エ アルミニウム:チタニウム:ケイ素の原子比が90+5
:5である無機酸化物の水和物の分散液(ゾル)をポリ
エーテルエーテルケトンフィルムの上に、乾燥時1.5
μmの膜厚になるようにスプレーコーティングした後、
室温で乾燥した。 次に、直径50μmにレーザー光を絞ったCWのCO2
レーザ−(出力35W)にて、上記のポリエーテルエー
テルケトンフィルムの全面にレーザー照射を行なって脱
水反応を進行させた。 このようにしてアルミナ・チタニア・シリカ膜を有する
ポリエーテルエーテルケトンフィルムを得た。
ラス板の上に、乾燥時10μmの膜厚になるように塗布
した後、60℃で15分間乾燥した。 次に、このガラス板を150℃に加熱しながら、特別な
光学システムで直径10μmにレーザー光を絞ったYA
Gレーザ−(出力50W)にて、円周のパターンにレー
ザー照射を行なってパターン化して脱水反応を進行させ
た後、非照射部のゾルを薄い酸でシャワー洗浄して除去
した。その後、450℃で2時間加熱しさらに脱水反応
を進行させた。 このようにしてパターン化された透明なアルミナ膜を有
するガラス板を得た。 実]I阻3− インジウムとスズの混合酸化物ゾルをガラス板に、乾燥
時150nmの膜厚になるようにスピナーコートした後
、50℃で30分間乾燥した。 次に、このガラス板を200℃に加熱しながら、特別な
光学システムで直径10μmにレーザー光を絞ったCW
のCo2レーザー(出力45W)にて、電気回路のパタ
ーンにレーザー照射を行なってパターン化して脱水反応
を進行させた後、非照射部を希アルカリで洗浄して除去
した。その後、N2雰囲気中で500℃で130分間加
熱しさらに脱水反応を進行させた。 このようにしてインジウム・スズ酸化物膜による透明電
極を備えたガラス板を得た。 アルミナとマグネシア混合ゾルをロールコータ−でポリ
イミドフィルムの上に、乾燥時3μmの膜厚になるよう
に塗布した後、60℃で40分間および150℃で30
分間乾燥した。 次に、直径100μmにレーザー光を絞ったCWの00
2レーザー(出力50W)にて、上記のポリイミドフィ
ルムの全面にレーザー照射を行なって脱水反応を進行さ
せた。 このようにしてアルミナ・マグネシア膜を有するポリイ
ミドフィルムを得た。 夾差1」エ アルミニウム:チタニウム:ケイ素の原子比が90+5
:5である無機酸化物の水和物の分散液(ゾル)をポリ
エーテルエーテルケトンフィルムの上に、乾燥時1.5
μmの膜厚になるようにスプレーコーティングした後、
室温で乾燥した。 次に、直径50μmにレーザー光を絞ったCWのCO2
レーザ−(出力35W)にて、上記のポリエーテルエー
テルケトンフィルムの全面にレーザー照射を行なって脱
水反応を進行させた。 このようにしてアルミナ・チタニア・シリカ膜を有する
ポリエーテルエーテルケトンフィルムを得た。
この発明は、無機酸化物の水和物の脱水反応のエネルギ
ーなどを与えるのにレーザーを用い、水和物のみが加熱
されるので、耐熱性の低い基体を使用することができる
。また、無機酸化物膜をパターン化する場合も、工程が
少ないので、コスト低減およびロス率低減を図ることが
できる。 特許出願人 日本写真印刷株式会社
ーなどを与えるのにレーザーを用い、水和物のみが加熱
されるので、耐熱性の低い基体を使用することができる
。また、無機酸化物膜をパターン化する場合も、工程が
少ないので、コスト低減およびロス率低減を図ることが
できる。 特許出願人 日本写真印刷株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体に無機酸化物の水和物を塗布した後、レーザー
照射を行なうことにより前記水和物を脱水反応させて無
機酸化物膜にすることを特徴とする無機酸化物膜を有す
る基体の製造方法。 2、無機酸化物が、アルミニウム、チタニウム、ケイ素
、ジルコニウム、インジウム、スズおよび亜鉛からなる
群より選ばれた少なくとも1以上の無機元素を含む請求
項1記載の無機酸化物膜を有する基体の製造方法。 3、基体が、透明ガラス、透明プラスチックのうちいず
れかである請求項1記載の無機酸化物膜を有する基体の
製造方法。 4、レーザー照射を必要なパターンに行なう請求項1記
載の無機酸化物膜を有する基体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63079794A JPH01249171A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 無機酸化物膜を有する基体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63079794A JPH01249171A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 無機酸化物膜を有する基体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01249171A true JPH01249171A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13700126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63079794A Pending JPH01249171A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 無機酸化物膜を有する基体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01249171A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02225347A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Mitsutoyo Corp | ガラスのマーキング方法 |
CN1308059C (zh) * | 2004-10-21 | 2007-04-04 | 山西保太和膜科技有限公司 | 一种不锈钢陶瓷复合膜的制备方法及制品 |
JP2009023892A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Japan Synchrotron Radiation Research Inst | 微細物性加工方法および微細物性加工装置 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63079794A patent/JPH01249171A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02225347A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Mitsutoyo Corp | ガラスのマーキング方法 |
CN1308059C (zh) * | 2004-10-21 | 2007-04-04 | 山西保太和膜科技有限公司 | 一种不锈钢陶瓷复合膜的制备方法及制品 |
JP2009023892A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Japan Synchrotron Radiation Research Inst | 微細物性加工方法および微細物性加工装置 |
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