JPS5913626A - 金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法 - Google Patents
金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法Info
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- JPS5913626A JPS5913626A JP12253482A JP12253482A JPS5913626A JP S5913626 A JPS5913626 A JP S5913626A JP 12253482 A JP12253482 A JP 12253482A JP 12253482 A JP12253482 A JP 12253482A JP S5913626 A JPS5913626 A JP S5913626A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- oxide film
- soln
- metallic oxide
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明性の良好な金属酸化物皮膜を有する各種の
基板の１ｌＩｌ！造方法に関するものであり、その目的
とするところは、電気製品、イ子製品。
基板の１ｌＩｌ！造方法に関するものであり、その目的
とするところは、電気製品、イ子製品。
美術用品、ディスプレイ用品等として有用なる導電性皮
膜あるいは光選択吸収性皮膜を有する基板を製造せんと
するものである。
膜あるいは光選択吸収性皮膜を有する基板を製造せんと
するものである。
透明な金属酸化物皮膜をガラス板等ｔこ形成する方法と
しては例えば特開昭５５−２５０４１号公報、同５５−
１０５２２３号公報、及び同５６−８９１６号公報等１
こ開示された方法がある。これはいずれも特殊な印刷方
法を適用して４電膜を形成する方法であるが、これらの
方法によれは、品温で長時間焼成しなければならないこ
と及びその操作方法による製品のばらつきが大きく必ず
しも密１＃良好な導電膜が得られるとは限らないという
欠点が認められた。しかも、上記の方法はスズ並ひにイ
ンジウム化合物以外は簡単に適用し難いものであること
も本発明者らの多くの追試実験から認められた。
しては例えば特開昭５５−２５０４１号公報、同５５−
１０５２２３号公報、及び同５６−８９１６号公報等１
こ開示された方法がある。これはいずれも特殊な印刷方
法を適用して４電膜を形成する方法であるが、これらの
方法によれは、品温で長時間焼成しなければならないこ
と及びその操作方法による製品のばらつきが大きく必ず
しも密１＃良好な導電膜が得られるとは限らないという
欠点が認められた。しかも、上記の方法はスズ並ひにイ
ンジウム化合物以外は簡単に適用し難いものであること
も本発明者らの多くの追試実験から認められた。
ここにおいて本発明者らは、各種遷移金属酸化物皮膜を
有する基板の製造方法について神々の研究を行なってき
た結果、今般本発明を完成するに至ったものである。即
ち本発明者らは、遷移金属化合物の皮膜を基板上に形成
し、３００℃〜５００℃に加熱したのち、冷却させ、つ
いで該皮膜を過酸化物溶液に接触させるときは、金属酸
化物皮膜を有する基板な容易に製造できることを見い出
したのである。
有する基板の製造方法について神々の研究を行なってき
た結果、今般本発明を完成するに至ったものである。即
ち本発明者らは、遷移金属化合物の皮膜を基板上に形成
し、３００℃〜５００℃に加熱したのち、冷却させ、つ
いで該皮膜を過酸化物溶液に接触させるときは、金属酸
化物皮膜を有する基板な容易に製造できることを見い出
したのである。
以１木発明について更に詳しく説明する。本発明にｉｔ
う遷移金属とは、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニ
ワケｌし、銅、亜鉛、ガリウム、モリブデン、ロジウム
、パラジウム、カドミウム、インジウム、スズ、アンチ
モン、ビスマス等の単独もしくはこれらの二種以上の混
合物を指す。そして以上の金属の化合物を形成する非金
属原子ならびに原子団は、ハロゲン、酸素、イオウ、リ
ン、砿酸根、炭化水素基、有機酸根などであり、このう
ちよく用いられるものは有機酸塩である。この場合の有
機酸とは、飽和脂肪酸、不剛和脂肪酸、ツケ査族カルボ
ン酸に属する一塩基酸、二塩基酸が主たるものであるが
、これらのカルボン酸根は３価以上の金属については、
少なくとも２個以上の上記した金属原子と結合している
ことが好ましく。
う遷移金属とは、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニ
ワケｌし、銅、亜鉛、ガリウム、モリブデン、ロジウム
、パラジウム、カドミウム、インジウム、スズ、アンチ
モン、ビスマス等の単独もしくはこれらの二種以上の混
合物を指す。そして以上の金属の化合物を形成する非金
属原子ならびに原子団は、ハロゲン、酸素、イオウ、リ
ン、砿酸根、炭化水素基、有機酸根などであり、このう
ちよく用いられるものは有機酸塩である。この場合の有
機酸とは、飽和脂肪酸、不剛和脂肪酸、ツケ査族カルボ
ン酸に属する一塩基酸、二塩基酸が主たるものであるが
、これらのカルボン酸根は３価以上の金属については、
少なくとも２個以上の上記した金属原子と結合している
ことが好ましく。
金属原子の残余の結合子は、酸素、水酸基、塩素、アル
コキシ基、カルボキシル基等に結合していてもよい。ま
た１本発明に言う金属酸塩には上記金属の有機酸塩から
できるキレート化合物、錯塩を含むことはもちろん差支
えない。このよう７よ遷移金属化合物は力′ス吹付法、
真空蒸着法、スパッタリング法、浸漬法、塗布法、印刷
法などによって基板表面に適当な形状の皮膜を形成させ
るのである。
コキシ基、カルボキシル基等に結合していてもよい。ま
た１本発明に言う金属酸塩には上記金属の有機酸塩から
できるキレート化合物、錯塩を含むことはもちろん差支
えない。このよう７よ遷移金属化合物は力′ス吹付法、
真空蒸着法、スパッタリング法、浸漬法、塗布法、印刷
法などによって基板表面に適当な形状の皮膜を形成させ
るのである。
これらのうち印刷法については、次のとおりである。ま
ず、−移金属化合物を主成分として含むインキを成分的
にみると、金属含有分が５％〜８０条、樹脂分がＯ％〜
２０の、溶剤が６０％〜７５％を含んでおり、その他着
色剤、添加剤が若干量含有されてもよい。この樹脂分を
構成している高分子物質は、熱可塑性でも酔硬化性さら
には光硬化性でもよいが、精密なパターンや階調を有す
る皮膜を得るには、硬化性樹脂又はこれを王とした混合
物をノ□用するのが好ましい。そしてこのインキを用い
て基板上ｔこ皮膜を形成する方法としては、直接印刷法
、転写印刷法が主として用いられる。印刷性以外の方法
は公知に属する方法が用いられる。
ず、−移金属化合物を主成分として含むインキを成分的
にみると、金属含有分が５％〜８０条、樹脂分がＯ％〜
２０の、溶剤が６０％〜７５％を含んでおり、その他着
色剤、添加剤が若干量含有されてもよい。この樹脂分を
構成している高分子物質は、熱可塑性でも酔硬化性さら
には光硬化性でもよいが、精密なパターンや階調を有す
る皮膜を得るには、硬化性樹脂又はこれを王とした混合
物をノ□用するのが好ましい。そしてこのインキを用い
て基板上ｔこ皮膜を形成する方法としては、直接印刷法
、転写印刷法が主として用いられる。印刷性以外の方法
は公知に属する方法が用いられる。
上記いずれかの方法によって皮膜が形成された基板は、
その表面を３００１３−５００℃に７ＪＪ熱して遷移金
属酸化物薄膜を形成させる。この加熱は薄膜中に有機物
を含む場合その炭素分を可及的に少なくするために酸化
芥囲気で行なわれるものである。
その表面を３００１３−５００℃に７ＪＪ熱して遷移金
属酸化物薄膜を形成させる。この加熱は薄膜中に有機物
を含む場合その炭素分を可及的に少なくするために酸化
芥囲気で行なわれるものである。
そのため、上記温度範囲が特定されるのであって、３０
０Ｃ以下では炭素分が表面に残留し、６００℃以上にお
いては炭素分が例えはガラスの中に混入するおそれがあ
る。
０Ｃ以下では炭素分が表面に残留し、６００℃以上にお
いては炭素分が例えはガラスの中に混入するおそれがあ
る。
遷移金属化合Ｕ１として酸化物を用いた場合であっても
、その工程中において酸素の一部が欠乏したりすること
が多く、この傾向は他の凶移金属化合物を用いる場合、
特に有機化合物が存在している場合において著しくなる
。
、その工程中において酸素の一部が欠乏したりすること
が多く、この傾向は他の凶移金属化合物を用いる場合、
特に有機化合物が存在している場合において著しくなる
。
本発明の方法は、この問題を解消するために研究せられ
たものの一つであって、前記の加熱された基板を少なく
とも１００ ｕまで冷却し、ついで形成された皮膜を過
酸化溶液中に浸漬するか塗布することによって該溶液に
接触させる。ここにいう過酸化溶液とは、オゾン溶液、
過酸化水素溶液がもっとも好ましい。溶液化する溶剤と
しては水、ポリハロゲン化炭化水素、フレオンなどが適
している。爾後、適当な温度、例えば１００℃で加熱す
ることによって乾燥せしめられる。乾燥は必ずしも７Ｊ
Ｊ＃！による必要はないが、基板のが歪が存在するなら
ば、これを解消する効果も含めて体熱を行うことが有効
である。
たものの一つであって、前記の加熱された基板を少なく
とも１００ ｕまで冷却し、ついで形成された皮膜を過
酸化溶液中に浸漬するか塗布することによって該溶液に
接触させる。ここにいう過酸化溶液とは、オゾン溶液、
過酸化水素溶液がもっとも好ましい。溶液化する溶剤と
しては水、ポリハロゲン化炭化水素、フレオンなどが適
している。爾後、適当な温度、例えば１００℃で加熱す
ることによって乾燥せしめられる。乾燥は必ずしも７Ｊ
Ｊ＃！による必要はないが、基板のが歪が存在するなら
ば、これを解消する効果も含めて体熱を行うことが有効
である。
以上述べた方法により基板上に安定な金属酸化物線膜が
形成される。本発明にかかる方法によって得らＪＬる酸
化物皮膜は、有機物を含むインキを用いて形成させた場
合でもＯ，ＯＯ１ｐｐｍ以下の炭素分しか含有せず、こ
のことは電気的性質をはじめとして従来の方法では得蝿
いよりな月頁な美麗な価値の高い製品を得ることを約束
するものである。
形成される。本発明にかかる方法によって得らＪＬる酸
化物皮膜は、有機物を含むインキを用いて形成させた場
合でもＯ，ＯＯ１ｐｐｍ以下の炭素分しか含有せず、こ
のことは電気的性質をはじめとして従来の方法では得蝿
いよりな月頁な美麗な価値の高い製品を得ることを約束
するものである。
本発明に用いられる基板の材料としては、ガラス、石英
ガラス、サファイア、スピネル、ルチＩし、ジＩレコニ
ア、ガーネット、チタン酸バリウム、チタン酸ストロン
チウム、ｗ＋ｉ、アスベスト、各種セラミックス等耐熱
性のよいものがハ４いられる。
ガラス、サファイア、スピネル、ルチＩし、ジＩレコニ
ア、ガーネット、チタン酸バリウム、チタン酸ストロン
チウム、ｗ＋ｉ、アスベスト、各種セラミックス等耐熱
性のよいものがハ４いられる。
皆通経済的には、ガラス、石英ガラス、雲母等の基板が
有利である。
有利である。
本発明の特長は工程に応じて、経済的に有利な各種の遷
移金属化合物を用いることができ、生成した金属酸化物
皮）がか基板に甜着させることができるのである。また
本発明の特長は、基板シこ図柄を描く場合の他、全部或
いは部分的に施すこともでき、シ〃）も必要に応じて濃
淡の階調をつけることもできるという大きい利点がある
。
移金属化合物を用いることができ、生成した金属酸化物
皮）がか基板に甜着させることができるのである。また
本発明の特長は、基板シこ図柄を描く場合の他、全部或
いは部分的に施すこともでき、シ〃）も必要に応じて濃
淡の階調をつけることもできるという大きい利点がある
。
本発明の方法は、従来の透明１１極を有する基板の品質
の改善に寄与できることは勿論、本発明者らによって開
発された印刷法による４移金属酸化物薄膜を有しる基板
に適用してすぐれた結果を与えたのである。本発明者ら
は多数の実験例中から代表的な例を抽出して次に実施例
として示す。本発明の方法は以下の実施例のみをこ限定
して解釈されるべきではなく、任意にその実施態様を変
匿して実施しうろことは当然である。
の改善に寄与できることは勿論、本発明者らによって開
発された印刷法による４移金属酸化物薄膜を有しる基板
に適用してすぐれた結果を与えたのである。本発明者ら
は多数の実験例中から代表的な例を抽出して次に実施例
として示す。本発明の方法は以下の実施例のみをこ限定
して解釈されるべきではなく、任意にその実施態様を変
匿して実施しうろことは当然である。
実施例 Ｌ
真空蒸着法によって形成された酸化錫皮膜を有するガラ
ス基板を、 １０℃のオゾン飽和水溶液につけて、１０
分後に引き上げて乾燥させた。膜のシート抵抗はｏ６に
％から、０．２ ”１０ ｋこ下がった。
ス基板を、 １０℃のオゾン飽和水溶液につけて、１０
分後に引き上げて乾燥させた。膜のシート抵抗はｏ６に
％から、０．２ ”１０ ｋこ下がった。
実施例 ２
石英ガラス基板の表面に塩化スズを６０００で空気中で
吹き付けて、酸化スズの皮膜を形成させた。
吹き付けて、酸化スズの皮膜を形成させた。
スプレーは３０αの距離から１秒間、１度だけ行なった
。、膜の面積抵抗は１５００棉全であった。
。、膜の面積抵抗は１５００棉全であった。
この酸化スズを有する基板を７０℃に保って、これに５
０％の過酸化水素液を空気とともに吹きつけた。出来た
基板は虹彩が美しく、…１積抵抗は２００棉句−こな−
た。
０％の過酸化水素液を空気とともに吹きつけた。出来た
基板は虹彩が美しく、…１積抵抗は２００棉句−こな−
た。
実施例 ３
安息香酸アンチモンの朽木１０部を紫外線硬化型に調整
したスクリーンインキ１００部の中に混練して、スクリ
ーンインキを調整した。
したスクリーンインキ１００部の中に混練して、スクリ
ーンインキを調整した。
このインキをｊｌｌいて、図柄をスクリーン印刷法でガ
ラス基板上に形成したのち、該基板を５００℃で３０分
間焼成し、徐冷して１００℃になった時点で３０％の過
酸化水素水の中に１０秒間浸漬して引き上げた。ガラス
基板上に虹彩色のパターンが形成されていて装飾品とし
て有効なものとなった。
ラス基板上に形成したのち、該基板を５００℃で３０分
間焼成し、徐冷して１００℃になった時点で３０％の過
酸化水素水の中に１０秒間浸漬して引き上げた。ガラス
基板上に虹彩色のパターンが形成されていて装飾品とし
て有効なものとなった。
実施例
オクチル酸スズ１０部、カプリル酸インジウム５部をア
セトンとｎ−ブチ々アルコ−Ｉしとで希釈し、粘度８０
ｃｐｓとしたものをインキとして用しＡ１深度３５μｍ
、開口部平均径６０μｍ、開口部面積が１０修ｌ ｆｆ
３当たりの四部容積約０．２ｄなる小孔部を全面に有す
るグラビア版を凹版として用いて、その小孔部にインキ
を充填し、表ｍ１を銅製のドクター刃で余分のインキを
かき取った後、表面平滑なる凸部を有するグチルゴム製
の版胴を圧接し、凸部の頂部にインキを定量転移し、こ
の凸部を被印刷物であるガラス板に圧接し、凸部のパタ
ーン通りのインキ倹膜を印刷し、１００ ｔ３で乾燥し
たのち、５００℃で（資）分間焼成した。このガラス基
板を１００℃まで徐冷したのち、−３５Ｃに冷却したジ
クロＩレフＶオロメタンにオゾンを飽和して溶液とした
ものＵ）中に２秒間浸漬して引き上げて、自然乾燥させ
た。
セトンとｎ−ブチ々アルコ−Ｉしとで希釈し、粘度８０
ｃｐｓとしたものをインキとして用しＡ１深度３５μｍ
、開口部平均径６０μｍ、開口部面積が１０修ｌ ｆｆ
３当たりの四部容積約０．２ｄなる小孔部を全面に有す
るグラビア版を凹版として用いて、その小孔部にインキ
を充填し、表ｍ１を銅製のドクター刃で余分のインキを
かき取った後、表面平滑なる凸部を有するグチルゴム製
の版胴を圧接し、凸部の頂部にインキを定量転移し、こ
の凸部を被印刷物であるガラス板に圧接し、凸部のパタ
ーン通りのインキ倹膜を印刷し、１００ ｔ３で乾燥し
たのち、５００℃で（資）分間焼成した。このガラス基
板を１００℃まで徐冷したのち、−３５Ｃに冷却したジ
クロＩレフＶオロメタンにオゾンを飽和して溶液とした
ものＵ）中に２秒間浸漬して引き上げて、自然乾燥させ
た。
しかるＱ）ちに、ガラス基板上を検査したところ。
透明性のすぐれた皮膜がパターン化されて」６り電気抵
抗を測定したところｌｏｋ見・菌であった。このガラス
基板は透明電極板として有効である。
抗を測定したところｌｏｋ見・菌であった。このガラス
基板は透明電極板として有効である。
特許出願人
日本写真印刷株式会社
手続補正得（自発）
昭和５７年８月１０日
特ｒ「庁長目′ 殿
■、事件の表示
昭和５７年特許願第１２２５３４号
２発明の名称
金属酸化物皮膜を有する爪板の製造方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出頗人 代表者 ６ 木 正 三′ ′、−７・ ４、 ｒ＋ｌｉ正のメ・１家 明細書の発明の詳細な説明Ｕ）欄 １）明、１１］書第５頁第４行目〜第５行目に［・・・
・直接印刷法、転写印刷法が主として用いられる。］と
あるのに続いて以下の文を挿入致します。即ち、［特に
薄い皮膜を形成しようとする場合は、既に本出願人が出
願したような薄膜印刷方法（昭和５７年特許願第６４５
１０号、同第６６７４０号、同第６６７４１号及び同第
７蛋１７２号参照）を適用すれば均一な厚さの薄膜を容
易に形成することができる。ｊ以 上
者 事件との関係 特許出頗人 代表者 ６ 木 正 三′ ′、−７・ ４、 ｒ＋ｌｉ正のメ・１家 明細書の発明の詳細な説明Ｕ）欄 １）明、１１］書第５頁第４行目〜第５行目に［・・・
・直接印刷法、転写印刷法が主として用いられる。］と
あるのに続いて以下の文を挿入致します。即ち、［特に
薄い皮膜を形成しようとする場合は、既に本出願人が出
願したような薄膜印刷方法（昭和５７年特許願第６４５
１０号、同第６６７４０号、同第６６７４１号及び同第
７蛋１７２号参照）を適用すれば均一な厚さの薄膜を容
易に形成することができる。ｊ以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■遷移金属化合物の皮膜を基板上ｔこ形成させ酸化的ｍ
熱分解をしたのち冷却し、ついで′該皮膜を過酸化物溶
液に接触させることを特徴とする金属酸化物皮膜を有す
る基板の製造方法。 ２過酸化物溶液がオゾン溶液であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の金属酸化物皮＋ａを有する基
板の製造方法。 ３過酸化物溶液が過酸化水素溶液であることを特徴とす
る特ｒｆ請求の範囲第１項記載の金属酸化物皮膜を有す
る基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12253482A JPS5913626A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12253482A JPS5913626A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913626A true JPS5913626A (ja) | 1984-01-24 |
| JPH0240611B2 JPH0240611B2 (ja) | 1990-09-12 |
Family
ID=14838233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12253482A Granted JPS5913626A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 金属酸化物皮膜を有する基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913626A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100088A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-05-02 | リリワイト・ソシエテ・アノニム | 固体電解質伝導体及びその製造方法 |
| JPH02184585A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Inax Corp | 塩基・シリカ反応を抑制したセラミック製品 |
| JPH02263146A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | オゾンセンサ |
| JPH0619849U (ja) * | 1992-04-22 | 1994-03-15 | 株式会社日本アルミ | 粉粒体散布ノズル |
| JP2018027874A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ヒロセホールディングス株式会社 | 金属酸化物ナノ粒子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135745A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of etching thin films of ceric oxide |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12253482A patent/JPS5913626A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57135745A (en) * | 1981-02-09 | 1982-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of etching thin films of ceric oxide |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100088A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-05-02 | リリワイト・ソシエテ・アノニム | 固体電解質伝導体及びその製造方法 |
| JPH0647509B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1994-06-22 | リリワイト・ソシエテ・アノニム | 固体電解質伝導体及びその製造方法 |
| JPH02184585A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Inax Corp | 塩基・シリカ反応を抑制したセラミック製品 |
| JPH02263146A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | オゾンセンサ |
| JPH0619849U (ja) * | 1992-04-22 | 1994-03-15 | 株式会社日本アルミ | 粉粒体散布ノズル |
| JP2018027874A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ヒロセホールディングス株式会社 | 金属酸化物ナノ粒子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0240611B2 (ja) | 1990-09-12 |
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