JPH05270865A - 透明導電膜を有するガラス基板 - Google Patents
透明導電膜を有するガラス基板Info
- Publication number
- JPH05270865A JPH05270865A JP9346092A JP9346092A JPH05270865A JP H05270865 A JPH05270865 A JP H05270865A JP 9346092 A JP9346092 A JP 9346092A JP 9346092 A JP9346092 A JP 9346092A JP H05270865 A JPH05270865 A JP H05270865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- substrate
- glass substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明導電膜のエッチングの際におけるＳｉＯ
2 層の浸食およびＮａの拡散を防止し、パターニング後
の熱処理の際におけるシート抵抗値の変化が抑制された
透明導電膜を有するガラス基板の提供。 【構成】 まず、ＳｉＯ2 被膜２を有するシリカコート
ガラス基板１を70mm角にスクライブし、溶剤および純水
による洗浄を行う。次いで、該基板１を 3wt％Ｍｎアセ
チルアセトナート・エタノール溶液中に浸漬し、 5cm/m
inで引き上げ、クリーンルーム中において15時間乾燥す
る。乾燥後、 500℃の環境下で10分間放置し、基板全面
上に膜厚10nmのＭｎを主成分とする金属酸化物被膜３を
形成する。次に、純水 150mlに25ｇのＳｎＣｌ4 ・６Ｈ
2 Ｏおよび 10.58ｇのＮＨ4 Ｆを溶解した溶液を、 500
℃に加熱されたホットプレート上に設置した基板１の上
方からスプレーすることにより、膜厚 100nmの酸化錫透
明導電膜４を成膜する。
2 層の浸食およびＮａの拡散を防止し、パターニング後
の熱処理の際におけるシート抵抗値の変化が抑制された
透明導電膜を有するガラス基板の提供。 【構成】 まず、ＳｉＯ2 被膜２を有するシリカコート
ガラス基板１を70mm角にスクライブし、溶剤および純水
による洗浄を行う。次いで、該基板１を 3wt％Ｍｎアセ
チルアセトナート・エタノール溶液中に浸漬し、 5cm/m
inで引き上げ、クリーンルーム中において15時間乾燥す
る。乾燥後、 500℃の環境下で10分間放置し、基板全面
上に膜厚10nmのＭｎを主成分とする金属酸化物被膜３を
形成する。次に、純水 150mlに25ｇのＳｎＣｌ4 ・６Ｈ
2 Ｏおよび 10.58ｇのＮＨ4 Ｆを溶解した溶液を、 500
℃に加熱されたホットプレート上に設置した基板１の上
方からスプレーすることにより、膜厚 100nmの酸化錫透
明導電膜４を成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜を有するガ
ラス基板に関する。
ラス基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、透明導電膜を有するガラス基
板は、ガラス基板にＣＭＤ法（Chemical Mist Depositi
on Method ）で透明導電膜を成膜することにより製造さ
れており、このような透明導電膜を有するガラス基板
は、透明導電膜にエッチングによって所定のパターンが
形成され、太陽電池や表示素子など様々な用途に用いら
れる。
板は、ガラス基板にＣＭＤ法（Chemical Mist Depositi
on Method ）で透明導電膜を成膜することにより製造さ
れており、このような透明導電膜を有するガラス基板
は、透明導電膜にエッチングによって所定のパターンが
形成され、太陽電池や表示素子など様々な用途に用いら
れる。
【０００３】しかしながら、ガラス基板の上に直接透明
導電膜を成膜すると、ガラス基板からのＮａ拡散による
透明導電膜への影響が問題となるため、ガラス基板の表
面にＳｉＯ2 被膜を形成し、その上に透明導電膜を成膜
することによってこの問題に対応しており、例えば、図
２に示すように、ソーダライムガラス（Ｓ．Ｌ．Ｇ．）
基板１の上にＳｉＯ2 被膜２を形成し、その上に酸化錫
透明導電膜４を成膜したものなどがある。
導電膜を成膜すると、ガラス基板からのＮａ拡散による
透明導電膜への影響が問題となるため、ガラス基板の表
面にＳｉＯ2 被膜を形成し、その上に透明導電膜を成膜
することによってこの問題に対応しており、例えば、図
２に示すように、ソーダライムガラス（Ｓ．Ｌ．Ｇ．）
基板１の上にＳｉＯ2 被膜２を形成し、その上に酸化錫
透明導電膜４を成膜したものなどがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記透明導電膜を有す
るガラス基板のパターニングは、一般に塩酸と亜鉛粉と
の反応で発生する水素によるエッチングによって行われ
るが、透明導電膜を有するガラス基板に上記エッチング
を施すと、透明導電膜のみならずその下のＳｉＯ2 層ま
で浸食を受けてしまっていた。このように、ＳｉＯ2 層
までもが浸食を受けると、ガラス基板がむき出しとな
り、このむき出しとなったガラス基板からＳｎＯ2 パタ
ーン部へのＮａの拡散が問題となっていた（特に、 570
℃の高温でパターニング基板を保持した場合、シート抵
抗値の変化は30分間で 1.5倍以上にもなる）。
るガラス基板のパターニングは、一般に塩酸と亜鉛粉と
の反応で発生する水素によるエッチングによって行われ
るが、透明導電膜を有するガラス基板に上記エッチング
を施すと、透明導電膜のみならずその下のＳｉＯ2 層ま
で浸食を受けてしまっていた。このように、ＳｉＯ2 層
までもが浸食を受けると、ガラス基板がむき出しとな
り、このむき出しとなったガラス基板からＳｎＯ2 パタ
ーン部へのＮａの拡散が問題となっていた（特に、 570
℃の高温でパターニング基板を保持した場合、シート抵
抗値の変化は30分間で 1.5倍以上にもなる）。
【０００５】そこで本発明は、上述従来の技術の問題点
を解決し、透明導電膜のエッチングの際におけるＳｉＯ
2 層の浸食およびＮａの拡散を防止し、パターニング後
の熱処理の際におけるシート抵抗値の変化が抑制された
透明導電膜を有するガラス基板を提供することを目的と
する。
を解決し、透明導電膜のエッチングの際におけるＳｉＯ
2 層の浸食およびＮａの拡散を防止し、パターニング後
の熱処理の際におけるシート抵抗値の変化が抑制された
透明導電膜を有するガラス基板を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究の結果、ガラス基板上に形成
されたＳｉＯ2 被膜の上に、Ｍｎを主成分とする金属酸
化物被膜を形成し、その上に透明導電膜を成膜すること
により、上記課題が解決されることを見い出し、本発明
に到達した。
を達成するために鋭意研究の結果、ガラス基板上に形成
されたＳｉＯ2 被膜の上に、Ｍｎを主成分とする金属酸
化物被膜を形成し、その上に透明導電膜を成膜すること
により、上記課題が解決されることを見い出し、本発明
に到達した。
【０００７】すなわち、本発明は、シリカコートガラス
基板と透明導電膜との間に、Ｍｎを主成分とする金属酸
化物被膜が形成されていることを特徴とする透明導電膜
を有するガラス基板を提供するものである。
基板と透明導電膜との間に、Ｍｎを主成分とする金属酸
化物被膜が形成されていることを特徴とする透明導電膜
を有するガラス基板を提供するものである。
【０００８】
【作用】本発明の透明導電膜を有するガラス基板は、ガ
ラス基板上に形成されたＳｉＯ2 被膜と透明導電膜との
間にＭｎを主成分とする金属酸化物被膜が形成されてい
る。このように、ガラス基板とＳｉＯ2 被膜との間にＭ
ｎを主成分とする金属酸化物被膜を介在させることによ
り、エッチングの際におけるＳｉＯ2 層の浸食および透
明導電膜パターンへのＮａ拡散がほとんど見られなくな
る。
ラス基板上に形成されたＳｉＯ2 被膜と透明導電膜との
間にＭｎを主成分とする金属酸化物被膜が形成されてい
る。このように、ガラス基板とＳｉＯ2 被膜との間にＭ
ｎを主成分とする金属酸化物被膜を介在させることによ
り、エッチングの際におけるＳｉＯ2 層の浸食および透
明導電膜パターンへのＮａ拡散がほとんど見られなくな
る。
【０００９】これは、Ｍｎを主成分とする金属酸化物被
膜が耐エッチング性被膜としての役割を果たす上、該被
膜にはＮａの拡散を防止する作用があるためである。そ
のため、本発明の透明導電膜を有する基板は、パターニ
ング後の熱処理の際におけるシート抵抗値の変化（シー
ト抵抗値の上昇）が抑制されるようになる。
膜が耐エッチング性被膜としての役割を果たす上、該被
膜にはＮａの拡散を防止する作用があるためである。そ
のため、本発明の透明導電膜を有する基板は、パターニ
ング後の熱処理の際におけるシート抵抗値の変化（シー
ト抵抗値の上昇）が抑制されるようになる。
【００１０】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
説明する。しかし本発明の範囲は以下の実施例により制
限されるものではない。
【００１１】
【実施例１】まず、ＳｉＯ2 被膜２を有するシリカコー
トガラス基板１（Ｓ．Ｌ．Ｇ．の表面に厚さ 100nmでＳ
ｉＯ2 がコーティングされた既製のガラス基板）を70mm
角にスクライブし、溶剤および純水による洗浄を行っ
た。次いで、該基板１を 3wt％Ｍｎアセチルアセトナー
ト・エタノール溶液中に浸漬し、 5cm/minで引き上げ、
クリーンルーム中において15時間乾燥した。乾燥後、 5
00℃の環境下で10分間放置し、基板全面上に膜厚10nmの
Ｍｎを主成分とする金属酸化物被膜３を形成した。
トガラス基板１（Ｓ．Ｌ．Ｇ．の表面に厚さ 100nmでＳ
ｉＯ2 がコーティングされた既製のガラス基板）を70mm
角にスクライブし、溶剤および純水による洗浄を行っ
た。次いで、該基板１を 3wt％Ｍｎアセチルアセトナー
ト・エタノール溶液中に浸漬し、 5cm/minで引き上げ、
クリーンルーム中において15時間乾燥した。乾燥後、 5
00℃の環境下で10分間放置し、基板全面上に膜厚10nmの
Ｍｎを主成分とする金属酸化物被膜３を形成した。
【００１２】一方、純水 150mlに25ｇのＳｎＣｌ4 ・６
Ｈ2 Ｏおよび 10.58ｇのＮＨ4 Ｆを溶解し、酸化錫透明
導電膜作製用原料液を作製した。次いで、上記基板を 5
00℃に加熱されたホットプレート上に設置し、基板１の
上方から上記透明導電膜作製用原料液をスプレーするこ
とにより、膜厚 100nmの酸化錫透明導電膜４を成膜した
（図１）。
Ｈ2 Ｏおよび 10.58ｇのＮＨ4 Ｆを溶解し、酸化錫透明
導電膜作製用原料液を作製した。次いで、上記基板を 5
00℃に加熱されたホットプレート上に設置し、基板１の
上方から上記透明導電膜作製用原料液をスプレーするこ
とにより、膜厚 100nmの酸化錫透明導電膜４を成膜した
（図１）。
【００１３】次に、上記基板にフォトレジストを均一に
塗布し、 120℃で30分プレベークした後、所定のマスク
に合わせて紫外線を照射し、未照射のレジストを溶解除
去してＳｎＯ2 を露出させた。次いで、この基板を 150
℃で30分プレベークし、基板表面に亜鉛粉末を均一に散
布した後エッチング液（ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ3 ）中に載置
し、露出したＳｎＯ2 を除去した。露出したＳｎＯ2 の
除去後、溶剤でレジストを剥離し、所定のマスク形状の
ＳｎＯ2 パターンを形成した。
塗布し、 120℃で30分プレベークした後、所定のマスク
に合わせて紫外線を照射し、未照射のレジストを溶解除
去してＳｎＯ2 を露出させた。次いで、この基板を 150
℃で30分プレベークし、基板表面に亜鉛粉末を均一に散
布した後エッチング液（ＨＣｌ＋ＦｅＣｌ3 ）中に載置
し、露出したＳｎＯ2 を除去した。露出したＳｎＯ2 の
除去後、溶剤でレジストを剥離し、所定のマスク形状の
ＳｎＯ2 パターンを形成した。
【００１４】パターニング後、この基板を 570℃で30分
間熱処理を行い、この熱処理時におけるシート抵抗を測
定し、その結果を表１に示した。なお、表１におけるＲ
0 は熱処理前のシート抵抗値、Ｒは30分間熱処理を行っ
た後のシート抵抗値である。
間熱処理を行い、この熱処理時におけるシート抵抗を測
定し、その結果を表１に示した。なお、表１におけるＲ
0 は熱処理前のシート抵抗値、Ｒは30分間熱処理を行っ
た後のシート抵抗値である。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【実施例２】3wt％Ｍｎアセチルアセトナート・エタノ
ール溶液に代えて 3wt％Ａｌイソプロポキシド・エタノ
ール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして酸
化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実施例１
と同様の測定を行い、その結果を表１に併記した。
ール溶液に代えて 3wt％Ａｌイソプロポキシド・エタノ
ール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして酸
化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実施例１
と同様の測定を行い、その結果を表１に併記した。
【００１７】
【実施例３】3wt％Ｍｎアセチルアセトナート・エタノ
ール溶液に代えて 3wt％Ｔｉテトライソプロポキシド・
エタノール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様に
して酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実
施例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記し
た。
ール溶液に代えて 3wt％Ｔｉテトライソプロポキシド・
エタノール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様に
して酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実
施例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記し
た。
【００１８】
【実施例４】3wt％Ｍｎアセチルアセトナート・エタノ
ール溶液に代えて 3wt％Ｃｒアセチルアセトナート・エ
タノール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にし
て酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実施
例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記した。
ール溶液に代えて 3wt％Ｃｒアセチルアセトナート・エ
タノール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にし
て酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実施
例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記した。
【００１９】
【実施例５】3wt％Ｍｎアセチルアセトナート・エタノ
ール溶液に代えて 3wt％Ｚｒアセチルアセトナート・エ
タノール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にし
て酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実施
例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記した。
ール溶液に代えて 3wt％Ｚｒアセチルアセトナート・エ
タノール溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にし
て酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実施
例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記した。
【００２０】
【比較例】3wt％Ｍｎアセチルアセトナート・エタノー
ル溶液中に浸漬することによるＭｎを主成分とする金属
酸化被膜の形成を行わないこと以外は実施例１と同様に
して酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実
施例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記し
た。
ル溶液中に浸漬することによるＭｎを主成分とする金属
酸化被膜の形成を行わないこと以外は実施例１と同様に
して酸化錫透明導電膜を有するガラス基板を作製し、実
施例１と同様の測定を行い、その結果を表１に併記し
た。
【００２１】表１からもわかるように、ＳｉＯ2 被膜と
酸化錫透明導電膜との間にＭｎを主成分とする金属酸化
物被膜を形成した本発明の基板（実施例１）は、パター
ニング後の熱処理（ 570℃、30分）の際におけるシート
抵抗値の変化が 1.3倍に抑えられていた。しかしなが
ら、ＳｉＯ2 被膜と酸化錫透明導電膜との間に、Ａｌ
（実施例２）、Ｔｉ（実施例３）、Ｃｒ（実施例４）ま
たはＺｒ（実施例５）などＭｎ以外の金属を主成分とす
る金属酸化物被膜を形成した場合には、両者の間に金属
酸化物被膜を形成しない場合（比較例）と同様に、基板
のシート抵抗値の変化は 1.5倍前後と大きいものであっ
た。
酸化錫透明導電膜との間にＭｎを主成分とする金属酸化
物被膜を形成した本発明の基板（実施例１）は、パター
ニング後の熱処理（ 570℃、30分）の際におけるシート
抵抗値の変化が 1.3倍に抑えられていた。しかしなが
ら、ＳｉＯ2 被膜と酸化錫透明導電膜との間に、Ａｌ
（実施例２）、Ｔｉ（実施例３）、Ｃｒ（実施例４）ま
たはＺｒ（実施例５）などＭｎ以外の金属を主成分とす
る金属酸化物被膜を形成した場合には、両者の間に金属
酸化物被膜を形成しない場合（比較例）と同様に、基板
のシート抵抗値の変化は 1.5倍前後と大きいものであっ
た。
【００２２】
【発明の効果】本発明の開発により、透明導電膜のエッ
チングの際におけるＳｉＯ2 層の浸食およびガラス基板
からのＮａの拡散が防止されるようになった。そのた
め、エッチングによるパターニング後の熱処理時におけ
るシート抵抗値の変化が抑制されるようになった。
チングの際におけるＳｉＯ2 層の浸食およびガラス基板
からのＮａの拡散が防止されるようになった。そのた
め、エッチングによるパターニング後の熱処理時におけ
るシート抵抗値の変化が抑制されるようになった。
【図１】本発明の透明導電膜を有するガラス基板の一例
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
【図２】従来の透明導電膜を有するガラス基板を示す側
断面図である。
断面図である。
１‥‥‥ソーダライムガラス基板 ２‥‥‥ＳｉＯ2 被膜 ３‥‥‥Ｍｎを主成分とする金属酸化物被膜 ４‥‥‥酸化錫透明導電膜
Claims (1)
- 【請求項１】 シリカコートガラス基板と透明導電膜と
の間に、Ｍｎを主成分とする金属酸化物被膜が形成され
ていることを特徴とする透明導電膜を有するガラス基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9346092A JPH05270865A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 透明導電膜を有するガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9346092A JPH05270865A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 透明導電膜を有するガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05270865A true JPH05270865A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=14082949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9346092A Pending JPH05270865A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 透明導電膜を有するガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05270865A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820295B2 (en) | 2007-08-22 | 2010-10-26 | Hyundai Motor Company | Fluorine-doped tin oxide transparent conductive film glass and method of fabricating the same |
| JP2011094218A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化錫膜付き基体の製造方法 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP9346092A patent/JPH05270865A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820295B2 (en) | 2007-08-22 | 2010-10-26 | Hyundai Motor Company | Fluorine-doped tin oxide transparent conductive film glass and method of fabricating the same |
| JP2011094218A (ja) * | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化錫膜付き基体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4252841A (en) | Process for producing transparent conductive film | |
| GB2219007A (en) | Method of forming patterned film on substrate surface by using metal alkoxide sol | |
| JPS6065712A (ja) | 酸化けい素被膜の形成方法 | |
| KR20040028698A (ko) | 도전성 산화 주석 막의 패터닝 방법 | |
| JP3611618B2 (ja) | 非晶質導電膜のパターニング方法 | |
| JPH05270865A (ja) | 透明導電膜を有するガラス基板 | |
| JPH11111082A (ja) | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 | |
| JPH05267701A (ja) | 酸化錫透明導電膜のパターニング方法 | |
| JPS6273203A (ja) | 無反射処理基板およびその製造方法 | |
| JPS62197332A (ja) | ガラス基板素材の処理方法 | |
| JPH05274917A (ja) | 酸化錫透明導電膜 | |
| US4040892A (en) | Method of etching materials including a major constituent of tin oxide | |
| JPS6111749A (ja) | フオトマスクブランク | |
| JP2010165888A (ja) | 抵抗体皮膜の製造方法および抵抗体皮膜 | |
| JPH026833B2 (ja) | ||
| JPH0435070A (ja) | 透光性配線基板 | |
| JP3332409B2 (ja) | 透明導電膜を有するガラス基板 | |
| JPH0318737B2 (ja) | ||
| US3471291A (en) | Protective plating of oxide-free silicon surfaces | |
| WO2009104695A1 (ja) | 透明導電性基板の製造方法 | |
| JP2774105B2 (ja) | 遮光膜とその製造方法 | |
| JPH01112613A (ja) | 透明導電膜パターンの形成方法 | |
| JPH05119306A (ja) | カラーフイルター基板の製造方法 | |
| JPH01249171A (ja) | 無機酸化物膜を有する基体の製造方法 | |
| JPH0593915A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010424 |