JP4631011B2 - 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 - Google Patents
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- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 18
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N tin(2+) Chemical compound [Sn+2] IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 18
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- -1 antimony alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K diacetyloxystibanyl acetate Chemical compound [Sb+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O JVLRYPRBKSMEBF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical compound [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- LRMSQVBRUNSOJL-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)F LRMSQVBRUNSOJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQPIHRUPQKUTPA-UHFFFAOYSA-K C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].Cl[Sn+2] Chemical compound C(C)(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].Cl[Sn+2] UQPIHRUPQKUTPA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N TRIFLUOROACETIC ACID ETHYL ESTER Chemical compound CCOC(=O)C(F)(F)F STSCVKRWJPWALQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XQRVLQLHRAJWLU-UHFFFAOYSA-K antimony(3+);butanoate Chemical compound [Sb+3].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O XQRVLQLHRAJWLU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RPJGYLSSECYURW-UHFFFAOYSA-K antimony(3+);tribromide Chemical compound Br[Sb](Br)Br RPJGYLSSECYURW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JRLDUDBQNVFTCA-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);trinitrate Chemical compound [Sb+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O JRLDUDBQNVFTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGCPMRIOBZXXBR-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;dibutyltin(2+) Chemical compound CCCCO[Sn](CCCC)(CCCC)OCCCC RGCPMRIOBZXXBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AFOLZIVGFUUSMF-UHFFFAOYSA-K butyl(dichloro)stannanylium;acetate Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)OC(C)=O AFOLZIVGFUUSMF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K butyltin trichloride Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)Cl YMLFYGFCXGNERH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L diacetyloxytin Chemical compound CC(=O)O[Sn]OC(C)=O PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L dibutyl(dichloro)stannane Chemical compound CCCC[Sn](Cl)(Cl)CCCC RJGHQTVXGKYATR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N dibutyl(oxo)tin Chemical compound CCCC[Sn](=O)CCCC JGFBRKRYDCGYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- FPADWGFFPCNGDD-UHFFFAOYSA-N tetraethoxystannane Chemical compound [Sn+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] FPADWGFFPCNGDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N triethyl stiborite Chemical compound [Sb+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明な表示電極を必要とするタッチパネル、プラズマディスプレイパネル、液晶ディスプレイ、太陽電池などに用いられる透明導電性酸化スズ膜のパターニング方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、コンピュータの急速な普及に伴い、より簡単なデータ入力装置としてタッチパネルがその重要性を増してきており、また、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイパネル、ELディスプレイもCRTに代わる新規な表示デバイスとして注目されている。このように透明な電極を用いたデバイスは種々の分野に用いられており、産業上の有用性から益々市場を拡大するものと予想されている。
【0003】
透明電極材料は、酸化スズをドープした酸化インジウム(III) と酸化アンチモンをドープした酸化スズ(IV)が代表的である。酸化スズ(IV)系導電性材料は、酸化インジウム(III) 系に比べ原料が豊富で安価であり、耐熱性が高く化学的にも安定しているという優れた特徴を有している。しかしその反面、エッチングが困難な為、精度の高いパターンを得ることが難しいという問題点がある。そのため、現在上記用途には、エッチング容易な酸化インジウム(III) 系導電性材料が主に用いられおり、酸化スズ(IV)系材料はパターニングが技術的課題となっている。
【0004】
従来の酸化スズ(IV)膜のパターニング方法としては、種々のものが提案されている。
【0005】
特開昭55−139714号公報には、ガラス基板上に形成した酸化スズ(IV)の薄膜上にフォトレジストを塗布してフォトレジストパターンを形成し、全面に亜鉛粉末を塗布してフォトレジストのない部分で酸化スズ(IV)膜と接触させた後、塩酸とリン酸の混合水溶液に浸漬して酸化スズ(IV)膜を除去して、更にフォトレジストを除去することにより所望の酸化スズ(IV)薄膜パターンを形成する方法が開示されている。
【0006】
特開昭57−136705号公報には、基体上に酸化スズ(IV)膜を形成し、その上にフォトレジストを塗布してフォトレジストパターンを形成し、100℃以上に保った状態で水素プラズマ中にさらしてフォトレジストのない部分を還元して金属スズとし、塩酸により還元した部分を溶解し、マスクパターンを剥離することで酸化スズ(IV)薄膜のパターンを得る方法が開示されている。
【0007】
特開平2−234310号公報には、400℃に加熱した基板に四塩化スズと硫酸の水溶液を噴霧して、基板上に硫化スズ(II)を形成し、室温に戻してからフォトレジストを塗布してパターンを形成し、水酸化ナトリウム水溶液でフォトレジストのない部分の硫化スズ(II)膜をエッチングし、フォトレジストを除去した後、最後に焼成を行うことでパターニングした酸化スズ(IV)膜を得る方法が開示されている。
【0008】
特開平11−111082号公報には、スズ化合物とドーパント化合物を溶解した溶液を基材上に塗布し、該基板上に形成された被膜を乾燥して乾燥膜を形成し、その上層にレジストを形成し、該レジストを部分的に現像してパターンを形成し、下層の乾燥膜をエッチングした後、未現像のレジストを剥離し、その下層の乾燥膜を焼成することにより酸化スズ(IV)膜とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法において、有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用いることにより、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、レジストと乾燥膜を現像液で同時にエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法が開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
特開昭55−139714号公報に記載の方法では、亜鉛粉末と塩酸の反応が急激に起こるため、反応と同時に進行する酸化スズ(IV)膜の溶解が制御し難く、溶解速度が速いとレジスト下層の酸化スズ(IV)膜が溶解し、また、溶解速度が遅いと残膜が発生する問題がある。
【0010】
特開昭57−136705号公報に記載の方法では、酸化スズ(IV)を還元するために水素プラズマを用いており、真空系装置が必要となり、生産性が悪いなど効率的でない。また、フォトレジストがプラズマで削られて良好なパターンが得られない問題がある。更に、金属スズ(Sn)の溶解に強酸を用いるため酸化スズ(IV)膜の損傷や工程増加などの不具合が生じる。
【0011】
特開平2−234310号公報に記載の方法では、硫化スズ(II)を生成させるため特殊な噴霧装置を用いなければならず効率的でない。また、フォトレジストをパターニングした後、改めて硫化スズ(II)膜を水酸化ナトリウムでエッチングするため工程が多く煩雑になる。
【0012】
特開平11−111082号公報に記載の方法では、レジストと乾燥膜を現像液で同時にエッチングすることにより、工程の簡略化が行われている。しかし、レジストを使用する以上、未現像のレジストを剥離する工程が存在している。
【0013】
本発明の目的は、上記問題点を解決し、レジスト膜を使用することなく、簡便にかつ効率よく、導電性酸化スズ(IV)のパターン膜を得る方法を提供しようとするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用いることにより、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液でエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜(IV)のパターニング方法である。
【0015】
そして、本発明の導電性酸化スズ膜のパターニング方法は、
下記の工程(A)、(B)及び(C):
(A)有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を形成させる工程、
(B)(A)工程で得られた溶解液を基材上に塗布して、該基板上に形成された被膜を乾燥させることにより乾燥膜を形成させる工程、及び
(C)(B)工程で得られた乾燥膜に紫外領域を含む光によりパターンを転写させ、次に転写されたパターンを構成する乾燥膜を現像液にてエッチングすることにより、部分的に現像されたパターン膜を形成させる工程、次いで該パターン膜を焼成することにより酸化スズ(IV)膜を生成させる工程、
からなるのが好ましい。
【0016】
また、本発明においては、以下の態様で実施されるのが好適である。
【0017】
前記ドーパント化合物は、アンチモン化合物及び/又はフッ素化合物が好ましい。
【0018】
前記アンチモン化合物が、スズ化合物に対して、原子比で2〜30モル%使用される。
【0019】
前記フッ素化合物が、スズ化合物に対して、原子比で2〜60モル%使用される。
【0020】
前記本発明において、有機溶媒に溶解した溶液中のスズ化合物及びドーパント化合物の濃度は、固形分濃度として2〜30重量%である。
【0021】
紫外領域を含む光として180nm以上400nm以下の波長を含む光が好ましい。
【0022】
前記現像液は、アルカリ性現像液又は酸性現像液が使用される。
【0023】
前記基材上に形成された被膜の乾燥温度は、室温〜150℃の範囲内であり、室温〜100℃の範囲内がより好ましい。
【0024】
前記パターン膜の焼成温度は、350℃以上であるのが好ましい。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられるスズ化合物は有機溶媒に溶解するものであれば特に限定されない。スズ化合物の例として、塩化スズ(II)、塩化スズ(IV)、酢酸スズ(II)、オクチル酸スズ(II)、スズテトラエトキシド、モノブチルスズトリクロライド、ジブチルスズジクロライド、ブチルジクロロスズアセテート、ブチルクロロスズジアセテート、ジブチルジブトキシスズ、ジブチルスズオキシドなどの1種又は2種以上が用いられる。
【0026】
本発明に用いられるドーパント化合物は、酸化スズ膜の導電性を向上させる目的でアンチモン化合物及び/又はフッ素化合物を用いるのが好ましい。
【0027】
アンチモン化合物をドーパントとして用いる場合、アンチモン化合物の例としては、アンチモントリエトキシド、アンチモントリブトキシドなどのアンチモンアルコキシド類、硝酸アンチモン(III) 、塩化アンチモン(III) 、臭化アンチモン(III) などの無機塩類、酢酸アンチモン(III) 、酪酸アンチモン(III) などの有機塩類などの1種又は2種以上が用いられる。
【0028】
スズ化合物に対するアンチモン化合物の添加量は、スズ原子に対するアンチモン原子比で2〜30モル%の範囲が好ましい。2モル%未満又は30モル%を超える範囲では、アンチモン化合物の添加によるドーパント効果がうすれ、導電性の向上した酸化スズ(IV)膜が得られず好ましくない。
【0029】
フッ素化合物をドーパントとして用いる場合、フッ素化合物の例としては、フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化スズ(II)、フッ化アンチモン(III) 、フッ化ホウ素、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロエタノール、エチルトリフルオロアセテート、ペンタフルオロプロピオン酸の1種又は2種以上を用いるのが好ましい。これらのうち、特にフッ化スズ(IV)を用いるのが取り扱いが容易であるので好ましい。
【0030】
スズ化合物に対するフッ素化合物の添加量は、スズ原子に対するフッ素原子比で2〜60モル%の範囲が好ましい。2モル%未満又は60モル%を超える範囲では、フッ素化合物の添加によるドーパント効果がうすれ、導電性の向上した酸化スズ(IV)膜が得られず好ましくない。
【0031】
本発明に用いられる有機溶媒は、スズ化合物及びドーパント化合物を溶解させ、かつ、焼成後の膜中にアルカリ金属やカーボンなどの導電性を阻害する不純物を副生することがなければ特に制限されない。有機溶媒の例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノールなどのアルコール類、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオールなどのグリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチルなどの有機酸エステル類などの1種又は2種以上の組み合わせで用いることが出来る。
【0032】
本発明におけるスズ化合物及びドーパント化合物を有機溶媒に溶解した溶液は、沈殿物やゲル状物を含まない均一な透明溶液である。スズ化合物及びドーパント化合物の固形分は、溶液の全重量に対する不揮発性酸化物成分の重量の割合で算出される。溶液の固形分濃度は、2〜30重量%が良く、特に5〜15重量%が好ましい。固形分濃度が2重量%より低い場合は、一回の塗布で十分な膜厚が得られず、多層の必要が生じ効率的でない。固形分濃度が30重量%より高い場合は、一回の塗布で膜厚が厚くつきすぎてクラックが入るおそれがある。
【0033】
本発明において、現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥させた膜へ紫外領域を含む光により露光すると、乾燥膜中のスズ化合物の酸化が起こり、選択的に露光部の乾燥膜が不溶化する。紫外領域を含む光として180nm以上400nm以下の波長を含む光源は、市販されており容易に入手しやすく好ましい。
【0034】
本発明に用いられる現像液は、スズ化合物を含む乾燥膜のエッチングを行うものである。そのため、塩基性化合物溶液又は酸性化合物溶液を用いることが良い。塩基性化合物溶液(アルカリ性現像液)として例えば、アルカリ金属、4級アンモニウムの水酸化物、ケイ酸塩、リン酸塩、酢酸塩、アミン類などの水溶液が用いられる。具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどの水溶液が挙げられる。酸性化合物溶液(酸性現像液)としては、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、燐酸などの無機酸、ギ酸、酢酸などの有機酸の水溶液が好ましい。ただし、水の量に対する塩基性化合物又は酸性化合物の量は、露光部と未露光部との溶解度差が充分生じるような量であることが好ましい。
【0035】
本発明における溶液の塗布法は、特に制限はなく、通常の方法、例えばディップ法、スピンコート法、刷毛塗り法、ロールコート法、フレキソ印刷法、ワイヤーバーコート法などで基材に塗布することができる。
【0036】
本発明に用いられる基材としては、この上に密着性被膜の形成を許容するものであれば制限はないが、特に酸化スズ膜を形成させるには、ガラス、石英ガラス、シリカ膜付ガラス、プラスチック、シリコンウエハーなどの基材が用いられ、特に焼成温度を考慮するとガラス、石英ガラス、シリカ膜付ガラス、シリコンウエハーなどが望ましい。
【0037】
基材上に形成された被膜の乾燥は、室温〜150℃の範囲をとることが可能であり、好ましくは50〜100℃が良い。室温より低いと塗膜の乾燥に時間がかかるばかりでなく、その後の工程でレジスト塗布時にレジストと乾燥膜のミキシングが起こり、良好なパターンが得られなくなる。150℃より高い温度では、アルカリ現像液に対する溶解性が悪くなり、エッチング部分に残膜が残り良好なパターンが得られなくなる。
【0038】
本発明におけるパターン膜の焼成は、通常の加熱方法、例えばホットプレート、オーブン、ベルト炉、マッフル炉などを使用することができる。焼成温度は350℃以上が好ましく、特に500℃以上が好ましい。350℃より低い温度では、酸化スズ膜の結晶化が不十分で導電性の高い膜が得られない。焼成時間は10分以上が好ましく、特に30分以上が好ましい。10分より短いと酸化スズ膜の結晶化、緻密化が不十分で導電性の高い緻密な膜が得られない。また、焼成雰囲気は、必要に応じ酸素雰囲気、窒素雰囲気、還元性雰囲気などに変えることは差し支えない。
【0039】
本発明において、焼成前のパターン膜に紫外線を照射すると膜の緻密化が促進され、より低抵抗となる効果が有る為、場合によっては、紫外線を照射することは差し支えない。
【0040】
【実施例】
実施例1
200mLナスフラスコにヘキシレングリコール40.5g、ブチルセロソルブ11.6g、プロピレングリコールモノブチルエーテル5.8g、オクチル酸スズ(II)42.1g、酢酸アンチモン(III) 3.0gを順次加えて、30分間攪拌したものを溶液とした。溶液の固形分は、酸化スズ(IV)換算で15重量%とした。
【0041】
この溶液をシリカ(SiO2) 膜付きガラス基板上に数滴滴下し、2000rpmの回転数で20秒間スピンコートし、ホットプレート上で80℃、5分間乾燥した(図1)。 次に、パターンマスクを介して、1000Wの高圧水銀灯で3分間紫外線を照射した。紫外線の強度は350nmで140mW/cm2であった。(図2)その後、アルカリ性現像液(東京応化工業(株)製 NMD−3)に浸漬させ未露光部の乾燥膜をエッチングしてパターンを形成した(図3)。その後、オーブンで100℃、5分乾燥し、電気炉で空気中、550℃、1時間焼成を行い酸化アンチモンをドープした酸化スズ(IV)のパターン膜を得た(図4)。
【0042】
この基板を光学顕微鏡で観察したところ、ライン/スペース=80μm/220μmの良好なパターンが得られていた。この酸化アンチモンドープ酸化スズ(IV)の膜厚(ランクテイラーホブソン社製:タリステップにて測定)は1000Åで、ライン抵抗10kΩ/□だった。
【0043】
実施例2
300mLナスフラスコにエタノール90g、ブチルセロソルブ90g、フッ化水素1.0g、オクチル酸スズ(II)100gを順次加えて、30分間攪拌したものを溶液とした。溶液の固形分は、酸化スズ(IV)換算で13重量%とした。
【0044】
この溶液を実施例1と同様の方法で成膜、露光し、アルカリ性現像液により未露光部をエッチングし、パターン膜を得た。この膜を紫外線照射、焼成してフッ素をドープした酸化スズ(IV)のパターン膜を得た。
【0045】
この基板を光学顕微鏡で観察したところ、ライン/スペース=80μm/220μmの良好なパターンが得られていた。このフッ素ドープ酸化スズ(IV)の膜厚は、1000Åで、ライン抵抗100kΩ/□だった。
【0046】
【発明の効果】
本発明では、従来エッチングが困難で良好なパターンが得られない酸化スズ(IV)系薄膜のパターニング方法に着目し、紫外線の照射により塗膜の耐化学薬品性が異なることを発見することで、フォトレジスト膜を使用しないので、工程の簡略化がはかれ、その後、焼成を行うことで、簡便にかつ効率よく、透明導電性酸化スズのパターン膜が得られた。
【0047】
これにより、ディスプレイタッチパネルなどの導電性パターン膜としての応用が可能となる。また、ELや太陽電池の電極としての応用も可能となる。
【図面の簡単な説明】
図1〜図4は、本発明による導電性酸化スズ膜のパターニング方法の実施例1を時系列的に示した断面図である。
【図1】 スズ化合物を含む溶液を基板上に塗布し、乾燥した断面図である。
【図2】 パターンマスクを介し、紫外線を照射し露光した断面図である。
【図3】 アルカリ性現像液により未露光部の乾燥膜をエッチングした断面図である。
【図4】 焼成して酸化スズ(IV)膜を形成した断面図である。
【符号の説明】
1・・・基板
2・・・スズ化合物を含む乾燥膜
3・・・マスク
4・・・酸化スズ(IV)膜
Claims (7)
- (i)有機溶媒に溶解した、有機溶媒に可溶なオクチル酸スズ(II)とドーパント化合物を含む溶液を用い、基板に被膜を形成させる工程、(ii)基板に形成された被膜を、乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で室温〜150℃の温度で乾燥する工程、(iii)乾燥膜を180〜400nmの紫外領域を含む光により露光してパターンを転写させることで部分的に不溶にする工程、(iv)転写されたパターンを構成する乾燥膜の未露光部を現像液でエッチングすることで部分的に現像されたパターン膜を形成させる工程、及び(v)パターン膜を焼成することにより酸化スズ(IV)膜を生成させる工程からなる導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
- ドーパント化合物が、アンチモン化合物及び/又はフッ素化合物である請求項1に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
- アンチモン化合物が、オクチル酸スズ(II)に対して、原子比で2〜30モル%使用される請求項2に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
- フッ素化合物が、オクチル酸スズ(II)に対して、原子比で2〜60モル%使用される請求項2に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
- 有機溶媒に溶解した溶液中のオクチル酸スズ(II)及びドーパント化合物の濃度は、固形分濃度として2〜30重量%である請求項1又は2に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
- 現像液が、アルカリ性現像液又は酸性現像液である請求項1又は2に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
- パターン膜の焼成温度が350℃以上である請求項1に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001393286A JP4631011B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-26 | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-400431 | 2000-12-28 | ||
JP2000400431 | 2000-12-28 | ||
JP2001393286A JP4631011B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-26 | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002270051A JP2002270051A (ja) | 2002-09-20 |
JP4631011B2 true JP4631011B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=18865026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001393286A Expired - Lifetime JP4631011B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-26 | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040067444A1 (ja) |
EP (1) | EP1347468A4 (ja) |
JP (1) | JP4631011B2 (ja) |
KR (1) | KR100731945B1 (ja) |
TW (1) | TW519664B (ja) |
WO (1) | WO2002054416A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4699140B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-06-08 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
KR100856508B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2008-09-04 | 주식회사 잉크테크 | 투명도전막 및 이의 제조방법 |
KR100870425B1 (ko) | 2008-04-11 | 2008-11-25 | 한밭대학교 산학협력단 | 유기성 폐기물 처리를 위한 혐기성 통합공정장치 |
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EP3230294B1 (en) | 2014-10-23 | 2021-06-30 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
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EP4273625A3 (en) | 2015-10-13 | 2024-02-28 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
TW201905250A (zh) * | 2017-06-23 | 2019-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 抑制金屬沉積之方法 |
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- 2001-12-26 KR KR1020037008123A patent/KR100731945B1/ko active IP Right Grant
- 2001-12-26 US US10/451,363 patent/US20040067444A1/en not_active Abandoned
- 2001-12-26 WO PCT/JP2001/011485 patent/WO2002054416A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2001-12-26 EP EP01272538A patent/EP1347468A4/en not_active Withdrawn
- 2001-12-26 JP JP2001393286A patent/JP4631011B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-27 TW TW090132578A patent/TW519664B/zh not_active IP Right Cessation
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JPH11111082A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Nissan Chem Ind Ltd | 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040067444A1 (en) | 2004-04-08 |
WO2002054416A1 (fr) | 2002-07-11 |
KR20040028698A (ko) | 2004-04-03 |
TW519664B (en) | 2003-02-01 |
EP1347468A4 (en) | 2005-04-20 |
JP2002270051A (ja) | 2002-09-20 |
KR100731945B1 (ko) | 2007-06-25 |
EP1347468A1 (en) | 2003-09-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080716 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101006 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |