JP2002270051A - 導電性酸化スズ膜のパターニング方法 - Google Patents

導電性酸化スズ膜のパターニング方法

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JP2002270051A JP2001393286A JP2001393286A JP2002270051A JP 2002270051 A JP2002270051 A JP 2002270051A JP 2001393286 A JP2001393286 A JP 2001393286A JP 2001393286 A JP2001393286 A JP 2001393286A JP 2002270051 A JP2002270051 A JP 2002270051A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明な表示電極を必要とするタッチパネル、
プラズマディスプレイパネル、液晶ディスプレイ、太陽
電池などに用いられる透明導電性酸化スズ膜のパターニ
ング方法に関するものであり、レジスト膜を使用するこ
となく、簡便にかつ効率よく、導電性酸化スズのパター
ン膜を得る方法を提供すること。 【解決手段】 有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパン
ト化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜
が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、
紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶に
し、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とす
る導電性酸化スズ膜のパターニング方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明な表示電極を
必要とするタッチパネル、プラズマディスプレイパネ
ル、液晶ディスプレイ、太陽電池などに用いられる透明
導電性酸化スズ膜のパターニング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの急速な普及に伴
い、より簡単なデータ入力装置としてタッチパネルがそ
の重要性を増してきており、また、液晶ディスプレイや
プラズマディスプレイパネル、ＥＬディスプレイもＣＲ
Ｔに代わる新規な表示デバイスとして注目されている。
このように透明な電極を用いたデバイスは種々の分野に
用いられており、産業上の有用性から益々市場を拡大す
るものと予想されている。
【０００３】透明電極材料は、酸化スズをドープした酸
化インジウム（III） と酸化アンチモンをドープした酸
化スズ（IV）が代表的である。酸化スズ（IV）系導電性
材料は、酸化インジウム（III） 系に比べ原料が豊富で
安価であり、耐熱性が高く化学的にも安定しているとい
う優れた特徴を有している。しかしその反面、エッチン
グが困難な為、精度の高いパターンを得ることが難しい
という問題点がある。そのため、現在上記用途には、エ
ッチング容易な酸化インジウム（III） 系導電性材料が
主に用いられおり、酸化スズ（IV）系材料はパターニン
グが技術的課題となっている。
【０００４】従来の酸化スズ（IV）膜のパターニング方
法としては、種々のものが提案されている。
【０００５】特開昭５５−１３９７１４号公報には、ガ
ラス基板上に形成した酸化スズ（IV）の薄膜上にフォト
レジストを塗布してフォトレジストパターンを形成し、
全面に亜鉛粉末を塗布してフォトレジストのない部分で
酸化スズ（IV）膜と接触させた後、塩酸とリン酸の混合
水溶液に浸漬して酸化スズ（IV)膜を除去して、更にフ
ォトレジストを除去することにより所望の酸化スズ（I
V）薄膜パターンを形成する方法が開示されている。
【０００６】特開昭５７−１３６７０５号公報には、基
体上に酸化スズ（IV）膜を形成し、その上にフォトレジ
ストを塗布してフォトレジストパターンを形成し、１０
０℃以上に保った状態で水素プラズマ中にさらしてフォ
トレジストのない部分を還元して金属スズとし、塩酸に
より還元した部分を溶解し、マスクパターンを剥離する
ことで酸化スズ（IV）薄膜のパターンを得る方法が開示
されている。
【０００７】特開平２−２３４３１０号公報には、４０
０℃に加熱した基板に四塩化スズと硫酸の水溶液を噴霧
して、基板上に硫化スズ（II）を形成し、室温に戻して
からフォトレジストを塗布してパターンを形成し、水酸
化ナトリウム水溶液でフォトレジストのない部分の硫化
スズ（II）膜をエッチングし、フォトレジストを除去し
た後、最後に焼成を行うことでパターニングした酸化ス
ズ（IV）膜を得る方法が開示されている。
【０００８】特開平１１−１１１０８２号公報には、ス
ズ化合物とドーパント化合物を溶解した溶液を基材上に
塗布し、該基板上に形成された被膜を乾燥して乾燥膜を
形成し、その上層にレジストを形成し、該レジストを部
分的に現像してパターンを形成し、下層の乾燥膜をエッ
チングした後、未現像のレジストを剥離し、その下層の
乾燥膜を焼成することにより酸化スズ（IV）膜とする導
電性酸化スズ膜のパターニング方法において、有機溶媒
に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に
溶解した溶液を用いることにより、該乾燥膜が現像液に
対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、レジストと
乾燥膜を現像液で同時にエッチングすることを特徴とす
る導電性酸化スズ膜のパターニング方法が開示されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】特開昭５５−１３９７
１４号公報に記載の方法では、亜鉛粉末と塩酸の反応が
急激に起こるため、反応と同時に進行する酸化スズ（I
V）膜の溶解が制御し難く、溶解速度が速いとレジスト
下層の酸化スズ（IV）膜が溶解し、また、溶解速度が遅
いと残膜が発生する問題がある。
【００１０】特開昭５７−１３６７０５号公報に記載の
方法では、酸化スズ(IV）を還元するために水素プラズ
マを用いており、真空系装置が必要となり、生産性が悪
いなど効率的でない。また、フォトレジストがプラズマ
で削られて良好なパターンが得られない問題がある。更
に、金属スズ（Ｓｎ）の溶解に強酸を用いるため酸化ス
ズ（IV）膜の損傷や工程増加などの不具合が生じる。
【００１１】特開平２−２３４３１０号公報に記載の方
法では、硫化スズ（II）を生成させるため特殊な噴霧装
置を用いなければならず効率的でない。また、フォトレ
ジストをパターニングした後、改めて硫化スズ（II）膜
を水酸化ナトリウムでエッチングするため工程が多く煩
雑になる。
【００１２】特開平１１−１１１０８２号公報に記載の
方法では、レジストと乾燥膜を現像液で同時にエッチン
グすることにより、工程の簡略化が行われている。しか
し、レジストを使用する以上、未現像のレジストを剥離
する工程が存在している。
【００１３】本発明の目的は、上記問題点を解決し、レ
ジスト膜を使用することなく、簡便にかつ効率よく、導
電性酸化スズ（IV）のパターン膜を得る方法を提供しよ
うとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機溶媒に可
溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解
した溶液を用いることにより、該乾燥膜が現像液に対す
る溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む
光により露光することで部分的に不溶にし、現像液でエ
ッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜（IV）
のパターニング方法である。
【００１５】そして、本発明の導電性酸化スズ膜のパタ
ーニング方法は、下記の工程（Ａ）、（Ｂ）及び
（Ｃ）： （Ａ）有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物
を該有機溶媒に溶解した溶液を形成させる工程、（Ｂ）
（Ａ）工程で得られた溶解液を基材上に塗布して、該基
板上に形成された被膜を乾燥させることにより乾燥膜を
形成させる工程、及び（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた乾燥
膜に紫外領域を含む光によりパターンを転写させ、次に
転写されたパターンを構成する乾燥膜を現像液にてエッ
チングすることにより、部分的に現像されたパターン膜
を形成させる工程、次いで該パターン膜を焼成すること
により酸化スズ（IV）膜を生成させる工程、からなるの
が好ましい。
【００１６】また、本発明においては、以下の態様で実
施されるのが好適である。
【００１７】前記ドーパント化合物は、アンチモン化合
物及び／又はフッ素化合物が好ましい。
【００１８】前記アンチモン化合物が、スズ化合物に対
して、原子比で２〜３０モル％使用される。
【００１９】前記フッ素化合物が、スズ化合物に対し
て、原子比で２〜６０モル％使用される。
【００２０】前記本発明において、有機溶媒に溶解した
溶液中のスズ化合物及びドーパント化合物の濃度は、固
形分濃度として２〜３０重量％である。
【００２１】紫外領域を含む光として１８０ｎｍ以上４
００ｎｍ以下の波長を含む光が好ましい。
【００２２】前記現像液は、アルカリ性現像液又は酸性
現像液が使用される。
【００２３】前記基材上に形成された被膜の乾燥温度
は、室温〜１５０℃の範囲内であり、室温〜１００℃の
範囲内がより好ましい。
【００２４】前記パターン膜の焼成温度は、３５０℃以
上であるのが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるスズ化合物は
有機溶媒に溶解するものであれば特に限定されない。ス
ズ化合物の例として、塩化スズ（II）、塩化スズ（I
V）、酢酸スズ（II）、オクチル酸スズ（II）、スズテ
トラエトキシド、モノブチルスズトリクロライド、ジブ
チルスズジクロライド、ブチルジクロロスズアセテー
ト、ブチルクロロスズジアセテート、ジブチルジブトキ
シスズ、ジブチルスズオキシドなどの１種又は２種以上
が用いられる。
【００２６】本発明に用いられるドーパント化合物は、
酸化スズ膜の導電性を向上させる目的でアンチモン化合
物及び／又はフッ素化合物を用いるのが好ましい。
【００２７】アンチモン化合物をドーパントとして用い
る場合、アンチモン化合物の例としては、アンチモント
リエトキシド、アンチモントリブトキシドなどのアンチ
モンアルコキシド類、硝酸アンチモン（III） 、塩化ア
ンチモン（III） 、臭化アンチモン（III） などの無機
塩類、酢酸アンチモン（III） 、酪酸アンチモン（II
I） などの有機塩類などの１種又は２種以上が用いられ
る。
【００２８】スズ化合物に対するアンチモン化合物の添
加量は、スズ原子に対するアンチモン原子比で２〜３０
モル％の範囲が好ましい。２モル％未満又は３０モル％
を超える範囲では、アンチモン化合物の添加によるドー
パント効果がうすれ、導電性の向上した酸化スズ（IV）
膜が得られず好ましくない。
【００２９】フッ素化合物をドーパントとして用いる場
合、フッ素化合物の例としては、フッ化水素、フッ化ア
ンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化スズ（I
I）、フッ化アンチモン(III） 、フッ化ホウ素、トリフ
ルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリフルオロエタ
ノール、エチルトリフルオロアセテート、ペンタフルオ
ロプロピオン酸の１種又は２種以上を用いるのが好まし
い。これらのうち、特にフッ化スズ（IV）を用いるのが
取り扱いが容易であるので好ましい。
【００３０】スズ化合物に対するフッ素化合物の添加量
は、スズ原子に対するフッ素原子比で２〜６０モル％の
範囲が好ましい。２モル％未満又は６０モル％を超える
範囲では、フッ素化合物の添加によるドーパント効果が
うすれ、導電性の向上した酸化スズ（IV）膜が得られず
好ましくない。
【００３１】本発明に用いられる有機溶媒は、スズ化合
物及びドーパント化合物を溶解させ、かつ、焼成後の膜
中にアルカリ金属やカーボンなどの導電性を阻害する不
純物を副生することがなければ特に制限されない。有機
溶媒の例としては、メタノール、エタノール、イソプロ
パノール、ブタノールなどのアルコール類、テトラヒド
ロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルア
セトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、エチレング
リコール、ヘキシレングリコール、プロピレングリコー
ル、１，４−ブタンジオールなどのグリコール類、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類、酢酸エチル、
酢酸イソプロピル、酢酸ブチルなどの有機酸エステル類
などの１種又は２種以上の組み合わせで用いることが出
来る。
【００３２】本発明におけるスズ化合物及びドーパント
化合物を有機溶媒に溶解した溶液は、沈殿物やゲル状物
を含まない均一な透明溶液である。スズ化合物及びドー
パント化合物の固形分は、溶液の全重量に対する不揮発
性酸化物成分の重量の割合で算出される。溶液の固形分
濃度は、２〜３０重量％が良く、特に５〜１５重量％が
好ましい。固形分濃度が２重量％より低い場合は、一回
の塗布で十分な膜厚が得られず、多層の必要が生じ効率
的でない。固形分濃度が３０重量％より高い場合は、一
回の塗布で膜厚が厚くつきすぎてクラックが入るおそれ
がある。
【００３３】本発明において、現像液に対する溶解性を
保持する範囲内で乾燥させた膜へ紫外領域を含む光によ
り露光すると、乾燥膜中のスズ化合物の酸化が起こり、
選択的に露光部の乾燥膜が不溶化する。紫外領域を含む
光として１８０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長を含む光
源は、市販されており容易に入手しやすく好ましい。
【００３４】本発明に用いられる現像液は、スズ化合物
を含む乾燥膜のエッチングを行うものである。そのた
め、塩基性化合物溶液又は酸性化合物溶液を用いること
が良い。塩基性化合物溶液（アルカリ性現像液）として
例えば、アルカリ金属、４級アンモニウムの水酸化物、
ケイ酸塩、リン酸塩、酢酸塩、アミン類などの水溶液が
用いられる。具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化アンモニウム、トリメチルベンジル
アンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、
酢酸ナトリウム、モノエタノールアミン、ジエタノール
アミン、トリエタノールアミンなどの水溶液が挙げられ
る。酸性化合物溶液（酸性現像液）としては、塩酸、硝
酸、硫酸、フッ酸、燐酸などの無機酸、ギ酸、酢酸など
の有機酸の水溶液が好ましい。ただし、水の量に対する
塩基性化合物又は酸性化合物の量は、露光部と未露光部
との溶解度差が充分生じるような量であることが好まし
い。
【００３５】本発明における溶液の塗布法は、特に制限
はなく、通常の方法、例えばディップ法、スピンコート
法、刷毛塗り法、ロールコート法、フレキソ印刷法、ワ
イヤーバーコート法などで基材に塗布することができ
る。
【００３６】本発明に用いられる基材としては、この上
に密着性被膜の形成を許容するものであれば制限はない
が、特に酸化スズ膜を形成させるには、ガラス、石英ガ
ラス、シリカ膜付ガラス、プラスチック、シリコンウエ
ハーなどの基材が用いられ、特に焼成温度を考慮すると
ガラス、石英ガラス、シリカ膜付ガラス、シリコンウエ
ハーなどが望ましい。
【００３７】基材上に形成された被膜の乾燥は、室温〜
１５０℃の範囲をとることが可能であり、好ましくは５
０〜１００℃が良い。室温より低いと塗膜の乾燥に時間
がかかるばかりでなく、その後の工程でレジスト塗布時
にレジストと乾燥膜のミキシングが起こり、良好なパタ
ーンが得られなくなる。１５０℃より高い温度では、ア
ルカリ現像液に対する溶解性が悪くなり、エッチング部
分に残膜が残り良好なパターンが得られなくなる。
【００３８】本発明におけるパターン膜の焼成は、通常
の加熱方法、例えばホットプレート、オーブン、ベルト
炉、マッフル炉などを使用することができる。焼成温度
は３５０℃以上が好ましく、特に５００℃以上が好まし
い。３５０℃より低い温度では、酸化スズ膜の結晶化が
不十分で導電性の高い膜が得られない。焼成時間は１０
分以上が好ましく、特に３０分以上が好ましい。１０分
より短いと酸化スズ膜の結晶化、緻密化が不十分で導電
性の高い緻密な膜が得られない。また、焼成雰囲気は、
必要に応じ酸素雰囲気、窒素雰囲気、還元性雰囲気など
に変えることは差し支えない。
【００３９】本発明において、焼成前のパターン膜に紫
外線を照射すると膜の緻密化が促進され、より低抵抗と
なる効果が有る為、場合によっては、紫外線を照射する
ことは差し支えない。
【００４０】
【実施例】実施例１ ２００ｍＬナスフラスコにヘキシレングリコール４０．
５ｇ、ブチルセロソルブ１１．６ｇ、プロピレングリコ
ールモノブチルエーテル５．８ｇ、オクチル酸スズ（I
I）４２．１ｇ、酢酸アンチモン（III） ３．０ｇを順
次加えて、３０分間攪拌したものを溶液とした。溶液の
固形分は、酸化スズ（IV）換算で１５重量％とした。
【００４１】この溶液をシリカ（ＳｉＯ2） 膜付きガラ
ス基板上に数滴滴下し、２０００ｒｐｍの回転数で２０
秒間スピンコートし、ホットプレート上で８０℃、５分
間乾燥した（図１）。 次に、パターンマスクを介し
て、１０００Ｗの高圧水銀灯で３分間紫外線を照射し
た。紫外線の強度は３５０ｎｍで１４０ｍＷ／ｃｍ2で
あった。(図２)その後、アルカリ性現像液（東京応化工
業（株）製 ＮＭＤ−３）に浸漬させ未露光部の乾燥膜
をエッチングしてパターンを形成した（図３）。その
後、オーブンで１００℃、５分乾燥し、電気炉で空気
中、５５０℃、１時間焼成を行い酸化アンチモンをドー
プした酸化スズ（IV）のパターン膜を得た（図４）。
【００４２】この基板を光学顕微鏡で観察したところ、
ライン／スペース＝８０μｍ／２２０μｍの良好なパタ
ーンが得られていた。この酸化アンチモンドープ酸化ス
ズ（IV）の膜厚（ランクテイラーホブソン社製：タリス
テップにて測定）は１０００Åで、ライン抵抗１０ｋΩ
／□だった。
【００４３】実施例２ ３００ｍＬナスフラスコにエタノール９０ｇ、ブチルセ
ロソルブ９０ｇ、フッ化水素１．０ｇ、オクチル酸スズ
（II）１００ｇを順次加えて、３０分間攪拌したものを
溶液とした。溶液の固形分は、酸化スズ（IV）換算で１
３重量％とした。
【００４４】この溶液を実施例１と同様の方法で成膜、
露光し、アルカリ性現像液により未露光部をエッチング
し、パターン膜を得た。この膜を紫外線照射、焼成して
フッ素をドープした酸化スズ（IV）のパターン膜を得
た。
【００４５】この基板を光学顕微鏡で観察したところ、
ライン／スペース＝８０μｍ／２２０μｍの良好なパタ
ーンが得られていた。このフッ素ドープ酸化スズ（IV）
の膜厚は、１０００Åで、ライン抵抗１００ｋΩ／□だ
った。
【００４６】
【発明の効果】本発明では、従来エッチングが困難で良
好なパターンが得られない酸化スズ（IV）系薄膜のパタ
ーニング方法に着目し、紫外線の照射により塗膜の耐化
学薬品性が異なることを発見することで、フォトレジス
ト膜を使用しないので、工程の簡略化がはかれ、その
後、焼成を行うことで、簡便にかつ効率よく、透明導電
性酸化スズのパターン膜が得られた。
【００４７】これにより、ディスプレイタッチパネルな
どの導電性パターン膜としての応用が可能となる。ま
た、ＥＬや太陽電池の電極としての応用も可能となる。
【図面の簡単な説明】
図１〜図４は、本発明による導電性酸化スズ膜のパター
ニング方法の実施例１を時系列的に示した断面図であ
る。
【図１】 スズ化合物を含む溶液を基板上に塗布し、乾
燥した断面図である。
【図２】 パターンマスクを介し、紫外線を照射し露光
した断面図である。
【図３】 アルカリ性現像液により未露光部の乾燥膜を
エッチングした断面図である。
【図４】 焼成して酸化スズ（IV）膜を形成した断面図
である。
【符号の説明】
１・・・基板 ２・・・スズ化合物を含む乾燥膜 ３・・・マスク ４・・・酸化スズ（IV）膜
フロントページの続き (72)発明者 袋 裕善 千葉県船橋市坪井町722番地１ 日産化学 工業株式会社電子材料研究所内 Ｆターム(参考） 2H025 AA19 AC01 AD01 FA17 5G323 CA01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパン
    ト化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜
    が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、
    紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶に
    し、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とす
    る導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
  2. 【請求項２】 下記の工程（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）： （Ａ）有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物
    を該有機溶媒に溶解した溶液を形成させる工程、（Ｂ）
    （Ａ）工程で得られた溶解液を基材上に塗布して、該基
    板上に形成された被膜を乾燥させることにより乾燥膜を
    形成させる工程、及び（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた乾燥
    膜に紫外領域を含む光によりパターンを転写させ、次に
    転写されたパターンを構成する乾燥膜を現像液にてエッ
    チングすることにより、部分的に現像されたパターン膜
    を形成させる工程、次いで該パターン膜を焼成すること
    により酸化スズ（IV）膜を生成させる工程、からなる請
    求項１に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
  3. 【請求項３】 ドーパント化合物が、アンチモン化合物
    及び／又はフッ素化合物である請求項１又は２に記載の
    導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
  4. 【請求項４】 アンチモン化合物が、スズ化合物に対し
    て、原子比で２〜３０モル％使用される請求項３に記載
    の導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
  5. 【請求項５】 フッ素化合物が、スズ化合物に対して、
    原子比で２〜６０モル％使用される請求項３に記載の導
    電性酸化スズ膜のパターニング方法。
  6. 【請求項６】 有機溶媒に溶解した溶液中のスズ化合物
    及びドーパント化合物の濃度は、固形分濃度として２〜
    ３０重量％である請求項１、２又は３に記載の導電性酸
    化スズ膜のパターニング方法。
  7. 【請求項７】 紫外領域を含む光として１８０ｎｍ以上
    ４００ｎｍ以下の波長を含む光である請求項１、２又は
    ３に記載の導電性酸化スズ膜のパターニング方法
  8. 【請求項８】 現像液が、アルカリ性現像液又は酸性現
    像液である請求項１、２又は３に記載の導電性酸化スズ
    膜のパターニング方法。
  9. 【請求項９】 基材上に形成された被膜の乾燥温度が、
    室温〜１５０℃の範囲内である請求項２又は３に記載の
    導電性酸化スズ膜のパターニング方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012048912A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 構造体の製造方法、および構造体
KR20120093777A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4699140B2 (ja) * 2005-08-29 2011-06-08 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
KR100856508B1 (ko) * 2007-06-15 2008-09-04 주식회사 잉크테크 투명도전막 및 이의 제조방법
KR100870425B1 (ko) 2008-04-11 2008-11-25 한밭대학교 산학협력단 유기성 폐기물 처리를 위한 혐기성 통합공정장치
US8445373B2 (en) 2009-05-28 2013-05-21 Guardian Industries Corp. Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ITO) thin films
US9176377B2 (en) 2010-06-01 2015-11-03 Inpria Corporation Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods
US9310684B2 (en) 2013-08-22 2016-04-12 Inpria Corporation Organometallic solution based high resolution patterning compositions
KR20230156842A (ko) 2014-10-23 2023-11-14 인프리아 코포레이션 유기 금속 용액 기반의 고해상도 패터닝 조성물 및 상응하는 방법
JP6564047B2 (ja) * 2015-02-11 2019-08-21 佛山市▲順▼▲徳▼区美的▲電▼▲熱▼▲電▼器制造有限公司Ｆｏｓｈａｎ Ｓｈｕｎｄｅ Ｍｉｄｅａ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｈｅａｔｉｎｇ Ａｐｐｌｉａｎｃｅｓ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｃｏ．，Ｌｉｍｉｔｅｄ 電熱膜層の製造方法、電熱膜層、電気加熱プレート及び調理器具
US10011524B2 (en) 2015-06-19 2018-07-03 Guardian Glass, LLC Coated article with sequentially activated low-E coating, and/or method of making the same
US10228618B2 (en) 2015-10-13 2019-03-12 Inpria Corporation Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning
TW201905250A (zh) * 2017-06-23 2019-02-01 美商應用材料股份有限公司 抑制金屬沉積之方法
TWI837391B (zh) * 2019-06-26 2024-04-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
CN114200776A (zh) 2020-01-15 2022-03-18 朗姆研究公司 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202419A (ja) * 1986-03-03 1987-09-07 凸版印刷株式会社 透明電極基板の製造方法
JPH02264254A (ja) * 1989-04-05 1990-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成用材料とそれを用いたパターン形成基板の作製方法
JPH02267812A (ja) * 1989-04-06 1990-11-01 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物
JPH046717A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd パターン化された金属酸化物薄膜の製法およびそれに用いる組成物
JPH07282653A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜の製造方法
JPH0982137A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜の形成方法
JPH11111082A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Nissan Chem Ind Ltd 導電性酸化スズ膜のパターニング方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0779009B2 (ja) * 1989-04-20 1995-08-23 鐘淵化学工業株式会社 パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物
US5695809A (en) * 1995-11-14 1997-12-09 Micron Display Technology, Inc. Sol-gel phosphors
US5958624A (en) * 1997-12-18 1999-09-28 Research Corporation Technologies, Inc. Mesostructural metal oxide materials useful as an intercalation cathode or anode

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202419A (ja) * 1986-03-03 1987-09-07 凸版印刷株式会社 透明電極基板の製造方法
JPH02264254A (ja) * 1989-04-05 1990-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成用材料とそれを用いたパターン形成基板の作製方法
JPH02267812A (ja) * 1989-04-06 1990-11-01 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd パターン化した酸化錫系透明導電性薄膜の製法およびそれに用いる組成物
JPH046717A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd パターン化された金属酸化物薄膜の製法およびそれに用いる組成物
JPH07282653A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜の製造方法
JPH0982137A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電膜形成用組成物及び透明導電膜の形成方法
JPH11111082A (ja) * 1997-10-03 1999-04-23 Nissan Chem Ind Ltd 導電性酸化スズ膜のパターニング方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012048912A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 構造体の製造方法、および構造体
KR20120093777A (ko) * 2011-02-15 2012-08-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
JP2012185484A (ja) * 2011-02-15 2012-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US9164383B2 (en) 2011-02-15 2015-10-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR101711681B1 (ko) 2011-02-15 2017-03-02 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법

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