JP2002367974A - 透明導電膜用エッチング剤組成物 - Google Patents
透明導電膜用エッチング剤組成物Info
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- JP2002367974A JP2002367974A JP2001168626A JP2001168626A JP2002367974A JP 2002367974 A JP2002367974 A JP 2002367974A JP 2001168626 A JP2001168626 A JP 2001168626A JP 2001168626 A JP2001168626 A JP 2001168626A JP 2002367974 A JP2002367974 A JP 2002367974A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明導電膜をエッチングする際に、エッチング
残渣を全く発生せず、且つ、穏和な条件下で、エッチン
グが行えるエッチング剤を提供することにある。 【解決手段】スルファミン酸と、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル硫酸塩またはポリオキシアルキレンアル
キルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる
透明導電薄膜用エッチング剤組成物。
残渣を全く発生せず、且つ、穏和な条件下で、エッチン
グが行えるエッチング剤を提供することにある。 【解決手段】スルファミン酸と、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル硫酸塩またはポリオキシアルキレンアル
キルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる
透明導電薄膜用エッチング剤組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、液晶ディスプレ−等に
画素電極として使用される、ＩＴＯ（酸化インジウム
錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用される
エッチング剤組成物に関する。
画素電極として使用される、ＩＴＯ（酸化インジウム
錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用される
エッチング剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ膜をはじめとする透明導電膜は、
帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパ
ネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に
広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小
型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディ
スプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜
等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野
においては、画素の表示電極として使用され、フォトリ
ソグラフィーのエッチングにより作成される。しかしな
がら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてき
たが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均
一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の
形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを
塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとして
エッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォト
レジストを剥離して形成される。
帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパ
ネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に
広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小
型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディ
スプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜
等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野
においては、画素の表示電極として使用され、フォトリ
ソグラフィーのエッチングにより作成される。しかしな
がら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてき
たが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均
一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の
形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを
塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとして
エッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォト
レジストを剥離して形成される。
【０００３】従来、上記多結晶ＩＴＯ膜等の透明導電膜
のエッチング剤として、塩化第二鉄／塩酸水溶液、ヨウ
素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）
等が用いられてきた。上記ＩＴＯ膜等のウエットエッチ
ング剤は、パタニ−ングの際にＡｌ等への腐食が起こ
り、また粒界から選択的エッチングが進行するため、加
工精度良くパタニ−ングすることも困難である。また、
特開平７−１４１９３２号公報には、エッチング残渣除
去性を向上させた発明が記載されているが、シュウ酸が
析出しやすいなどの問題点がある。以上の理由により、
基板サイズの大型化、ＴＦＴパネルの大型化、高精細
化、配線のＡｌ化などに伴って、画素表示電極として加
工精度良く、エッチングが可能なエッチング剤の要求が
高まっている。これらの問題を解決するために、最近非
晶質ＩＴＯ膜を使用し、弱酸、特にスルファミン酸水溶
液で非晶質ＩＴＯ膜をウエットエッチングする方法が提
唱されている。
のエッチング剤として、塩化第二鉄／塩酸水溶液、ヨウ
素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）
等が用いられてきた。上記ＩＴＯ膜等のウエットエッチ
ング剤は、パタニ−ングの際にＡｌ等への腐食が起こ
り、また粒界から選択的エッチングが進行するため、加
工精度良くパタニ−ングすることも困難である。また、
特開平７−１４１９３２号公報には、エッチング残渣除
去性を向上させた発明が記載されているが、シュウ酸が
析出しやすいなどの問題点がある。以上の理由により、
基板サイズの大型化、ＴＦＴパネルの大型化、高精細
化、配線のＡｌ化などに伴って、画素表示電極として加
工精度良く、エッチングが可能なエッチング剤の要求が
高まっている。これらの問題を解決するために、最近非
晶質ＩＴＯ膜を使用し、弱酸、特にスルファミン酸水溶
液で非晶質ＩＴＯ膜をウエットエッチングする方法が提
唱されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯ膜等の透明導電
膜をスルファミン酸水溶液を用いたエッチングの際に、
エッチング残渣を全く発生せず、且つ、穏和な条件下
で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することに
ある。
技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯ膜等の透明導電
膜をスルファミン酸水溶液を用いたエッチングの際に、
エッチング残渣を全く発生せず、且つ、穏和な条件下
で、エッチングが行えるエッチング剤を提供することに
ある。
【０００５】
【問題を解決するための手段】本発明者等は、上記の問
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、スルファミン酸
と、界面活性剤であるポリオキシエチレンアルキルエー
テル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル硫酸塩またはポリオキシアルキレンアルキルエーテ
ルリン酸エステルを含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯ膜
等の透明導電膜のエッチングの際、穏和な条件下でエッ
チングが出来、且つ残渣物が全く発生しない事を見い出
し、かかる知見に基づいて完成に至ったものである。
題を解決すべく鋭意検討を行った結果、スルファミン酸
と、界面活性剤であるポリオキシエチレンアルキルエー
テル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル硫酸塩またはポリオキシアルキレンアルキルエーテ
ルリン酸エステルを含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯ膜
等の透明導電膜のエッチングの際、穏和な条件下でエッ
チングが出来、且つ残渣物が全く発生しない事を見い出
し、かかる知見に基づいて完成に至ったものである。
【０００６】本発明に使用されるスルファミン酸の濃度
は、０．０１〜２０重量％であり、０．０１重量％以下
ではエッチング速度が遅く、また２０重量％以上では、
エッチング速度は向上せず、得策ではない。
は、０．０１〜２０重量％であり、０．０１重量％以下
ではエッチング速度が遅く、また２０重量％以上では、
エッチング速度は向上せず、得策ではない。
【０００７】また、本発明に使用されるポリオキシエチ
レンアルキルエーテル硫酸塩は、下記一般式（1）で表
される。 ＲＯ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)ｎＳＯ3Ｍ （１） （Ｒは、炭素数６〜２２のアルキル基、ｎは１〜５００
の整数、Ｍは、アンモニア、有機アミン、第四級アンモ
ニウムまたはアルカリ金属を示す。） 具体的には、商品名として、エマール２０Ｃ(花王製)、
ハイテノール３２５Ｄ、ハイテノールＮＯ８(第一工業
製薬製)、アルスコープＡＰ−３０、アルスコープＬＥ
−２４０（東邦化学製）、サンノール６０５Ｎ（ライオ
ン製）等が好適に使用される。
レンアルキルエーテル硫酸塩は、下記一般式（1）で表
される。 ＲＯ(ＣＨ2ＣＨ2Ｏ)ｎＳＯ3Ｍ （１） （Ｒは、炭素数６〜２２のアルキル基、ｎは１〜５００
の整数、Ｍは、アンモニア、有機アミン、第四級アンモ
ニウムまたはアルカリ金属を示す。） 具体的には、商品名として、エマール２０Ｃ(花王製)、
ハイテノール３２５Ｄ、ハイテノールＮＯ８(第一工業
製薬製)、アルスコープＡＰ−３０、アルスコープＬＥ
−２４０（東邦化学製）、サンノール６０５Ｎ（ライオ
ン製）等が好適に使用される。
【０００８】さらに、本発明に使用されるポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、下記一般式
（２）で表される。
チレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、下記一般式
（２）で表される。
【０００９】
【化１】 （Ｒは、炭素数４〜２０のアルキル基、ｎは１〜５００
の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニ
ウムまたはアルカリ金属を示す。） 具体的には、商品名として、ハイテノールＮ―０８、ハ
イテノールＮ―１２（第一工業製薬製）、エマールＮＣ
−３５（花王製）等が好適に使用される。
の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニ
ウムまたはアルカリ金属を示す。） 具体的には、商品名として、ハイテノールＮ―０８、ハ
イテノールＮ―１２（第一工業製薬製）、エマールＮＣ
−３５（花王製）等が好適に使用される。
【００１０】また、本発明に使用されるリン酸エステル
系界面活性剤としては、例えば下記一般式（３）、
（４）で表され、
系界面活性剤としては、例えば下記一般式（３）、
（４）で表され、
【００１１】
【化２】 （式中Ｒ1は、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素
数７〜３０のアルキルアリール基、ａは１〜２００の整
数である）
数７〜３０のアルキルアリール基、ａは１〜２００の整
数である）
【００１２】
【化３】 （式中Ｒ2およびＲ3はそれぞれ炭素数１〜３０のアルキ
ル基または炭素数７〜３０のアルキルアリール基であ
り、それらは同一であっても、異なっていてもよく、ｂ
は１〜２００の整数、ｃは１〜２００の整数である。）
で表されるリン酸エステル系界面活性剤が挙げられる。
ル基または炭素数７〜３０のアルキルアリール基であ
り、それらは同一であっても、異なっていてもよく、ｂ
は１〜２００の整数、ｃは１〜２００の整数である。）
で表されるリン酸エステル系界面活性剤が挙げられる。
【００１３】上記一般式（３）、（４）において、アル
キル基として炭素数２〜１２のものが好ましく、またア
ルキルアリール基としては炭素数１４〜１８のものが好
ましい。具体的には、商品名として、アデカコール（旭
電化工業株式会社製）、プライサーフ（第一工業製薬株
式会社製）、フォスファノール（東邦化学工業株式会社
製）、ニューコール、アントックス（以上、日本乳化剤
株式会社製）などが好適に使用される。
キル基として炭素数２〜１２のものが好ましく、またア
ルキルアリール基としては炭素数１４〜１８のものが好
ましい。具体的には、商品名として、アデカコール（旭
電化工業株式会社製）、プライサーフ（第一工業製薬株
式会社製）、フォスファノール（東邦化学工業株式会社
製）、ニューコール、アントックス（以上、日本乳化剤
株式会社製）などが好適に使用される。
【００１４】上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル
硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキレンアルキルエーテ
ルリン酸エステルは単独でも、二種以上組み合せて使用
しても良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％
である。上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキレンアルキルエーテルリ
ン酸エステルの濃度が０．０００１重量％以下である
と、エッチング時の、残渣物が発生し、５重量％以上で
は、ＩＴＯのエッチング速度が低下し、好ましくない。
硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキレンアルキルエーテ
ルリン酸エステルは単独でも、二種以上組み合せて使用
しても良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％
である。上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸
塩、ポリオキシエチレンアルキレンアルキルエーテルリ
ン酸エステルの濃度が０．０００１重量％以下である
と、エッチング時の、残渣物が発生し、５重量％以上で
は、ＩＴＯのエッチング速度が低下し、好ましくない。
【００１５】本発明の、使用温度は、常温から９０℃ま
でであり、使用時間は、１〜３０分程度である。また本
発明は、非晶質ＩＴＯ膜の他に、ＩＺＯ（インジウムー
亜鉛酸化物）膜等の、ウェットエッチングにも好適に使
用される。
でであり、使用時間は、１〜３０分程度である。また本
発明は、非晶質ＩＴＯ膜の他に、ＩＺＯ（インジウムー
亜鉛酸化物）膜等の、ウェットエッチングにも好適に使
用される。
【００１６】
【００１７】実施例１ 図１に示した基板は、ガラス基板（１）上に、絶縁膜で
あるＳｉＮを成膜（２）し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜
（３）し、該非晶質ＩＴＯ膜（３）上にレジストを塗布
し、現像を行った後の状態である。図１に示した基板を
使用し、５．０重量％のスルファミン酸と、０．０１重
量％の、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−０８、第一工業製薬
製）を含有する水溶液である洗浄液を使用し、５０℃、
２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト
剥離液でレジスト（４）を剥離した後、水洗し、乾燥し
たＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質
ＩＴＯ膜（３）は良好にエッチングされ、残渣物は全く
観察されなかった。
あるＳｉＮを成膜（２）し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜
（３）し、該非晶質ＩＴＯ膜（３）上にレジストを塗布
し、現像を行った後の状態である。図１に示した基板を
使用し、５．０重量％のスルファミン酸と、０．０１重
量％の、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−０８、第一工業製薬
製）を含有する水溶液である洗浄液を使用し、５０℃、
２分間エッチングを行い水洗後、さらに塩基性レジスト
剥離液でレジスト（４）を剥離した後、水洗し、乾燥し
たＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質
ＩＴＯ膜（３）は良好にエッチングされ、残渣物は全く
観察されなかった。
【００１８】実施例２ 図１に示した基板を使用し、５．０重量％のスルファミ
ン酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアル
キルエーテルリン酸塩（商品名：アントックスＥＨＤ４
００、日本乳化剤製）を含有する水溶液である洗浄液を
使用し、５０℃、２分間エッチングを行い洗浄後、さら
に塩基性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離した
後、水洗し、乾燥したＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観
察した結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好にエッチング
され、残渣物は全く観察されなかった。
ン酸と、０．０１重量％の、ポリオキシアルキレンアル
キルエーテルリン酸塩（商品名：アントックスＥＨＤ４
００、日本乳化剤製）を含有する水溶液である洗浄液を
使用し、５０℃、２分間エッチングを行い洗浄後、さら
に塩基性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離した
後、水洗し、乾燥したＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観
察した結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好にエッチング
され、残渣物は全く観察されなかった。
【００１９】比較例１ 実施例１で用いた基板を、５．０重量％のスルファミン
酸を含有する水溶液である洗浄液で５０℃、２分間エッ
チングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液で
レジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した状態を図２
に示した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は
エッチングされていたが、多数の残渣物（５）が観察さ
れた。
酸を含有する水溶液である洗浄液で５０℃、２分間エッ
チングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液で
レジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した状態を図２
に示した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は
エッチングされていたが、多数の残渣物（５）が観察さ
れた。
【００２０】比較例２ 実施例１で使用した基板を０．１重量％の、ポリオキシ
エチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハ
イテールＮ−０８、第一工業製薬製）を含有する水溶液
である洗浄剤で５０℃、２分間エッチングを行い、水洗
後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥
離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質Ｉ
ＴＯ膜（３）はほとんどエッチングされていなかった。
エチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハ
イテールＮ−０８、第一工業製薬製）を含有する水溶液
である洗浄剤で５０℃、２分間エッチングを行い、水洗
後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥
離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質Ｉ
ＴＯ膜（３）はほとんどエッチングされていなかった。
【００２１】比較例３ 実施例１で用いた基板を０．１重量％のポリオキシアル
キレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：アントック
スＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水溶液であ
る洗浄液で５０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜
（３）はほとんどエッチングされていなかった。
キレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：アントック
スＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水溶液であ
る洗浄液で５０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、
さらに塩基性剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗
し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜
（３）はほとんどエッチングされていなかった。
【００２２】実施例３ スルファミン酸５．０重量％、０．１重量％の、ポリオ
キシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品
名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有す
る水溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板
を５０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩
基性レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良
好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
キシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品
名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有す
る水溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板
を５０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩
基性レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良
好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２３】実施例４ スルファミン酸５．０重量％と、０．１重量％のポリオ
キシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテ
ノール ＮＯ８、第一工業製薬製）を含有する水溶液で
ある洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を５０℃、
２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジス
ト剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥し
た。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好に
エッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
キシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテ
ノール ＮＯ８、第一工業製薬製）を含有する水溶液で
ある洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を５０℃、
２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジス
ト剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥し
た。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好に
エッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２４】実施例５ スルファミン酸1．０重量％、０．１重量％のポリオキ
シエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：
ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を５
０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾燥し
た。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好に
エッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
シエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：
ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を５
０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾燥し
た。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好に
エッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２５】実施例６ スルファミン酸１０．０重量％、０．１重量％のポリオ
キシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品
名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有す
る水溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板
を５０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩
基性レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良
好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
キシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品
名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有す
る水溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板
を５０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩
基性レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良
好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２６】比較例４ 酢酸５．０重量％、０．１重量％のポリオキシエチレン
アルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノー
ルＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液である
洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を５０℃、２分
間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥
離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した。Ｓ
ＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）はほとんどエッ
チングされていなかった。
アルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノー
ルＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液である
洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を５０℃、２分
間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥
離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した。Ｓ
ＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）はほとんどエッ
チングされていなかった。
【００２７】実施例７ スルファミン酸５．０重量％、０．１重量％の、ポリオ
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４
０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観
察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好にエッチングさ
れ、残渣物も全く観察されなかった。
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４
０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観
察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好にエッチングさ
れ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２８】実施例８ スルファミン酸５．０重量％と、０．１重量％のポリオ
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ２００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４
０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良
好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ２００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４
０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾
燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良
好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００２９】実施例９ スルファミン酸１．０重量％と、０．１重量％のポリオ
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４
０℃、３分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾燥し
た。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好に
エッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
キシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：ア
ントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水
溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４
０℃、３分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性
レジスト剥離液でレジスト４を剥離後、水洗し、乾燥し
た。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は良好に
エッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
【００３０】実施例１０ スルファミン酸１０．０重量％と、０．１重量％のポリ
オキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：
アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する
水溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を
４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基
性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、
乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は
良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかっ
た。
オキシアルキレンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：
アントックスＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する
水溶液である洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を
４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基
性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、
乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）は
良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかっ
た。
【００３１】比較例５ 酢酸５．０重量％と、０．１重量％のポリオキシアルキ
レンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：アントックス
ＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水溶液である
洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分
間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥
離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した。Ｓ
ＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）はほとんどエッ
チングされていなかった。
レンアルキルエーテルリン酸塩（商品名：アントックス
ＥＨＤ４００、日本乳化剤製）を含有する水溶液である
洗浄液を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分
間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥
離液でレジスト（４）を剥離後、水洗し、乾燥した。Ｓ
ＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯ膜（３）はほとんどエッ
チングされていなかった。
【図１】ガラス基板上に、絶縁膜と非晶質ＩＴＯ膜を成
膜し、該非晶質ＩＴＯ膜の上にレジストを塗布し、現像
を行った後の状態の断面図である。
膜し、該非晶質ＩＴＯ膜の上にレジストを塗布し、現像
を行った後の状態の断面図である。
【図２】比較例１のエッチングおよびレジスト剥離処理
後の状態の断面図である。
後の状態の断面図である。
１ ガラス基板 ２ ＳｉＮ ３ 非晶質ＩＴＯ ４ レジスト ５ 残渣物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三菱 瓦斯化学株式会社新潟研究所内 Ｆターム(参考） 5F043 AA26 BB15 GG04
Claims (2)
- 【請求項１】スルファミン酸と、ポリオキシエチレンア
ルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフ
ェニルエーテル硫酸塩またはポリオキシアルキレンアル
キルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる
透明導電膜用エッチング剤組成物。 - 【請求項２】透明導電膜が酸化インジウム錫である請求
項１記載の透明導電膜用エッチング剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168626A JP2002367974A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 透明導電膜用エッチング剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001168626A JP2002367974A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 透明導電膜用エッチング剤組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367974A true JP2002367974A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19010833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001168626A Pending JP2002367974A (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 透明導電膜用エッチング剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002367974A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503825A (ja) * | 2005-07-25 | 2009-01-29 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 酸化物の透明な導電層をエッチングするためのエッチング媒体 |
| JP2009218513A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Nagase Chemtex Corp | アモルファスｉｔｏ透明導電膜用エッチング液組成物及びエッチング方法 |
| WO2015064468A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 亜鉛、スズおよび酸素から実質的になる酸化物のエッチング液およびエッチング方法 |
| WO2015104962A1 (ja) * | 2014-01-07 | 2015-07-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 亜鉛とスズを含む酸化物のエッチング液およびエッチング方法 |
| KR20180000899A (ko) * | 2016-06-24 | 2018-01-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001168626A patent/JP2002367974A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9824899B2 (en) | 2014-01-07 | 2017-11-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etching liquid for oxide containing zinc and tin, and etching method |
| KR20180000899A (ko) * | 2016-06-24 | 2018-01-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
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