KR20190002381A - 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 - Google Patents
은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190002381A KR20190002381A KR1020180163989A KR20180163989A KR20190002381A KR 20190002381 A KR20190002381 A KR 20190002381A KR 1020180163989 A KR1020180163989 A KR 1020180163989A KR 20180163989 A KR20180163989 A KR 20180163989A KR 20190002381 A KR20190002381 A KR 20190002381A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- silver
- layer
- forming
- indium oxide
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 43
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G02F2001/136295—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
본 발명은 질산, 황산, 페릭(ferric)염 및 물을 포함하는, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도, 현재, 주로 사용되는 것은 전계 생성 전극이 두 개의 기판에 각각 구비되어 있는 형태이다. 이 중에서도, 하나의 기판에는 복수의 화소 전극이 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 다른 기판에는 하나의 공통전극이 기판전면을 덮고 있는 형태가 사용되고 있다. 이러한 액정 표시 장치에서 화상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자소자인 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 이 박막트랜지스터를 제어하기 위한 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 전압을 전달하는 데이터선(data line)을 기판 상에 형성한다.
한편, 액정 표시 장치의 표시 면적이 점점 대형화됨에 따라, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 게이트선 및 데이터선 또한 길어지고 그에 따라 배선의 저항 또한 증가한다. 이와 같은 이유로 인하여, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금을 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor,TFT)에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 계속 이용하는 것은 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 어렵게 만드는 원인으로 작용하고 있다. 따라서, 이러한 저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 게이트선 및 데이터선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있다.
이를 위해 평판 표시 장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ?㎝)막, 은합금막 또는 은막이나 은합금막을 포함한 다층막을 칼라필터의 전극, LCD 배선 및 반사판에 적용하여 평판표시장치의 대형화와 고해상도 및 저전력 소비 등을 실현하기 위한 노력이 경주되고 있으며, 그러한 노력의 일환으로 이러한 재료에 적용하기 위한 식각액이 개발되고 있다.
현재 이러한 식각액으로 인산 및 과산화수소를 포함하는 식각액이 사용되고 있다. 예를 들어, 대한민국 공개특허 2011-0077734호는 황산, 인산, 약산, 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물을 개시하고 있다. 상기 식각액 조성물의 경우 제조 후 상온에서 1개월 이상 보관 시 식각이 진행되지 않는 경우가 발생할 수 있다. 이는 과산화수소 및 과황산염을 사용했을 경우, 에칭액의 성능이 1개월 이상 유지되지 않기 때문이다.
따라서, 이러한 보관상의 문제점이 발생하지 않는 식각액이 필요한 실정이다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막을 식각함에 있어서 장기보관 후 사용할 경우에도 우수한 식각특성을 나타내는 식각액 조성물, 이를 이용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적의 달성을 위하여, 본 발명은 질산, 황산, 페릭(ferric)염 및 물을 포함하는, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및 상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 공정 및 이를 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은, 제조 후 장기간 보관한 다음, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막의 식각에 사용하여도 동일하게 우수한 식각특성을 나타내므로, 장기 보관상의 문제점을 발생시키지 않고 식각공정에 사용할 수 있다.
도 1은 제조 후 1일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 2는 제조 후 1일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 3은 제조 후 30일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 4는 제조 후 30일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 5는 제조 후 1일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 6은 제조 후 1일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 7은 제조 후 30일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 8은 제조 후 30일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 2는 제조 후 1일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 3은 제조 후 30일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 4는 제조 후 30일 경과된 실시예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 5는 제조 후 1일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 6은 제조 후 1일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 7은 제조 후 30일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이다.
도 8은 제조 후 30일 경과된 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 질산, 황산, 페릭(ferric)염 및 물을 포함하는, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 식각액 조성물은, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 동시에 식각할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막은 예컨대, 산화인듐막/은막의 이중막, 또는 산화인듐막/은막/산화인듐막의 삼중막 등을 의미하며, 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO) 등을 의미한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 질산(HNO3)은 주산화제로 사용되는 성분으로서, 은(Ag)계 금속막과 산화인듐막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 한다. 상기 질산의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 2.0~4.0중량%이다. 질산의 함량이 2.0중량% 미만인 경우에는 은막의 식각 속도 저하와 식각 프로파일의 불량을 야기시킬 수 있으며, 4.0중량%를 초과하는 경우에는 산화인듐막의 과식각으로 인하여 예컨대, 산화인듐막/은막/산화인듐막의 삼중막을 식각하는 경우, 은막의 표면층이 드러나게 되어 후속 공정 중 열처리에 의해서 은이 기판표면에서 떨어져 재흡착되는 문제가 발생 할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 황산(H2SO4)은 보조 산화물 용해제로 사용되는 성분으로서, 전체 조성물의 총 중량에 대하여 4.0~6.0 중량%의 양으로 첨가되며, 6.0중량%를 초과하여 과량첨가시 높은 식각속도로 인해 식각길이가 길어져 공정상 나쁘며, 4.0중량% 미만으로 첨가시에는 은막의 식각이 원활하지 않을 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 페릭(ferric)염은 주산화제로 사용되는 성분으로서, 은(Ag)계 금속막과 산화인듐막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 한다. 상기 페릭(ferric)염의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 0.1~2.0중량%, 바람직하게는 0.1~0.4중량%이다. 페릭(ferric)염의 함량이 0.1중량% 미만인 경우에는 은막의 식각 속도 저하와 식각 프로파일의 불량을 야기시킬 수 있으며, 2.0중량%를 초과하는 경우에는 산화인듐막의 과식각으로 인하여 예컨대, 산화인듐막/은막/산화인듐막의 삼중막을 식각하는 경우, 은막의 표면층이 드러나게 되어 후속 공정 중 열처리에 의해서 은이 기판 표면에서 떨어져 재흡착되는 문제가 발생 할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 특히, 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로는 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에서 질산, 황산, 페릭(ferric)염은 통상적으로 공지된 방법에 따라 제조가능하고, 특히 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은,
(i)기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및
(ii)상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
상기 금속 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 (i)단계는 기판을 제공하는 단계 및 상기 기판 상에 상기 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 통상적인 세정이 가능한 것으로서, 웨이퍼, 유리기판, 스테인레스 스틸 기판, 플라스틱 기판 또는 석영기판을 이용할 수 있다. 상기 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 형성하는 방법으로는 당업자에게 알려진 다양한 방법을 사용할 수 있으며, 진공증착법 또는 스퍼터링법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 (ii)단계에서는, (i)단계에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트를 형성하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광하고, 상기 노광된 포토레지스트를 후굽기(post-baking)하고, 상기 후굽기된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물을 이용하여 식각하여, 금속패턴을 완성한다.
또한, 본 발명은,
a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 공정 및 이를 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계는 a1) 기상증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 기판 상에 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착시키는 단계; 및 a2) 상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기의 하나 또는 다수 개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 b) 단계에서는 기판 상에 형성된 게이트 전극 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층의 형성시 사용되는 물질은 질화실리콘(SiNx)에만 한정되는 것은 아니고, 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기 절연물질 중에서 선택된 물질을 사용하여 게이트 절연층을 형성할 수도 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 c) 단계에서는 게이트 절연층 상에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 반도체층을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층(active layer)과 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 형성한 후, 건식 식각을 통해 패터닝한다. 여기서, 엑티브층은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 오믹콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층과 오믹콘택층을 형성할 때 화학기상증착법(CVD)을 이용할 수 있지만, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 d) 단계는 d1) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d2) 상기 소스 및 드레인 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 d1) 단계에서는 오믹콘택층 위에 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착하고 본 발명의 식각액으로 식각하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 여기서, 상기 하나 또는 다수 개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다. 상기 d2) 단계에서는 소스 전극과 드레인 전극 상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연층을 형성한다. 절연층의 재료는 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 e) 단계에서는 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성한다. 예컨대, 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착하고, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여, 화소 전극을 형성한다. 상기 인듐 산화막을 증착하는 방법은 스퍼터링법으로만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예 및 비교예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
식각액 조성물의 제조
하기 표 1 에 기재된 조성비로 식각액 조성물을 10kg이 되도록 제조하였다.
| HNO3 (중량%) |
H2SO4 (중량%) |
페릭염 (중량%) |
H3PO4 (중량%) |
과산화수소 (중량%) |
물 (중량%) |
|
| 실시예1 | 3 | 5 | 0.1 | - | - | 91.9 |
| 실시예2 | 2 | 4 | 0.1 | - | - | 93.9 |
| 실시예3 | 4 | 6 | 0.1 | - | - | 89.9 |
| 비교예1 | 3 | 5 | 0.5 | 20.0 | 5.0 | 71.5 |
| 비교예2 | 0.0 | 5 | 0.1 | 20.0 | 5.0 | 74.9 |
| 비교예3 | 5.0 | 0.0 | 0.1 | 20.0 | 5.0 | 74.9 |
식각특성평가
기판상에 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막을 형성하고 다이아몬드 칼을 이용하여 10×10mm로 절단하여 시편을 준비하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(SEMES사 제조) 내에 제조 후 1일 경과된 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 식각액 조성물을 넣고 온도를 38℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 38±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 50%를 주어 실시하였다. 또한, 제조 후 30일 경과된 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 식각액 조성물을 사용하여 동일하게 식각 공정을 수행하였다.
상기 기판들을 식각이 이루어진 후에 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경 (SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 사이드에칭 (Side Etch), 식각 특성을 평가하였다.
식각 특성 시험 결과는 하기 표 2와 같다.
| Etch량 (㎛) |
1일 경과후 | 30일 경과후 | 변화량 |
| 실시예1 | 0.64 | 0.47 | 26 % 감소 |
| 실시예2 | 0.64 | 0.46 | 28% 감소 |
| 실시예3 | 0.63 | 0.46 | 27% 감소 |
| 비교예1 | 4.36 | 2.29 | 47% 감소 |
| 비교예2 | 2.14 | 0.41 | 81% 감소 |
| 비교예3 | 5.56 | 1.28 | 77% 감소 |
표 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/a-ITO 기판을 식각한 경우, 제조 후 1일 경과 후 식각량에 비해 제조 후 30일 경과 후 식각량이 26% 감소하였다. 이에 비해 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/a-ITO 기판을 식각한 경우, 제조 후 1일 경과 후 식각량에 비해 제조 후 30일 경과 후 식각량이 47% 감소하였다. 따라서 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용할 경우 상대적으로 장기간 보관성이 크게 증가함을 알 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 8을 참조하면, 실시예 1의 식각액 조성물은 비교예 1의 식각액 조성물에 비해 양호한 식각특성을 나타냄을 알 수 있다.
Claims (8)
- 질산, 황산, 페릭(ferric)염 및 물을 포함하는, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
조성물 총중량에 대하여,
질산 2~4.0중량%;
황산 4.0~6.0중량%;
페릭(ferric)염 0.1~2.0중량%; 및
잔량의 물을 포함하는, 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서, 상기 물은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물.
- (i)기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및
(ii)상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법. - 청구항 5에 있어서, 상기 형성된 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성방법.
- a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 이를 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법. - 청구항 7에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180163989A KR20190002381A (ko) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180163989A KR20190002381A (ko) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120130463A Division KR20140063284A (ko) | 2012-11-16 | 2012-11-16 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190002381A true KR20190002381A (ko) | 2019-01-08 |
Family
ID=65021016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180163989A KR20190002381A (ko) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20190002381A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11639470B2 (en) | 2020-12-28 | 2023-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
-
2018
- 2018-12-18 KR KR1020180163989A patent/KR20190002381A/ko active Search and Examination
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11639470B2 (en) | 2020-12-28 | 2023-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101905195B1 (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR102121805B1 (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR101323458B1 (ko) | 은 식각액 조성물 | |
| KR101348474B1 (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 | |
| KR20140063283A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR101406362B1 (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 | |
| KR101926199B1 (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR20140063284A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR20090014750A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| KR20090081566A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 | |
| KR101302827B1 (ko) | 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액 | |
| KR20090014474A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| KR20140082186A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR102343674B1 (ko) | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 화상표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20190002381A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR102282955B1 (ko) | 인듐산화막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20080009865A (ko) | 고 식각속도 인듐산화막 식각용액 | |
| KR101796784B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101406671B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
| KR102459686B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20170056279A (ko) | 은 식각액 조성물 | |
| KR101754418B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101754419B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20120076237A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR20180052459A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment |