KR20090081566A - 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 - Google Patents
은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 52
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 7
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- -1 cyclic amine compound Chemical class 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N pyrroline Natural products C1CC=NC1 ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 241000220259 Raphanus Species 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 235000006140 Raphanus sativus var sativus Nutrition 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N diammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002526 disodium citrate Substances 0.000 description 1
- 235000019262 disodium citrate Nutrition 0.000 description 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L disodium;2-(carboxymethyl)-2-hydroxybutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O CEYULKASIQJZGP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
본 발명은 조성물 총중량에 대하여, 과산화수소 1 내지 20 중량%, pH조절제 0.1 내지 4 중량%, 킬레이트화제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.01 내지 3 중량%, 및 물 72 내지 98.79중량%를 포함하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
과산화수소, 은, 산화인듐막, 식각액, pH 조절제, 고리형 아민 화합물
Description
본 발명은 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도, 현재, 주로 사용되는 것은 전계 생성 전극이 두개의 기판에 각각 구비되어 있는 형태이다. 이 중에서도, 하나의 기판에는 복수의 화소 전극이 매트릭스 형태로 배열되어 있고, 다른 기판에는 하나의 공통전극이 기판 전면을 덮고 있다. 이러한 액정 표시 장치에서 화상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자소자인 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 전압을 전달하는 데이터선(data line)을 기판 상에 형성한다.
한편, 액정 표시 장치의 표시 면적이 점점 대형화됨에 따라, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 게이트선 및 데이터선 또한 길어지고 그에 따라 배선의 저항 또한 증가한다. 이와 같은 이유로 인하여, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금을 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor, TFT)에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 계속 이용하는 것은 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 어렵게 만드는 원인으로 작용하고 있다. 따라서, 이러한 저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 게이트선 및 데이터선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있다.
산화주석인듐(Indium Tin Oxide, ITO)과 산화아연인듐(Indium Zinc Oxide, IZO)과 같은 도전성 금속은 빛에 대한 투과율이 비교적 뛰어나고, 도전성을 가지므로 평판표시장치에 사용되는 칼라필터의 전극으로 널리 쓰이고 있다. 그러나 이들 금속들 또한 높은 저항을 가져 응답속도의 개선을 통한 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현에 장애가 되고 있다. 또한, 반사판의 경우 과거 Al 반사판을 주로 제품에 이용해왔으나, 휘도 향상을 통한 저전력 소비실현을 위해서는 반사율이 더 높은 금속으로의 재료변경을 모색하고 있는 상태이다.
이를 위해 평판 표시 장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금막 또는 은막이나 은합금막을 포함한 다중막을 칼라필터의 전극, LCD 배선 및 반사판에 적용하여 평판표시장치의 대형화와 고해상도 및 저전력 소비 등을 실현하기 위한 노력이 경주고 있으며, 그러한 노력의 일환으로 이러한 재료에 적용하기 위한 식각액이 개발되고 있다.
그러나, 은(Ag)은 유리 등의 절연 기판 또는 진성 비정질 규소나 도핑된 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체 기판 등의 하부 기판에 대해 접착성(adhesion)이 극히 불량하여 증착이 용이하지 않고, 배선의 들뜸(lifting) 또는 벗겨짐(feeling)이 쉽게 유발된다. 또한, 은(Ag) 도전층이 기판에 증착된 경우에도 이를 패터닝하기 위해 종래의 식각액을 사용하는 경우 은(Ag)이 과도하게 식각되거나 불균일하게 식각되어 배선의 들뜸 또는 벗겨짐 현상이 발생하고, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 된다.
대한민국 등록특허 10-0579421의 경우, 인산, 질산, 초산에 보조 산화물 용해제와 함불소형 탄소계 계면활성제를 사용하였으나 보조 산화물 용해제로 사용된 SO4 2 -화합물은 은(Ag)과 반응을 하여 AgS의 형태로 기판내에 잔사로 남게 되며, ClO4 -화합물은 환경 규제 물질로 사용함에 어려움이 있다. 또한 함불소형 탄소계 계면활성제의 경우 은의 하부막이 유기절연막인 경우 기판의 테두리 부분에 있는 유 기절연막은 이러한 성분에 의해 쉽게 손상을 얻어 Peeling 현상(벗겨짐)을 일으키는 문제가 있다.
본 발명은, 상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막을 식각함에 있어서 사이드에칭 양이 적고, 하부막의 손상 및 잔사의 발생 없이 균일한 식각특성을 나타내는 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적의 달성을 위하여, 본 발명은 본 발명은 조성물 총중량에 대하여, 과산화수소 1 내지 20 중량%, pH조절제 0.1 내지 4 중량%, 킬레이트화제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.01 내지 3 중량%, 및 물 72 내지 98.79중량%를 포함하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 단계; 및
상기에서 형성된 하나 또는 다수개의 막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 공정 및 이를 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 식각액 조성물은 은 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막을 식각함에 있어서 사이드에칭 양이 적고, 하부막의 손상 및 잔사의 발생 없이 균일한 식각 특성을 나타내므로, 평판표시장치의 고해상도, 대형화 및 저전력 소비를 달성하는데 중요한 역할을 할 수 있다.
본 발명은 조성물 총중량에 대하여, 과산화수소 1 내지 20 중량%, pH조절제 0.1 내지 4 중량%, 킬레이트화제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.01 내지 3 중량%, 및 물 72 내지 98.79중량%를 포함하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 식각액 조성물은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막을 동시에 식각할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막은 예컨대, 산화인듐막/은막의 이중막 또는 산화인듐막/은막/산화인듐막의 삼중막 등을 의미하며, 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO) 등을 의미한다.
본 발명의 식각액에 포함되는 과산화수소(H2O2)는 주산화제로 사용되는 성분으로서, 은(Ag)과 산화인듐을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 한다.
상기 과산화수소의 함량은 조성물 총중량에 대하여 1 내지 20 중량%이다. 과산화수소의 함량이 1 중량% 미만인 경우에는 은막의 식각 속도 저하와 식각 프로파일의 불량을 야기시킬 수 있으며, 20 중량%를 초과하는 경우에는 산화인듐막의 과식각으로 인하여 예컨대, 산화인듐막/은막/산화인듐막의 삼중막을 식각하는 경 우, 은의 표면층이 들어나게 되어 후속 공정 중 열처리에 의해서 은이 기판표면에서 떨어져 재 흡착되는 문제가 발생 할 수 있다.
본 발명의 식각액에 포함되는 pH조절제로는 암모늄염, 소디움염, 및 포타슘염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 상기 암모늄염, 소디움염, 및 포타슘염으로는 이암모늄 시트레이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 이수소 포스페이트, 이나트륨 시트레이트, 나트륨 아세테이트, 나트륨 수소 포스페이트 등을 들 수 있다.
과산화수소의 식각 작용을 활성화시키기 위한 상기 pH 조절제의 함량은 조성물 총중량에 대하여 0.1∼4 중량%이다. pH 조절제가 0.1중량% 미만으로 포함되면 과산화수소의 식각 작용 활성화가 부족할 수 있으며, 4 중량%를 초과하게 되면 pH 가 너무 올라가 과산화수소의 활성을 떨어뜨려 은의 식각속도가 저하되어 기판내 식각 균일성(Uniformity)의 저하와 부분적인 은 잔사를 발생시킬 수 있다.
본 발명의 식각액에 포함되는 킬레이트화제는, 은을 식각하기 위해 과산화수소가 은과 반응하는 경우 안정성이 떨어지기 때문에 과산화수소의 안정성을 개선하기 위해서 사용된다. 상기 킬레이트화제의 구체적인 예로는 아세트산, 글리콜산, 시트르산, 옥살산, 말론산 등의 카르복실산 계열의 화합물을 들 수 있으며, 이들은 1종 또는 2종 이상이 사용될 수 있다,
상기 킬레이트화제의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%이 다. 킬레이트화제가 0.1중량% 미만으로 포함되는 경우 과산화수소의 안정성 개선을 기대하기 어렵고, 5 중량%를 초과하게 되면 과산화수소의 활성을 떨어뜨려 은의 식각속도가 저하되어 잔사를 발생 시킬 수 있다.
본 발명의 식각액에 포함되는 고리형 아민 화합물은 은의 식각 속도를 조절하는 역할을 한다. 상기 고리형 아민 화합물의 함량은 조성물의 총 중량에 대하여 0.01 내지 3중량%이며, 0.01중량% 미만으로 포함되면 은의 시각속도 조절이 어려우며, 3중량%를 초과하게 되면 오히려 은의 식각을 저해하게 되어 불균일한 식각 및 은 식각 잔사를 유발하게 되어 후속공정에 문제를 야기할 수 있다.
상기 고리형 아민 화합물의 구체적인 예로는 피롤리딘, 피롤린, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸, 피리미딘, 푸린, 및 피리딘과 이들의 유도체를 들 수 있으며, 이들 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명의 식각액에 포함되는 물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 특히, 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 72 내지 98.79중량%로 포함되며, 상기 함량은 수용액 형태로 첨가되는 다른 성분에 포함된 것과 물의 단독 첨가량을 합산한 것이다.
본 발명의 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함 할 수 있으며, 첨가제로는 계면 활성제, 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에서, 과산화수소, pH조절제, 킬레이트화제, 고리형 아민 화합물은 통상적으로 공지된 방법에 따라 제조가능하고, 특히 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은, 또한,
(i)기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 단계; 및
(ii)상기에서 형성된 하나 또는 다수개의 막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
상기 금속 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 (i)단계는 기판을 제공하는 단계 및 상기 기판 상에 상기 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 기판은 통상적인 세정이 가능한 것으로서, 웨이퍼, 유리기판, 스테인레스 스틸 기판, 플라스틱 기판 또는 석영기판을 이용할 수 있다. 상기 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막을 형성하는 방법으로는 당업자에게 알려진 다양한 방법을 사용할 수 있으며, 진공증착법 또는 스퍼터링 법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 (ii)단계에서는, (i)단계에서 형성된 하나 또는 다수개의 막 상에 포토레지스트를 형성하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광하고, 상기 노광된 포토레지스트를 후굽기하고, 상기 후굽기된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 하나 또는 다수개의 막을 본 발명의 식각액 조성물을 이용하여 식각하여, 금속패턴을 완성한다.
또한 본 발명은
a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 공정 및 이를 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계는 a1) 기상증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 기판 상에 은 또는 은합금 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 증착시키는 단계; 및 a2) 상기에서 형성된 하나 또는 다수개의 막을 본 발명의 식각액으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기의 하나 또는 다수개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 b) 단계에서는 기판 상에 형성된 게이트 전극 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층의 형성시 사용되는 물질은 질화실리콘(SiNx)에만 한정되는 것은 아니고, 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기 절연물질 중에서 선택된 물질을 사용하여 게이트 절연층을 형성할 수도 있다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 c) 단계에서는 게이트 절연층 상에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 반도체층을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층(active layer)과 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 형성한 후, 건식 식각을 통해 패터닝한다. 여기서, 엑티브층은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 오믹콘텍층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층과 오믹콘텍층을 형성할 때 화학기상증착법(CVD)을 이용할 수 있지만, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 d) 단계는 d1) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d2) 상기 소스 및 드레인 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 d1) 단계에서는 오믹콘텍층 위에 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 증착하고 본 발명의 식각액으로 식각하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 여기서, 상기 하나 또는 다수개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다. 상기 d2) 단계에서는 소스 전극과 드레인 전극 상에 질화 실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연층을 형성한다. 절연층의 재료는 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 e) 단계에서는 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성한다. 예컨대, 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 증착하고, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여, 화소 전극을 형성한다. 상기 인듐 산화막을 증착하는 방법은 스퍼터링법으로만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예 및 비교예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예
1~5:
식각액
조성물의 제조 및
식각
특성 평가
기판상에 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막을 형성하고 다이아몬드 칼을 이용하여 10×10mm로 절단하여 시편을 준비하였다. 표 1 에 기재된 조성비로 식각액을 10kg이 되도록 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (SEMES사 제조)내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 40 ℃ 로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 50%를 주어 실시하였다.
상기 기판들은 식각이 이루어진 후에 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경 (SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 사이드에칭 (Side Etch), 하부막 손상 및 식각 잔류물의 발생 정도의 식각 특성을 평가하였다.
식각 특성 시험 결과는 하기 표 1과 같다.
실시예 | 조성(중량%) 과산화수소/pH조절제/킬레이트화제/고리형아민화합물/탈이온수 | 식각 특성 결과 | ||
Side Etch(㎛) | 하부막 손상 | 은 잔사 | ||
1 | 5 / 1 / 3 / 0.5 /90.5 | 0.10 | 무 | 무 |
2 | 10 / 2 / 2 / 0.5 / 85.5 | 0.20 | 무 | 무 |
3 | 10 / 2 / 4 / 2.0 / 82 | 0.30 | 무 | 무 |
4 | 15 / 1 / 3 / 1 / 80 | 0.35 | 무 | 무 |
5 | 20 / 3 / 4 / 2 / 71 | 0.40 | 무 | 무 |
표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 5의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/a-ITO 기판을 식각한 경우, 사이드 에치, 하부막 손상 및 은잔사 발생의 모든 면에서 양호한 식각특성을 나타낸다.
상기 실시예 2의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진을 도 1a에 첨부하였다. 또한 상기 실시예 2의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진을 도 1b에 첨부하였다.
비교예
1~3:
식각액
조성물의 제조 및
식각특성평가
기판상에 a-ITO/Ag/a-ITO 삼중막을 형성하고 다이아몬드 칼을 이용하여 10×10mm로 절단하여 시편을 준비하였다. 표 2 에 기재된 조성비로 식각액을 10kg이 되도록 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (SEMES사 제조)내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 40 ℃ 로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 50%를 주어 실시하였다.
상기 기판들은 식각이 이루어진 후에 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경 (SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 사이드에칭 (Side Etch), 하부막 손상 및 식각 잔류물의 발생 정도의 식각 특성을 평가하였다. 식각 특성 시험 결과는 하기 표 2와 같다.
비교예 | 조성(중량%) 과수/pH조절제/킬레이트화제/고리형아민화합물/탈이온수 | 식각 특성 결과 | ||
Side Etch(㎛) | 하부막 손상 | 은 잔사 | ||
1 | 10 / 2 / 2 / 4 / 82 | Unetch | 무 | 유 |
2 | 0.5 / 1 / 1 / 0.1 / 97.4 | Unetch | 무 | 유 |
3 | 15 / 6 / 3 / 1.0 / 75 | Unetch | 무 | 유 |
표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 고리형 아민 화합물의 함량이 본 발명의 범위를 초과한 비교예 1의 경우, 은의 식각 속도가 저하되어 은의 잔사가 발생하였으며, 과산화수소의 함량이 본 발명의 범위에 미달된 비교예 2의 경우, 식각 속도가 현저히 저하되어 언에치(Unetch)가 발생되었으며, pH조절제의 함량이 본 발명의 범위를 초과한 비교예 3의 경우, 은 식각 잔사가 발생하였다.
상기 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진을 도 2a에 첨부하였다. 또한 상기 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진을 도 2b에 첨부하였다.
도 1a은 상기 실시예 2의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이고,
도 1b는 상기 실시예 2의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
도 2a은 상기 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각한 후의 SEM 사진이고,
도 2b는 상기 비교예 1의 식각액 조성물을 사용하여 a-ITO/Ag/ITO 삼중막을 식각하고, 포토레지스트를 스트립한 후의 기판 표면에 대한 SEM 사진이다.
Claims (10)
- 조성물 총중량에 대하여, 과산화수소 1 내지 20 중량%, pH조절제 0.1 내지 4 중량%, 킬레이트화제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.01 내지 3 중량%, 및 물 72 내지 98.79중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 pH 조절제는 암모늄염, 소디움염, 및 포타슘염 중에서 선택되는 1종 이상의 염화합물인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 킬레이트화제는 아세트산, 글리콜산, 시트르산, 옥살산, 및 말론산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서 상기 고리형 아민 화합물은 피롤리딘, 피롤린, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸, 피리미딘, 푸린, 및 피리딘과 이들의 유도체 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 물은 탈이온수인 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막의 식각액 조성물.
- 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 단계; 및상기에서 형성된 하나 또는 다수개의 막을 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법.
- 청구항 7에 있어서, 형성된 하나 또는 다수개의 막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성방법.
- a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 있어서,상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다중막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 형성하는 공정 및 이를 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
- 청구항 9에 있어서, 상기 액정표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080007506A KR20090081566A (ko) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080007506A KR20090081566A (ko) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090081566A true KR20090081566A (ko) | 2009-07-29 |
Family
ID=41292827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080007506A KR20090081566A (ko) | 2008-01-24 | 2008-01-24 | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20090081566A (ko) |
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