KR20220127776A - 은 식각액 조성물 - Google Patents

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이승수
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 은 식각액 조성물, 상기 식각액 조성물을 사용한 금속 패턴의 형성방법 및 상기 식각액 조성물을 사용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 식각액 조성물은 은 또는 은합금의 과식각을 막아 적은 S/E의 배선을 형성할 수 있어 미세패턴용로 사용할 수 있으며, 특히 종래 은 식각액 조성물의 조성인 아세트산을 프로피온산으로 대체하여 습윤성(wettability)를 향상시킴에 따라 식각특성이 현저히 개선된 것이 특징이다.

Description

은 식각액 조성물 {ETCHANT COMPOSITION FOR SILVER}
본 발명은 은 식각액 조성물에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시장치이다.
데이터선 또한 길어지고 그에 따라 배선의 저항 또한 증가한다. 이와 같은 이유로 인하여, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금을 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor, TFT)에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 계속 이용하는 것은 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 어렵게 만드는 원인으로 작용하고 있다. 따라서, 이러한 저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 게이트선 및 데이터선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있다.
산화주석인듐(Indium Tin Oxide, ITO)과 산화아연인듐(Indium Zinc Oxide, IZO)과 같은 도전성 금속은 빛에 대한 투과율이 비교적 뛰어나고, 도전성을 가지므로 평판표시장치에 사용되는 칼라필터의 전극으로 널리 쓰이고 있다. 그러나 이들 금속들 또한 높은 저항을 가져 응답속도의 개선을 통한 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현에 장애가 되고 있다.
또한, 반사판의 경우 과거 알루미늄(Al) 반사판을 주로 제품에 이용해왔으나, 휘도 향상을 통한 저전력 소비실현을 위해서는 반사율이 더 높은 금속으로의 재료변경을 모색하고 있는 상태이다. 이를 위해 평판 표시 장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금 또는 이를 포함한 다층막을 칼라필터의 전극, LCD 배선 및 반사판에 적용, 평판표시장치의 대형화와 고 해상도 및 저전력 소비 등을 실현하고자 하여, 이 재료의 적용을 위한 식각액의 개발이 요구되었다.
그러나, 은(Ag)은 유리 등의 절연 기판 또는 진성 비정질 규소나 도핑된 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체 기판 등의 하부 기판에 대해 접착성(adhesion)이 극히 불량하여 증착이 용이하지 않고, 배선의 들뜸(lifting) 또는 벗겨짐(Peeling)이 쉽게 유발된다. 또한, 은(Ag)도전층이 기판에 증착된 경우에도 이를 패터닝하기 위해 식각액을 사용하게 된다. 이러한 식각액으로서 종래의 식각액을 사용하는 경우 은(Ag)이 과도하게 식각되거나 불균질하게 식각되어 배선의 들뜸 또는 벗겨짐 현상이 발생하고, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 된다.
특히, 은(Ag)은 쉽게 환원이 되는 금속으로 식각 속도가 빨라야 잔사 유발 없이 식각이 되게 되는데 이때 식각 속도가 빨라 상하부 간 식각 속도의 차이가 발생하지 않아 식각 후 테이퍼 각(taper angle) 형성이 어려워, 배선에 활용하는 데에 많은 한계점을 가지고 있다. 금속막이 테이퍼 각(taper angle) 없이 수직으로 서 있는 경우, 후속 절연막 또는 배선이 타고 넘어가면서 은(Ag)과 절연막 또는 배선 사이에 공극이 발생 할 수 있으며, 공극 발생은 전기적 쇼트 등 불량 발생의 원인이 된다.
이에, 식각특성을 향상시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 그 대표적 예로서 대한민국 공개특허 10-2008-0110259호에서는 특정 함량으로 인산, 질산, 아세트산, 제1인산나트륨(NaH2PO4) 및 탈이온수를 포함하는 식각액 조성물을 제시하고 있다. 그러나, 여전히 당해 기술분야에서는 은에 대해 향상된 식각 특성을 가진 식각액 조성물을 요구하고 있으며, 요구에 부응하여 활발한 연구가 진행되고 있으나, 아직까지 상기 선행기술에 비해 현저하게 향상된 식각 특성을 갖는 식각액 조성물이 제시되지 못하고 있는 실정이다.
대한민국 공개특허 10-2008-0110259호
본 발명은 종래 은 식각액 조성물의 식각특성을 더 개량하고자 한 것으로, 은 또는 은합금의 과식각을 막아 적은 S/E의 배선을 형성할 수 있어 미세패턴용로 사용할 수 있는 식각액 조성물을 제공하며, 은합금에 테이퍼 각을 형성하여 액정표시장치용 어레이 기판의 전기적 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 인산 30 내지 70중량%, 질산 0.5 내지 10중량%, 프로피온산 5 내지 20중량%, 아졸계 화합물 0.01 내지 10중량% 및 물 잔량을 포함하는 은 식각액 조성물을 제공한다.
일 구현예는 식각액 조성물이 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 동시에 식각할 수 있는 것일 수 있다.
다른 일 구현예는 산화인듐이 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 또는 산화갈륨아연인듐(IGZO)인 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및 상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 상기 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
일 구현예는 형성된 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 이를 상기 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
일 구현예는 액정표시장치용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것일 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 은 또는 은합금의 과식각을 막아 적은 S/E의 배선을 형성할 수 있어 미세패턴용로 사용할 수 있으며, 특히 종래 은 식각액 조성물의 조성인 아세트산을 프로피온산으로 대체하여 습윤성(wettability)을 향상시킴에 따라 식각특성이 현저히 개선된 것이 특징이다.
도 1은 실험예의 평가 기준에 따라 잔사가 없음을 나타낸 것이다.
도 2는 실험예의 평가 기준에 따라 잔사가 발생함을 나타낸 것이다.
도 3은 실험예의 평가 기준에 따라 재흡착이 없음을 나타낸 것이다.
도 4는 실험예의 평가 기준에 따라 재흡착이 발생함을 나타낸 것이다.
본 발명은 은 식각액 조성물, 상기 식각액 조성물을 사용한 금속 패턴의 형성방법 및 상기 식각액 조성물을 사용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래 은 식각액 조성물의 조성인 아세트산을 프로피온산으로 대체하여 식각특성을 더 개선시킨 것이 특징이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, 인산 30 내지 70중량%, 질산 0.5 내지 10중량%, 프로피온산 5 내지 20중량%, 아졸계 화합물 0.01 내지 10중량% 및 물 잔량을 포함하는 은 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서, 인산은 주식각제로서, 은(Ag) 또는 은합금과 산화환원 반응을 일으키고 인듐산화막을 해리시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다. 인산의 함량은 조성물의 총 중량에 대해 30 내지 70 중량%이고, 40 내지 60중량%로 포함되는 것 바람직하다. 상기 인산이 30중량% 미만인 경우 식각능력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 공정이 진행되어 일정량 이상의 은이 식각액 조성물에 용해되어 들어가게 되면 은(Ag)재흡착 또는 은(Ag)석출물이 발생하여 후속 공정에서 전기적 쇼트를 발생 시킬 수 있는 불량 발생의 원인이 될 수 있고, 70중량%를 초과하는 경우에는 인듐산화막의 식각 속도는 저하되고, 은(또는 은합금)의 식각 속도는 너무 빨라져 과식각 발생으로 인한 배선으로서의 역할을 수행할 수 없을 만큼의 식각량이 발생하게 될 수 있다. 또한 인듐산화막이 적층되어 들어 갈 경우 은(또는 은합금)과 인듐산화막의 식각 속도 차에 의한 팁(Tip)이 발생하게 되어 후속공정에 문제가 되는 불리한 점이 있다.
질산은 보조 식각제로 사용되는 성분으로서, 은(Ag) 또는 은합금과 인듐산화막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다. 질산의 함량은 식각액 조성물 총중량에 대하여 0.5 내지 10 중량%이다. 질산의 함량이 0.5 중량% 미만인 경우에는 은(또는 은합금)과 인듐산화막의 식각 속도 저하가 발생하며 은 잔사로 인하여 후속 공정 진행에 따라 전기적 쇼트 및 암점(잔사가 남아 있는 영역이 어둡게 보이는 현상) 불량이 발생 할 수 있다. 10 중량%를 초과하는 경우에는 과도한 식각 속도로 인해 공정 상 조절이 어렵고 과식각 발생으로 인한 배선으로서의 역할을 수행할 수 없다.
프로피온산은 반응 속도 등을 조절하기 위해 완충제로 작용할 뿐만 아니라, 은 또는 은 합금이 테이퍼 각(Taper Angle)을 형성하는데 매우 중요한 역할을 한다. 프로피온산의 함량은 조성물 총 중량에 대해 5 내지 20중량%이고, 10 내지 15중량%가 바람직하다. 상기 프로피온산의 함량이 5중량% 미만이면 배선의 식각 사면에 테이퍼 각이 형성되지 않는 문제점이 있다. 20중량%를 초과하게 되면 휘발성이 매우 강한 조성물이 되어 공정 적용 시 조성물 휘발에 의해 3시간 이내에 조성물의 함량 변화가 발생해 시간이 지남에 따라 식각 속도가 바뀌는 문제점이 발생하게 된다.
아졸계 화합물은 은(Ag) 또는 은 합금의 식각 속도를 늦춰주는 역할을 하는 성분으로서, 상대적으로 인듐산화막의 속도는 늦추지 않아 산화인듐막의 팁(Tip) 발생을 제어하고 또한 공정상 식각 시간을 조절할 수 있다. 또한 아졸계 화합물은 은(Ag)의 과식각을 막아 적은 S/E의 배선을 형성할 수 있어 미세패턴용 배선을 형성할 수 있게 할 수 있다. 은 또는 은합금의 단일막 사용시(인듐산화막 등의 배리어막이 없는 경우에도) 과식각의 문제로 인하여 상하부 배리어막을 적용하여 공정상 비용 증가의 원인이 되었으나, 아졸계 화합물을 사용함으로써 배리어막을 사용하지 않아도 과식각 발생이 없어 공정 시간 감소 및 원재료 절감을 통한 생산비 절감할 수 있는 장점이 있다. 아졸계 화합물의 함량은 조성물 총 중량에 대해 0.01 내지 10중량%이다. 아졸계 화합물의 함량이 0.01중량% 미만일 경우 식각 속도를 늦추는 역할을 제대로 수행 할 수 없어 미세패턴용 배선 형성 시 과식각에 의한 배선 소실의 불량이 발생 할 수 있다. 10중량%를 초과하게 되면 은 또는 은합금의 식각 속도가 현저하게 감소하여 불필요한 부분이 완전히 식각 되지 않아 전기적 쇼트를 발생시켜 불량 발생의 원인이 된다. 또한, 식각 속도 저하로 인해 잔류물이 남아 후속 공정 진행 후 제품 생산 시 암점이라는 일부 영역이 검게 보이는 불량 현상을 유발 할 수 있다.
아졸계 화합물은 예컨대, 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계, 이소디아졸(isothiazole)계 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 식각액 조성물에 포함되는 물로는 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하며, 탈이온수는 반도체 공정용으로서 18㏁/㎝ 이상의 것을 사용하는 것이 바람직하다.
액정 표시 장치의 제조 시, 배선 및 반사막으로 사용되는 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막, 바람직하게는 산화인듐막/은 또는 산화인듐막/은/산화인듐막으로 형성된 다층막에 대해 본 발명의 식각액 조성물을 사용하는 경우, 하부막을 손상시키지 않고 식각 균일성을 나타내므로 습식 식각에 유용하게 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및 상기 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
상기 금속 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 하나 또는 다수 개의 막을 형성 하는 단계는 구체적으로 기판을 제공하는 단계 및 상기 기판 상에 상기 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판은 통상적인 세정이 가능한 것으로서, 웨이퍼, 유리 기판, 스테인레스 스틸 기판, 플라스틱 기판 또는 석영 기판을 이용할 수 있다. 상기 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 형성하는 방법으로는 당업자에게 알려진 다양한 방법을 사용할 수 있으며, 진공증착법 또는 스퍼터링 법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 식각하는 단계에서는, 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트를 형성하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광하고, 상기 노광된 포토레지스트를 후굽기(post-baking)하고, 상기 후굽기된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물을 이용하여 식각하여, 금속패턴을 완성한다.
또한, 본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 이를 상기 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 a) 단계는 a1) 기상증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 기판상에 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착시키는 단계; 및 a2) 상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기의 하나 또는 다수 개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
상기 b) 단계에서는 기판 상에 형성된 게이트 전극 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층의 형성시 사용되는 물질은 질화실리콘(SiNx)에만 한정되는 것은 아니고, 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기 절연물질 중에서 선택된 물질을 사용하여 게이트 절연층을 형성할 수도 있다.
상기 c) 단계에서는 게이트 절연층 상에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 반도체층을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층(active layer)과 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 형성한 후, 건식 식각을 통해 패터닝한다. 여기서, 엑티브층은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 오믹콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층과 오믹콘택층을 형성할 때 화학기상증착법(CVD)을 이용할 수 있지만, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 d) 단계는 d1) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d2) 상기 소스 및 드레인 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 d1) 단계에서는 오믹콘택층 위에 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착하고 본 발명의 식각액으로 식각하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 여기서, 상기 하나 또는 다수 개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다. 상기 d2) 단계에서는 소스 전극과 드레인 전극 상에 질화실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연층을 형성한다. 절연층의 재료는 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
상기 e) 단계에서는 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성한다. 예컨대, 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착하고, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여, 화소 전극을 형성한다. 상기 산화인듐막을 증착하는 방법은 스퍼터링법으로만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명을 실시예, 비교예 및 실험예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명은 하기 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1~6 및 비교예 1~6. 식각액 조성물의 제조
하기 표 1의 성분 및 함량(단위: 중량%)에 따라 식각액 조성물을 150kg 제조하였다.
구분 인산 질산 프로피온산 아세트산 MTZ 탈이온수
실시예 1 50 5 15 - 0.5 잔량
실시예 2 35 5 15 - 2 잔량
실시예 3 50 5 7 - 2 잔량
실시예 4 50 7 12 - 4 잔량
실시예 5 60 3 18 - 6 잔량
실시예 6 40 5 10 - 0.5 잔량
비교예 1 25 5 15 - 0.5 잔량
비교예 2 75 3 15 - 2.0 잔량
비교예 3 50 3 3 - 1 잔량
비교예 4 50 7 25 - 5 잔량
비교예 5 50 12 15 - 7 잔량
비교예 6 50 5 - 15 0.5 잔량
* MTZ: 5-methyl tetrazole
실험예. 식각 특성 평가
기판 상에 유기 절연막을 증착하고, 그 위에 ITO/Ag/ITO 삼층막을 증착한 것을 다이아몬드 칼을 이용하여 500×600mm로 절단하여 시편 준비를 하였다.
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 분사식 식각 방식의 실험장비 (모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사)에 넣고 온도를 40 ℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 기준으로 하여 오버 에치(Over Etch) 50%를 주어 실시하였다.
기판을 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경 (SEM; 모델명: S-4700, HITACHI사 제조)을 이용하여 편측식각거리, 잔사, 식각속도, 경시안정성, 재흡착, 테이퍼 각을 평가하였다.
1. 편측식각거리
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 승온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 60초로 실시하였다.
기판을 넣고 분사를 시작하여 60초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하였다. 세정 및 건조 후 기판을 절단하고 단면을 전자주사현미경(SEM; 모델명:SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 측정하였다. 편측 식각 거리 측정 기준으로는 포토레지스트 끝 부분부터 금속이 식각 되어 안쪽까지 들어간 너비를 측정하였으며, 하기의 기준으로 평가하였으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<편측 식각 거리 측정 평가 기준>
우수: 0.5 ㎛ 이하
양호: 0.5 ㎛ 초과 ~ 1.0 ㎛ 이하
불량: 1.0 ㎛ 초과
2. 잔사
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 60초로 실시하였다.
기판을 넣고 분사를 시작하여 60초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명:SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 포토레지스트가 덮여 있지 않은 부분에 은(Ag)이 식각 되지 않고 남아 있는 현상인 잔사를 측정하였으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<잔사 측정 평가 기준>
우수: 잔사 없음 (도 1)
불량: 잔사 발생 (잔사는 식각이 불완전하게 된 현상으로, 기판 전면에 무정형으로 존재함, 도 2)
3. 식각속도
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 60초로 실시하였다.
육안으로 엔드포인트 검출(End Point Detection, EPD)을 측정하여 시간에 따른 종방향 식각 속도(E/R, Etch Rate)를 얻었다. 식각을 진행한 금속막의 두께를 EPD로 나누면 초(시간)당 Å(두께)(Å/sec)의 식각속도를 구할 수 있으며, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<식각 속도 평가 기준>
우수: 100 Å/sec 이하
양호: 100 Å/sec 초과 ~ 200 Å/sec 이하
불량: 200 Å/sec 초과
4. 경시 안정성
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 이용하여 레퍼런스 식각(reference etch) 테스트를 진행하고, 남은 식각액 조성물을 25℃에서 계획된 날짜(1개월 기준)동안 보관하였다. 그 후, 보관된 식각액 조성물을 이용하여 상기 식각 속도 테스트에서와 동일한 조건으로 다시 식각을 진행하여 레퍼런스 식각 테스트에서의 결과와 비교하였다. 평가 기준은 하기와 같으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<경시안정성 평가기준>
우수: 1개월 경과 후 식각 프로파일 우수
양호: 1개월 경과 후 식각 프로파일 양호
불량: 1개월 경과 후 식각 프로파일 양호 미만 수준
5. 재흡착
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 60초로 실시하였다. 기판을 넣고 분사를 시작하여 60초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 식각이 된 후, 주로 데이터 배선 등 이종 금속이 노출 된 부분이나 굴곡 현상에 의해 마찰이 발생할 수 있는 특정 부위에 식각된 은(Ag)이 흡착되어 있는 현상을 전면 관찰을 통한 분석을 진행하였고, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<재흡착 측정 평가 기준>
우수: 재흡착 없음(도 3)
불량: 재흡착 발생(은 재흡착은 환원에 의한 흡착으로, 상기 특정 부위에서 구형으로 관찰됨. 도 4)
6. 테이퍼 각
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), K.C.Tech사) 내에 상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 6의 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 60초로 실시하였다.
기판을 넣고 분사를 시작하여 60초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여, 식각이 된 기판의 분석하고자 하는 배선을 수직으로 절단 한 후, 배선과 하부 절연막이 이루는 내측 각도를 측정하여 분석을 진행하였고, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<테이퍼 각>
우수: 테이퍼 각 20˚이상 ~ 60˚이하
양호: 테이퍼 각 60˚초과 ~ 80˚이하
불량: 테이퍼 각 20˚미만 또는 80˚초과
구분 편측식각거리 잔사 식각속도 경시안정성 재흡착 테이퍼각
실시예 1 우수 우수 우수 우수 우수 우수
실시예 2 양호 우수 양호 우수 우수 우수
실시예 3 우수 우수 우수 양호 양호 양호
실시예 4 양호 우수 양호 우수 우수 양호
실시예 5 양호 양호 양호 양호 양호 양호
실시예 6 양호 우수 양호 우수 양호 양호
비교예 1 불량 양호 불량 양호 양호 불량
비교예 2 불량 양호 불량 양호 불량 불량
비교예 3 양호 양호 양호 불량 불량 불량
비교예 4 불량 양호 불량 불량 양호 불량
비교예 5 불량 양호 불량 양호 양호 불량
비교예 6 우수 우수 우수 우수 우수 불량
표 2에 기재된 바와 같이, 실시예 1 내지 6은 비교예 1 내지 6과 비교하여 편측식각거리, 잔사, 식각속도, 경시안정성, 재흡착 및 테이퍼각 면에서 우수한 식각 특성을 나타내었다. 특히, 아세트산(초산) 대신 프로피온산을 포함하는 실시예 1 내지 6은 아세트산(초산)을 포함하는 비교예 6과 비교하여 테이퍼각 면에서 현저한 차이를 보이며 우수한 식각특성을 나타내었다.

Claims (7)

  1. 조성물 총 중량에 대하여, 인산 30 내지 70중량%, 질산 0.5 내지 10중량%, 프로피온산 5 내지 20중량%, 아졸계 화합물 0.01 내지 10중량% 및 물 잔량을 포함하는 은 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 식각액 조성물은 은(Ag) 또는 은합금으로 이루어진 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 동시에 식각할 수 있는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO), 또는 산화갈륨아연인듐(IGZO)인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
  4. 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및
    상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 형성된 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 패턴의 형성방법.
  6. a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
    상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 상기 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 이를 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.


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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101026983B1 (ko) * 2004-10-28 2011-04-11 주식회사 동진쎄미켐 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물
CN103026293B (zh) * 2010-07-30 2016-01-13 东友精细化工有限公司 用于制造液晶显示装置用阵列基板的方法
KR20150043569A (ko) * 2013-10-07 2015-04-23 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리 및 몰리브덴 함유 막의 식각액 조성물
CN104233302B (zh) * 2014-09-15 2016-09-14 南通万德科技有限公司 一种蚀刻液及其应用

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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