TWI645074B - 用於銀層的蝕刻劑組合物和形成金屬圖案的方法及用其製造顯示基板的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及用於銀層的蝕刻劑組合物，基於所述組合物的總重量，其包括：30至70wt%的磷酸，0.5至10wt%的硝酸，5至20wt%的丙酸，0.01至10wt%的唑系化合物，和餘量的水；使用所述蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法和使用所述蝕刻劑組合物製造顯示基板的方法。本發明的蝕刻劑組合物能夠防止銀或銀合金的過蝕刻從而形成具有低S/E的線，由此能夠用於精細圖案的形成。特別地，本發明的蝕刻劑組合物包括丙酸，代替在用於銀層的常規蝕刻劑組合物中使用的乙酸，從而增加潤濕性，由此顯著改善蝕刻特性。
Description
本發明涉及用於銀層的蝕刻劑組合物，涉及使用該蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法，還涉及使用該蝕刻劑組合物製造顯示基板的方法。
液晶顯示器(LCD)是目前可用的各種平板顯示器之一，並被配置成包括兩個具有電極的基板和介於其間的液晶層。當向電極施加電壓時，液晶層中的液晶分子重新排列，從而控制透過的光量。
當加長數據線時，也增加線路電阻。因此，傳統上將鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)及其合金用作薄膜電晶體(TFT)的閘極線和數據線難以實現具有大尺寸和高解析度的平板顯示器。為了解決由於電阻增加造成的信號延遲問題的目的，閘極線和數據線需要使用具有盡可能低的比電阻的材料來形成。
導電金屬諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)具有相對高的透光率並具有導電性，因此廣泛地
用作平板顯示器的濾色器的電極。然而，這些金屬還具有高電阻，並變成平板顯示裝置擴大和高解析度(其通過改善回應速度來實現)的障礙。
在反射板的情況下，鋁(Al)反射板已主要用於產品中，但已進行很多用具有更高反射率的金屬代替Al的嘗試以便增加亮度，由此實現低功耗。為此，蝕刻劑的開發需要應用銀(Ag，具有大約1.59μΩcm的比電阻)層、銀合金層或包括銀層和銀合金層的多層，銀層、銀合金層或包括銀層和銀合金層的多層與在平板顯示器中使用的金屬、濾色器的電極、LCD線和反射板相比具有更低的比電阻和更高的亮度，從而實現具有大尺寸、高解析度和低功耗的平板顯示器。
然而，銀(Ag)對下面的基板(諸如由玻璃製成的絕緣基板或由本質非晶矽或摻雜非晶矽製成的半導體基板)具有非常差的黏附性，使得難以進行氣相沉積製程並且容易引起線的翹起或剝落。而且，在銀(Ag)導電層沉積在基板上的情況下，使用蝕刻劑對銀(Ag)導電層進行圖案化。當該蝕刻劑選自常規使用的那些時，銀(Ag)被過度地或不均勻地蝕刻，因此導致線的翹起或剝落並使線的側面輪廓劣化。
特別地，容易被還原的銀(Ag)僅當被快速蝕刻時才可以無任何殘渣地被蝕刻。在這裡，在蝕刻製程之後難以形成錐角，原因在於上下部之間的蝕刻速率由於快速蝕刻而沒有差別。因此，用於線的銀的使用受到很多限
制。在金屬層直立而沒有任何錐角的情況下，當在後續製程中在金屬層上形成絕緣層或線時，可以在銀(Ag)與絕緣層或線之間產生空間。這樣的空間是電短路的主要原因。
因此正在進行充分研究以改善蝕刻特性。就這一點而言，韓國專利申請公開No.10-2008-0110259公開蝕刻劑組合物，其包括預定量的磷酸、硝酸、乙酸、磷酸二氫鈉(NaH2PO4)和去離子水。然而，本領域仍然需要用於銀層的具有改善的蝕刻特性的蝕刻劑組合物，因此對其進行積極研究。然而，還沒有提出與上述常規技術相比具有明顯改善的蝕刻特性的蝕刻劑組合物。
(專利文件0001)韓國專利申請公開No.10-2008-0110259
因此，銘記相關技術中遇到的上述問題而作出了本發明，並且本發明意在提供蝕刻劑組合物，其與用於銀層的常規蝕刻劑組合物相比可以表現出更多改善的蝕刻特性，並可以防止銀或銀合金的過蝕刻，因此形成具有低S/E的線，由此其適用於精細圖案，並且其中對於銀合金形成錐角，因此增加顯示基板的電性能。
此外，本發明意在提供使用該蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法。
此外，本發明意在提供使用該蝕刻劑組合物
製造顯示基板的方法。
本發明提供用於銀層的蝕刻劑組合物，基於該組合物的總重量，包括：30至70wt%的磷酸；0.5至10wt%的硝酸；5至20wt%的丙酸；0.01至10wt%的唑系化合物；和餘量的水。
在本發明的實施方式中，蝕刻劑組合物可以同時蝕刻由銀(Ag))或銀合金形成的單層和由所述單層和銦氧化物層形成的多層。
在本發明的實施方式中，銦氧化物可以是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)或銦錫鎵鋅氧化物(IGZO)。
此外，本發明提供形成金屬圖案的方法，包括：在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層；和用上述蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層。
在本發明的實施方式中，該方法還可以包括：在形成一層或多層後，在一層或多層上形成光致抗蝕劑圖案。
此外，本發明提供製造顯示基板的方法，包括：在基板上形成閘電極；在包括該閘電極的基板上形成閘絕緣層；在閘絕緣層上形成半導體層；在該半導體層上形成源電極和汲電極；和形成連接至該汲電極的像素電極，其中在基板上形成閘電極、在半導體層上形成源電極和汲電極和形成連接至該汲電極的像素電極的任一個或多
個包括：形成選自由銀或銀合金形成的單層和由該單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的製程；和通過用上述蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層來形成各個電極的製程。
在本發明的實施方式中，顯示基板可以是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。
根據本發明，蝕刻劑組合物能夠防止銀或銀合金的過蝕刻，從而形成具有低S/E的線，由此能夠用於精細圖案。特別地，本發明的蝕刻劑組合物包括丙酸，以代替在用於銀層的常規蝕刻劑組合物中使用的乙酸，從而增加潤濕性，由此顯著改善蝕刻特性。
圖1示出基於測試例的評價標準沒有產生殘渣；圖2示出基於測試例的評價標準產生殘渣；圖3示出基於測試例的評價標準沒有發生再吸附；和圖4示出基於測試例的評價標準發生再吸附。
本發明提出用於銀層的蝕刻劑組合物、使用該蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法和使用該蝕刻劑組合物製造顯示基板的方法。
在本發明中，包含在用於銀層的常規蝕刻劑
組合物中的乙酸被丙酸代替，因此進一步改善蝕刻特性。
在下文中，將給出本發明的詳細描述。
本發明提出用於銀層的蝕刻劑組合物，基於所述組合物的總重量，包括：30至70wt%的磷酸；0.5至10wt%的硝酸；5至20wt%的丙酸；0.01至10wt%的唑系化合物；和餘量的水。
在本發明中，磷酸用作主要蝕刻劑，並起到引起與銀(Ag)或銀合金的氧化還原反應和解離銦氧化物層從而進行濕蝕刻的作用。磷酸的量是基於該組合物的總重量的30至70wt%，優選40至60wt%。如果磷酸的量小於30wt%，則蝕刻能力變差，難以進行充分的蝕刻。而且，當在加工期間預定量或更多的銀溶解在蝕刻劑組合物中時，銀(Ag)可以被再吸附或可以沉澱，從而導致可能在後續製程中引起電短路的缺陷。另一方面，如果其量超過70wt%，則銦氧化物層的蝕刻速率可能下降，並且銀(或銀合金)的蝕刻速率可能過度增加，因此蝕刻可能線上由於過蝕刻不能執行其功能的程度上發生。在銦氧化物層被堆疊的情況下，可能由於銀(或銀合金)和銦氧化物層之間蝕刻速率的差異而形成尖端，因此可能在後續製程中出現問題。
硝酸用作輔助蝕刻劑，並起到氧化銀(Ag)或銀合金和銦氧化物層從而進行濕蝕刻的作用。硝酸的量是基於蝕刻劑組合物的總重量的0.5至10wt%。如果硝酸的量小於0.5wt%，則銀(或銀合金)和銦氧化物層的蝕刻速率可能下降，並且電短路和暗點(殘渣留下的區域變暗)可能由
於銀殘渣而在後續加工期間出現。另一方面，如果其量超過10wt%，則由於蝕刻速率過快而難以控制加工，並且線由於過蝕刻而不能執行其功能。
丙酸用作緩衝劑以控制反應速率等，並且在對銀或銀合金形成錐角中起重要作用。丙酸的量是基於該組合物的總重量的5至20wt%，並優選10至15wt%。如果丙酸的量小於5wt%，則對線的蝕刻表面不能形成錐角。另一方面，如果其量超過20wt%，則生成的組合物具有非常高的揮發性，因此由於加工期間組合物的揮發，可能在3小時內發生組合物的量的改變，由此蝕刻速率可能隨時間變化。
唑系化合物起到降低銀(Ag)或銀合金的蝕刻速率的作用，並且銦氧化物層的蝕刻速率未相對地下降，由此控制銦氧化物層中尖端的形成，並且在加工期間調整蝕刻時間。唑系化合物可以防止銀(Ag)的過蝕刻從而形成具有低S/E的線，能夠形成用於精細圖案的線。當使用銀或銀合金的單層(包括未提供阻隔層例如銦氧化物層的情況)時，可能增加加工成本，原因在於為了防止過蝕刻而使用上下阻隔層。然而，當使用唑系化合物時，即使不存在阻隔層也可以不發生過蝕刻，由此可以減少加工時間和原材料的使用，因此降低生產成本。唑系化合物的量是基於組合物的總重量的0.01至10wt%。如果唑系化合物的量小於0.01wt%，則不能執行降低蝕刻速率的功能，因此當形成用於精細圖案的線時線損失的缺陷可能由於過蝕刻
而發生。另一方面，如果其量超過10wt%，則電流短路可能發生，因為銀或銀合金的蝕刻速率顯著降低，並且不必要的部分未被完全蝕刻，這引起缺陷的發生。此外，殘渣由於蝕刻速率下降而留下，因此，當在進行後續製程之後生產產品時，可能產生稱作暗點的缺陷(一些區域看起來黑的現象)。
唑系化合物的例子可以包括吡咯系，吡唑系，咪唑系，三唑系，四唑系，五唑系，噁唑系，異噁唑系，噻唑系和異噻唑系化合物，其可以單獨使用或以兩種或更多種的混合物使用。
在蝕刻劑組合物中，水優選包括去離子(DI)水，其適用於半導體加工並具有18MΩ/cm或更大的電阻率。
在顯示設備的製造中，當本發明的蝕刻劑組合物用於銀(Ag)或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層、優選地包括銦氧化物層/銀或銦氧化物層/銀/銦氧化物層的多層(適於線上和反射層中使用)時，可以表現出蝕刻均勻性而沒有損傷下層。因此，該蝕刻劑組合物在濕蝕刻中有用。
此外，本發明提出形成金屬圖案的方法，包括：在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層；和用根據本發明的蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層。
在根據本發明的形成金屬圖案的方法中，形成一層或多層的步驟可以具體地包括提供基板和在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層。
基板可以包括可以經受典型的清洗製程的那些，例如晶片、玻璃基板、不銹鋼基板、塑膠基板或石英基板。在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的製程可以包括對本領域技術人員來說已知的任何方法，並優選包括真空沉積或濺射。
在蝕刻步驟中，將光致抗蝕劑形成在一層或多層(在形成一層或多層的步驟中形成)上，然後使用掩模選擇性地曝光，之後後烘焙並顯影曝光的光致抗蝕劑，從而形成光致抗蝕劑圖案。
使用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻具有光致抗蝕劑圖案的一層或多層，由此完成金屬圖案。
此外，本發明提出製造顯示基板的方法，包括：在基板上形成閘電極；在包括該閘電極的基板上形成閘絕緣層；在該閘絕緣層上形成半導體層；在該半導體層上形成源電極和汲電極；和形成連接至該汲電極的像素電極，其中在基板上形成閘電極、在半導體層上形成源電極和汲電極和形成連接至汲電極的像素電極中的任一個或多個包括：形成選自由銀或銀合金形成的單層和由單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的製程；和通過用
上述蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層來形成各個電極的製程。
在基板上形成閘電極的步驟可以包括使用氣相沉積或濺射在基板上沉積形成選自由銀或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層；和通過使用本公開的蝕刻劑組合物圖案化以上形成的一層或多層來形成閘電極。在這裡，在基板上形成一層或多層的方法並非僅限於以上示例性製程。
在包括閘電極的基板上形成閘絕緣層的步驟中，將氮化矽(SiNx)沉積在形成在基板上的閘電極的頂部以形成閘絕緣層。本文中，用於形成閘絕緣層的材料並非僅限於氮化矽(SiNx)，並且還可以使用選自包括氧化矽(SiO2)的各種無機絕緣材料中的任何材料來形成閘絕緣層。
在閘絕緣層上形成半導體層的步驟中，使用化學氣相沉積(CVD)在閘絕緣層上形成半導體層。具體地，按次序形成活性層和歐姆接觸層，然後通過幹蝕刻圖案化。在這裡，活性層由純的非晶矽(a-Si：H)形成，並且歐姆接觸層由含有雜質的非晶矽(n+a-Si：H)形成。雖然當形成活性層和歐姆接觸層時可以進行化學氣相沉積(CVD)，但本發明不限於此。
在半導體層上形成源電極和汲電極的步驟可以包括在半導體層上形成源電極和汲電極並且在該源電極和該汲電極上形成絕緣層。當在半導體層上形成源電極
和汲電極時，使用濺射在歐姆接觸層上沉積選自銀或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層當中的任一層或多層，然後使用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻其以形成源電極和汲電極。同樣地，在基板上形成一層或多層並非僅限於以上示例性製程。在源電極和汲電極上形成絕緣層的步驟中，絕緣層從包括氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiO2)的無機絕緣組或包括苯並環丁烯(BCB)-和丙烯酸系樹脂的有機絕緣組中選擇，並形成在源電極和汲電極上作為單層或雙層。絕緣層的材料不限於以上說明的那些。在形成連接至汲電極的像素電極的步驟中，形成連接至汲電極的像素電極。例如，通過濺射沉積選自銀或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層，然後使用本發明的蝕刻劑組合物蝕刻其以形成像素電極。銦氧化物層的沉積並非僅限於濺射製程。
通過以下實施例、比較例和測試例來詳述本發明，這些實施例、比較例和測試例的提出僅用來說明本發明，但本發明不限於這些實施例、比較例和測試例，並可以進行各種變形和改變。
實施例1至6和比較例1至6：蝕刻劑組合物的製備
使用下表1中示出的量(單位：wt%)的組分製備150kg的各個蝕刻劑組合物。
將各個蝕刻劑組合物放在作為蝕刻設備的ETCHER(TFT)(由K.C.Tech製造)中，然後被加熱至40℃的溫度。當溫度達到40±0.1℃時，進行蝕刻製程。以過蝕刻的方式進行蝕刻使得總蝕刻時間與端點檢測(EPD)相比增加了50%。
將基板放在蝕刻設備中、以噴霧方式蝕刻、從蝕刻設備中取出、用DI水清洗並使用熱風乾燥器乾燥，然後使用PR剝離劑去除光致抗蝕劑(PR)。清洗和乾燥之後，使用掃描電子顯微鏡(SEM，型號名稱：S-4700，由HITACHI製造)評價側蝕刻距離、殘渣、蝕刻速率、時間穩定性、再吸附和錐角。
1. 側蝕刻距離
將實施例1至6和比較例1至6的各個蝕刻劑
組合物放在噴霧型蝕刻設備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech製造)中，然後被加熱至40℃的溫度。當溫度達到40±0.1℃時，進行蝕刻樣品的製程。總蝕刻時間被設成60s(秒)。
將基板放在蝕刻設備中、以噴霧方式蝕刻60s、從蝕刻設備中取出、用DI水清洗並使用熱風乾燥器乾燥。清洗和乾燥之後，切割基板並使用SEM(型號名稱：SU-8010，由HITACHI製造)測定其橫截面。作為測定側蝕刻距離的標準，測定從光致抗蝕劑的末端到內部通過金屬的蝕刻塌陷的寬度，將以下標準用於評價。結果如下表2所示。
<側蝕刻距離的評價標準>
優異：0.5μm或更小
良好：大於0.5μm至1.0μm或更小
差：大於1.0μm
2. 殘渣
將實施例1至6和比較例1至6的各個蝕刻劑組合物放在噴霧型蝕刻設備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech製造)中，然後被加熱至40℃的溫度。當溫度達到40±0.1℃時，進行對樣品進行蝕刻的製程。將總蝕刻時間被設成60秒。
將基板放在蝕刻設備中、以噴霧方式蝕刻60秒、從蝕刻設備中取出、用DI水清洗並使用熱風乾燥器乾燥，然後使用PR剝離劑去除PR。清洗和乾燥之後，使用
掃描電子顯微鏡(SEM；型號名稱：SU-8010，由HITACHI，Ltd.製造)測定殘渣和銀(Ag)未被蝕刻而留在未被光致抗蝕劑覆蓋的部分上的現象，並且將以下標準用於評價。結果如下表2所示。
<殘渣測定的評價標準>
優異：無殘渣(圖1)
差：產生殘渣(殘渣由不完全蝕刻產生，並以非晶形的形式在基板的整個表面上存在，圖2)
3. 蝕刻速率
將實施例1至6和比較例1至6的各個蝕刻劑組合物被放在噴霧型蝕刻設備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech製造)中，然後被加熱至40℃的溫度。當溫度達到40±0.1℃時，進行蝕刻樣品的製程。將總蝕刻時間被設成60秒。
用肉眼觀察端點檢測(EPD)並隨時間觀察長度方向上的蝕刻速率(E/R)。當蝕刻的金屬層的厚度被EPD分開後，確定對應於Å(厚度)每秒(時間)的蝕刻速率(Å/s)並基於以下標準進行評價。結果如下表2中所示。
<蝕刻速率的評價標準>
優異：100Å/s或更小
良好：大於100Å/s至200Å/s或更小
差：大於200Å/s
4. 時間穩定性
對實施例1至6和比較例1至6的各個蝕刻劑
組合物中的一些進行參照蝕刻測試，並且剩餘的蝕刻劑組合物在25℃下儲存預定時間(1個月)。此後，使用儲存的蝕刻劑組合物在與以上蝕刻速率測試相同的條件下，再次進行蝕刻製程，並且將其結果與參照蝕刻測試對比。評價標準如下，並且結果在下表2中示出。使用實施例1至6和比較例1至6的蝕刻溶液組合物進行參照蝕刻測試，並且將剩餘的蝕刻溶液組合物在25℃下儲存指定日期(以月為單位)。之後，使用儲存的蝕刻溶液組合物在與上述蝕刻速率測試相同的條件下，再次進行蝕刻，並且將結果與參照蝕刻測試的結果對比。將以下標準用於評價，並且結果在下表2中示出。
<時間穩定性的評價標準>
優異：1個月後優異的蝕刻輪廓
良好：1個月後良好的蝕刻輪廓
差：1個月後差的蝕刻輪廓
5. 再吸附
將實施例1至6和比較例1至6的各個蝕刻劑組合物放在噴霧型蝕刻設備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech製造)中，然後被加熱至40℃的溫度。當溫度達到40±0.1℃時，進行蝕刻樣品的製程。將總蝕刻時間設成60秒。將基板放在蝕刻設備中、以噴霧方式蝕刻60秒、從蝕刻設備中取出、用DI水清洗並使用熱風乾燥器乾燥，然後使用PR剝離器去除PR。清洗和乾燥之後，通過使用掃描電子顯微鏡(SEM，型號名稱：SU-8010，由HITACHI，
Ltd.製造)的全面觀察來進行對現象的分析，在該現象中，在將銀蝕刻後，蝕刻的銀(Ag)主要被吸附在使異種金屬露出的位點例如數據線或可能由於繞組現象產生摩擦的特定的位點。將以下標準用於評價，並且結果如下表2中所示。
<再吸附測定的評價標準>
優異：沒有再吸附(圖3)
差：出現再吸附(銀再吸附是由還原引起的吸附，並在上述特定位點以球形被觀察，圖4)
6. 錐角
將實施例1至6和比較例1至6的各個蝕刻劑組合物被放在噴霧型蝕刻設備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech製造)中，然後被加熱至40℃的溫度。當溫度達到40±0.1℃時，進行蝕刻樣品的製程。將總蝕刻時間設成60秒。
將基板放在蝕刻設備中、以噴霧方式蝕刻60秒、從蝕刻設備中取出、用DI水清洗並使用熱風乾燥器乾燥，然後使用PR剝離劑去除PR。清洗和乾燥之後，豎直切割待分析的蝕刻的基板的線，使用SEM(SU-8010，由HITACHI製造)測定線與下絕緣層之間的內角並基於下述標準進行評價。結果如下表2中所示。
<錐角>
優異：錐角為從20°或更大至60°或更小
良好：錐角為從大於60°至80°或更小
差：小於20°或大於80°的錐角
通過表2顯而易見的是，實施例1至6在側蝕刻距離、殘渣、蝕刻速率、時間穩定性、再吸附和錐角方面與比較例1至6相比表現出優異的蝕刻特性。特別地，使用丙酸代替乙酸的實施例1至6與使用乙酸的比較例6的錐角明顯不同，產生優異的蝕刻特性。
雖然出於說明目的已經公開了本發明的優選實施方式，本領域技術人員將理解的是，各種變形、添加和替代是可以的，而不背離如所附申請專利範圍中公開的本發明的範圍和精神。
Claims (7)
- 一種用於銀層的蝕刻劑組合物，基於該組合物的總重量，包括：30至70wt%的磷酸；0.5至10wt%的硝酸；5至20wt%的丙酸；0.01至10wt%的唑系化合物；和餘量的水。
- 如請求項1之蝕刻劑組合物，其中，該蝕刻劑組合物同時蝕刻由銀或銀合金形成的單層和由該單層和銦氧化物層形成的多層。
- 如請求項2之蝕刻劑組合物，其中，該銦氧化物是選自由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦錫鋅氧化物或銦錫鎵鋅氧化物組成的組中的一種或多種。
- 一種形成金屬圖案的方法，包括：形成選自銀或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層在基板上形成的多層當中的任一層或多層；和用如請求項1至3的任一項之蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的該一層或多層。
- 如請求項4之方法，還包括：在形成該一層或多層後，在該一層或多層上形成光致抗蝕劑圖案。
- 一種製造顯示基板的方法，包括：在基板上形成閘電極；在包括該閘電極的基板上形成閘絕緣層；在該閘絕緣層上形成半導體層；在該半導體層上形成源電極和汲電極；和形成連接至該汲電極的像素電極，其中該在基板上形成閘電極、該在該半導體層上形成源電極和汲電極、和該形成連接至該汲電極的像素電極當中的任一個或多個步驟包括：形成選自由銀或銀合金形成的單層和由該單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的製程；和通過用如請求項1至3的任一項之蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的該一層或多層來形成各個電極的製程。
- 如請求項6之方法，其中該顯示基板是薄膜電晶體(TFT)陣列基板。
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