KR20160100591A - 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 식각액 조성물은 은 또는 은합금의 단일막, 또는 은 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막을 식각함에 있어서 하부 데이터 배선막의 손상 및 잔사의 발생없이 균일한 식각 특성을 나타내며, 특히 금속배선에 은의 재흡착이 방지되어 불량률이 감소되고, 이에 따라 유기발광디스플레이 장치의 고행상도, 대형화 및 저전력 소비를 달성하는데 중요한 역할을 할 수 있다.

Description

은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법{ETCHANT COMPOSITION FOR AG THIN LAYER AND METHOD FOR FABRICATING METAL PATTERN USING THE SAME}
본 발명은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
유기발광다이오드(OLED, Organic Light Emitting Diode)는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 유기물(단분자/저분자 또는 고분자) 박막에 양극과 음극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합(Recombination)하여 여기자(Excition)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 형상을 이용한 자체 발광형 디스플레이 소자이다.
최근 평판 표시 장치 중에서, 주로 사용되는 유기발광디스플레이(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답 속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도 범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
한편, 유기발광디스플레이의 표시 면적이 점점 대형화됨에 따라, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 게이트선 및 데이터선 또한 길어지고 그에 따라 배선의 저항 또한 증가한다. 이와 같은 이유로 인하여, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금을 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor,TFT)에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 계속 이용하는 것은 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 어렵게 만드는 원인으로 작용하고 있다. 따라서, 이러한 저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 게이트선 및 데이터선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있다.
이를 위해 평판 표시 장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금막 또는 은막이나 은합금막을 포함한 다층막을 칼라필터의 전극, OLED 배선 및 반사판에 적용하여 평판표시장치의 대형화와 고해상도 및 저전력 소비 등을 실현하기 위한 노력이 경주되고 있으며, 그러한 노력의 일환으로 이러한 재료에 적용하기 위한 식각액이 개발되고 있다.
그러나, 은(Ag)은 유리 등의 절연 기판 또는 진성 비정질 규소나 도핑된 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체 기판 등의 하부 기판에 대해 접착성(adhesion)이 극히 불량하여 증착이 용이하지 않고, 배선의 들뜸(lifting) 또는 벗겨짐(feeling)이 쉽게 유발된다. 또한, 은(Ag) 도전층이 기판에 증착된 경우에도 이를 패터닝하기 위해 종래의 식각액을 사용하는 경우 은(Ag)이 과도하게 식각되거나 불균일하게 식각되어 배선의 들뜸 또는 벗겨짐 현상이 발생하고, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 된다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하는 새로운 식각액에 대한 연구가 진행되었다.
예를 들어, 대한민국 공개특허 제2009-0112112호는 질산화철, 함불소화합물, 질산, 초산, 염화구리, 및 물을 포함하는 식각액 조성물을 제공하고 있다. 그러나, 상기 식각액 조성물은 은 또는 은합금의 식각 과정에서 하부 절연막 또는 패드부에 오픈된 Mo, Al, Cu와 같은 금속 배선부에 재흡착이 발생하여 암점 불량이 야기될 수 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결한 은 박막 식각액 조성물이 필요한 실정이다.
대한민국 공개특허 제2009-0112112호
본 발명은 은 또는 은합금의 단일막, 또는 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각 시 금속배선부의 재흡착이 발생하지 않으면서 잔사가 없고 식각속도(etch rate)가 우수한 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 철염 0.2 내지 5중량%, 질산 3 내지 8중량%, 아세트산 1 내지 20중량%, 설파믹산 0.1 내지 10중량%, 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 구현예는 상기 철염이 질산제2철, 염화제2철, 황산제2철, 황산철암모늄, 과염소산철 및 인산철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 산화인듐막이 산화주석인듐(ITO)막, 산화아연인듐(IZO)막, 산화주석아연인듐(ITZO)막 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 단층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및 상기 하나 또는 다수 개의 막을 상기 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
일 구현예는 하나 또는 다 수개의 막을 형성하는 단계 후에 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 상기 하나 또는 다수개의 막을 상기 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
일 구현예는 상기 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판이 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것일 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 은 또는 은합금의 단일막, 또는 은 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막을 식각함에 있어서 하부 데이터 배선막의 손상 및 잔사의 발생없이 균일한 식각 특성을 나타내며, 특히 금속배선에 은의 재흡착이 방지되어 불량률이 감소되고, 이에 따라 유기발광디스플레이 장치의 고해상도, 대형화 및 저전력 소비를 달성하는데 중요한 역할을 할 수 있다.
도 1은 실시예 1의 식각액 조성물의 재흡착 평가 및 잔사 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 2의 식각액 조성물의 재흡착 평가 및 잔사 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 3은 비교예 1의 식각액 조성물의 재흡착 평가 및 잔사 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 4는 비교예 2의 식각액 조성물의 재흡착 평가 및 잔사 측정 결과를 나타낸 것이다.
본 발명은 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물, 이를 사용하는 금속 패턴의 형성방법, 및 이를 사용하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 식각액 조성물은 설파믹산을 포함함에 따라 은이 하부 절연막 또는 패드부에 오픈된 하부 금속막(Mo, Ti, Cu 등)에 재흡착 되는 것을 방지하여 암점 발생 등의 불량을 제어하는 것이 특징이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 철염 0.2 내지 5중량%, 질산 3 내지 8중량%, 아세트산 1 내지 20중량%, 설파믹산 0.1 내지 10중량%, 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어서 은합금은 은을 주성분으로 하여 하여 Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W, Pa 및 Ti 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태와; 은의 질화물, 규화물, 탄화물, 산화물 형태 등 다양할 수 있다. 본 발명의 산화인듐은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서 철(ferric)염은 식각액 조성물 상에서 방출된 철(Fe) 이온이 전자를 얻어 환원되면서 산화인듐막/은/산화인듐막에서 은과 산화인듐막을 산화시켜 습식 식각하는 산화제의 역할을 수행한다. 철염은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 8중량%인 것이 바람직하다. 상기 기준으로 철염이 3중량% 미만인 경우에는 은(Ag)과 인듐산화막의 식각 속도 저하가 발생하며 이로써 기판내 잔사와 얼룩이 발생하고, 8중량%를 초과하는 경우에는 상하부 산화인듐막의 식각 속도가 가속화되어 상하부 산화인듐막의 과식각 발생으로 후속 공정에 문제가 발생되는 불리한 점이 있다. 상기 철염은 질산제2철, 염화제2철, 황산제2철, 황산철암모늄, 과염소산철 및 인산철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
본 발명에 있어서 질산(HNO3)은 산화제로 사용되는 성분으로서, 산화인듐막/은/산화인듐막에서 은(Ag)과 산화인듐막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행한다. 질산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 8 중량%인 것이 바람직하다. 질산이 상기 기준으로 3 중량% 미만인 경우에는 은(Ag)과 인듐산화막의 식각 속도 저하가 발생하고 이로써 기판내 잔사와 얼룩이 발생하며, 8 중량%를 초과하는 경우에는 상하부 산화인듐막의 식각 속도가 가속화 되어 상하부 산화인듐막의 과식각 발생으로 후속 공정에 문제가 발생되는 불리한 점이 있다.
본 발명에 있어서 아세트산(CH3COOH)은 반응 속도 등을 조절하기 위해 완충제로 작용하여 질산의 분해속도를 조절하며, 일반적으로 분해 속도를 감소시키는 역할을 한다. 아세트산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 20 중량%인 것이 바람직하다. 아세트산이 상기 기준으로 1 중량% 미만인 경우에는 기판 내의 식각 속도 불균일로 얼룩이 발생하는 문제점이 있고, 20 중량%를 초과하는 경우에는 거품발생이 야기되며 이러한 거품이 기판내에 존재하게 되면 완전한 식각이 이루어지지 않아 후속공정에 문제를 야기할 수 있다.
본 발명에 있어서 설파믹산(Sulfamic acid, H3NSO3)은 습식식각 시 발생하는 은이 하부 절연막 또는 패드부에 오픈된 하부 금속막 (Mo, Ti, Cu등)에 재흡착 하는 것을 방지하여 암점 발생 등의 불량을 제어한다. 설파믹산은 식각액 조성물 총 함량에 대하여 0.1 내지 10 중량%인 것이 바람직하다. 설파믹산이 상기 기준으로 0.1중량% 미만인 경우에는 기판 내의 재흡착 방지의 기능을 수행할 수 없고, 10 중량%를 초과하는 경우에는 식각 속도가 빨라져 과식각을 발생시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및 상기 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법을 제공한다.
상기 금속 패턴의 형성방법에 있어서, 상기 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계는 구체적으로 기판을 제공하는 단계 및 상기 기판 상에 상기 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판은 통상적인 세정이 가능한 것으로서, 웨이퍼, 유리 기판, 스테인레스 스틸 기판, 플라스틱 기판 또는 석영 기판을 이용할 수 있다. 상기 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막을 형성하는 방법으로는 당업자에게 알려진 다양한 방법을 사용할 수 있으며, 진공증착법 또는 스퍼터링 법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 식각하는 단계에서는, 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트를 형성하고, 마스크를 이용하여 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광하고, 상기 노광된 포토레지스트를 후굽기(post-baking)하고, 상기 후굽기된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액 조성물을 이용하여 식각하여, 금속패턴을 완성한다.
또한, 본 발명은 a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계; d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 상기 하나 또는 다수개의 막을 상기 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 a) 단계는 a1) 기상증착법이나 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 기판 상에 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금의 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착시키는 단계; 및 a2) 상기에서 형성된 하나 또는 다수 개의 막을 본 발명의 식각액으로 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기의 하나 또는 다수 개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 b) 단계에서는 기판 상에 형성된 게이트 전극 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층의 형성시 사용되는 물질은 질화실리콘(SiNx)에만 한정되는 것은 아니고, 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기 절연물질 중에서 선택된 물질을 사용하여 게이트 절연층을 형성할 수도 있다.
본 발명에 따른 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 c) 단계에서는 게이트 절연층 상에 화학기상증착법(CVD)을 이용하여 반도체층을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층(active layer)과 오믹콘택층(ohmic contact layer)을 형성한 후, 건식 식각을 통해 패터닝한다. 여기서, 엑티브층은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 오믹콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층과 오믹콘택층을 형성할 때 화학기상증착법(CVD)을 이용할 수 있지만, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 d) 단계는 d1) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 d2) 상기 소스 및 드레인 전극 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 d1) 단계에서는 오믹콘택층 위에 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착하고 본 발명의 식각액으로 식각하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 여기서, 상기 하나 또는 다수 개의 막을 기판 상에 형성하는 방법은 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다. 상기 d2) 단계에서는 소스 전극과 드레인 전극 상에 질화실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연층을 형성한다. 절연층의 재료는 상기 예시된 것으로만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서, 상기 e) 단계에서는 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성한다. 예컨대, 스퍼터링법을 통해 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 증착하고, 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여, 화소 전극을 형성한다. 상기 산화인듐막을 증착하는 방법은 스퍼터링법으로만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명을 실시예, 비교예 및 실험예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명은 하기 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1~3 및 비교예 1~9. 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 조성 및 함량으로 식각액 조성물을 제조하였다.
구분 철염 질산 아세트산 설파믹산 탈이온수
질산제2철
(Ferric Nitrate)		 염화제2철
(Ferric Chloride)
실시예 1 1중량% - 5중량% 3중량% 3중량% 잔량
실시예 2 - 1중량% 5중량% 3중량% 3중량% 잔량
실시예 3 3중량% - 4중량% 10중량% 5중량% 잔량
비교예 1 3중량% - 5중량% 3중량% - 잔량
비교예 2 - 0.1중량% 8중량% 5중량% 5중량% 잔량
비교예 3 10중량% 8중량% 5중량% 5중량% 잔량
비교예 4 3중량% 12중량% 10중량% 3중량% 잔량
비교예 5 3중량% 1중량% 10중량% 5중량% 잔량
비교예 6 2중량% - 7중량% 25중량% 3중량% 잔량
비교예 7 2중량% - 7중량% 0.5중량% 3중량% 잔량
비교예 8 3중량% - 7중량% 5중량% 15중량% 잔량
비교예 9 1중량% - 5중량% 3중량% 0.05중량% 잔량
실험예 1. 식각특성 평가
베이스 기판상에 인듐산화막/은/인듐산화막을 차례로 도포하여 삼중막을 형성하고 포토리소그래피 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 상기 [표 1]의 조성물을 각각 사용하여 인듐산화막/은/인듐산화막 기판에 대하여 식각공정을 실시하였다.
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 40℃ 내외로 하였다. 식각시간은 80초 정도로 진행하였다. 상기 식각공정에서 식각된 인듐산화막의 프로파일을 전자현미경 (모델명: SU-8010, HITACHI사)을 사용하여 검사하였다.
(1) 식각속도(etch rate) 측정
은 박막의 두께를 횡방향의 식각이 완료되어 바닥면이 드러나기까지 걸리는 시간으로 나누어 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<평가기준>
우수: 50Å/초(sec) 이상,
양호: 50Å/초(sec) 미만 ~ 20Å/초(sec) 이상,
불량: 20Å/초(sec) 미만
(2) 재흡착 평가
재흡착이 주로 발생하는 PAD부를 전자현미경으로 관찰하여 식각된 은이 다시 응집(aggregation)되어 흡착되어 있는지 유무를 평가하였고, 그 결과를 하기 표 2 및 도 1 내지 도 4에 나타내었다.
(3) 잔사 측정
식각이 완료 된 후 포토레지스트가 형성되지 않았던 바닥면에 은 또는 인듐산화막의 잔여물이 남아있는지 유무를 측정하였고, 그 결과를 하기 표 2 및 도 1 내지 도 4에 나타내었다.
구분 총 에칭시간 식각속도 측정 재흡착 평가 잔사 측정
실시예 1




80 sec		 우수 무 무
실시예 2 우수 무 무
실시예 3 우수 무 무
비교예 1 양호 유 무
비교예 2 불량 무 유
비교예 3 Pattern Out
비교예 4 Pattern Out
비교예 5 Unetch
비교예 6 양호 무 유
비교예 7 양호 무 유
비교예 8 Pattern Out
비교예 9 양호 유 무
Pattern out: 배선부의 은(Ag)이 모두 식각되어 패턴이 형성되지 않음
Unetch: 비패턴부의 은(Ag)이 에칭되지 않아 패턴이 형성되지 않음
표 2 및 도 1 내지 도 4에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 3은 비교예 1 내지 9와 비교하여 은의 재흡착과 잔사가 없었으며 식각속도도 우수한 결과를 보였다.

Claims (7)

  1. 철염 0.2 내지 5중량%,
    질산 3 내지 8중량%,
    아세트산 1 내지 20중량%,
    설파믹산 0.1 내지 10중량%, 및
    잔량의 탈이온수를 포함하는 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 또는 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 다층막의 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 철염은 질산제2철, 염화제2철, 황산제2철, 황산철암모늄, 과염소산철 및 인산철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 산화인듐막은 산화주석인듐(ITO)막, 산화아연인듐(IZO)막, 산화주석아연인듐(ITZO)막 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 식각액 조성물.
  4. 기판 상에 은(Ag) 또는 은합금의 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성되는 단층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수 개의 막을 형성하는 단계; 및
    상기 하나 또는 다수 개의 막을 청구항 1의 식각액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 형성하는 단계 후에 하나 또는 다수 개의 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속 패턴의 형성방법.
  6. a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    b) 상기 게이트 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    c) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    d) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    e) 상기 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광 디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
    상기 a) 단계, d)단계 및 e)단계 중 어느 한 단계 이상이, 은 또는 은합금 단일막, 및 은 또는 은합금 단일막과 산화인듐막으로 구성된 다층막 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개의 막을 형성하는 공정 및 상기 하나 또는 다수개의 막을 청구항 1항의 식각액 조성물로 식각하여 각각의 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광디스플레이(OLED)용 어레이 기판의 제조방법.
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