KR102457171B1 - 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 - Google Patents

금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 조성물 총 중량 중, 아인산 40 내지 60중량%; 질산 3 내지 8중량%; 아세트산 5 내지 20중량%; 인산염 0.1 내지 3중량%; 및 잔량의 물을 포함하는, 우수한 식각 특성을 나타내면서도 적정 점도를 가지므로 예를 들면 경사진(tilt) 기판 상에서의 금속막 식각에 있어 상하부 불균일 식각 또는 하부 배선 유실 문제를 최소화할 수 있는 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.

Description

금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법{ETCHANT COMPOSITION FOR ETCHING METAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF FORMING CONDUCTIVE PATTERN USING THE SAME}
본 발명은 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
평판디스플레이 장치의 예로는 액정디스플레이장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마디스플레이장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출디스플레이장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광디스플레이장치(Electroluminescence Display device: ELD), 유기발광디스플레이(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 등을 들 수 있으며, 이러한 평판디스플레이 장치는 텔레비전이나 비디오 등의 가전분야 뿐만 아니라 노트북과 같은 컴퓨터 및 핸드폰 등에 다양한 용도로 사용되고 있다. 이들 평판디스플레이 장치는 박형화, 경량화, 및 저소비전력화 등의 우수한 성능으로 인하여 기존에 사용되었던 브라운관(Cathode Ray Tube: NIT)을 빠르게 대체하고 있는 실정이다.
특히 OLED는 소자 자체적으로 빛을 발광하며 저전압에서도 구동될 수 있기 때문에 최근 휴대기기, 개인용 컴퓨터, TV 등의 디스플레이 시장에 빠르게 적용되고 있다.
한편, 액정 표시 장치의 표시 면적이 점점 대형화됨에 따라, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 게이트 선 및 데이터선 또한 길어지고 그에 따라 배선의 저항 또한 증가한다. 이와 같은 이유로 인하여, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al) 및 이들의 합금을 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor, TFT)에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 계속 이용하는 것은 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현을 어렵게 만드는 원인으로 작용하고 있다. 따라서, 이러한 저항 증가에 의한 신호 지연 등의 문제를 해결하기 위해서는, 상기 게이트선 및 데이터선을 최대한 낮은 비저항을 가지는 재료로 형성할 필요가 있다.
산화주석인듐(Indium Tin Oxide, ITO)과 산화아연인듐(Indium Zinc Oxide, IZO)과 같은 도전성 금속은 빛에 대한 투과율이 비교적 뛰어나고, 도전성을 가지므로 평판디스플레이장치에 사용되는 칼라필터의 전극으로 널리 쓰이고 있다. 그러나 이들 금속들 또한 높은 저항을 가져 응답속도의 개선을 통한 평판표시장치의 대형화 및 고해상도 실현에 장애가 되고 있다.
또한, 반사판의 경우 과거 알루미늄(Al) 반사판을 주로 제품에 이용해왔으나, 휘도 향상을 통한 저전력 소비실현을 위해서는 반사율이 더 높은 금속으로의 재료변경을 모색하고 있는 상태이다. 이를 위해 평판디스플레이장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag) 막, 은합금막 또는 이를 포함하는 다층막을 칼라필터의 전극, LCD 또는 OLED 배선 및 반사판에 적용하려는 시도가 있다.
한국등록특허 제10-0579421호는 은 식각액 조성물이 개시되어 있다.
한국등록특허 제10-0579421호
본 발명의 일 과제는 우수한 식각 특성을 나타내면서도 적정 점도를 가짐으로써, 예를 들면 경사진(tilt) 기판 상에서의 식각에서도 상하부의 식각 속도차를 최소화 할 수있는 금속막 식각용 조성물을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 일 과제는 전술한 금속막 식각액 조성물을 이용한 도전 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
1. 조성물 총 중량 중, 아인산 40 내지 60중량%; 질산 3 내지 8중량%; 아세트산 5 내지 20중량%; 인산염 0.1 내지 3중량%; 및 잔량의 물을 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 아인산은 45 내지 55중량%로 포함되는, 금속막 식각액 조성물.
3. 위 1에 있어서, 상기 조성물의 점도는 40℃에서 3.0 내지 6.0cp인, 금속막 식각액 조성물.
4. 위 1에 있어서, 상기 인산염은 상기 인산염은 제1 인산나트륨, 제2 인산나트륨, 제3 인산나트륨, 제1 인산칼륨, 제2 인산칼륨, 제1 인산암모늄, 제2 인산암모늄, 제3 인산암모늄으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
5. 위 1에 있어서, 상기 금속막은 상기 금속막은 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막, 또는 상기 은 함유막을 포함하는 다층막인, 금속막 식각액 조성물.
6. 위 5에 있어서, 상기 다층막은 인듐 산화막을 더 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
7. 위 6에 있어서, 상기 인듐 산화막은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO) 및 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO)로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
8. 기판 상에 도전막을 형성하는 단계; 및 상기 기판에 경사가 부여된 상태에서 상기 도전막에 아인산, 질산, 아세트산, 인산염 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 분사하여 상기 도전막을 식각하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
9. 위 8에 있어서, 상기 금속막 식각액 조성물은 조성물 총 중량 중, 아인산 40 내지 60중량%; 질산 3 내지 8중량%; 아세트산 5 내지 20중량%; 인산염 0.1 내지 3중량%; 및 잔량의 물을 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
10. 위 8에 있어서, 상기 도전막은 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막, 또는 상기 은 함유막을 포함하는 다층막인, 도전 패턴 형성 방법.
11. 위 10에 있어서, 상기 다층막은 인듐 산화막을 더 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
12. 위 11에 있어서, 상기 인듐 산화막은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO) 및 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO)로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
13. 위 8에 있어서, 상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 및 상기 화소 전극 상에 표시층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 도전막은 상기 표시층 상에 형성되는, 도전 패턴 형성 방법.
14. 위 13에 있어서, 상기 도전 패턴은 디스플레이 소자의 공통 전극 또는 반사 전극, 또는 배선을 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
15. 위 8에 있어서, 상기 도전 패턴은 터치 스크린 패널의 배선 또는 전극인, 도전 패턴 형성 방법.
본 발명의 금속막 식각용 조성물은 우수한 식각 특성을 나타내면서도 적정 점도를 가지므로, 예를 들면 경사진(tilt) 기판 상에서의 금속막 식각에 있어 상하부 불균일 식각 또는 하부 배선 유실 문제를 최소화할 수 있다. 따라서 대형 사이즈의 장치 제조에 매우 바람직하다.
또한, 본 발명의 금속막 식각용 조성물은 하부막을 손상시키지 않으면서 식각 대상막에 대한 우수한 식각 특성을 나타낸다.
따라서, 상기 금속막 식각액 조성물은 도전 패턴의 형성 등에 유용하게 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 조성물 총 중량 중, 아인산 40 내지 60중량%; 질산 3 내지 8중량%; 아세트산 5 내지 20중량%; 인산염 0.1 내지 3중량%; 및 잔량의 물을 포함하여, 우수한 식각 특성을 나타내면서도 적정 점도를 가지므로 예를 들면 경사진(tilt) 기판 상에서의 금속막 식각에 있어 상하부 불균일 식각 또는 하부 배선 유실 문제를 최소화할 수 있는 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명의 실시예들은 상기 금속막 식각액 조성물을 이용한 도전 패턴 형성 방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 각 성분을 설명하나, 이들 성분에 한정되는 것은 아니다.
실시예들의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 아인산(H3PO3)은 주 산화제로 사용되는 성분으로서, 예를 들면 단일 또는 다층 금속막(예를 들면 은(Ag) 함유 막)을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행할 수 있다.
또한, 화상 표시 장치의 대형화가 이루어짐에 따라, 공정 수행에 따른 기판 파손을 방지하기 위해 기판을 소정 각도로 경사지게 놓고 식각을 수행할 수 있으며, 예를 들면 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100)을 일측에서 타측으로 상향 경사지게 놓은 후 식각액 조성물을 분사하여 기판(100) 상에 형성된 금속막 등의 식각을 수행할 수 있다. 이 경우, 식각액 조성물이 기판(100)의 경사 방향에 따라 흐르게 되므로 상부과 하부 사이에 식각 속도 차이가 발생할 수 있으며, 예를 들면 하부로 지나치게 식각액 조성물이 밀집되므로 기판(100) 상에 적층된 금속막 등의 하부가 과도하게 식각되어 하부 배선 유실 문제가 발생할 수 있는 문제점이 있었다.
그러나, 본 발명의 금속막 식각액 조성물은 아인산을 포함하여 식각 특성을 저하시키지 않으면서도 적정 점도를 확보할 수 있다. 예를 들면 경사진 기판 상에서 금속막을 식각할 때, 아인산은 금속막 식각액 조성물의 점도를 낮추므로 하부로 지나치게 식각액 조성물이 밀집되는 현상을 방지할 수 있다. 따라서 상기 금속막 식각액 조성물은 상단 및 하단의 식각 속도 차이를 최소화하면서 금속막을 우수한 수준으로 식각할 수 있고, 하부 금속막의 과도한 식각을 방지할 수 있으며, 하부 배선 유실 문제를 최소화할 수 있다. 이에, 본 발명의 금속막 식각액 조성물은 대형 사이즈의 표시 장치의 제조에 매우 바람직하다.
상기 아인산은 조성물 100중량%에 대하여 40 내지 60중량%, 보다 바람직하게는 45 내지 55중량%로 포함될 수 있다. 상기 인산이 40중량% 미만으로 포함되는 경우 금속막의 식각 속도 저하와 잔사 발생에 따른 불량을 야기할 수 있고, 점도 감소 효과가 미미하여 하부 금속막의 과도한 식각 우려가 있다. 상기 인산이 60중량% 초과로 포함되는 경우 예를 들면 금속막/인듐 산화막의 다층막을 식각할 때, 인듐 산화막의 식각 속도 저하를 야기하는 반면 금속막의 식각 속도가 지나치게 빨라질 우려가 있으므로, 인듐산화막의 팁(Tip) 발생 또는 과식각 현상 발생으로 후속 공정에 문제를 유발할 수 있어 바람직하지 않다.
또한, 실시예들의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 질산(HNO3)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 예를 들면 상기 아인산과 함께 단일 또는 다층 금속막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 질산은 조성물 총 중량에 대하여 3 내지 8중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 7중량%로 포함될 수 있다. 상기 질산의 함량이 3중량% 미만인 경우, 예를 들면 은(Ag) 함유 막을 포함하는 단일 또는 다층 금속막 식각 속도 저하가 발생하며 식각 균일성(uniformity)이 불량해지므로 얼룩 발생의 우려가 있다. 상기 질산의 함량이 8중량% 초과인 경우 식각 속도가 가속화됨에 따른 과식각 현상이 발생하여 후속 공정에 문제가 발생할 수 있다.
또한, 실시예들의 식각액 조성물에 포함되는 아세트산(CH3COOH)은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 예를 들면 상기 인산과 함께 단일 또는 다층 금속막을 산화시켜 습식 식각하는 역할을 수행할 수 있다.
상기 아세트산은 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 20중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 15중량%로 포함될 수 있다. 상기 아세트산의 함량이 5중량% 미만인 경우 기판 내의 식각 속도 불균일로 인하여 얼룩이 발생할 우려가 있다. 함량이 20중량%를 초과하는 경우에는 거품이 발생할 우려가 있어, 기판 내 거품이 존재하게 되므로 완전한 식각이 이루어지지 이루어지지 않아 후속 공정에 문제를 야기할 수 있다.
또한, 실시예들의 식각액 조성물에 포함되는 인산염은 습식 식각 시 박막에 대한 임계 치수 바이어스(CD Bias)를 감소시키고, 식각이 균일하게 진행되도록 식각 속도를 조절하는 성분이다. 상기 인산염은 예를 들면 제1 인산나트륨(NaH2PO4), 제2 인산나트륨(Na2HPO4), 제3 인산나트륨(Na3PO4), 제1 인산칼륨(KH2PO4), 제2 인산칼륨(K2HPO4), 제1 인산암모늄((NH4)H2PO4), 제2 인산암모늄((NH4)2HPO4), 제3 인산암모늄((NH4)3PO4) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 인산염은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 3중량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 상기 인산염의 함량이 0.1중량% 미만인 경우 기판의 식각 균일성이 저하되거나 금속 잔사가 발생할 수 있어 바람직하지 않다. 상기 인산염의 함량이 3중량%를 초과하는 경우 식각 속도가 저하되어 원하는 식각 속도를 구현할 수 없고, 이에 따라 공정 시간이 길어지는 등 공정 효율이 저하될 수 있다.
또한, 실시예들의 금속막 식각용 조성물은 물, 바람직하게는 탈이온수를 포함한다. 상기 탈이온수는 특별하게 제한하지 않으나, 반도체 공정용으로서 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 물은 조성물 총 100중량%에 대하여 잔량으로 포함될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 금속막 식각액 조성물은 전술한 성분들 외에 식각 조절제, 추가 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제, pH 조절제 및 이에 국한되지 않는 다른 첨가제로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다. 상기 첨가제는, 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 첨가제들로부터 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 성분들은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
일 실시예에 있어서, 상기 금속막 식각액 조성물의 점도는 40℃에서 3.0 내지 6.0cp일 수 있고, 바람직하게는 4.0 내지 5.0cp일 수 있다. 상기 범위일 때 금속막 식각액 조성물이 경사진 기판 상에서의 식각에 적합한 점도를 가질 수 있어, 금속막의 상하부의 식각 속도 차이를 최소화할 수 있으므로 대형 사이즈의 표시 장치 제조에 더욱 바람직하다. 상기 점도 범위는 아인산 등 상기 금속막 식각액 조성물에 포함되는 성분들을 적절히 조합함으로써 구현될 수 있다.
또한, 본 발명의 금속막 식각액 조성물에 포함되는 성분들은 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
실시예들에 있어서, 상기 금속막 식각액 조성물의 식각 대상막이 되는 금속막은 특별하게 한정되지 않으며, 상기 금속막은 예를 들면 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막 또는 상기 은 함유막을 포함하는 2 이상의 다층막일 수 있으며, 실시예들의 금속막 식각액 조성물은 상기 예시된 금속막에 대한 우수한 식각 특성, 식각 균일성을 가진다.
구체적으로 상기 은 합금은 네오디늄(Nd), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 티타늄(Ti) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함하는 금속과 은(Ag)의 합금; 질소(N), 규소(Si), 탄소(C) 등의 도펀트 원소들이 은에 도핑된 질화은, 규화은, 탄화은 및/또는 산화은을 포함하는 은 화합물; 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있다.
상기 다층막은 예를 들면 전술한 은 함유막 외에 하나 이상의 인듐 산화막을 더 포함할 수 있으며, 구체적으로 인듐 산화막/은 함유막 등의 이중막 또는 인듐 산화막/은 함유막/인듐 산화막 등의 삼중막 적층구조를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 따른 금속막 식각액 조성물은 은 함유막 및 인듐 산화막의 적층 구조를 포함하는 다층막에 대해 우수한 식각 균일성을 가질 수 있다.
상기 인듐 산화막은 예를 들면 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO), 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 금속막 식각액 조성물은 금속막 식각용, 특히 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막 또는 상기 은 함유막을 포함하는 다층막의 식각용으로 특히 적합하며, 하부막을 손상시키지 않으면서 식각대상막에 대한 우수한 식각 특성, 식각 균일성 등을 나타낸다. 또한, 상기 금속막 식각액 조성물은 적정 점도를 가질 수 있어 경사진 기판 상에서의 금속막 식각시 상하부의 식각 속도 차이를 최소화 하여 하부 배선 유실 문제를 방지하므로, 대형 사이즈의 표시 장치 제조에 매우 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시예들은 도전 패턴 형성 방법을 제공한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조로 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 하기에서 본 발명의 바람직한 실시예들을 제시하나, 이들 실시예들은 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예들에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
도 1은 실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 도전막(200)을 형성하고, 기판(100)에 경사가 부여된 상태에서 도전막(200)에 아인산, 질산, 아세트산, 인산염 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 분사하여 도전막(200)을 식각한다.
기판(100)은 도전 패턴 등을 형성하기 위한 베이스 기판으로 제공되며, 실리콘(Si), 글래스(glass) 또는 유기물 재료를 사용할 수 있다. 실리콘 기판을 사용하는 경우 열산화 공정에 의해 그 표면에 절연층(미도시)을 더 형성할 수 있다.
도전막(200)은 기판(100) 상에 형성되며, 예를 들면 디스플레이 소자의 공통 전극 또는 반사 전극, 각종 배선 등을 포함하는 도전 패턴을 형성하기 위한 금속막일 수 있다.
상기 식각은 기판(100)에 경사가 부여된 상태에서 수행한다. 화상 표시 장치의 대형화가 이루어짐에 따라, 공정 수행에 따른 기판 파손을 방지하기 위해 기판에 소정 각도의 경사가 부여된 상태에서 식각을 수행할 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(100)을 일측에서 타측으로 상향 경사지게 놓은 후 식각액 조성물을 분사하여 기판(100) 상에 형성된 도전막(200) 등의 식각을 수행할 수 있다. 상기 도전 패턴 형성 방법은 전술한 금속막 식각액 조성물을 사용하므로 하부로 지나치게 식각액 조성물이 밀집되는 현상을 방지하여 상단 및 하단의 식각 속도 차이를 최소화하면서 도전막(200)을 우수한 수준으로 식각하여 도전 패턴을 형성할 수 있고, 하부 도전막(200)의 과도한 식각을 방지할 수 있으며, 하부 배선 유실 문제를 최소화할 수 있다. 이에, 본 발명의 도전 패턴 형성 방법은 대형 사이즈의 표시 장치, 터치 스크린 패널 등의 제조에 매우 바람직하다.
상기 금속막 식각액 조성물은 아인산, 질산, 아세트산, 인산염 및 잔량의 물을 포함하며, 예를 들면, 조성물 총 중량 중, 아인산 40 내지 60중량%; 질산 3 내지 8중량%; 아세트산 5 내지 20중량%; 인산염 0.1 내지 3중량%; 및 잔량의 물을 포함할 수 있다. 상기 조성일 때 조성물의 적정 점도를 구현할 수 있어 상단 및 하단의 식각 속도 차이를 최소화하면서 도전 패턴의 형성이 가능하여 하부 배선 유실 방지 효과가 우수하다.
도 2 및 도 3은 실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다. 도 2 및 도 3은 설명의 편의를 위해 기판에 경사가 부여되지 않은 것처럼 표현되었으나, 도전막(200)의 식각은 기판(100)에 경사가 부여된 상태에서 수행된다.
도 2를 참조하면, 도전막(200)은 은 함유막(210)을 포함하는 단일막 또는 2 이상의 다층막일 수 있다.
은 함유막(210)은 은 또는 은 합금을 포함할 수 있다. 상기 은 합금은 네오디늄(Nd), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 티타늄(Ti) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함하는 금속과 은(Ag)의 합금; 질소(N), 규소(Si), 탄소(C), 산소(O) 등의 도펀트 원소들이 은에 도핑된 질화은, 규화은, 탄화은 및/또는 산화은을 포함하는 은 화합물; 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있다.
도전막(200)은 예를 들면 전술한 은 함유막(210) 외에 하나 이상의 인듐 산화막을 더 포함할 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 인듐 산화막(220)/은 함유막(210) 등의 이중막 적층구조이거나 또는 인듐 산화막/은 함유막/인듐 산화막 등의 삼중막 적층구조일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
인듐 산화막(220)은 예를 들면 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO), 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3을 참조하면, 도전막(200)을 식각하여 도전 패턴(205)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 은 함유막(210) 및 인듐 산화막(220)을 포함하는 도전막(200)을 식각하여 은 함유 도전 패턴(215) 및 인듐 산화물 함유 도전 패턴(225)을 포함하는 도전 패턴(205)을 형성할 수 있다.
상기 식각은 실시예들에 따른 금속막 식각액 조성물을 사용하여 수행된다. 상기 금속막 식각액 조성물의 성분, 조성 등은 전술하였다.
실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법은 상기 금속막 식각액 조성물을 사용하므로, 식각 대상막인 도전막(200)에 대한 식각 특성 및 식각 균일성이 우수하다.
따라서, 상기 도전 패턴 형성 방법은 예를 들면 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등의 표시 장치(Display device), 터치 스크린 패널 등의 각종 전극, 배선 등의 제조에 바람직하게 사용될 수 있다.
도 4는 일 실시예의 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다. 도 4는 설명의 편의를 위해 기판에 경사가 부여되지 않은 것처럼 표현되었으나, 도전막(200)의 식각은 기판(100)에 경사가 부여된 상태에서 수행된다.
일 실시예에 따르면 도전 패턴은 액정표시장치, 유기발광표시장치 등의 표시장치에 포함되는 공통전극, 반사전극 또는 배선으로 사용될 수 있다.
도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(300)를 형성할 수 있다.
박막 트랜지스터(300)는 당분야에서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별하게 제한하지 않으며, 예를 들면 도 3에 도시된 바와 같이 활성층(310), 게이트 전극(330), 소스 및 드레인 전극(351, 352), 이들 각각을 전기적으로 절연하기 위한 절연층들(320, 340, 370) 등을 포함하여 형성될 수 있다.
활성층(310)은 기판(100) 상에 반도체 물질을 PVD, CVD, ALD 등의 공정에 의해 도포하고 패터닝함으로써 형성할 수 있다.
활성층(310)은 후술할 소스 전극(351) 및 드레인 전극(352)을 연결하는 채널 영역(미도시)를 포함할 수 있다.
사용 가능한 반도체 물질로는 예를 들면 당분야에서 일반적으로 사용되는 무기 반도체, 유기 반도체, 산화물 반도체 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
무기 반도체의 구체적인 예로는 CdS, GaS, ZnS, CdSe, CaSe, ZnSe, CdTe, SiC, Si 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
유기 반도체의 구체적인 예로는, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체를 포함할 수 있고, 저분자로서, 펜타센, 테트라센, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-6-티오펜, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 또는 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 또는 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체를 포함할 수 있다.
산화물 반도체의 구체적인 예로는 갈륨(Ga), 인(In), 아연(Zn) 및 주석(Sn) 군에서 선택된 하나 이상의 원소 및 산소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층은 ZnO, ZnGaO, ZnInO, GaInO, GaSnO, ZnSnO, InSnO, HfInZnO, ZnGaInO 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 GI-Z-O층[a(In2O3)b(Ga2O3)c(ZnO)층](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)일 수 있다.
제1 절연층(320)은 활성층(310)을 덮고, 활성층(310)의 채널을 보호한다. 제1 절연층(320)은 후술하는 바와 같이 소스 전극(251) 및 드레인 전극(252)과 컨택되는 영역을 제외한 활성층 전체를 덮도록 할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 절연층(320)은 식각 방지층(etch stop layer)의 역할도 수행할 수 있다.
제1 절연층(320)을 형성하기 위한 절연 물질은 특별히 한정되지 않고 당 분야에 통상적인 절연 물질이 사용될 수 있으며, 예를 들면 실리콘 옥사이드, 탄탈륨 옥사이드, 알루미늄 옥사이드 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
게이트 전극(330)은 예를 들면 도 3에 도시된 바와 같이 활성층(310) 상에 형성될 수 있으며, 예를 들면 활성층(310)과 게이트 전극(330) 사이에는 제1 절연층(320)이 형성되어 이들을 전기적으로 절연시킬 수 있다.
게이트 전극(330)은 예를 들면 제1 절연층(320) 상에 전도성 금속 산화물 등의 전도성 물질막을 형성하고, 이를 식각함으로써 형성될 수 있다.
예를 들면, 상기 전도성 물질막은 당분야에 공지된 알루미늄계 금속막, 몰리브덴계 금속막, 은계 금속막 또는 이들의 적층막일 수 있다.
상기 전도성 물질막은 당분야에 공지된 게이트 전극 형성용 식각액 조성물에 의해 식각될 수 있다.
제2 절연층(340)은 게이트 전극(330)을 덮으며, 전술한 절연 물질 등으로 형성되어 게이트 전극(330) 및 소스 및 드레인 전극(351, 352)을 전기적으로 절연시킬 수 있다.
소스 전극(351) 및 드레인 전극(352)은 활성층(310)과 컨택되도록 형성될 수 있다. 소스 전극(351) 및 드레인 전극(352)은 예를 들면 활성층(310)과 소스 및 드레인 전극(351, 352)이 컨택되는 부위에 대응되는 부위의 제1 절연층(320) 및 제2 절연층(340)에 컨택홀을 형성한 후, 제1 절연층(320) 및 제2 절연층(340) 상에 전도성 물질막을 형성하고 식각하여 형성할 수 있다. 상기 전도성 물질막은 알루미늄계 금속막, 몰리브덴계, 은계 금속막 또는 이들의 적층막일 수 있다.
제3 절연층(370)이 소스 및 드레인 전극(351, 352)과 게이트 전극(330) 등과의 전기적 절연을 위해 형성될 수 있다. 제3 절연층(370)은 전술한 절연물질로 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 화소 전극(400)은 박막 트랜지스터(300)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 예를 들면, 화소 전극(400)은 드레인 전극(352)에 연결되어 박막 트랜지스터(300)와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소 전극(400)은 예를 들면, 제3 절연층(370)에 컨택홀을 형성한 후, 전도성 물질막을 형성하고 이를 식각함으로써 드레인 전극(352)과 연결될 수 있다. 전도성 물질막은 알루미늄계 금속막, 몰리브덴계, 은계 금속막 또는 이들의 적층막일 수 있다.
표시층(500)은 화소 전극(400) 상에 형성되며, 예를 들면 액정표시장치의 액정층 또는 유기발광표시장치의 발광층일 수 있다.
화소 전극(400)은 제3 절연층(370)으로부터 적어도 일부가 노출되도록 형성될 수 있고, 이에 표시층(500)과 접촉 또는 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법은 화소 정의막(PDL)(600)을 박막 트랜지스터(300) 상에 더 형성할 수 있다. 화소 정의막(600)은 발광 영역을 정의해주며, 화소 전극(400) 및 후술할 반사 전극 등의 간격을 넓혀 전계가 집중되는 현상을 방지하여, 화소 전극(400) 및 상기 반사 전극 등의 단락을 방지한다.
화소 정의막(600)은 화소 전극(400)과 표시층(500)을 연결 또는 접촉시키기 위해, 화소 전극(400)의 적어도 일부를 외부로 노출시키는 개구부(610)를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면 개구부(610)는 화소 정의막(600)에서 화소 전극(400)과 표시층(500)이 연결될 부위를 패터닝하여 형성된 홀일 수 있다.
화소 정의막(600)은 전술한 절연 물질로 형성된 것일 수 있다.
도전막(200)은 표시부(500) 상에 형성되며, 도전막(200)은 전술한 금속막 식각액 조성물로 식각되어 공통전극 또는 반사전극, 배선을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 공통 전극은 화소 전극(400)에 대향되는 전극으로 기능할 수 있다. 예를 들면, 화소 전극(400)이 애노드인 경우, 상기 대향 전극은 캐소드일 수 있다. 전술한 금속막 식각액 조성물은 하부막을 손상시키지 않으면서 식각대상막에 대한 우수한 식각 특성을 나타내어 바람직하며, 기판(100)에 경사를 부여하여 식각이 수행되는 경우에도 상단 및 하단의 식각 속도차를 최소화하여 대형 사이즈의 표시 장치의 제조에 매우 적합하다.
도 5는 다른 일 실시예에 따른 도전 패턴 형성 방법을 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 도전 패턴은 터치 스크린 패널의 배선 또는 전극으로 제공될 수 있다. 예를 들면 도 4에 도시된 바와 같이 상기 터치 스크린 패널은 기판(100) 상에 배치된 센싱 전극들(810), 센싱 전극들(810)로부터 분기되는 배선들(820) 및 배선들(820)의 말단에 연결된 패드 전극들(830)을 포함할 수 있다.
터치 스크린 패널 또는 기판(100)은 도 4에서 점선 사각형으로 표시된 제1 영역(A) 및 제2 영역(B)으로 구분될 수 있다. 센싱 전극들(810)은 터치 스크린 패널의 제1 영역(A)에 배열되며, 배선들(820) 및 패드 전극들(830)은 제2 영역(B)에 배치될 수 있다.
제1 영역(A)은 예를 들면, 터치 지점을 검출하여 위치 정보를 생성하는 센싱 영역에 해당될 수 있다. 제2 영역(B)은 터치 스크린 패널(800)의 배선 영역 또는 트레이스 영역에 해당될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극들(810)은 기판(100) 상에 배열된 제1 센싱 전극들(810a) 및 제2 센싱 전극들(810b)을 포함할 수 있다.
제1 센싱 전극(810a)은 예를 들면, 다각형 형상의 단위 패턴들이 연결부를 통해 제1 방향을 따라 연결되며 연장할 수 있다. 따라서, 상기 제1 방향의 제1 센싱 라인이 정의되며, 복수의 상기 제1 센싱 라인들이 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향은 기판(100) 상면에 평행하며, 서로 수직하게 교차하는 두 방향을 지칭할 수 있다.
제2 센싱 전극(810b)은 예를 들면, 서로 물리적으로 이격된 다각형 형상의 단위 패턴들이 예를 들면 브릿지 전극에 의해 서로 전기적으로 연결되어 상기 제2 방향으로 연장될 수 있다. 예를 들면, 제2 센싱 전극(820b)의 상기 단위 패턴들은 상기 제2 방향으로 제1 센싱 전극(820a)의 상기 연결부를 사이에 두고 서로 마주보도록 배열될 수 있다.
제2 센싱 전극들(810b)에 의해 제1 센싱 전극들(810a)과 절연이 유지되면서 상기 제2 방향으로 연장하는 제2 센싱 라인이 정의될 수 있다. 복수의 상기 제2 센싱 라인들이 상기 제1 방향을 따라 배열될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 센싱 전극들(810)은 기판(100) 상에 도전막을 형성하고 이를 전술한 금속막 식각액 조성물에 의해 식각되어 패터닝된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 도전막은 전술한 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막 또는 상기 은 함유막을 포함하는 2 이상의 다층막일 수 있다.
구체적으로 상기 은 합금은 네오디늄(Nd), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 니오븀(Nb), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 티타늄(Ti) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함하는 금속과 은(Ag)의 합금; 질소(N), 규소(Si), 탄소(C) 등의 도펀트 원소들이 은에 도핑된 질화은, 규화은, 탄화은 및/또는 산화은을 포함하는 은 화합물; 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있다.
상기 다층막은 예를 들면 전술한 은 함유막 외에 하나 이상의 인듐 산화막을 더 포함할 수 있으며, 구체적으로 인듐 산화막/은 함유막 등의 이중막 또는 인듐 산화막/은 함유막/인듐 산화막 등의 삼중막 적층구조를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 인듐 산화막은 예를 들면 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO), 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO) 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 도전막은 전술한 금속막 식각액 조성물에 의해 식각되어 센싱 전극들(810)을 형성할 수 있다. 상기 금속막 식각액 조성물은 우수한 식각 특성 및 식각 균일성을 가지며, 기판(100)에 경사가 부여된 상태에서도 상단 및 하단의 식각 속도차가 최소화되므로 대형 사이즈의 터치 스크린 패널의 제조에 적합하다.
각 센싱 라인들로부터 배선들(820)이 분기되어 제2 영역(B) 상에 배열될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 배선들(820) 역시 센싱 전극(810)과 동일하게 도전막을 형성한 후 실시예들의 금속막 식각액으로 식각하여 형성된 것일 수 있다.
배선들(820)의 말단부들은 예를 들면, 기판(100)의 주변부에서 집합되어 패드 전극(830)과 연결될 수 있다. 패드 전극(830)은 센싱 전극(810)과 실질적으로 동일한 도전막을 형성한 후 전술한 금속막 식각액 조성물로 식각되어 패터닝된 것일 수 있다.
이 경우, 센싱 전극(810), 배선(820) 및 패드 전극(830)은 기판(100) 상에 순차적으로 도전막, 예를 들면 은 함유막을 포함하는 단일막 또는 다층막을 형성한 후, 실시예들의 금속막 식각액 조성물을 사용하여 실질적으로 일괄 식각 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 및 비교예
하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량으로 각각 150kg의 실시예 및 비교예의 금속막 식각액 조성물을 제조하였다. 또한, 각 금속막 식각액 조성물의 40℃에서의 점도를 점도측정계(Brookfield LVDV-Ⅱ+B형(spindle no.3, 30rpm))를 이용하여 측정하였다.
항목 성분(중량%) 점도(cp)
아인산 인산 질산 아세트산 인산염 물
실시예 1 50 - 8 14 2 잔량 4.5
실시예 2 40 - 8 14 2 잔량 3.5
실시예 3 60 - 8 14 2 잔량 5.4
비교예 1 35 - 8 14 2 잔량 2.7
비교예 2 65 - 8 14 2 잔량 6.5
비교예 3 - 50 8 14 2 잔량 6.3
인산염: 제1인산나트륨(NaH2PO4)
물: 탈이온수
실험예 : side etch 평가
금속막 식각액 조성물의 성능 테스트를 위하여 기판 상에 유기 절연막을 증착하고, 그 위에 ITO/Ag/ITO 삼중막을 각각 70Å, 1000Å, 70Å 두께로 증착한 680mm X 880mm 크기의 기판을 준비하였다.
이후, 실시예 및 비교예의 금속막 식각액 조성물을 사용하여 하기와 같이 성능 테스트를 진행하였다.
분사식 식각 장비(ETCHER, K.C.Tech 사 제조)에 실시예 및 비교예의 금속막 식각액 조성물을 주입하였다. 이후, 680mm X 880mm인 크기의 기판을, 지면을 기준으로 5°로 경사를 주어 장비에 위치시켰다. 금속막 식각액 조성물의 온도를 40℃로 설정한 후 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편에 금속막 식각액 조성물을 분사하여 식각 공정을 100초 동안 수행하였다. 이때 식각 공정에 사용되는 금속막 식각액 조성물은 제조된 직후의 것(하기 표 2에 0시간으로 표시)이 사용되거나, 제조된 후 12시간 동안 보관한 것(하기 표 2에 12시간으로 표시)이 사용되었다.
식각 공정이 종료된 후, 상기 시편을 탈이온수로 세정하고, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트 박리기(PR stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 이후, 식각된 시편을 전자주사현미경(SU-8010, HITACHI 사 제조)를 이용하여 상부 및 하부 금속막의 사이드 에치를 측정하였다. 사이드 에치(S/E)는 하기 수학식 1로 계산되어, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[수학식 1]
사이드 에치(S/E) = ((포토레지스트 양끝 부분의 너비) - (식각된 배선의 너비의 차))/2
사이드 에치
측정		 금속막 식각액 조성물의 보관 시간 사이드 에치(㎛) 실시예 비교예
1 2 3 1 2 3
0 시간 상부 0.27 0.18 0.35 에칭 안됨 0.41 0.21
하부 0.30 0.22 0.39 에칭 안됨 0.53 0.28
하부-상부 0.03 0.04 0.04 측정 불가 0.08 0.07
12 시간 상부 0.35 0.28 0.47 에칭 안됨 배선 유실 배선 유실
하부 0.42 0.39 0.59 에칭 안됨 배선 유실 배선 유실
상부-하부 0.07 0.11 0.12 측정 불가 측정 안됨 측정 안됨
상기 표 2를 참조하면, 실시예들의 금속막 식각액 조성물은 비교예들과 비교할 때 식각 특성을 저하시키지 않으면서도 상부, 하부의 식각 속도 차이가 최소화할 수 있어 대형 사이즈의 표시 장치 제조에 적절한 것을 확인할 수 있다.
또한, 실시예들의 금속막 식각액 조성물은 비교예들과 비교할 때 장기간 보관 시에도 식각 특성이 저하되지 않는다.
그러나, 비교예들의 금속막 식각액 조성물의 경우 상부, 하부의 식각 속도 차이가 매우 크거나, 과식각 현상으로 배선이 유실되었다.
100: 기판 200: 도전막
205: 도전 패턴 210: 은 함유막
215: 은 함유 도전 패턴 220: 인듐 산화막
225: 인듐 산화물 도전 패턴 300: 박막 트랜지스터
310: 활성층 320: 제1 절연층
330: 게이트 전극 340: 제2 절연층
351: 소스 전극 352: 드레인 전극
370: 제3 절연층 400: 화소 전극
500: 표시층 600: 화소 정의막
610: 개구부 810: 센싱 전극
810a: 제1 센싱 전극 810b: 제2 센싱 전극
820: 배선 830: 패드 전극

Claims (15)

  1. 조성물 총 중량 중,
    아인산 40 내지 60중량%;
    질산 3 내지 8중량%;
    아세트산 5 내지 20중량%;
    인산염 0.1 내지 3중량%; 및
    잔량의 물을 포함하며,
    40℃에서의 점도가 3.0 내지 6.0cp인, 금속막 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 아인산은 45 내지 55중량%로 포함되는, 금속막 식각액 조성물.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 인산염은 제1 인산나트륨, 제2 인산나트륨, 제3 인산나트륨, 제1 인산칼륨, 제2 인산칼륨, 제1 인산암모늄, 제2 인산암모늄, 제3 인산암모늄으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 금속막은 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막, 또는 상기 은 함유막을 포함하는 다층막인, 금속막 식각액 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 다층막은 인듐 산화막을 더 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 인듐 산화막은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO) 및 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO)로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 금속막 식각액 조성물.
  8. 기판 상에 도전막을 형성하는 단계; 및
    상기 기판에 경사가 부여된 상태에서 상기 도전막에 아인산 40 내지 60중량%, 질산 3 내지 8중량%, 아세트산 5 내지 20중량%, 인산염 0.1 내지 3중량% 및 잔량의 물을 포함하며, 40℃에서의 점도가 3.0 내지 6.0cp인 식각액 조성물을 분사하여 상기 도전막을 식각하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
  9. 삭제
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 도전막은 은 또는 은 합금을 포함하는 은 함유막, 또는 상기 은 함유막을 포함하는 다층막인, 도전 패턴 형성 방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 다층막은 인듐 산화막을 더 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 인듐 산화막은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO) 및 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO)로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 화소 전극 상에 표시층을 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 도전막은 상기 표시층 상에 형성되는, 도전 패턴 형성 방법.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 도전 패턴은 디스플레이 소자의 공통 전극 또는 반사 전극, 또는 배선을 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
  15. 청구항 8에 있어서, 상기 도전 패턴은 터치 스크린 패널의 배선 또는 전극인, 도전 패턴 형성 방법.
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