KR102664354B1 - 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 - Google Patents
은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 은 박막 식각액 조성물에 관한 것으로, (A) 질산; (B) 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상; (C) 인산; 및 (D) 물을 포함하는 은 박막 식각액 조성물로, 상기 식각액 조성물을 전해액으로 하여 유기발광디스플레이(OLED)의 S/D(소스/드레인) 전극으로 사용되는 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극 사이에서 측정된 갈바닉(Galvainc) 전류값이 40nA 이하인 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다.
Description
본 발명은 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
본격적인 정보화 시대로 접어들게 됨에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이 분야가 급속도로 발전해 왔으며, 이에 부응하여 다양한 평판 디스플레이가 개발되어 각광받고 있다.
이러한 평판디스플레이 장치의 예로는 액정디스플레이장치(Liquid crystal display device: LCD), 플라즈마디스플레이장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출디스플레이장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광디스플레이장치(Electroluminescence Display device: ELD), 유기발광디스플레이(Organic Light Emitting Diodes: OLED) 등을 들 수 있으며, 이러한 평판디스플레이 장치는 텔레비전이나 비디오 등의 가전분야뿐만 아니라 노트북과 같은 컴퓨터 및 핸드폰 등에 다양한 용도로 사용되고 있다. 이들 평판디스플레이 장치는 박형화, 경량화, 및 저소비전력화 등의 우수한 성능으로 인하여 기존에 사용되었던 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있는 실정이다.
특히 OLED는 소자 자체적으로 빛을 발광하며 저전압에서도 구동될 수 있기 때문에 최근 휴대기기 등의 소형 디스플레이 시장에 빠르게 적용되고 있다. 또한 OLED는 소형 디스플레이를 넘어서 대형 TV의 상용화를 목전에 둔 상태이다.
또한, 반사판의 경우 과거 알루미늄(Al) 반사판을 주로 제품에 이용해왔으나, 휘도 향상을 통한 저전력 소비실현을 위해서는 반사율이 더 높은 금속으로의 재료변경을 모색하고 있는 상태이다. 이를 위해 평판디스플레이장치에 적용되고 있는 금속들에 비해 낮은 비저항과 높은 휘도를 가지고 있는 은(Ag: 비저항 약 1.59μΩ㎝)막, 은합금 또는 이를 포함한 다층막을 칼라필터의 전극, LCD 또는 OLED 배선 및 반사판에 적용, 평판표시장치의 대형화와 고 해상도 및 저전력 소비 등을 실현하고자 하여, 이 재료의 적용을 위한 식각액의 개발이 요구되었다.
그러나, 은(Ag)은 유리 등의 절연 기판 또는 진성 비정질 규소나 도핑된 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체 기판 등의 하부 기판에 대해 접착성(adhesion)이 극히 불량하여 증착이 용이하지 않고, 배선의 들뜸(lifting) 또는 벗겨짐(Peeling)이 쉽게 유발된다. 또한, 은(Ag)도전층이 기판에 증착된 경우에도 이를 패터닝하기 위해 식각액을 사용하게 된다. 이러한 식각액으로서 종래의 식각액을 사용하는 경우 은(Ag)이 과도하게 식각되거나, 불균일하게 식각되어 배선의 들뜸 또는 벗겨짐 현상이 발생하고, 배선의 측면 프로파일이 불량하게 된다.
또한 고해상도 구현을 위한 낮은 스큐(LOW Skew)구현이 공정을 하는데 있어 어려움이 있다.
특히, 은(Ag)은 쉽게 환원이 되는 금속으로 식각 속도가 빨라야 잔사 유발 없이 식각이 되게 되는데 이때 식각 속도가 빨라 상하부 간 식각 속도의 차이가 발생하지 않아 식각 후 테이퍼 각(taper angle) 형성이 어렵고 식각 패턴의 직진성 확보에 어려움이 있어서, 배선 및 패턴 형성 시 많은 한계점을 가지고 있다. 또한, 은 식각액 조성물을 사용하여 은 박막 식각시, 기판 내 노출된 S/D 부의 금속막에 식각된 은 입자가 다시 흡착되는 문제가 발생하며, 이 경우 후속 공정에서 전기적 쇼트가 발생할 수 있어 불량 발생의 원인이 될 수 있다 점에서 문제가 있다.
이와 관련하여, 대한민국 공개특허 제10-2008-0009866호는 주 산화제로써 인산이 필수적으로 사용되는 인산계 은 식각액 조성물에 관한 것이나, 이를 이용하여 은 박막을 식각하는 경우 은 입자(particle)가 기판에 재흡착되는 등의 문제점이 있다. 따라서, 인산을 포함하는 식각액 조성물의 주요한 문제점인 사이드 에치(Side etch) 증가, 잔사, 은 재흡착 및 처리매수 증가에 따른 식각액 조성물의 성능 저하 문제를 완전히 해결할 수 있는 은 식각액 조성물의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 산화제로 인산을 포함하는 경우에도 은(Ag) 재흡착 문제가 발생하지 않으며, 은(Ag) 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막에 대해 우수한 식각특성을 갖는 은 박막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 하부막의 손상 없이 식각 균일성을 나타내는 습식 식각에 유용하게 사용될 수 있는 은 박막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 은 박막 식각액 조성물을 이용하는 식각 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 은 박막 식각액 조성물을 이용하는 금속 패턴의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, (A) 질산; (B) 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상; (C) 인산; 및 (D) 물을 포함하는 은 박막 식각액 조성물로, 상기 식각액 조성물을 전해액으로 하여 유기발광디스플레이(OLED)의 S/D(소스/드레인) 전극으로 사용되는 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극 사이에서 측정된 갈바닉(Galvainc) 전류값이 40nA 이하인 은 박막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은, 상기 은 박막 식각액 조성물을 사용하는 식각 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 은 박막 식각액 조성물을 사용하는 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 은 박막 식각액 조성물은 갈바닉(Galvainc) 전류값을 40nA 이하로 제한함으로써, 산화제로 인산을 포함함에도 은(Ag) 재흡착 문제가 발생하지 않으며, 이와 동시에 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막에 대해 우수한 식각특성을 갖는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 은 박막 식각액 조성물은 하부막의 손상 없이 식각 균일성을 나타내는 습식 식각에 유용하게 사용될 수 있다.
본 발명은 (A) 질산; (B) 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상; (C) 인산; 및 (D) 물을 포함하는 은 박막 식각액 조성물로, 상기 식각액 조성물을 전해액으로 하여 유기발광디스플레이(OLED)의 S/D(소스/드레인) 전극으로 사용되는 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극 사이에서 측정된 갈바닉(Galvainc) 전류값이 40nA 이하인 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법에 대한 것이다.
종래에는 은 박막을 식각하기 위하여 인산계 식각액 조성물을 사용하여왔으나, 인산을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 은 박막을 식각하는 경우 식각 시 형성되는 은 입자(particle)가 기판에 재흡착되는 등의 문제점이 발생하여, 인산을 포함하지 않는 은 식각액 조성물이 개발되고 있는 실정이다.
그러나, 본 발명의 발명자들은 식각액 조성물이 질산, 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상, 인산 및 물을 포함하고, 상기 식각액 조성물을 전해액으로 하여 유기발광디스플레이(OLED)의 S/D(소스/드레인) 전극으로 사용되는 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극 사이에서 측정된 갈바닉(Galvainc) 전류값이 40nA 이하인 것을 만족하는 경우, 산화제로 인산을 포함함에도 은 재흡착 문제가 발생하지 않으며, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 및 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막에 대해 우수한 식각특성 즉, 사이드 에치(Side etch)가 양호하고, 처리매수 증가에 따른 식각액 조성물의 성능 저하 문제가 발생하지 않는 효과를 갖는 것을 실험적으로 확인하여 본 발명을 완성하였다.
또한, 본 발명의 은 박막 식각액 조성물은 하부막의 손상 없이 식각 균일성을 나타내는 습식 식각에 유용하게 사용될 수 있다.
한편, 상기 은 재흡착은 기판 내 노출된 S/D 부의 금속막에, 식각된 은 입자가 부착되는 현상을 의미하는 것일 수 있으며, 상기 기판 내 노출된 S/D 부의 금속막은 Ti/Al/Ti, Ti/Cu/Ti, Mo/Cu/Mo, MoTi/Cu/MoTi 및 MoNb/Cu/MoNb 등일 수 있고, 특히 Ti/Al/Ti의 삼중막의 상부 Ti에의 은의 재흡착 일 수 있다.
상기 갈바닉 전류는 ZRA(Zero Resistance Ammeter)법에 따라 측정할 수 있다. 상기 본 발명의 식각액 조성물을 전해액으로 하고, 전압 또는 전류를 인가하지 않은 셀 오프(Cell Off) 상태에서 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극 사이에 흐르는 전류를 측정함으로써 갈바닉 전류값을 확인할 수 있다.
본 발명의 은 박막 식각액 조성물은 상기 방법에 의하여 측정된 갈바닉 전류값이 40nA 이하이며, 5 내지 40nA 인 것이 바람직하다. 상기 갈바닉 전류값 범위를 만족하는 경우, 은 박막의 식각 과정에서 은 재흡착을 방지할 수 있으므로 바람직하다. 상기 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극은 유기발광디스플레이(OLED)의 S/D(소스/드레인) 전극으로 사용되는 것일 수 있다.
본 발명의 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법은 상기 단일막 및 상기 다층막을 동시에 식각할 수 있는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 은 합금은 은을 주성분으로 하여 Nd, Cu, Pd, Nb, Ni, Mo, Ni, Cr, Mg, W, Pa, In, Zn, Sn, Al 및 Ti 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태와; 은의 질화물, 규화물, 탄화물, 산화물 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
상기 투명전도막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 다층막은 투명전도막/은, 투명전도막/은 합금, 투명전도막/은/투명전도막 또는 투명전도막/은 합금/투명전도막으로 형성되는 것을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 은 박막 식각액 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법은 반사막용 OLED TFT 어레이 기판, 터치스크린 패널용 trace 배선 또는 나노와이어(nanowire) 배선의 형성에 사용될 수 있으며, 이에 한정되지 않고 상기 단일막 및 상기 다층막을 포함하는 전자 부품 소재에 사용될 수 있다.
<은 박막 식각액 조성물>
본 발명의 식각액 조성물은, (A) 질산, (B) 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상 및 (C) 인산을 포함하며, 용제로써 (D) 물을 포함할 수 있다.
(A) 질산
본 발명의 은 박막 식각액 조성물에 포함되는 질산은 은 박막 및/또는 투명전도막을 산화시키는 데 사용되며, 은 박막 및/또는 투명전도막에 대한 식각속도를 결정하고, 균일한 식각이 가능하도록 조절하는 역할을 한다.
(B) 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상
본 발명의 은 박막 식각액 조성물은 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 철계화합물 및 과산화물 산화제는 상기 투명전도막에 대한 식각제로서 사용되고, 은 재흡착 발생에 따른 불량을 방지하는 역할을 한다. 또한, 철계화합물은 S/D 전극에 사용되는 알루미늄에 대한 손상이 적어 갈바닉 현상에 의해 발생되는 은 재흡착을 방지할 수 있으며, 산화력이 큰 이점으로 은 재흡착을 감소시킬 수 있고 식각 균일성이 우수하므로, 은 재흡착 방지 및 식각균일성 등의 관점에서 철계화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 철계화합물은 보다 구체적으로, 질산철, 질산제이철, 황산철 및 황산제이철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 질산제이철을 사용할 수 있다.
다만, 상기 철계화합물이 염화제이철(FeCl3)과 같이 염소화합물(즉, 염소이온)을 포함하는 경우, 은 박막 식각시 은 석출이 발생하는 문제점을 야기 시킨다. 따라서, 본 발명에서 철계화합물은 FeCl3 등의 염소화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
상기 과산화물 산화제는 보다 구체적으로, 과산화수소, 옥손 및 과황산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 과황산염은 구체적으로 과황산나트륨, 과황산칼륨 및 과황산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있으며, 바람직하게는 과황산암모늄을 사용할 수 있다.
(C) 인산
본 발명의 은 박막 식각액 조성물에 포함되는 인산은 은의 킬레이트화제로서 식각반응이 일어나도록 하며, 식각되어 나온 은 이온들이 기판 표면에 다시 재흡착되는 현상을 방지하는 역할을 한다.
(D) 물
본 발명의 은 박막 식각액 조성물에 포함되는 상기 물은 반도체 공정용 탈이온수일 수 있으며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 상기 탈이온수를 사용할 수 있다.
본 발명에서 물은 잔량으로 포함될 수 있으며, 상기 잔량은, 본 발명의 필수 성분 및 그 외 다른 성분들을 더 포함한 총 조성물의 중량이 100중량%가 되도록 하는 잔량을 의미한다.
한편, 본 발명의 은 박막 식각액 조성물이 초산을 포함하는 경우, 식각액 조성물의 경시 안정성을 저하시키는 문제점을 초래할 수 있다. 따라서, 본 발명의 은 박막 식각액 조성물은 초산을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
<은 박막 식각액 조성물을 이용한 식각 방법>
또한, 본 발명은, 본 발명에 따른 은 박막 식각액 조성물을 이용하는 식각 방법을 제공한다. 본 발명의 식각 방법은, 본 발명의 상기 은 박막 식각액 조성물을 사용하는 점을 제외하고는, 공지의 금속 식각 방법에 따라 패턴을 형성 할 수 있다.
일 예로, 상기 식각 방법은, i) 기판 상에, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막을 형성하는 단계; ii) 상기 단일막 또는 상기 다층막 위에 선택적으로 광 반응 물질을 남기는 단계; 및 iii) 본 발명에 따른 은 박막 식각액 조성물을 사용하여, 상기 단일막 또는 상기 다층막을 식각하는 단계를 포함한다.
<
은 박막 식각액 조성물을 이용한 금속 패턴의 형성 방법>
또한, 본 발명은, 본 발명에 따른 은 박막 식각액 조성물을 이용하는 금속 패턴의 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 금속 패턴의 형성 방법은, 본 발명의 상기 은 박막 식각액 조성물을 사용하는 점을 제외하고는, 공지의 금속 패턴 형성 방법에 따라 패턴을 형성 할 수 있다.
일 예로, 상기 금속 패턴의 형성 방법은, i) 기판 상에, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막을 형성하는 단계; 및 ii) 본 발명에 따른 은 박막 식각액 조성물을 사용하여, 상기 단일막 또는 상기 다층막을 식각하는 단계를 포함한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 표시되었고, 더욱이 특허 청구범위 기록과 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 함유하고 있다. 또한, 이하의 실시예, 비교예에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다.
실시예 및 비교예: 은 박막 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 나타난 조성에 따라 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 4의 은 박막 식각액 조성물을 제조하였으며, 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
| (단위: 중량%) | (A) 질산 | (B) | (C)인산 | 초산 | (D) 물 | ||||
| 질산제이철 | 과황산염 | 과산화수소 | 옥손 | 염화제이철 | |||||
| 실시예1 | 7 | 2 | - | - | - | - | 3 | - | 잔량 |
| 실시예2 | 7 | - | 5 | - | - | - | 3 | - | 잔량 |
| 실시예3 | 7 | - | - | 5 | - | - | 3 | - | 잔량 |
| 실시예4 | 7 | - | - | - | 5 | - | 3 | - | 잔량 |
| 실시예5 | 7 | 2 | - | - | - | - | 1 | - | 잔량 |
| 실시예6 | 7 | 2 | - | - | - | - | 5 | - | 잔량 |
| 실시예7 | 7 | 2 | - | - | - | - | 9 | - | 잔량 |
| 비교예1 | 7 | 2 | - | - | - | - | 10 | - | 잔량 |
| 비교예2 | 7 | - | - | - | - | - | 50 | - | 잔량 |
| 비교예3 | 25 | 2 | - | - | - | - | - | - | 잔량 |
| 비교예4 | 10 | 2 | - | 5 | - | - | 40 | - | 잔량 |
| 비교예5 | 7 | - | - | - | - | 2 | 3 | - | 잔량 |
| 비교예6 | 7 | 2 | - | - | - | - | 1 | 15 | 잔량 |
시험예
1. 갈바닉(Galvanic) 전류 측정
갈바닉 전류는 ZRA(Zero Resistance Ammeter)법을 사용하여 측정하였다. 상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 은 식각액 조성물을 전해액으로 하고, 전극 세팅을 완료한 후, 전압 또는 전류를 인가하지 않은 셀 오프(Cell Off) 상태에서 케이블의 연결과 동시에 하기 전극 1과 전극 2 사이에 흐르는 전류를 측정하였다.
- 전극 1: 티타늄(Ti) 전극
- 전극 2: 알루미늄(Al) 전극
2. 은 재흡착 평가
기판 상에 ITO(산화주석인듐)/은/ITO 삼중막을 형성한 뒤, 상기 삼중막 상에 포토레지스트를 패터닝하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사) 내에 상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 은 박막 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 승온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 85초로 실시하였다. 기판을 넣고 분사를 시작하여 85초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하였다. 상기 식각 공정으로 인해, 상기 기판 내 노출된 S/D 부의 Ti/Al/Ti 삼중막의 상부 Ti에 흡착된 은 입자의 개수를 측정하고, 하기의 기준으로 평가하여, 결과를 표 2 에 나타내었다.
<은 재흡착 평가 기준>
양호: 5개 미만
보통: 5개 이상 50개 미만
불량: 50개 이상
3. 경시안정성 평가
분사식 식각 방식의 실험장비(모델명: ETCHER(TFT), SEMES사) 내에 상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 은 박막 식각액 조성물을 각각 넣고, 온도를 40℃로 설정하여 가온 한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하였을 때 분사식 식각 방식 장비를 작동시켜, 식각액이 상기 분사식 식각 방식 장비 내에서 계속 순환하도록 하였다. 40±0.1℃에 도달된 0시간(Reference) 시점과 12시간 지난 시점에 각각 상기 시편의 식각 공정을 수행하였다. 총 식각 시간은 85초로 실시하였다. 기판을 넣고 분사를 시작하여 85초의 식각 시간이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하였다. 세정 및 건조 후 기판을 절단하고 단면을 전자주사현미경(SEM; 모델명: SU-8010, HITACHI사 제조)을 이용하여 편측 Side Etch(포토레지스트와 식각된 금속막의 거리)를 측정하였다. 0시간(Reference) 시점과 12시간 시점의 Side Etch 변동량을 하기의 기준으로 평가하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<경시안정성 평가 기준>
양호: 식각 변동량(S/E) ≤ 0.10㎛
보통: 0.10㎛ < 식각 변동량(S/E)≤0.20㎛
불량: 0.20㎛ < 식각 변동량(S/E)
| 갈바닉 전류 (nA) | Ag 재흡착 | 경시 안정성 | |
| 실시예1 | 20 | 양호 | 양호 |
| 실시예2 | 30 | 보통 | 양호 |
| 실시예3 | 25 | 보통 | 양호 |
| 실시예4 | 34 | 보통 | 양호 |
| 실시예5 | 25 | 양호 | 양호 |
| 실시예6 | 30 | 양호 | 양호 |
| 실시예7 | 40 | 양호 | 양호 |
| 비교예1 | 41 | 불량 | 양호 |
| 비교예2 | 234 | 불량 | 양호 |
| 비교예3 | 154 | 불량 | 양호 |
| 비교예4 | 262 | 불량 | 양호 |
| 비교예5 | 20 | 불량 | 양호 |
| 비교예6 | 28 | 양호 | 불량 |
상기 표 2를 참조하면, 갈바닉 전류값이 40nA 이하인 실시예 1 내지 7의 경우 은 재흡착 특성이 우수한 반면, 갈바닉 전류값이 40nA를 초과하는 비교예 1 내지 4의 경우 은 재흡착 특성이 불량한 것을 확인할 수 있다.
또한, 철계화합물로서 염화제이철(FeCl3)을 포함하는 비교예 5의 경우, 갈바닉 전류값은 40nA 이하를 나타내고 있으나, 은 재흡착 특성이 불량한 것을 확인할 수 있다. 이는 염화제이철에 포함된 염소이온(Cl-)에 의해 은이 염화은(AgCl) 형태로 석출되기 때문인 것으로 생각된다.
또한, 초산을 포함하는 비교예 6의 경우, 갈바닉 전류값이 40nA 이하이고, 은 재흡착 특성도 양호하나, 경시 안정성 특성이 불량한 것을 확인할 수 있다.
Claims (10)
- (A) 질산;
(B) 철계화합물 및 과산화물 산화제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상;
(C) 인산; 및
(D) 물을 포함하는 은 박막 식각액 조성물로,
상기 철계화합물은 염소화합물을 포함하지 않고,
상기 은 박막 식각액 조성물은 초산을 포함하지 않으며,
상기 식각액 조성물을 전해액으로 하여 유기발광디스플레이(OLED)의 S/D(소스/드레인) 전극으로 사용되는 알루미늄(Al) 전극과 티타늄(Ti) 전극 사이에서 측정된 갈바닉(Galvainc) 전류값이 40nA 이하인, 은 박막 식각액 조성물.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 철계화합물은 질산철, 질산제이철, 황산철 및 황산제이철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 은 박막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 과산화물 산화제는 과산화수소, 옥손 및 과황산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 은 박막 식각액 조성물.
- 청구항 4에 있어서,
상기 과황산염은 과황산나트륨, 과황산칼륨 및 과황산암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인, 은 박막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 은 박막 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막을 동시에 식각할 수 있는 것을 특징으로 하는 은 박막 식각액 조성물.
- 청구항 6에 있어서,
상기 투명전도막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 은 박막 식각액 조성물.
- 청구항 6에 있어서,
상기 다층막은 투명전도막/은, 투명전도막/은 합금, 투명전도막/은/투명전도막 또는 투명전도막/은 합금/투명전도막으로 형성되는 것을 포함하는 은 박막 식각액 조성물.
- 기판 상에, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막을 형성하는 단계;
상기 단일막 또는 상기 다층막 위에 선택적으로 광 반응 물질을 남기는 단계; 및
청구항 1의 조성물을 사용하여, 상기 단일막 또는 상기 다층막을 식각하는 단계를 포함하는 식각 방법.
- 기판 상에, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 투명전도막으로 구성되는 다층막을 형성하는 단계; 및
청구항 1의 조성물을 사용하여, 상기 단일막 또는 상기 다층막을 식각하는 단계를 포함하는 금속 패턴의 형성 방법.
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