TW201445008A - 銅質金屬層蝕刻組成物及製備金屬線方法 - Google Patents

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Min-Jeong Kwon
Jin-Sung Kim
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Abstract

本申請案揭示一種用於可展現絕佳錐形輪廓之一銅質金屬層的蝕刻組成物，以及一種使用該蝕刻組成物用於形成一佈線的方法。用於銅質金屬層的該蝕刻組成物包含：0.5至20 wt.%的過硫酸鹽、0.1至5 wt.%的唑化合物，以及作為剩餘部份的水，藉此選擇性地蝕刻該銅質金屬層，其具有絕佳直度的蝕刻圖案，且展現改良的錐形輪廓。

Description

銅質金屬層蝕刻組成物及製備金屬線方法
本發明關於用於展現絕佳的錐形輪廓之銅質金屬層的蝕刻組成物，以及一種用於使用該蝕刻組成物而形成佈線的方法。
具有包含銅的低阻抗佈線之代表性半導體設備可包含例如液晶顯示器(LCD)裝置。
前述LCD裝置(其為輕且薄膜形式的平板顯示器(FPD)，並且可取代現存的顯示器裝置，例如陰極射線管(CRT))利用液晶的光學同位性質表達影像，並且可被主動用於筆記型電腦或桌上型顯示器，其具有絕佳解析度、色彩顯示以及影像品質。
該液晶顯示器裝置通常具有色彩過濾基板、陣列基板以及形成在該色彩過濾基板與該陣列基板之間的液晶層。
最常用於該LCD裝置的驅動方法係為主動矩陣(AM)，其使用無定型矽薄膜電晶體(a-Si TFT)作為切換裝置而驅動畫素部分的液晶。
在該LCD裝置中，對於用於形成例如作用於干涉信號的資料線或閘極線之金屬線的材料而言，如果針對金屬線選擇具有低阻抗與高抗腐蝕性的金屬，則可改善產品的可靠度與價格競爭力。鋁(Al)或Al合金最常被用作為上述之金屬線材料。
然而，由於LCD裝置的尺寸增加且解析度變得高於SVGA、XGA、SXGA、VXGA等，當信號處理更加速時，掃描時間縮短。因此，需要使用低阻抗金屬材料來形成金屬線以處理這些狀況。
因此，最近已經提出用具有更佳阻抗與電遷移特性的銅取代現存的金屬線材料。
在前述狀況下，銅層或銅質金屬層的蝕刻組成物更需要使用新的低阻抗金屬膜。雖然目前已經使用不同種類的銅質金屬層的蝕刻組成物，但是使用者需要的理想效能尚未得到滿足。
例如，韓國專利公開案案號2005-0067934揭示蝕刻銅金屬層的蝕刻劑，包含硝酸、鹽酸、過氧化氫以及唑(azole)化合物；以及透明傳導層團塊。然而，上述專利的問題在於上層的銅金屬層以及下層的氧化銦層被蝕刻，因此可能發生電性短路或接線失敗。
因此，本發明之一目的是提供可形成具有優異直度的改良錐形輪廓之蝕刻組成物。
本發明之另一目的是提供用於銅質金屬層之蝕刻組成物，可不留下該銅質金屬層的殘留物。
本發明之另一目的是提供使用該蝕刻組成物用於形成佈線之方法。
本發明之上述目的將藉由以下特徵而達成：
(1) 一種用於銅質金屬層的蝕刻組成物，包含：0.5至20 重量百分比 (wt.%)的過硫酸鹽、0.1至5 wt.%的唑(azole)化合物以及水作為剩餘部份。
(2)根據上述(1)所述之蝕刻組成物，其中該過硫酸鹽是選自於由過硫酸鉀(K2S2O8)、過硫酸鈉(Na2S2O8)與過硫酸胺((NH4)2S2O8)所組成的群組中的至少其中之一。
(3) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，其中該唑(azole)化合物是選自於由三唑化合物、胺四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯啶化合物以及二氫吡咯化合物所組成的群組中的至少其中之一。
(4) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，進一步包含1至5 wt.%的有機(過)酸或其鹽類。
(5) 根據上述(4)所述之蝕刻組成物，其中該有機(過)酸是選自於由過醋酸、過氧苯甲酸、醋酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、甘醇酸、丙二酸、戊酸以及草酸所組成的群組中的至少其中之一。
(6) 根據上述(4)所述之蝕刻組成物，其中該有機(過)酸的該鹽類是選自於由有機(過)酸之鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。
(7) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，進一步包含3至15 wt.%的膦酸化合物。
(8) 根據上述(7)所述之蝕刻組成物，其中該膦酸鹽化合物是選自於由磷酸、2-氨基乙基膦酸、甲基磷酸二甲酯、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、亞乙基二胺四(亞甲基膦酸)、四亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、六亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、膦酸丁烷-三羧酸、N-(膦醯甲基)亞氨二乙酸、2-羧乙基膦酸、2-羥基膦醯羧酸以及胺基-三-(亞甲基-膦酸)所組成的群組中的至少其中之一。
(9) 根據上述(7)所述之蝕刻組成物，其中該膦酸鹽化合物是選自於由膦酸鹽化合物的鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。
(10) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，進一步包含0.5至3 wt.%的無機酸或其鹽類(其中，排除過硫酸鹽)。
(11) 根據上述(10)所述之蝕刻組成物，其中該無機酸是選自於由硝酸、硫酸、磷酸、硼酸與過氯酸所組成的群組中的至少其中之一。
(12) 根據上述(10)所述之蝕刻組成物，其中該無機酸之該鹽類是選自於由無機酸之鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一(其中，排除過硫酸鹽)。
(13) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，進一步包含0.5至5 wt.%的磺酸或其鹽類。
(14) 根據上述(13)所述之蝕刻組成物，其中該磺酸是選自於由胺基磺酸、甲磺酸、乙磺酸、對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、磺胺酸以及苯乙烯磺酸所組成的群組中的至少其中之一。
(15) 根據上述(13)所述之蝕刻組成物，其中該磺酸之該鹽類是選自於由鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。
(16) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，進一步包含0.5至3 wt.%的銅鹽(其中，排除過硫酸鹽)。
(17) 根據上述(16)所述之蝕刻組成物，其中該銅鹽是選自於由硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、醋酸銅以及氟化銅所組成的群組中的至少其中之一。
(18) 根據上述(1)所述之蝕刻組成物，其中該銅質金屬層被形成，同時包含：選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一；或包含選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一以及選自於由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)以及鎢(W)所組成的群組中的至少其中之一的金屬的合金。
(19) 根據上述(18)所述之蝕刻組成物，其中該銅質金屬層包含：具有一鉬層之一銅-鉬層，且該銅質金屬層形成在該鉬層上；或是具有一鉬合金層之一銅-鉬合金層，且該銅質金屬層形成在該鉬合金層上。
(20) 一種用於形成佈線的方法，其包含：(S1) 在一基板上，形成一金屬氧化物層；(S2)在該金屬氧化物層上，形成一銅質金屬層；(S3) 在該銅質金屬層上，選擇性形成一光阻圖案；以及(S4) 藉由使用根據上述(1)至(19)中任一者的蝕刻組成物，僅蝕刻在該金屬氧化物層上的該銅質金屬層。
(21) 根據上述(20)所述之方法，其中該金屬氧化物被形成，同時包含：以AxByCzO代表的一三成分系統或是四成分系統氧化物(其中A、B與C是各自獨立選自於由鋅(Zn)、鈦(Ti)、,鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)以及鉭(Ta)所組成的群組中的金屬；x、y與z的每一個表示一金屬比例，並且為0或大於0的整數，或是一質數)。
(22) 根據上述(20)所述之方法，其中該銅質金屬層被形成，同時包含：選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一；或包含選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一以及選自於由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)以及鎢(W)所組成的群組中的至少其中之一的金屬的合金。
(23) 根據上述(22)所述之方法，其中該銅質金屬層包含：具有一鉬層之一銅-鉬層，且該銅質金屬層形成在該鉬層上；或是具有一鉬合金層之一銅-鉬合金層，且該銅質金屬層形成在該鉬合金層上。
(24) 一種製造用於一液晶顯示器裝置之一陣列基板的方法，包含：a) 在一基板上，形成一閘極線；b) 在包含該閘極線的該基板上，形成一閘極絕緣層；c) 在該閘極絕緣層上，形成一半導體層；d) 在該半導體層上，形成一源極與汲極線；以及e) 形成連接至該汲極線的一畫素電極，其中該(a)步驟包含在該基板上形成銅質金屬層，以及使用上述(1)至(19)任一者所述之蝕刻組成物來蝕刻該銅質金屬層以形成該閘極線。
(25) 一種用於製造一液晶顯示器裝置之一陣列基板的方法，包含：a) 在一基板上，形成一閘極線；b)在包含該閘極線的該基板上，形成一閘極絕緣層；c) 在該閘極絕緣層上，形成一半導體層；d) 在該半導體層上，形成一源極與汲極線；以及e) 形成連接至該汲極線的一畫素電極，其中該步驟(d)包含在該半導體層上形成銅質金屬層，以及使用上述(1)至(19)任一者所述之蝕刻組成物來蝕刻該銅質金屬層以形成該源極與汲極線。
本發明的蝕刻組成物可選擇性蝕刻該銅質金屬層而不蝕刻下層的氧化物層。
除此之外，本發明的蝕刻組成物可具有蝕刻圖案之優異直度、展現改良的錐形輪廓，以及具有防止形成該銅質金屬層的殘留物之有利效果，因而提供防止例如電性短路、接線失敗、發光降低或類似者之優越效果。
根據本發明，形成金屬線的該方法採用濕蝕刻方法取代乾蝕刻方法，因此不需要昂貴設備，因而具有經濟優勢。
無。
無。
本發明揭示用於銅質金屬層的蝕刻組成物，其包含：0.5至20 wt.%的過硫酸鹽、0.1至5wt.%的唑(azole)化合物以及水作為剩餘部份，藉此選擇性蝕刻該銅質金屬層，其具有蝕刻圖案之絕佳直度，並且呈現改良的錐形輪廓。
而後，本發明之詳細說明如下。
本發明的蝕刻組成物包含過硫酸鹽、一唑(azole)化合物以及作為剩餘部份的水，其為用於蝕刻銅質金屬層的組成物。
根據本發明，該銅質金屬層是作為粗材料的膜，以形成轉換電信號的一金屬線，並且可指包含銅的金屬層。可使用本發明的蝕刻組成物之該銅質金屬層可為包含單層或多層膜的概念，並且可不特別限制為上述層並且與上述概念同時發生。例如，前述層可指一金屬層被形成，同時包含：選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一；或任一合金，該合金包含選自於由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)以及鎢(W)所組成的群組中的至少其中之一金屬以及選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一，然而，並不特別限制於此。
除此之外，該銅質金屬層可為包含單層與例如雙層之多層膜的概念。前述銅質金屬層可為單層或多層膜，例如銅-鉬層或是銅-鉬合金層。該銅-鉬層指包含一鉬層以及形成在該鉬層上的一銅質金屬層，而該銅-鉬合金層指包含一鉬合金層與形成在該鉬合金層上的一銅質金屬層。該鉬合金可包含鉬與選自於由Ti、Ta、Cr、Ni、Nd與In所組成的群組中的至少一金屬之合金。
包含在本發明的蝕刻組成物中的過硫酸鹽是蝕刻銅質金屬層的主要成分。過硫酸鹽可以組成物總重量的0.5至20 wt.%(以及較佳為1至15 wt.%)的量包含於其中。如果過硫酸鹽的含量小於0.5 wt.%，則蝕刻速度下降，而誘發該銅質金屬層蝕刻不足，並且當其含量超過20 wt.%時，整體蝕刻速度變高，由於過度蝕刻該銅質金屬層而造成蝕刻程度與控制蝕刻程序的困難。
本發明中可用的過硫酸鹽不特別受限，並且可包含例如過硫酸鉀(K2S2O8)、過硫酸鈉(Na2S2O8)、過硫酸胺((NH4)2S2O8)，其可單獨使用或是以二或更多個的任何組合使用。
包含在本發明之蝕刻組成物中的唑(azole)化合物的功能為控制蝕刻速度與減少圖案的CD損失，因而增加製程利潤。該唑化合物的含量可為該組成物總重量的0.1至5 wt.%，較佳為0.5至2 wt.%。如果該唑化合物的含量小於0.1 wt.%，則可能發生太大的CD損失，以及當其含量超過5 wt.%時，該銅質金屬層的蝕刻速度變得太低，會延長製程時間。
該唑化合物不特別受限，其可包含相關技藝中所使用的任何習知物。例如，該唑化合物較佳為具有1至30個碳原子的唑化合物。更特別地，三唑化合物、胺四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯啶化合物或二氫吡咯化合物可被單獨使用或以二或更多個之任何結合使用。
該三唑化合物可包含例如由以下式1所代表的化合物，其可被單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
　　 [式1]
(其中R1與R2各自獨立為氫原子、羧基、胺基、羥基、氰基、甲醯基或磺酸基；或是由羧基、胺基、羥基、氰基、甲醯基或磺酸基取代或未取代之具有1至20個碳原子的烷基或磺醯基，以及
Q為氫原子、羥基、由下式2所代表的取代基、或是由具有6至20個碳原子的芳基或羥基取代或未取代之具有1至10個碳原子的烷基或烷氧基，並且可包含醯胺或酯至少其中之一) 。
[式2]
(其中R3為具有1至6個碳原子的伸烷基，以及
R4與R5各自獨立為氫原子、羥基，或由羥基取代或未取代之具有1至10個碳原子的烷基、羥烷基或烷氧烷基)。
式1所代表的化合物可包含1,2,3-苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并三唑、1-(2,2-二羥基乙基) 苯并三唑、1-羥基苯并三唑、1-甲氧基苯并三唑、1-(1,2-二羥基丙基)苯并三唑、1-(2,3-二羥基丙基)苯并三唑、N,N-雙-(2-乙基己基)-芳基甲基-1氫-苯并三唑-1-甲胺、2,2'-{[(4-甲基-1氫-苯并三唑-1-基)甲基]亞胺基}雙乙醇、2,2'-{[(5-甲基-1氫-苯并三唑-1-基)甲基]亞胺基}雙乙醇、5-羧基苯并三唑丁酯、5-羧基苯并三唑辛酯、5-羧基苯并三唑十二酯等。
除了式1所代表的化合物之外，本發明的蝕刻組成物可進一步包含用於相關技藝中的任何習知三唑化合物。例如，該三唑化合物可包含1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、甲苯基三唑、4-胺基-1,2,4-三唑等，其可單獨使用或以二或更多個的任何結合使用。
舉例而言，該咪唑化合物可包含2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-胺基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑、4-丙基咪唑或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個的結合使用。
舉例而言，該胺基四唑化合物可包含胺基四唑、5-胺基-1-苯基四唑、5-胺基-1-(1-萘基)四唑、1-甲基-5-胺基四唑、1,5-二胺基四唑或類似物，以及較佳為使用胺基四唑。
舉例而言，該吲哚化合物可包含胺基烷基吲哚、苯基吲哚、甲基吲哚、苯乙醯基吲哚、吲哚咔唑，其可單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
舉例而言，該嘌呤化合物可包含6-二甲基胺基嘌呤、2,6-二氯-7-甲基-7氫-嘌呤、6-(γ,γ-二甲基丙烯基)嘌呤、2-胺基-6-氯-9氫-嘌呤-9-醋酸或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
舉例而言，該吡唑化合物可包含3-苯基-1氫-吡唑、3-(胺基甲基)吡唑、5-(2-噻吩基)吡唑、1-(2-氫乙基)-吡唑、3-(2-噻吩基)吡唑、5-甲基-1氫-吡唑、4-硝基-1氫-吡唑、1氫-吡唑-5-硼酸或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
舉例而言，該吡啶化合物可包含4-(胺基乙基)吡啶、2-(甲基胺基)吡啶、吡啶三氟醋酸鹽、吡啶-4-乙醯胺、2-[(吡啶-3-羰基)-胺基]-苯甲酸或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
舉例而言，該嘧啶化合物可包含嘧啶-5-羧酸、嘧啶-2-羧酸或類似物，其係單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
舉例而言，該吡咯化合物可包含吡咯-2-羧酸、吡咯-3-羧酸、1-(2-胺基苯基)吡咯、1氫-吡咯-1-丙酸或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
舉例而言，該吡咯啶化合物可包含1-(2-胺基乙基)吡咯啶、吡咯啶-3-羧酸、吡咯啶-3-羧酸氯化氫, 吡咯啶-1,2-二羧酸1-苯基酯或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個之任意結合使用。
該二氫吡咯化合物可包含3-二氫吡咯、2-甲基-1-二氫吡咯、1-苯甲基-3-二氫吡咯或類似物，其可單獨使用或是以二或更多個之任何結合使用。
可選地，本發明的蝕刻組成物可進一步包含有機(過)酸或是其鹽類。
該有機(過)酸或是其鹽類可控制該蝕刻劑的pH以增加過硫酸鹽的活性，因而控制銅質金屬層的蝕刻速度，用以抑制過硫酸鹽的降解，以及扮演對於銅質金屬層之蝕刻的氧化輔助劑之角色。在本發明中，有機(過)酸是指有機酸、有機過酸或是其結合。
該有機(過)酸或其鹽類之含量可為該組成物總重量之1至5 wt.%，較佳為1至3 wt.%。如果有機(過)酸或其鹽類之含量小於1 wt.%，則可能發生銅質金屬層中的未蝕刻部分，以及當其含量超過5 wt.%時，蝕刻速度變得很高，造成製程控制的困難。
該有機(過)酸或其鹽類的特別範例可包含選自於由過醋酸、過苯甲酸、醋酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、丙二酸、戊酸以及草酸所組成的群組中的至少其中之一。該有機(過)酸之鹽可包含選自於由鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。
可選地，本發明之蝕刻組成物可進一步包含一膦酸鹽化合物。
該膦酸鹽化合物可在蝕刻銅層的過程中螯合進入該蝕刻劑的銅離子，以控制銅離子的活性，藉此抑制過硫酸鹽的降解。由於降低銅離子的活性，在使用該蝕刻劑的過程中該製程可穩定進行。該膦酸鹽化合物的含量可為該組成物總重量的3至15 wt.%，較佳為5至10 wt.%。如果該膦酸鹽的含量小於3 wt.%，蝕刻均勻度會降低並且加速過硫酸鹽的降解，因而降低處理容量，以及當其含量超過15 wt.%時，整體蝕刻速度變高，造成製程控制困難，以及該蝕刻劑的黏性增加。
該膦酸鹽化合物包含膦酸鹽、膦酸鹽衍生物以及其鹽類。該膦酸鹽化合物的特別範例可包含選自於由磷酸、2-胺基乙基膦酸(2-AEP)、甲基膦酸二甲酯(DMMP)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、胺基三(亞甲基膦酸)(ATMP)、乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)、四亞甲二胺四(亞甲基膦酸)(TDTMP)、六亞甲二胺四(亞甲基膦酸)(HDTMP)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)(DTPMP)、膦酸丁烷-三羧酸(PBTC)、N-(膦醯基甲基)亞氨基二乙酸(PMIDA)、2-羧乙基膦酸(CEPA)、2-羥基膦醯基乙酸(HPAA)以及胺基-三-(亞甲基-膦酸)(AMP)所組成的群組中的至少其中之一；或其鹽類。
該膦酸化合物的鹽可包含選自於由膦酸化合物的鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。
可選地，本發明的蝕刻組成物可進一步包含無機酸或其鹽類(其中排除過硫酸鹽)。
該無機酸或其鹽類(其中排除過硫酸鹽)可控制該蝕刻劑的pH，以增加過硫酸鹽的活性，因而控制該銅質金屬層的蝕刻速度，以及用以增加該蝕刻表面的錐角。該無機酸或其鹽類的含量可為該組合物總重量的0.5至3.0 wt.%，較佳為1.0至2.0 wt.%。如果該無機酸或其鹽類的含量小於0.5 wt.%，則蝕刻速度降低，以及當該含量超過3.0 wt.%時，該蝕刻速度非常快，而誘發過度蝕刻的問題並且破壞光阻。
該無機酸或其鹽類的特別範例可包含選自於由硝酸、硫酸、磷酸、硼酸以及過氯酸所組成的群組中的至少其中之一。在這方面，由於氫氯酸可破壞以下一些範例所描述之銅質金屬層與金屬氧化物層，因此該無機酸或其鹽類可不包含氫氯酸。該無機酸之鹽類可包含選自於由鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一，但排除過硫酸鹽。
可選地，本發明的蝕刻組成物可進一步包含磺酸或其鹽類。
磺酸或其鹽類在水溶液中解離(RSO3H → -RSO3 -＋ H+)，以表現酸的性質。磺酸的酸性比例如醋酸之羧酸強，並且實質上類似於硫酸。在本發明的蝕刻組成物中，磺酸可控制該蝕刻劑的pH，以增加過硫酸鹽的活性，因而控制銅質金屬層的蝕刻速度，以及用以抑制過硫酸鹽的退化且減小蝕刻表面的錐角。在本發明中，磺酸是共同地指具有-SO3H的化合物，並且包含無機磺酸與有機磺酸。
磺酸或其鹽類的含量可為該組成物總重量的0.5至5 wt.%，較佳為1至3 wt.%。如果磺酸或其鹽類的含量小於0.5 wt%，則蝕刻速度降低，以及當其含量超過5 wt.%時，蝕刻速度會非常快，而造成製程控制困難。
磺酸或其鹽類的特別範例可包含選自於由醯胺磺酸、甲磺酸、乙磺酸、對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、胺磺酸以及聚苯乙烯磺酸所組成的群組中的至少其中之一。磺酸之鹽類可包含由鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。
可選地，本發明的蝕刻組成物可進一步包含銅鹽(其中排除過硫酸鹽)。
該銅鹽可控制蝕刻劑的pH，以增加過硫酸鹽的活性，因而控制銅質金屬層的蝕刻速度，而控制CD變化(斜的)，並且用以抑制過硫酸鹽的降解與減小蝕刻表面的錐角。
銅鹽的含量可為該組成物總重量的0.5至3 wt.%，較佳為1至2 wt.%。如果銅鹽的含量小於0.5 wt.%，則待處理之張數可能嚴重發生CD變化(斜的)，以及當其含量超過3 wt.%時，主要氧化劑的氧化效能降低，而造成待處理之張數減少。
銅鹽的特別範例可包含選自於由硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、醋酸銅與氟化銅所組成的群組中的至少其中之一。
在本發明的蝕刻組成物中，水的含量是除了前述成分含量外達到組成物之總重100 wt.%之剩餘部份。本發明所使用的水不特別受限，較佳地為去離子水。再者，較佳使用阻抗值為18 MΩ‧cm或更高的去離子水。該阻抗值是指從水移除離子的程度。
可選地，本發明的蝕刻組成物可進一步包含界面活性劑。該界面活性劑可扮演降低表面張力的角色，以增加蝕刻均勻度。該界面活性劑不特別受限，只要其可抵抗本發明之蝕刻組成物，並且可與其相容，然而，該界面活性劑較佳包含例如選自於由陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、兩性界面活性劑、非離子性界面活性劑以及多元醇形式界面活性劑所組成的群組中的至少其中之一、二或更多。
除了前述成分之外，本發明的蝕刻組成物可進一步包含任何習知的添加物。例如，該添加物可為金屬離子螯合劑、抗腐蝕劑或類似物。
本發明的前述蝕刻組成物可蝕刻層壓的銅質金屬層以及塊狀中的金屬氧化物層，並且形成具有絕佳直度的錐形輪廓，因而可有效被用於佈線的形成。
根據本發明，形成佈線的方法之一實施例可包含：(S1)在基板上形成金屬氧化物層；(S2)在該金屬氧化物層上，形成銅質金屬層；(S3)在該銅質金屬層上，選擇性形成光阻圖案；以及(S4)藉由使用前述根據本發明之蝕刻組成物，僅蝕刻該金屬氧化物層上的該銅質金屬層。
根據本發明之用於形成佈線的方法，可藉由任何習知的曝光與顯影製程而使用習知光阻以形成該光阻圖案。
根據本發明之用於形成佈線的方法，該金屬氧化物層是可形成氧化物半導體層的一膜，以及可為相關技藝中所使用之任何習知的金屬氧化物層。該金屬氧化物層可包含例如以AxByCzO代表的三成分系統或是四成分系統氧化物(其中A、B與C各自獨立地選自於由鋅(Zn)、鈦(Ti)、,鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)以及鉭(Ta)所組成的群組中的金屬；x、y與z的每一個表示一金屬比例，並且為0或大於0的整數，或是一質數)。
根據本發明，用於形成佈線的方法可用於製造LCD裝置的陣列基板。而後，根據本發明用於製造LCD裝置的陣列基板之製程將詳述如下。
首先，在基板上，形成閘極線。該閘極線可作用於根據透過閘極線而傳遞的電信號以控制源極/汲極之間的電流。該閘極線的材料可包含前述銅質金屬層，因此，可能藉由使用根據本發明的蝕刻組成物，而形成具有所需圖案的該銅質金屬層。
接著，在該閘極線上，形成閘極絕緣層。該閘極絕緣層可作用以從一頂部主動層隔離該閘極線，以防止流入該主動層的電流流入該閘極線。
該閘極絕緣層的形成如下所述。例如，使用電漿化學蒸氣沉積(CVD)方法，以於包含該閘極線的基板上，均勻地形成該閘極絕緣層。可使用絕緣材料形成該閘極絕緣層，該絕緣材料是由選自於氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧氮化矽(SiONx)或類似物的至少其中之一所製成。
接著，在該閘極絕緣層上形成一半導體層。根據來自該閘極線的電信號，該半導體層成為電流的通路。藉由使用前述金屬氧化物材料(AxByCzO)的電漿CVD方法，可在該閘極絕緣層上不均勻地形成該主動層。
接著，在該半導體層上，形成源極與汲極線。該源極線與汲極線可作為將電信號轉換為畫素。此處所使用的該源極/汲極線的材料可包含前述銅質金屬層，因此可能藉由使用根據本發明的蝕刻組成物，來形成所需圖案之該源極/汲極線。
此後，形成連接至該汲極線的畫素電極。
根據前述製程，可製造用於LCD的陣列基板。
此後，將更具體描述較佳實施例，並且參考範例以了解本發明。然而，熟悉相關技藝的人士可明白此實施例是被提供用於說明目的，並且可有各種修飾與變化而不脫離本發明的範圍與精神，以及申請專利範圍所定義之本發明皆包含此些修飾與變化。
範例
1-1. 範例1至5以及比較例1至4
根據下表1所列的組成物成分，已經在範例1至5與比較例1至4中製備蝕刻組成物(單位：相對於總100 wt.%的重量%)。
 [表1]　
1-2. 實驗範例 2
在一玻璃基板(100 mm × 100 mm)上沉積一金屬氧化物材料(ITO)以及在上述層上沉積銅層之後，透過光微影蝕刻，在該基板上形成具有所需圖案之光阻。而後，使用範例1至5與比較例1至4中所製備的各個組成物，分別對於銅質金屬層進行蝕刻製程。
使用注入蝕刻型號的設備(型號名稱：ETCHER (TFT), SEMES公司)，以及在蝕刻過程中將蝕刻組成物保持在溫度約為30℃。然而，需要的話可依其他製程條件與其他因子而適當改變溫度。通常該蝕刻被執行約100秒，其可依該蝕刻溫度而改變。在蝕刻製程過程中，藉由橫切面SEM(由Hitachi公司製造，型號名稱為：S-4700)檢視該被蝕刻的銅質金屬層之概況，以及該檢測結果如下表2所示。
<評估蝕刻概況的標準>
　　 ○: 錐角為大於或等於35°至小於或等於60°
　　 △: 錐角小於35°或大於60°
　　 Χ: 底切或倒反錐形
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻　　　　　
　　 <評估蝕刻直度的標準>
　　 ○: 直的圖案
　　 △:等於或少於20%為曲的圖案
　　 Χ: 超過20%為曲的圖案
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 [表2]
如表2所示，範例1至5中的蝕刻組成物各自呈現良好的蝕刻特性。
然而，在具有較本發明更低含量的過硫酸鹽的比較例1中，不可能有銅層的蝕刻，以及在具有大量的過硫酸鹽的比較例2中，確認有過度蝕刻狀態的發生。同樣地，在具有小量的唑化合物的比較例3中，確認有過度蝕刻的發生。再者，在具有大量的唑化合物的比較例4中，則不可能有銅層的蝕刻。
2-1. 範例6至11以及比較例5至10
根據以下表3所示的組成物成分，已經在範例6至11以及比較例5至10中製備蝕刻組成物(單位：相對於總100 wt.%的重量%)。
　　 [表3]
　　 2-2. 實驗範例 2
在玻璃基板(100 mm × 100 mm)上沉積金屬氧化物材料(ITO)以及在上述層上沉積銅層之後，透過微影蝕刻，在該基板上，形成具有所需圖案的光阻。而後，使用範例6至11與比較例5至10中所製備的各個組成物，分別對於銅質金屬層進行蝕刻製程。
使用注入蝕刻型號的設備(型號名稱：ETCHER (TFT), SEMES公司)，以及在蝕刻過程中將蝕刻組成物保持在溫度約為30℃。然而，需要的話可依其他製程條件與其他因子而適當改變溫度。通常該蝕刻被執行約100秒，其可依該蝕刻溫度而改變。在蝕刻製程過程中，藉由橫切面SEM(由Hitachi公司製造，型號名稱為：S-4700)檢視該被蝕刻的銅質金屬層之概況，以及該檢測結果如下表4所示。
<評估蝕刻概況的標準>
　　 ○: 錐角為大於或等於35°至小於60°
　　 △:錐角為大於或等於30°至小於35°；或大於或等於60°至小於或等於65°
　　 Χ:錐角為小於或等於30°，或是大於65°
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 <評估蝕刻直度的標準>
　　 ○:直的圖案
　　 △:等於或少於20%為曲的圖案
　　 Χ:超過20%為曲的圖案
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 [表4]
如表4所示，範例6至11中的蝕刻組成物各自呈現良好的蝕刻特性。
然而，在具有較本發明更低含量的過硫酸鹽的比較例5中，不可能有該銅層的蝕刻，以及具有大量的過硫酸鹽的比較例6中，確認有過度蝕刻狀態的發生。同樣地，在具有小量的唑化合物的比較例7中，確認有過度蝕刻的發生。再者，在具有大量的唑化合物的比較例8中，則不可能有銅層的蝕刻。再者，在具有大量的有機(過)酸或其鹽類的比較例9中，確認有過度蝕刻狀態，以及在具有小量的有機(過)酸或其鹽類的比較例10中，則該蝕刻速度低且蝕刻概況差。
3-1. 範例12至17以及比較例11至16
根據以下表5所示的組成物成分，已經在範例12至17以及比較例11至16中製備蝕刻組成物(單位：相對於總100 wt.%的重量%)。
　　 [表5]
3-2.實驗範例3
在玻璃基板(100 mm × 100 mm)上沉積一金屬氧化物材料(ITO)以及在上述層上沉積銅層之後，透過微影蝕刻，在該基板上，形成具有所需圖案的光阻。而後，使用範例12至17與比較例11至16中所製備的各個組成物，分別對於銅質金屬層進行蝕刻製程。
使用注入蝕刻型號的設備(型號名稱：ETCHER (TFT), SEMES公司)，以及在蝕刻過程中將蝕刻組成物保持在溫度約為30℃。然而，需要的話可依其他製程條件與其他因子而適當改變溫度。通常該蝕刻被執行約100秒，其可依該蝕刻溫度而改變。在蝕刻製程過程中，藉由橫切面SEM(由Hitachi公司製造，型號名稱為：S-4700)檢視該被蝕刻的銅質金屬層之概況，以及該檢測結果如下表6所示。
<評估蝕刻概況的標準>
　　 ○:錐角為大於或等於35°至小於60°
　　 △:錐角為大於或等於30°至小於35°；或是大於或等於60°至小於或等於65°
　　 Χ:錐角為小於或等於30°或是大於65°
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 <評估蝕刻直度的標準>
　　 ○:直的圖案
　　 △: 等於或少於20%為曲的圖案
　　 Χ: 超過20%為曲的圖案
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 [表6]
如表6所示，範例12至17中的蝕刻組成物各自呈現良好的蝕刻特性。
然而，在具有較本發明更低含量的過硫酸鹽的比較例11中，不可能有銅層的蝕刻，以及在具有大量的過硫酸鹽的比較例12中，確認有過度蝕刻狀態的發生。同樣地，在具有小量的唑化合物的比較例13中，確認有過度蝕刻的發生。再者，在具有大量的唑化合物的比較例14，則不可能有銅層的蝕刻。再者，在具有小量的膦酸鹽化合物的比較例15中，則該蝕刻速度低且蝕刻概況差，以及在具有大量的膦酸鹽化合物的比較例16中，確認有過度蝕刻狀態的發生。
4-1.範例18至23與比較範例17至22
根據以下表7所示的組成物成分，已經在範例18至23以及比較例17至22中製備蝕刻組成物(單位：相對於總100 wt.%的重量%)。
　　 [表7]
4-2.實驗範例4
　　 在玻璃基板(100 mm × 100 mm)上沉積金屬氧化物材料(ITO)以及在上述層上沉積銅層之後，透過微影蝕刻，在該基板上，形成具有所需圖案的光阻。而後，使用範例18至23與比較例17至22中所製備的各個組成物，分別對於銅質金屬層進行蝕刻製程。
使用注入蝕刻型號的設備(型號名稱：ETCHER (TFT), SEMES公司)，以及在蝕刻過程中將蝕刻組成物保持在溫度約為30℃。然而，需要的話可依其他製程條件與其他因子而適當改變溫度。通常該蝕刻被執行約100秒，其可依該蝕刻溫度而改變。在蝕刻製程過程中，藉由橫切面SEM(由Hitachi公司製造，型號名稱為：S-4700)檢視該被蝕刻的銅質金屬層之概況，以及該檢測結果如下表8所示。
<評估蝕刻概況的標準>
　　 ○:錐角大於或等於35°至小於或等於60°
　　 △:錐角小於35°或大於60°
　　 Χ:底切或倒反錐形
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 <評估蝕刻直度的標準>
　　 ○:直的圖案
　　 △: 等於或少於20%為曲的圖案
　　 Χ: 超過20%為曲的圖案
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 [表8]
如表8所示，範例18至23中的蝕刻組成物各自呈現良好的蝕刻特性。
然而，在具有較本發明更低含量的過硫酸鹽的比較例17中，不可能有銅層的蝕刻，以及具有大量的過硫酸鹽的比較例18中，確認有過度蝕刻狀態的發生。同樣地，在具有小量的唑化合物的比較例19中，確認有過度蝕刻的發生。再者，在具有大量的唑化合物的比較例20中，則不可能有銅層的蝕刻。再者，在具有小量的無機酸或其鹽類的比較例21中，則蝕刻概況和直度差，以及在具有大量的無機酸或其鹽類的比較例22中，由於光阻(PR)升高現象而發生Cu圖案超出狀態。
5-1.範例19至24以及比較例23至28
根據以下表9所示的組成物成分，已經在範例19至24以及比較例23至28中製備蝕刻組成物(單位：相對於總100 wt.%的重量%)。
　　 [表9]
5-2.實驗範例5
在玻璃基板(100 mm × 100 mm)上沉積金屬氧化物材料(ITO)以及在上述層上沉積銅層之後，透過微影蝕刻，在該基板上，形成具有所需圖案的光阻。而後，使用範例19至24與比較例23至28中所製備的各個組成物，分別對於銅質金屬層進行蝕刻製程。
使用注入蝕刻型號的設備(型號名稱：ETCHER (TFT), SEMES公司)，以及在蝕刻過程中將蝕刻組成物保持在溫度約為30℃。然而，需要的話可依其他製程條件與其他因子而適當改變溫度。通常該蝕刻被執行約100秒，其可依該蝕刻溫度而改變。在蝕刻製程過程中，藉由橫切面SEM(由Hitachi公司製造，型號名稱為：S-4700)檢視該被蝕刻的銅質金屬層之概況，以及該檢測結果如下表10所示。
<評估蝕刻概況的標準>　
　　 ○:錐角大於或等於35°至小於60°
　　 △:錐角大於或等於30°至小於35°；或是大於或等於60°至小於或等於65°
     Χ:錐角小於或等於30°或大於65°
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 <評估蝕刻直度的標準>
　　 ○:直的圖案
　　 △: 等於或少於20%為曲的圖案
　　 Χ: 超過20%為曲的圖案
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 [表10]
如表10所示，範例19至24中的蝕刻組成物各自呈現良好的蝕刻特性。
然而，在具有較本發明更低含量的過硫酸鹽的比較例23中，不可能有銅層的蝕刻，以及具有大量的過硫酸鹽的比較例24中，確認有過度蝕刻狀態的發生。同樣地，在具有小量的唑化合物的比較例25中，確認有過度蝕刻的發生。再者，在具有大量的唑化合物的比較例26中，則不可能有銅層的蝕刻。再者，在具有大量的磺酸或其鹽類的比較例27中，確認有過度蝕刻的狀態，以及在具有小量的磺酸或其鹽類的比較例28中，該蝕刻速度低且蝕刻概況差。
6-1.範例25至30以及比較例29至34
根據以下表11所示的組成物成分，已經在範例25至30以及比較例29至34中製備蝕刻組成物(單位：相對於總100 wt.%的重量%)。
　　 [表11]
6-2.實驗範例6
在玻璃基板(100 mm × 100 mm)上沉積金屬氧化物材料(ITO)以及在上述層上沉積銅層之後，透過微影蝕刻，在該基板上，形成具有所需圖案的光阻。而後，使用範例25至30與比較例29至34中所製備的各個組成物，分別對於銅質金屬層進行蝕刻製程。
使用注入蝕刻型號的設備(型號名稱：ETCHER (TFT), SEMES公司)，以及在蝕刻過程中將蝕刻組成物保持在溫度約為30℃。然而，可依其他製程條件與其他因子而適當改變溫度。通常該蝕刻被執行約100秒，其可依該蝕刻溫度而改變。在蝕刻製程過程中，藉由橫切面SEM(由Hitachi公司製造，型號名稱為：S-4700)檢視該被蝕刻的銅質金屬層之概況，以及該檢測結果如下表12所示。
<評估蝕刻概況的標準>　
　　 ○:錐角大於或等於35°至小於或等於60°
　　 △:錐角小於35°或大於60°
　　 Χ:底切或倒反錐形
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 <評估蝕刻直度的標準>
　　 ○:直的圖案
　　 △: 等於或少於20%為曲的圖案
　　 Χ: 超過20%為曲的圖案
　　 未蝕刻:沒有被蝕刻
　　 [表12]
如表12所示，範例25至30中的蝕刻組成物各自呈現良好的蝕刻特性。
然而，在具有較本發明更低含量的過硫酸鹽的比較例29中，不可能有該銅層的蝕刻，以及在具有大量的過硫酸鹽的比較例30中，確認有過度蝕刻狀態的發生。同樣地，在具有小量的唑化合物的比較例31中，確認有過度蝕刻的發生。再者，在具有大量的唑化合物的比較例32中，則不可能有銅層的蝕刻。再者，在具有大量的銅鹽的比較例33中，蝕刻概況與直度惡化，以及在具有小量的銅鹽的比較例34中，低蝕刻速度亦造成蝕刻概況與直度惡化。
無。

Claims (1)


1. 一種用於一銅質金屬層的蝕刻組成物，包括：0.5至20 wt.%的過硫酸鹽、0.1至5 重量百分比(wt.%)的唑化合物，以及作為剩餘部份的水。

2. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，其中該過硫酸鹽是選自於由過硫酸鉀(K

2

S

2

O

8

)、過硫酸鈉(Na

2

S

2

O

8

)以及過硫酸胺((NH

4

)

2

S

2

O

8

)所組成的群組中的至少其中之一。

3. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，其中該唑化合物是選自於由三唑化合物、胺四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯啶化合物以及二氫吡咯化合物所組成的群組中的至少其中之一。

4. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，進一步包括1至5 wt.%的有機(過)酸或其鹽類。

5. 如申請專利範圍第4項所述之蝕刻組成物，其中該有機(過)酸是選自於由過醋酸、過氧苯甲酸、醋酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡萄糖酸、甘醇酸、丙二酸、戊酸以及草酸所組成的群組中的至少其中之一。

6. 如申請專利範圍第4項所述之蝕刻組成物，其中該有機(過)酸的該鹽類是選自由有機(過)酸之一鉀鹽、鈉鹽與胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。

7. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，進一步包括3至15 wt.%的膦酸化合物。

8. 如申請專利範圍第7項所述之蝕刻組成物，其中該膦酸化合物是選自於由磷酸、2-氨基乙基膦酸、甲基磷酸二甲酯、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、亞乙基二胺四(亞甲基膦酸)、四亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、六亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、膦酸丁烷-三羧酸、N-(膦醯甲基)亞氨二乙酸、2-羧乙基膦酸、2-羥基膦醯羧酸以及胺基-三-(亞甲基-膦酸)所組成的群組中的至少其中之一。

9. 如申請專利範圍第7項所述之蝕刻組成物，其中該膦酸鹽化合物是選自於由膦酸鹽化合物的鉀鹽、鈉鹽以及胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。

10. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，進一步包括0.5至3 wt.%的無機酸或其鹽類(其中，排除過硫酸鹽)。

11. 如申請專利範圍第10項所述之蝕刻組成物，其中該無機酸是選自於由硝酸、硫酸、磷酸、硼酸與過氯酸所組成的群組中的至少其中之一。

12. 如申請專利範圍第10項所述之蝕刻組成物，其中該無機酸的該鹽類是選自於由無機酸之鉀鹽、鈉鹽以及胺鹽所組成的群組中的至少其中之一(其中，排除過硫酸鹽)。

13. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，進一步包括0.5至5 wt.%的磺酸或其鹽類。

14. 如申請專利範圍第13項所述之蝕刻組成物，其中該磺酸是選自於由胺基磺酸、甲磺酸、乙磺酸、對甲苯磺酸、三氟甲磺酸、苯磺酸、磺胺酸以及苯乙烯磺酸所組成的群組中的至少其中之一。

15. 如申請專利範圍第13項所述之蝕刻組成物，其中該磺酸之該鹽類是選自於由鉀鹽、鈉鹽以及胺鹽所組成的群組中的至少其中之一。

16. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，進一步包括0.5至3 wt.%的銅鹽(其中，排除過硫酸鹽)。

17. 如申請專利範圍第16項所述之蝕刻組成物，其中該銅鹽是選自於由硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、醋酸銅以及氟化銅所組成的群組中的至少其中之一。

18. 如申請專利範圍第1項所述之蝕刻組成物，其中該銅質金屬層被形成，同時包括：選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一；或包含選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一以及選自於由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)以及鎢(W)所組成的群組中的至少其中之一的一金屬的一合金。

19. 如申請專利範圍第18項所述之蝕刻組成物，其中該銅質金屬層包含：具有一鉬層之一銅-鉬層，且該銅質金屬層形成在該鉬層上；或是具有一鉬合金層之一銅-鉬合金層，且該銅質金屬層形成在該鉬合金層上。

20. 一種用於形成一佈線的方法，包括：

　 (S1) 在一基板上，形成一金屬氧化物層；

　 (S2) 在該金屬氧化物層上，形成一銅質金屬層；

　 (S3) 在該銅質金屬層上，選擇性形成一光阻圖案；以及

　 (S4) 藉由使用如申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之蝕刻組成物，僅蝕刻在該金屬氧化物層上的該銅質金屬層。

21. 如申請專利範圍第20項所述之蝕刻組成物，其中該金屬氧化物被形成，同時包括：以A

x

B

y

C

z

O代表的一三成分系統或是四成分系統氧化物(其中A、B與C是各自獨立選自於由鋅(Zn)、鈦(Ti)、,鎘(Cd)、鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋯(Zr)以及鉭(Ta)所組成的群組中的金屬；x、y與z的每一個表示一金屬比例，並且為0或大於0的一整數，或是一質數)。

22. 如申請專利範圍第20項所述之蝕刻組成物，其中該銅質金屬層被形成，同時包括：選自於由銅、氮化銅以及氧化銅所組成的群組中的至少其中之一；或包含選自於由銅、氮化銅與氧化銅所組成的群組中的至少其中之一以及選自於由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鈀(Pd)、鉿(Hf)、鉭(Ta)以及鎢(W)所組成的群組中的至少其中之一的一金屬的一合金。

23. 如申請專利範圍第22項所述之蝕刻組成物，其中該銅質金屬層包含：具有一鉬層之一銅-鉬層，且該銅質金屬層形成在該鉬層上；或是具有一鉬合金層之一銅-鉬合金層，且該銅質金屬層形成在該鉬合金層上。

24. 一種製造用於一液晶顯示器裝置之一陣列基板的方法，包括：

a) 在一基板上，形成一閘極線；

b) 在包含該閘極線的該基板上，形成一閘極絕緣層；

c) 在該閘極絕緣層上，形成一半導體層；

d) 在該半導體層上，形成一源極與汲極線；以及

e) 形成連接至該汲極線的一畫素電極，

其中該(a)步驟包含在該基板上形成一銅質金屬層，以及使用申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之蝕刻組成物，來蝕刻該銅質金屬層以形成該閘極線。

25. 一種製造用於一液晶顯示器裝置之一陣列基板的方法，包括：

a) 在一基板上，形成一閘極線；

b) 在包含該閘極線的該基板上，形成一閘極絕緣層；

c) 在該閘極絕緣層上，形成一半導體層；

d) 在該半導體層上，形成一源極與汲極線；以及

e) 形成連接至該汲極線的一畫素電極，

其中該步驟(d)包含在該半導體層上形成一銅質金屬層，以及使用申請專利範圍第1項至第19項中任一項所述之蝕刻組成物，來蝕刻該銅質金屬層以形成該源極與汲極線。
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