CN114807942B - 一种过硫酸钠微蚀添加剂及其应用 - Google Patents

一种过硫酸钠微蚀添加剂及其应用 Download PDF

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Abstract

本申请涉及印制电路板的微蚀刻处理技术领域,尤其涉及一种过硫酸钠微蚀添加剂及其应用。所述过硫酸钠微蚀添加剂,由如下重量千分比的组分组成:唑类化合物3‑5‰、窄分布烷基醇醚1‑2‰、三嗪类化合物0‑0.1‰、硅烷偶联剂0‑2‰、余量为水。本申请通过过硫酸钠微蚀添加剂的添加,显著降低了过硫酸钠(SPS)的用量,节省使用成本的同时,提高了后制程粘附干湿膜地附着力,从而保障了PCB板的表面性能和制造良率。

Description

一种过硫酸钠微蚀添加剂及其应用
技术领域
本申请涉及印制电路板的微蚀刻处理技术领域,更具体地说,它涉及一种过硫酸钠微蚀添加剂及其应用。
背景技术
印制电路板又称PCB板,是电子工业的重要部件之一,常用作电子元器件电气相互连接的载体,由于其具有可使系统小型化、轻量化、信号传输高速化等特点,被广泛应用于集成电路领域,其中PCB板的铜面微蚀刻处理工艺会直接影响到PCB板的最终性能,因此如何通过改进铜面微蚀刻处理工艺以制备性能优良的PCB板就成了现阶段的主要研究课题。
相关技术中的铜面微蚀刻处理方法包括机械粗化处理、过硫酸钠(SPS)处理、复合钾盐(PPS)、硫酸-双氧水体系等,其中以应用最为普遍的过硫酸钠(SPS)处理为例,即采用过硫酸钠与硫酸复配,对铜面进行咬蚀的反应,其反应方程如下:Na2S2O8+Cu→CuSO4+Na2SO4
经上述过硫酸钠(SPS)处理后的PCB板虽也能完成微蚀刻,但由于反应过程中Cu2+和Na2SO4的含量持续增高、Na2S2O8不断被消耗,其咬蚀量和咬蚀速率也逐步降低,因而不能获得稳定的咬蚀量,且反应的咬蚀速率需建立在过硫酸钠(SPS)的高浓度上,使用成本较高。
发明内容
为保障咬蚀速率的同时,减少过硫酸钠(SPS)的用量,以降低使用成本,以及微蚀后获得更好的附着力表面,本申请提供一种过硫酸钠微蚀添加剂及其应用。
第一方面,本申请提供一种过硫酸钠微蚀添加剂,采用如下的技术方案:
一种过硫酸钠微蚀添加剂,由如下重量千分比的组分组成:唑类化合物3-5‰、窄分布烷基醇醚1-2‰、三嗪类化合物0-0.1‰、硅烷偶联剂0-2‰、余量为水。
通过采用上述技术方案,由上述唑类化合物、窄分布烷基醇醚共混而成的混合水溶液,其具有促进过硫酸钠持续反应的作用,能够保障咬蚀速率的同时,相对减少过硫酸钠(SPS)的用量;
分析其原因可能是由于:
本申请中所得的过硫酸钠微蚀添加剂其中应用于过硫酸钠(SPS)体系时,可通过促进硫酸根自由基的产生以及增加PCB板铜面活性位点,从而提高过硫酸钠的活化效果和电子转移效率,在减少67.5-87.5%过硫酸钠(SPS)的用量基础上,保障了其过硫酸钠体系的咬蚀速率,其咬蚀速率为1.52-1.83um/min;
此外可通过三嗪类化合物的选择性添加,以赋予微蚀后PCB板更优的附着力表面,以此保障PCB板的表面性能和制造量品率,可提升铜面粗糙度10-30%;硅烷偶联剂的选择性添加,以赋予添加剂各组分优良的结合分散效果,从而保障过硫酸钠微蚀添加剂的促进催化作用,提升PCB板制作品质。
优选的,所述唑类化合物为咪唑、噻唑、吡唑及其衍生物中的一种或多种。
通过采用上述技术方案,由上述咪唑、噻唑、吡唑及其衍生物混合而成的唑类化合物,均能有效促进硫酸根自由基的产生以及活化过硫酸钠,从而在减少过硫酸钠(SPS)的用量基础上,保障了其过硫酸钠体系的咬蚀速率。
优选的,所述唑类化合物为2-氨基苯并咪唑、2-氨基噻唑、2-甲基咪唑、吡唑、甲基吡唑、2,4-二甲基咪唑、2-巯基-1-甲基咪唑、1-甲基咪唑中一种或多种。
优选的,所述唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:(0.3-0.5)组成。
通过采用上述技术方案,由上述配比组分混合而成的唑类化合物,除均能有效促进硫酸根自由基的产生以及活化过硫酸钠外,唑类化合物的各组分间还具有复配效果,多组分复配使用时,其咬蚀速率为1.62-1.76um/min,相比单独使用唑类化合物中的任一,提升了3-9%,且使用寿命稳定,产业作业时微蚀速率的波动较小。
优选的,所述窄分布烷基醇醚为Berol 260、Berol 266和Berol 840中的一种或多种。
通过采用上述技术方案,由上述配比、组分混合而成的窄分布烷基醇醚,除均能起到较优的表面活化和分散作用外,还能与唑类化合物复配增加PCB板铜面活性位点,以此保障过硫酸钠的反应速率。
优选的,所述三嗪类化合物的重量千分比为0.010-0.100‰。
优选的,所述三嗪类化合物为2,4,6三(氨基己酸基)-1,3,5三嗪、2,4,6三巯基-1,3,5三嗪、1,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇、6-(二丁氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇、2,4-二氨基-6-二烯丙氨基-1,3,5-三嗪、6-苯胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇和6-氨基三嗪-2,4-二醇中的一种或多种。
通过采用上述技术方案,上述组分三嗪类化合物的掺入除能作为附着改良剂通过聚合而成的纳米薄膜增强过硫酸钠体系与铜面的结合反应外,还可与唑类化合物复配效促进硫酸根自由基的产生以及活化过硫酸钠,以此小幅度增强其咬蚀速率。
优选的,所述硅烷偶联剂的重量千分比为0.5-2‰;
所述硅烷偶联剂为KH-570、KH-550、UP-572、UP-590、SI-69、B011372中的一种或多种。
通过采用上述技术方案,上述组分硅烷偶联剂的掺入除能赋予添加剂各组分优良的结合分散效果外,还可通过硅醇基团与金属表面的酸性氧化物反应建立硅氧烷桥连接促使自由基与活性位点的接触反应,从而提升了电子转移效率,保障了过硫酸钠微蚀添加剂的促进催化作用。
第二方面,本申请提供一种过硫酸钠微蚀添加剂的应用,采用如下的技术方案:一种所述的过硫酸钠微蚀添加剂在过硫酸钠(SPS)处理中的应用,能够保障微蚀品质和咬蚀速率的同时,减少过硫酸钠(SPS)的67.5-87.5%用量。
优选的,所述过硫酸钠微蚀添加剂的用量为1-10g/L,所述过硫酸钠微蚀添加剂与过硫酸钠的用量比为1:(8-12)。
综上所述,本申请具有以下有益效果:
1、本申请通过咪唑、窄分布烷基醇醚的掺入,有效促进了过硫酸钠的持续反应,在能够保障咬蚀量和咬蚀速率的同时,相对减少过硫酸钠(SPS)的用量,降低使用成本;
2、本申请中所掺入的三嗪类化合物,除能作为附着改良剂增强过硫酸钠体系与铜面的结合反应外,还可与咪唑复配效促进硫酸根自由基的产生以及活化过硫酸钠;
3、本申请中所掺入的硅烷偶联剂,除能赋予添加剂各组分优良的结合分散效果外,还可进一步提升微蚀过程中的电子转移效率,从而保障了过硫酸钠微蚀添加剂的促进催化作用;
4、本申请中所得的过硫酸钠微蚀添加剂可应用于过硫酸钠(SPS)处理中,能够保障咬蚀量和咬蚀速率的同时,可减少过硫酸钠(SPS)的67.5-87.5%用量,显著降低了使用成本。
具体实施方式
以下结合实施例对本申请作进一步详细说明。
本申请的各实施例中所用的原料,除下述特殊说明之外,其他均为市售:Berol260、Berol 266和Berol 840,均采购自阿克苏诺贝尔化学品(宁波)有限公司。
实施例
实施例1
一种过硫酸钠微蚀添加剂,按每1kg计,各组分及其相应的重量如表1所示,并通过如下制备方法制得:
按照配比称取唑类化合物、窄分布烷基醇醚、三嗪类化合物、硅烷偶联剂和水并以2000r/min混合30min至均匀即得过硫酸钠微蚀添加剂;
其中唑类化合物为2-氨基苯并咪唑,窄分布烷基醇醚为Berol 260,三嗪类化合物为2,4,6三(氨基己酸基)-1,3,5三嗪,硅烷偶联剂为KH-570。
实施例2-6
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的不同之处在于,各组分及其相应的重量如表1所示。
表1实施例1-6中过硫酸钠微蚀添加剂各组分及其重量(g)
实施例7
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,唑类化合物为2-氨基噻唑。
实施例8
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,唑类化合物为甲基咪唑。
实施例9
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:0.2组成。
实施例10
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:0.3组成。
实施例11
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,所述咪唑由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:0.4组成。
实施例12
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:0.5组成。
实施例13
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:0.8组成。
实施例14
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,窄分布烷基醇醚为Berol266。
实施例15
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,窄分布烷基醇醚为Berol840。
实施例16
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,窄分布烷基醇醚由Berol260和Berol 266按重量比1:0.8组成。
实施例17
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,窄分布烷基醇醚由Berol260和Berol 840按重量比1:1.2组成。
实施例18
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例1的区别之处在于,窄分布烷基醇醚由Berol260、Berol 266和Berol 840按重量比1:0.8:1.2组成。
实施例19
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,三嗪类化合物为2,4,6三巯基-1,3,5三嗪。
实施例20
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,三嗪类化合物为1,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇。
实施例21
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,三嗪类化合物由2,4,6三(氨基己酸基)-1,3,5三嗪和2,4,6三巯基-1,3,5三嗪按重量比1:0.8组成。
实施例22
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,三嗪类化合物由2,4,6三(氨基己酸基)-1,3,5三嗪和1,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇按重量比1:0.5组成。
实施例23
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,硅烷偶联剂为KH-550。
实施例24
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,硅烷偶联剂由KH-550、KH-570和UP-572按重量比1:0.8:0.3组成。
实施例25
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与实施例2的区别之处在于,硅烷偶联剂由KH-550、UP-572和UP-590按重量比1:0.3:0.5组成。
性能检测试验
选取应用例和对比例中制得过硫酸钠微蚀添加剂作为检测对象,分别测试加入硫酸钠加速剂组别的咬蚀速率和粗糙度(采用三丰粗糙度仪TR200金属表面粗糙度进行测量),具体检测步骤如下:
1)取一块双面覆铜板(粗糙度为Ra=0.2um),经除油、水洗工序后,放置烘箱中于105±5℃干燥15分钟,在干燥器中冷却至室温;
2)天平称重G1(单位:克,请精确到小数点后2位);
3)将上述覆铜板按设定的时间或传输速度过微蚀缸,记录处理时间T(min);
4)经二级水洗,吹干后放置烘箱中于105±5℃干燥15分钟,在干燥器中冷却至室温;
5)天平称重G2(单位:克,请精确到小数点后2位);
6)测量测试板面积S(两面面积之和,单位:cm2)
计算:微蚀速率(um/min)=[(G1-G2)/8.96×S×T]×10000
微蚀速率可调整槽液浓度(以过硫酸钠为主)或槽液温度来控制。
应用例
应用例1
一种过硫酸钠体系,包括由实施例1中制得过硫酸钠微蚀添加剂,需对PCB板进行铜面微蚀刻处理时,先将过硫酸钠微蚀添加剂添加到产线已配制好的过硫酸钠与硫酸的混合水溶液中,然后开启设备循环喷淋15min并控温至30度,即可通过流水线作业开始铜面微蚀刻处理;
其中过硫酸钠微蚀添加剂的用量为2.5g/L,硫酸的用量为40g/L,过硫酸钠的用量为32.5g/L。
应用例2-6
一种过硫酸钠体系,与应用例1的不同之处在于,所用过硫酸钠微蚀添加剂的使用情况不同,具体对应关系下表所示。
表:应用例2-6中过硫酸钠微蚀添加剂使用情况对照表
组别 过硫酸钠微蚀添加剂
应用例2 由实施例2制得
应用例3 由实施例3制得
应用例4 由实施例4制得
应用例5 由实施例5制得
应用例6 由实施例6制得
对比例1
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与应用例1的不同之处在于,不包含过硫酸钠微蚀添加剂。
对比例2
一种过硫酸钠微蚀添加剂,与应用例1的不同之处在于,不包含过硫酸钠微蚀添加剂,硫酸的用量为40g/L,过硫酸钠的用量为97.5g/L。
抽取上述应用例1-6和对比例1-2中制得的过硫酸钠体系,按上述测量步骤和测量标准测试其咬蚀速率和粗糙度,测试结果取平均值记入下表。
从上表中可以看出,应用例1-6中制得过硫酸钠微蚀添加剂均能有效促进过硫酸钠持续地反应,其咬蚀速率高达1.63-1.83um/min,相比未加入过硫酸钠微蚀添加剂的对比例1提升了46-63%,其粗糙度Ra为0.35-0.42um,相比未加入过硫酸钠微蚀添加剂的对比例1提升了46-63%;
可见由上述咪唑、窄分布烷基醇醚共混而成的混合水溶液,其具有促进过硫酸钠持续反应的作用,能够保障咬蚀量和咬蚀速率的同时,相对减少过硫酸钠(SPS)的用量,由应用例1和对比例2易知,两者性能接近的同时,其过硫酸钠(SPS)的用量为97.5g/L,节省了67%。
特别是,应用例3-6中制得的过硫酸钠微蚀添加剂,其催化加速效果较优,咬蚀速率高达1.81-1.83um/min,粗糙度为0.38-0.41um;相比应用例1未掺入三嗪类化合物和硅烷偶联剂的组别,其分别提升了11-12%、9-17%;相比应用例2仅未掺入硅烷偶联剂的组别仅咬蚀速率提升了0.6-1.7%;
结合上述实验结果,分析其原因可能是由于本申请中所得的过硫酸钠微蚀添加剂其中应用于过硫酸钠(SPS)体系时,可通过促进硫酸根自由基的产生以及增加PCB板铜面活性位点,从而提高过硫酸钠的活化效果和电子转移效率,以此保障过硫酸钠微蚀添加剂的加速催化效果。
应用例7-11
一种过硫酸钠体系,与应用例1的不同之处在于,所用过硫酸钠微蚀添加剂的用量情况不同,具体用量如下表所示。
表:应用例7-11中过硫酸钠微蚀添加剂用量情况对照表
抽取上述应用例7-11中制得的过硫酸钠体系,按上述测量步骤和测量标准测试其咬蚀速率和粗糙度,测试结果取平均值记入下表。
从上表中可以看出,上述用量的硫酸钠微蚀添加剂均能有效促进过硫酸钠持续地反应,其咬蚀速率高达1.52-1.64um/min,其粗糙度Ra为0.35-0.36um;
特别是,应用例1、8-9为优选例,当过硫酸钠微蚀添加剂的用量为2.0-3.0g/L时,其催化加速效果较优,咬蚀速率高达1.62-1.63um/min,粗糙度为0.35um,且随着过硫酸钠微蚀添加剂用量的增加,其性能并未如预期般增加,参见应用例10-11,因此综合考虑以2.0-3.0g/L为优选用量。
应用例12-18
一种过硫酸钠体系,与应用例1的不同之处在于,所用过硫酸钠微蚀添加剂的使用情况不同,具体对应关系下表所示。
表:应用例12-18中过硫酸钠微蚀添加剂使用情况对照表
抽取上述应用例12-18中制得的过硫酸钠体系,按上述测量步骤和测量标准测试其咬蚀速率和粗糙度,测试结果取平均值记入下表。
从上表中可以看出,应用例12-18中制得过硫酸钠微蚀添加剂均能有效促进过硫酸钠持续地反应,其咬蚀速率高达1.62-1.76um/min,其粗糙度为0.35-0.42um;
可见由上述配比组分混合而成的咪唑,均能有效促进硫酸根自由基的产生以及活化过硫酸钠,从而达到保障咬蚀量和咬蚀速率的同时,相对减少过硫酸钠(SPS)用量的目的。
特别是,应用例14-18中制得的过硫酸钠微蚀添加剂,其催化加速效果较优,其咬蚀速率高达1.68-1.76um/min,粗糙度为0.38-0.42um,相比应用例1、12-13单独使用唑类化合物中的任一分别提升了3-9%、6-20%;
进一步优选的,当唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:(0.3-0.5)组成时,其各组分间具有显著复配效果,可促进硫酸根自由基的产生并活化过硫酸钠,参见应用例15-17。
应用例19-23
一种过硫酸钠体系,与应用例1的不同之处在于,所用过硫酸钠微蚀添加剂的使用情况不同,具体对应关系下表所示。
表:应用例19-23中过硫酸钠微蚀添加剂使用情况对照表
组别 过硫酸钠微蚀添加剂
应用例19 由实施例14制得
应用例20 由实施例15制得
应用例21 由实施例16制得
应用例22 由实施例17制得
应用例23 由实施例18制得
抽取上述应用例19-23中制得的过硫酸钠体系,按上述测量步骤和测量标准测试其咬蚀速率和粗糙度,测试结果取平均值记入下表。
从上表中可以看出,应用例19-23中制得过硫酸钠微蚀添加剂均能有效促进过硫酸钠持续地反应,其咬蚀速率高达1.63-1.71um/min,粗糙度高达0.35-0.40um;
可见由上述配比、组分混合而成的窄分布烷基醇醚,除均能起到较优的表面活化和分散作用外,还能与咪唑复配增加PCB板铜面活性位点,以此保障过硫酸钠的反应速率。
特别是,应用例21-23中制得的过硫酸钠微蚀添加剂,其催化加速效果较优,其咬蚀速率高达1.65-1.71um/min,粗糙度为0.36-0.40um,相比应用例1、19-20单独使用多窄分布烷基醇醚中的任一分别提升了0.6-4.9%、0-14%;
可见应用例21-23为优选例,其各组分间具有复配效果,且窄分布烷基醇醚由Berol 260、Berol 266和Berol 840三者复配时,可显著促进硫酸根自由基的产生并活化过硫酸钠。
应用例24-27
一种过硫酸钠体系,与应用例1的不同之处在于,所用过硫酸钠微蚀添加剂的使用情况不同,具体对应关系下表所示。
表:应用例24-27中过硫酸钠微蚀添加剂使用情况对照表
组别 过硫酸钠微蚀添加剂
应用例24 由实施例19制得
应用例25 由实施例20制得
应用例26 由实施例22制得
应用例27 由实施例22制得
抽取上述应用例24-27中制得的过硫酸钠体系,按上述测量步骤和测量标准测试其咬蚀速率和粗糙度,测试结果取平均值记入下表。
从上表中可以看出,应用例24-27中制得过硫酸钠微蚀添加剂均能有效促进过硫酸钠持续地反应,其咬蚀速率高达1.80-1.82um/min,粗糙度为0.38-0.42um;
可见上述组分三嗪类化合物的掺入除能作为附着改良剂通过聚合而成的纳米薄膜增强过硫酸钠体系与铜面的结合反应,并以此保障PCB板的表面性能和制造量品率外,还可与唑类化合物复配效促进硫酸根自由基的产生以及活化过硫酸钠;
且多组分间具有复配效果,参见应用例26-27,其咬蚀速率为1.81-1.82um/min,粗糙度显著提升,高达0.43-0.45um,相比应用例2、24-25单独使用三嗪类化合物中的任一提升了8-18%。
应用例28-30
一种过硫酸钠体系,与应用例1的不同之处在于,所用过硫酸钠微蚀添加剂的使用情况不同,具体对应关系下表所示。
表:应用例28-30中过硫酸钠微蚀添加剂使用情况对照表
组别 过硫酸钠微蚀添加剂
应用例28 由实施例23制得
应用例29 由实施例24制得
应用例30 由实施例25制得
抽取上述应用例28-30中制得的过硫酸钠体系,按上述测量步骤和测量标准测试其咬蚀速率和粗糙度,测试结果取平均值记入下表。
从上表中可以看出,应用例28-30中制得过硫酸钠微蚀添加剂均能有效促进过硫酸钠持续地反应,其咬蚀速率高达1.83-1.85um/min,粗糙度高达0.38-0.42um;
可见上述组分硅烷偶联剂的掺入除能赋予添加剂各组分优良的结合分散效果外,还可通过硅醇基团与金属表面的酸性氧化物反应建立硅氧烷桥连接促使自由基与活性位点的接触反应;且多组分间具有复配效果,参见应用例29-30,其咬蚀速率为1.84-1.85um/min,粗糙度为0.40-0.42um,相比应用例3、28单独使用硅烷偶联剂中的任一,分别提升了0.5-1.0%、5-10%。
本具体应用例仅仅是对本申请的解释,其并不是对本申请的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本应用例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。

Claims (5)

1.一种过硫酸钠微蚀添加剂,其特征在于,由如下重量千分比的组分组成:唑类化合物3-5‰、窄分布烷基醇醚1-2‰、三嗪类化合物0.010-0.100‰、硅烷偶联剂0-2‰、余量为水;
所述唑类化合物由2-氨基苯并咪唑和2-氨基噻唑按重量比1:(0.3—0.5)组成;
所述三嗪类化合物为2,4,6三(氨基己酸基)-1,3,5三嗪、2,4,6三巯基-1,3,5三嗪、1,3,5-三嗪-2,4,6-三硫醇、6-(二丁氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇、2,4-二氨基-6-二烯丙氨基-1,3,5-三嗪、6-苯胺基-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇和6-氨基三嗪-2,4-二醇中的一种或多种。
2. 根据权利要求1所述的过硫酸钠微蚀添加剂,其特征在于,所述窄分布烷基醇醚为Berol 260、Berol 266和Berol 840中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的过硫酸钠微蚀添加剂,其特征在于,所述硅烷偶联剂的重量千分比为0.5-2‰;
所述硅烷偶联剂为KH-570、KH-550、UP-572、UP-590、SI-69中的一种或多种。
4.一种如权利要求1-3任一所述过硫酸钠微蚀添加剂在过硫酸钠处理中的应用,能够保障咬蚀量和咬蚀速率的同时,减少过硫酸钠的67.5-87.5%用量。
5.根据权利要求4所述的过硫酸钠微蚀添加剂的应用,其特征在于,所述过硫酸钠微蚀添加剂的用量为1-10g/L,所述过硫酸钠微蚀添加剂与过硫酸钠的用量比为1:(8-12)。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859281A (en) * 1987-06-04 1989-08-22 Pennwalt Corporation Etching of copper and copper bearing alloys
CN1117531A (zh) * 1994-08-12 1996-02-28 美克株式会社 铜及铜合金的浸蚀液
US6096139A (en) * 1997-01-10 2000-08-01 Nippon Paint Co., Ltd. Triazinethiol-containing anticorrosive coating, anticorrosion treatment method, and anticorrosion treated metal materials
JP2000282265A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Mec Kk 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法
JP2002256459A (ja) * 2000-12-27 2002-09-11 Ebara Udylite Kk 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤並びにこれを用いる銅または銅合金の微細粗化方法
TW200911058A (en) * 2007-08-28 2009-03-01 Mec Co Ltd A method for manufacturing a printed circuit board
WO2009046637A1 (fr) * 2007-09-29 2009-04-16 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd Composition de nettoyage pour éliminer une photorésine
CN104073803A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 东友精细化工有限公司 用于基于铜的金属层的蚀刻组合物和制备金属线的方法
KR20140119884A (ko) * 2013-03-28 2014-10-13 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법
CN107365989A (zh) * 2017-07-11 2017-11-21 东莞市富默克化工有限公司 一种金属表面处理方法及其制得的金属保护膜
CN111020585A (zh) * 2019-12-28 2020-04-17 苏州天承化工有限公司 一种硫酸过氧化氢体系的粗化微蚀液及其应用
CN112064026A (zh) * 2020-08-03 2020-12-11 罗山县金硕电子材料有限公司 一种新型的铜面粗糙度咬蚀稳定剂及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7063800B2 (en) * 2003-11-10 2006-06-20 Ying Ding Methods of cleaning copper surfaces in the manufacture of printed circuit boards

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859281A (en) * 1987-06-04 1989-08-22 Pennwalt Corporation Etching of copper and copper bearing alloys
CN1117531A (zh) * 1994-08-12 1996-02-28 美克株式会社 铜及铜合金的浸蚀液
US5700389A (en) * 1994-08-12 1997-12-23 Mec Co., Ltd. Etching solution for copper or copper alloy
US6096139A (en) * 1997-01-10 2000-08-01 Nippon Paint Co., Ltd. Triazinethiol-containing anticorrosive coating, anticorrosion treatment method, and anticorrosion treated metal materials
JP2000282265A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Mec Kk 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法
JP2002256459A (ja) * 2000-12-27 2002-09-11 Ebara Udylite Kk 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤並びにこれを用いる銅または銅合金の微細粗化方法
TW200911058A (en) * 2007-08-28 2009-03-01 Mec Co Ltd A method for manufacturing a printed circuit board
WO2009046637A1 (fr) * 2007-09-29 2009-04-16 Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd Composition de nettoyage pour éliminer une photorésine
CN104073803A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 东友精细化工有限公司 用于基于铜的金属层的蚀刻组合物和制备金属线的方法
KR20140119884A (ko) * 2013-03-28 2014-10-13 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법
CN107365989A (zh) * 2017-07-11 2017-11-21 东莞市富默克化工有限公司 一种金属表面处理方法及其制得的金属保护膜
CN111020585A (zh) * 2019-12-28 2020-04-17 苏州天承化工有限公司 一种硫酸过氧化氢体系的粗化微蚀液及其应用
CN112064026A (zh) * 2020-08-03 2020-12-11 罗山县金硕电子材料有限公司 一种新型的铜面粗糙度咬蚀稳定剂及其制备方法

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