CN1465746A - 银合金蚀刻液 - Google Patents
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Abstract
一种银合金蚀刻液，包含：1至60重量份的铵化物；1至60重量份的过氧化氢；以及0至96重量份的水。本蚀刻液组成物可视需要地更包含1至10重量份的硫酸或有机酸以获较佳的蚀刻速率的控制。
Description
技术领域
本发明是关于一种蚀刻液，尤指一种适用于银合金的蚀刻液。
背景技术
目前的半导体或平面显示装置，多使用铬金属作为导线的材料，但是因为铬金属的阻值高，因此研究者一直在寻求利用阻值较低的金属作为晶片导线的材料。以往曾经有提议以银作为导线的材料，但是因为无适当稳定的蚀刻液组成物，所以并未有广泛的运用。
而含银量超过60％以上的银合金，虽然阻值未若银金属一般低，但是其阻值远低于铬金属，仍为适当的晶片导线材料，然而由于银合金未具有适当的蚀刻液，所以并没有广泛应用于晶片或面板的黄光制程。
发明人本着积极发明的精神，亟思一种可以解决上述问题的『银合金蚀刻液』，几经研究实验终至完成此项发明。
发明内容
本发明的主要目的是在提供一种银合金蚀刻液，并能有效用以蚀刻含银量超过60％以上的银合金以形成图样。
为达成上述的目的，本发明银合金蚀刻液，包含：1至60重量份的铵化物；1至60重量份的过氧化氢；以及0至96重量份的水。
本发明银合金的蚀刻方法，包含以下的步骤：先提供一具银合金的基板；以及将一银合金蚀刻液涂覆于基板的银合金表面或将具银合金的基板浸渍于银合金蚀刻液；其中银合金蚀刻液包含：1至60重量份的铵化物；1至60重量份的过氧化氢；以及水。
由于本发明组成新颖，能提供产业上利用，且确有增进功效，故依法申请发明专利。具体实施方式
本发明的蚀刻液组成物中，较佳为包含：1至10重量份的铵化物；1至10重量份的过氧化氢。本发明的蚀刻液组成物的铵化物无限制，铵化物较佳为氢氧化铵或醋酸铵。本发明的蚀刻液组成物可视需要地更包含1至10重量份的硫酸或有机酸以获致较佳的蚀刻速率的控制。有机酸的种类无限制，较佳为酚磺酸或醋酸。
为能更了解本发明的技术内容，特举银合金蚀刻液较佳具体实施例说明如下。
实施例
将过氧化氢，氢氧化铵，并加入水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。并将溶液对表面具有银合金(含90％以上的银)的矽基板进行蚀刻并测量蚀刻速率，结果如下表所示。
| 实施例 | 氢氧化铵 | 过氧化氢 | 蚀刻速率(A/sec) | 蚀刻时间(sec) |
| 1 | 7.5 | 7.5 | 63.8 | 47 |
| 2 | 6 | 6 | 60 | 50 |
| 3 | 5 | 5 | 20 | 150 |
| 4 | 4 | 4 | 8.8 | 340 |
| 5 | 50 | 50 | 2000 | 1.5 |
| 6 | 50 | 25 | 1500 | 2 |
| 7 | 25 | 50 | 2000 | 1.5 |
| 8 | 25 | 25 | 1200 | 2.5 |
将过氧化氢，氢氧化铵，以及酚磺酸依照下表所示调配，并加水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。并将溶液对于表面具有银合金的矽基板进行蚀刻并测量蚀刻速率，结果如下表所示。
| 实施例 | 氢氧化铵 | 过氧化氢 | 酚磺酸 | 蚀刻速率(A/sec) | 蚀刻时间(Sec) |
| 9 | 7 | 7 | 3 | 100 | 30 |
| 10 | 5 | 5 | 3 | 27.5 | 109 |
| 11 | 3 | 3 | 3 | 13.6 | 220 |
| 12 | 7 | 7 | 2 | 81 | 37 |
| 13 | 5 | 5 | 2 | 22.9 | 131 |
| 14 | 3 | 3 | 2 | 13.8 | 216 |
| 15 | 4 | 2 | 2 | 8.3 | 7.5 |
| 16 | 4 | 3 | 2 | 12.29 | 13.04 |
| 17 | 4 | 4 | 2 | 36.58 | 37.03 |
| 18 | 2 | 3 | 2 | 66,66 | 50 |
| 19 | 3 | 3 | 2 | 12 | 16.3 |
| 20 | 4 | 3 | 2 | 16 | 15 |
| 21 | 5 | 3 | 2 | 16.3 | 16 |
| 22 | 6 | 3 | 2 | 21.1 | 21.4 |
| 23 | 7 | 3 | 2 | 21.1 | 24.3 |
将过氧化氢，氢氧化铵，以及酚磺酸依照下表所示调配，并加水至100克配置成下列浓度的蚀刻液。并将溶液对于表面具有银合金的矽基板进行蚀刻并测量蚀刻速率，结果如下表所示。
| 实施例 | 过氧化氢 | 硫酸 | 醋酸铵 | 蚀刻速率(A/sec) |
| 24 | 8 | 2 | 2 | 46.15 |
| 25 | 8 | 2 | 5 | 46.15 |
| 26 | 8 | 2 | 8 | 24.19 |
| 27 | 8 | 4 | 2 | 32.25 |
| 28 | 8 | 4 | 5 | 6.31 |
| 29 | 8 | 4 | 8 | 10 |
| 30 | 8 | 3 | 2 | 14.28 |
| 31 | 8 | 3 | 5 | 54.54 |
| 32 | 8 | 3 | 8 | 28.57 |
由以上的数据可知，本发明的蚀刻液可以有效地对银合金进行蚀刻，可以借由时间的控制以及浓度的选择，控制对银合金蚀刻的程度以及速率，其可以结合黄光制程应月于微机电，晶片或面板基板的制造。
综上所陈，本发明无论就目的、手段及功效，均显示其异于已有技术的特徵，为『银合金蚀刻液』一大突破，恳请贵审查委员明察，早日赐准专利，并嘉惠社会，实感德便。惟应注意的是，上述诸多实施例仅是为了便于说明而举例而已，本发明所主张的权利范围自应以申请专利范围所述为准，而非仅限于上述实施例。
Claims (12)
1.一种银合金蚀刻液，其特征在于，包含：
(A)1至60重量份的铵化物；
(B)1至60重量份的过氧化氢；以及
(C)0至96重量份的水。
2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其中包含：1至10重量份的铵化物；其特征在于，1至10重量份的过氧化氢。
3.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其中铵化物为氢氧化铵。
4.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其中铵化物为醋酸铵。
5.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其更包含1至10重量份的硫酸。
6.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其更包含1至10重量份的有机酸。
7.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，其中有机酸为酚磺酸或醋酸。
8.一种银合金的蚀刻方法，其特征在于，包含以下的步骤：
(A)提供一具银合金的基板；以及
(B)将一银合金蚀刻液涂覆于基板的银合金表面或将具银合金的基板浸渍于银合金蚀刻液；
其中银合金蚀刻液包含：1至60重量份的铵化物；1至60重量份的过氧化氢；以及水。
9.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，其中铵化物为氢氧化铵。
10.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，其中铵化物为醋酸铵。
11.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，其中蚀刻液更包含1至10重量份的有机酸。
12.如权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，其中有机酸为酚磺酸或醋酸。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CNA021249148A CN1465746A (zh) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | 银合金蚀刻液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA021249148A CN1465746A (zh) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | 银合金蚀刻液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1465746A true CN1465746A (zh) | 2004-01-07 |
Family
ID=34142759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA021249148A Pending CN1465746A (zh) | 2002-06-25 | 2002-06-25 | 银合金蚀刻液 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN1465746A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1749354B (zh) * | 2004-08-25 | 2011-04-20 | 三星电子株式会社 | 铟氧化物层的蚀刻剂组合物及使用它的蚀刻方法 |
| CN102149851A (zh) * | 2008-09-09 | 2011-08-10 | 昭和电工株式会社 | 钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或它们的氮化物的蚀刻液 |
| CN105887091A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 东友精细化工有限公司 | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 |
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2002
- 2002-06-25 CN CNA021249148A patent/CN1465746A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| CN102149851A (zh) * | 2008-09-09 | 2011-08-10 | 昭和电工株式会社 | 钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或它们的氮化物的蚀刻液 |
| CN105887091A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 东友精细化工有限公司 | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 |
| CN105887091B (zh) * | 2015-02-16 | 2020-05-26 | 东友精细化工有限公司 | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 |
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