JP4816256B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
以下に示す実施例及び比較例で使用した金/クロム積層膜付き基板は以下のように作製した。
即ち、Siウェハ基板(直径6インチ、厚さ700μm)上に、スパッタ装置を用いて、下地膜であるクロム膜(膜厚30nm)と、クロム膜には酸化膜が付かない様に配慮して、配線用の金膜(膜厚300nm)を積層した。その上に、フォトレジストによりテストパターンを形成した。テストパターン(ライン&スペース20μm)の開放部は金膜が露出していた。次いで、バッチ式エッチング槽に金エッチング液としてヨウ素とヨウ化カリウム水溶液を入れ、基板ごと金エッチング液に浸漬してレジストパターンの露出部分の金膜をオーバーエッチングにより完全にエッチングし除去して、下地のクロム膜を露出させた。
以下の実施例及び比較例で示すクロム膜エッチング時のサイドエッチング量(μm)は、エッチング後の金膜の端面を基準としたクロム膜のサイドエッチング量である(両側の合計量ではなく片側のみのサイドエッチング量である)。
測定は、クロム膜エッチング後、水洗まで終了した基板を縦割りにしてSEM(電子顕微鏡)観察を行い観察像を画像処理することによって行った。なお、エッチング後の金膜の端面は、レジストパターンの金膜露出部をオーバーエッチングしているためレジスト端面から0.2μm程サイドエッチングされている。
バッチ式エッチング槽に、硝酸濃度42重量%、硝酸セリウムアンモニウム濃度4重量%のクロムエッチング液(常温:23℃)5Lを入れ、積層膜付き基板を浸漬した。エッチングの際は、クロムエッチングによるサイドエッチング量が最小限かつ常に一定になるよう、オーバーエッチングを含めた時間、薬液濃度、温度、揺動等の条件を一定として処理を行った。
クロムエッチング槽で処理した金/クロム積層膜付き基板を、硝酸セリウムアンモニウムを含まない硝酸濃度42重量%の水溶液5Lを満たした硝酸処理槽に浸漬し、60秒間リンスを行い、基板に付着している酸化剤分を除去した。なおエッチング槽から硝酸処理槽への液の持ち込みが無い初期条件にて実施した。次いで、水洗処理槽に浸漬して60秒間リンスを行い、基板に付着している硝酸分を除去した。サイドエッチング量(μm)は0.7μmであった。
エッチング槽から硝酸処理槽への液の持ち込みが2重量%あった以外は実施例1と同様に処理した。サイドエッチング量(μm)は0.7μmであった。また、硝酸処理槽中の硝酸セリウムアンモニウム濃度は0.08重量%まで上がったが、従来の水洗槽で起こる電蝕は発生しなかった。
エッチング槽から硝酸処理槽への液の持ち込みが6重量%あった以外は実施例1と同様に処理した。サイドエッチング量(μm)は0.8μmであった。また、硝酸処理槽中の硝酸セリウムアンモニウム濃度は0.23重量%まで上がったが、従来の水洗槽で起こる電蝕は殆ど発生しなかった。
クロムエッチング槽で処理した金/クロム積層膜付き基板を、硝酸処理槽に浸漬せずに水洗処理槽に浸漬したこと以外は実施例1と同様に処理した。なお、エッチング槽から水洗処理槽への液の持ち込みが無い初期条件にて実施した。サイドエッチング量(μm)は1.0μmであった。
エッチング槽から水洗処理槽への液の持ち込みが0.2重量%あった以外は比較例1と同様に処理した。サイドエッチング量(μm)は1.8μmであった。また、水洗処理槽中の硝酸濃度は0.08重量%、硝酸セリウムアンモニウム濃度は0.01重量%まで上がった。
エッチング槽から水洗処理槽への液の持ち込みが0.6重量%あった以外は比較例1と同様に処理した。サイドエッチング量(μm)は3.2μmであった。また、水洗処理槽中の硝酸濃度は0.25重量%、硝酸セリウムアンモニウム濃度は0.02重量%まで上がった。
エッチング槽から水洗処理槽への液の持ち込みが1.0重量%あった以外は比較例1と同様に処理した。サイドエッチング量(μm)は4.2μmであった。また、水洗処理槽中の硝酸濃度は0.42重量%、硝酸セリウムアンモニウム濃度は0.04重量%まで上がった。
エッチング槽から水洗処理槽への液の持ち込みが2.0重量%あった以外は比較例1と同様に処理した。サイドエッチング量(μm)は5.0μmであった。また、水洗処理槽中の硝酸濃度は0.82重量%、硝酸セリウムアンモニウム濃度は0.08重量%まで上がった。
Claims (4)
- 基板上に形成された、クロム、ニッケル、或いはクロム及び/又はニッケルを含む合金よりなる下地膜と、この下地膜の一部を被覆するように形成された、金、パラジウム、或いは金及び/又はパラジウムを含む合金よりなる上層膜との積層膜の、前記下地膜を、硝酸と硝酸セリウムアンモニウムとを含み、硝酸濃度が35重量%以上の水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングするエッチング工程と、前記積層膜付き基板を水洗してエッチング液を除去する水洗工程とを含むエッチング方法であって、
該エッチング工程と水洗工程との間に、前記積層膜付き基板を、硝酸濃度35重量%以上であって硝酸セリウムアンモニウム濃度が前記エッチング液より低い水溶液で洗浄する酸洗浄工程を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 前記酸洗浄工程において、硝酸濃度35重量%以上であって硝酸セリウムアンモニウムを含まない水溶液で洗浄することを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記酸洗浄工程で、前記積層膜付き基板に付着した硝酸セリウムアンモニウムを溶解させて除去する、請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 前記硝酸濃度が35〜70重量%である、請求項1ないし3のいずれかに記載のエッチング方法。
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