KR101985167B1 - 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법 - Google Patents
금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101985167B1 KR101985167B1 KR1020170143905A KR20170143905A KR101985167B1 KR 101985167 B1 KR101985167 B1 KR 101985167B1 KR 1020170143905 A KR1020170143905 A KR 1020170143905A KR 20170143905 A KR20170143905 A KR 20170143905A KR 101985167 B1 KR101985167 B1 KR 101985167B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal
- acid
- silicide
- etchant composition
- group
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 187
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 187
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 150000003868 ammonium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 65
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 206010010144 Completed suicide Diseases 0.000 claims description 39
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 28
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 9
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 8
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 8
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N Ammonium sulfamate Chemical compound [NH4+].NS([O-])(=O)=O GEHMBYLTCISYNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 3
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N diammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LFINSDKRYHNMRB-UHFFFAOYSA-N diazanium;oxido sulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]OS([O-])(=O)=O LFINSDKRYHNMRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- PCLURTMBFDTLSK-UHFFFAOYSA-N nickel platinum Chemical compound [Ni].[Pt] PCLURTMBFDTLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 but not limited to Chemical compound 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCZAACDHEJVCBX-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[C] Chemical compound [Si]=O.[C] NCZAACDHEJVCBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물 산화제 5 중량% 내지 20 중량%, pH 조절제 5 중량% 내지 20 중량%, 암모늄 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량% 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 실리사이드 형성 공정에서 금속 실리사이드에 대한 데미지(damage)를 감소시키고, 잔여 금속을 선택적으로 제거할 수 있는 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로의 제조 공정은 다단계 구축 공정이다. 상기 공정은 기저층을 선택적으로 노출시키는 리소그래피, 부분 또는 완전 노출된 층의 식각(etching), 및 층의 침착 또는 식각에 의해 빈번하게 생성되는 간극의 충전 또는 물질의 선택적 침착의 반복적 단계를 수반한다. 금속의 식각은 중대한 공정 단계이다. 빈번하게 금속은 기타 금속, 금속 합금 및/또는 비금속 물질의 존재하에 인접 물질의 부식, 식각 또는 산화 없이 선택적으로 식각되어야 한다.
또한, 반도체 디바이스의 크기가 급속도로 작아지면서 집적회로에서의 특징부의 치수가 점증적으로 보다 작아짐에 따라, 인접 물질 또는 특징부에 대한 부식, 식각, 산화 또는 기타 손상을 최소화하는 것의 중요성이 증가되고 있다. 또한, 최근에는 전극의 접촉 저항을 더욱 저하시켜 내열성이나 과잉 성장 등을 제어하기 위해서, 예를 들면 니켈에 수 원자%의 백금을 첨가한 합금을 사용해서 니켈 백금 실리사이드를 형성하는 방법이 행해지고 있다.
특히, 반도체 메모리 공정에서 CMOS 장치 제작에 나노 소자의 게이트, 소스, 드레인 등에 금속과 규소 접합에서 저항성 접촉 형성되더라도 높은 접촉 저항으로 전체 저항이 상승하기 때문에 금속과 규소 접합에 비해 안정적이고 낮은 접촉 저항, 높은 열적 안정성 또는 낮은 비저항을 갖는 실리사이드(Silicide) 접촉을 한다.
실리사이드 공정은 규소 막질에 금속을 증착하고 열처리 공정을 통하여 금속과 규소 화합물인 실리사이드 형성하고 잔여 금속을 제거하여 낮은 저항성을 갖는 실리사이드를 형성 하게 된다.
종래에는 실리사이드 상부 잔여 금속을 제거하는 공정에 사용되는 금속 제거용 조성물로서, SPM(황산과 과산화수소 혼합), HPM(염산과 과산화수소 혼합), APM(암모니아수와 과산화수소 혼합)을 사용하는 금속 제거용 조성물을 기재하고 있으나, 이러한 종래의 금속 제거용 조성물의 경우 할로겐 족 원소(F, Cl, Br, I)을 포함하고 있다.
할로겐족 원소를 포함하는 화합물은 백금 제거에 우수한 성능을 나타내지만 NiPt 실리사이드 막질에 데미지를 주어 높은 접촉 저항을 야기하게 된다.
따라서, 형성하고자 하는 금속막(예; NiPt 실리사이드) 및 형성하고자 하는 금속막 과 인접할 수 있는 다른 막과 인접 물질에 영향을 주지 않으면서 높은 식각 선택성을 갖는 식각액 조성물이 요구된다.
본 발명은 식각액 조성물 내에 암모늄 화합물을 포함함으로써, 잔여 금속층의 제거 속도와 경시 성능을 유기하는 동시에 금속층의 부식을 방지할 수 있는 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명은 식각액 조성물 내에 카르복실산을 포함함으로써, 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응으로 산화된 금속 산화물이 금속층에 재흡착되는 것을 억제할 수 있는 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명은 금속 식각액 조성물 내에 할로겐족 원소를 제거함으로써, 금속층의 데미지를 감소시키고, 식각 선택성을 향상시킬 수 있는 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명은 식각액 조성물 내에 암모늄 화합물을 포함함으로써, 금속의 확산을 막아주는 산화물(Oxide) 막질과 질화물(Nitride) 막질에 대한 데미지 안정성을 가지고, 백금(Pt)의 잔재가 생기지 않아 MOS 트렌지스터의 특성에 영향을 미치지 않는 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 산화제 5 중량% 내지 20 중량%, pH 조절제 5 중량% 내지 10 중량%, 암모늄 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량% 및 잔량의 물을 포함한다.
상기 식각액 조성물은 카르복실산(carboxylic acid) 0.1 중량% 내지 5 중량%을 더 포함할 수 있다.
상기 산화제는 금속 실리사이드(metal silicide) 형성 공정에서 잔존하는 금속층을 제거할 수 있다.
상기 pH 조절제는 상기 식각액 조성물의 pH를 1이하로 조절할 수 있다.
상기 암모늄 화합물은 잔여 금속층의 경시에 따른 식각 속도를 유지하는 동시에 상기 금속 실리사이드(metal silicide)의 부식을 방지할 수 있다.
상기 카르복실산은 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응 통해 산화된 금속 산화물이 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.
상기 산화제는 질산(nitric acid), 초산(acetic acid), 아질산(nitrous acid), 갈릭산(gallic acid), 젖산(lactic acid), 크롬산(chromic acid), 중크롬산칼륨(potassium dichromate), 염화철(iron chloride), 과망간산 칼륨(potassium permanganate) 및 설파민산(sulfamic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 pH 조절제는 인산(phosphoric acid) 및 에티드론산(etidroic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 암모늄 화합물은 황산암모늄(ammonium sulfate), 중탄산암모늄(ammonium bicarbonate), 질산암모늄(ammonium nitrate), 설파민산암모늄(ammonium sulfamate), 과황산암모늄(ammonium peroxysulfate) 및 구연산암모늄(ammonium citrate dibasic)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 카르복실산은 1차 카르복실산, 2차 카르복실산 및 3차 카르복실산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 카르복실산은 아세트산(acetic acid), 벤조산(benzoic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 시트릭산(citric acid), 아스파르트산(aspartic acid), 락트산(lactic acid) 및 피루브산(pyruvic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속은 니켈(Ni) 백금(Pt), 니켈백금(NiPt), 인듐(In), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V), 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 란타늄(La)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 기재 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 기재 및 상기 금속층을 열처리하여 상기 금속층 하부에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계; 및 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물로 상기 금속층을 식각하는 단계를 포함한다.
상기 금속 실리사이드는 니켈(Ni) 실리사이드 백금(Pt) 실리사이드, 니켈백금(NiPt) 실리사이드, 인듐(In) 실리사이드, 알루미늄(Al) 실리사이드, 마그네슘(Mg) 실리사이드, 망간(Mn) 실리사이드, 베릴륨(Be) 실리사이드, 하프늄(Hf) 실리사이드, 나이오븀(Nb) 실리사이드, 텅스텐(W) 실리사이드, 바나듐(V) 실리사이드, 은(Ag) 실리사이드, 몰리브데늄(Mo) 실리사이드, 티타늄(Ti) 실리사이드, 구리(Cu) 실리사이드, 팔라듐(Pd) 실리사이드 및 란타늄(La) 실리사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 식각액 조성물 내에 암모늄 화합물을 포함함으로써, 잔여 금속층의 제거 속도와 경시 성능을 유지하는 동시에 금속층의 부식을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 식각액 조성물 내에 카르복실산을 포함함으로써, 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응으로 산화된 금속 산화물이 금속층에 재흡착되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 금속 식각액 조성물 내에 할로겐족 원소를 제거함으로써, 금속층의 데미지를 감소시키고, 식각 선택성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 식각액 조성물 내에 암모늄 화합물을 포함함으로써, 금속의 확산을 막아주는 산화물(Oxide) 막질과 질화물(Nitride) 막질에 대한 데미지 안정성을 가지고, 백금(Pt)의 잔재가 생기지 않아 MOS 트렌지스터의 특성에 영향을 미치지 않는다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 식각 방법을 도시한 단면도이다.
도 2a본 발명의 실시예 5에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이고, 도 2b 발명의 실시예 6에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이며, 도 2c은 비교예 16에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이다.
도 3a는 발명의 실시예 1에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 웨이퍼 표면을 도시한 이미지이고, 도 3b는 비교예 2에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 웨이퍼 표면을 도시한 이미지이다.
도 2a본 발명의 실시예 5에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이고, 도 2b 발명의 실시예 6에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이며, 도 2c은 비교예 16에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이다.
도 3a는 발명의 실시예 1에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 웨이퍼 표면을 도시한 이미지이고, 도 3b는 비교예 2에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 웨이퍼 표면을 도시한 이미지이다.
이하 첨부 도면들 및 첨부 도면들에 기재된 내용들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "측면", "예시" 등은 기술된 임의의 양상(aspect) 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되어야 하는 것은 아니다.
또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or'이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or'를 의미한다. 즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다'라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.
또한, 본 명세서 및 청구항들에서 사용되는 단수 표현("a" 또는 "an")은, 달리 언급하지 않는 한 또는 단수 형태에 관한 것이라고 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 일반적으로 "하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다.
또한, 막, 층, 영역, 구성 요청 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 층, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 하부층 상부에 형성된 금속층을 제거하기 위해 사용될 수 있고, 식각 공정 시, 하부층에 대한 데미지(damage)를 감소시키고, 잔여 금속을 선택적으로 제거할 수 있다.
하부층은 니켈(Ni) 실리사이드 백금(Pt) 실리사이드, 니켈백금(NiPt) 실리사이드, 인듐(In) 실리사이드, 알루미늄(Al) 실리사이드, 마그네슘(Mg) 실리사이드, 망간(Mn) 실리사이드, 베릴륨(Be) 실리사이드, 하프늄(Hf) 실리사이드, 나이오븀(Nb) 실리사이드, 텅스텐(W) 실리사이드, 바나듐(V) 실리사이드, 은(Ag) 실리사이드, 몰리브데늄(Mo) 실리사이드, 티타늄(Ti) 실리사이드, 구리(Cu) 실리사이드, 팔라듐(Pd) 실리사이드 및 란타늄(La) 실리사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는, 하부층은 NiPt 실리사이드일 수 있다.
금속층은 니켈(Ni) 백금(Pt), 니켈백금(NiPt), 인듐(In), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V), 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 란타늄(La) 로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는, 상기 금속은 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 니켈백금(NiPt)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 산화제 5 중량% 내지 20 중량%, pH 조절제 5 중량% 내지 10 중량%, 암모늄 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량% 및 잔량의 물을 포함한다.
산화제는 금속 실리사이드(metal silicide) 형성 공정에서 잔존하는 금속층을 제거하는 주성분으로서, 산화제는 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물 내에 5 중량% 내지 20 중량%를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 산화제는 5 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있고, 산화제가 5 중량% 미만으로 포함되면 잔존하는 금속층에 대한 제거력이 감소하는 문제가 있고, 20 중량%를 초과하면 부식력이 너무 강해져 하부층(예; 금속 실리사이드)을 부식시키는 문제가 있다.
또한, 산화제는 식각 속도를 조절하여 식각 잔사 발생을 효과적으로 억제시키는 성분이 사용될 수 있다.
산화제는 할로겐족 원소를 포함하지 않는 산화물이라면 제한되지 않고 사용될 수 있으나, 바람직하게는, 산화제는 질산(nitric acid), 초산(acetic acid), 아질산(nitrous acid), 갈릭산(gallic acid), 젖산(lactic acid), 크롬산(chromic acid), 중크롬산칼륨(potassium dichromate), 염화철(iron chloride), 과망간산 칼륨(potassium permanganate) 및 설파민산(sulfamic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 산화제를 1종 이상 포함하면 일정 pH를 유지시켜 잔존 금속층을 안정적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 산화제로 황산을 사용하면 질화물 막질에 데미지(damage)를 주기 때문에 하부층으로 질화물 막질을 사용하는 경우에는 사용하지 않는 것이 바람직하다.
pH 조절제는 식각액 조성물의 pH를 1이하로 조절하고, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물을 일정한 값의 pH로 유지시키며, 금속층(예; Ni)의 식각 효율을 증가시키는 역할을 한다.
pH 조절제는 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물 내에 pH 조절제는 5 중량% 내지 10 중량%로 포함될 수 있으며, pH 조절제가 5 중량% 미만으로 포함되면 금속층(예; Ni)의 식각 효율이 감소되고, 10 중량%를 초과하면 부식력이 너무 강해져 하부층을 부식시키는 문제가 있다.
pH 조절제는 인산(phosphoric acid) 및 에티드론산(etidroic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
암모늄 화합물은 잔여 금속층의 경시에 따른 식각 속도를 유지하는 동시에 하부층의 부식을 방지하고, 경시 성능을 유지시키는 보조 산화제로 사용될 수 있다.
암모늄 화합물은 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물 내에 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 암모늄 화합물은 0.1 중량% 내지 3 중량%로 포함될 수 있으며, 암모늄 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우 잔여 금속층의 경시에 따른 제거 속도 유지 성능이 감소되는 문제점이 있고, 5 중량%를 초과하면 부식력이 너무 강해져 하부층을 부식시키는 문제가 있다.
암모늄 화합물은 할로겐족 원소를 포함하지 않는 화합물이 사용될 수 있고, 바람직하게는, 암모늄 화합물은 황산암모늄(ammonium sulfate), 중탄산암모늄(ammonium bicarbonate), 질산암모늄(ammonium nitrate), 설파민산암모늄(ammonium sulfamate), 과황산암모늄(ammonium peroxysulfate) 및 구연산암모늄(ammonium citrate dibasic)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
예를 들면, 종래의 금속 식각액 조성물은 니켈 막질(금속층)을 제거하기 위해 금속 식각액 조성물 내에서 염소 이온을 제공하는 역할을 하는 염소계 화합물(할로겐족 원소 화합물)을 사용하였고, 금속 식각액 조성물 내의 염소 이온은 니켈 막질에서 니켈 이온의 이동을 촉진하는 계면 촉매 역할을 함으로써, 니켈 막질을 용이하게 제거하였다.
그러나, 염소 이온(할로겐 이온)은 니켈 막질뿐만 아니라, 니켈 막질 하부에 형성된 하부층(예; NiPt 실리사이드)도 식각하기 때문에 식각 선택성이 감소하고, 하부층에 데미지를 주어 높은 접촉 저항을 야기시킨다.
반면, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 암모늄 화합물을 포함하여, 금속 식각액 조성물 내에 염소 이온 대신 암모늄 이온 또는 암모니아 이온을 제공함으로써, 암모늄 이온 또는 암모니아 이온이 금속층에서의 금속 이온의 이동을 촉진시키는 계면 촉매 역할을 하는 동시에 금속 착물을 형성하여, 금속층을 용이하게 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 할로겐족 원소 화합물을 생략함으로써, 금속층 하부에 형성된 하부층에 가해지는 데미지를 감소시켜, 잔여 금속층의 제거 속도와 경시 성능을 유기하는 동시에 금속층의 부식을 방지할 수 있다. 또한, 금속층에 대한 식각 선택성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면 금속 식각액 조성물은 암모늄 화합물을 포함함으로써, 금속 이온의 확산을 막아주는 산화물(Oxide) 막질과 질화물(Nitride) 막질에 대한 데미지 안정성을 가지고, 금속층의 잔재가 생기지 않아, MOS 트랜지스터의 특성에 영향을 미치지 않는다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응 통해 산화된 금속 산화물이 재흡착되는 것을 방지하는 카르복실산(carboxylic acid)을 더 포함할 수 있다.
금속층에 포함되는 금속은 환원력이 강하기 때문에 금속 이온 상태(금속이 산화된 상태)에서도 쉽게 환원되어 석출될 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 카르복실산을 포함함으로써, 카르복실산이 금속 이온과 킬레이트 결합(화학결합)하여 금속 이온의 안정성을 높여 금속 이온이 재흡착되는 것을 방지하는 동시에 금속층의 식각을 보조할 수 있다.
카르복실산은 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있고, 카르복실산이 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응 통해 산화된 금속 산화물이 재흡착되는 것을 억제하는 성능이 떨어지고, 5 중량%를 초과하는 경우 비경제적인 문제가 발생될 수 있다.
카르복실산은 카복실기의 개수에 따라 mono-, di- 및 tri-로 구분되고, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 카르복실산으로 1차 카르복실산, 2차 카르복실산 및 3차 카르복실산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
1차 카르복실산은 아세트산(acetic acid) 및 벤조산(benzoic acid)이고, 2차 카르복실산은 옥살산(oxalic acid) 및 말론산(malonic acid)이며, 3차 카르복실산 은 시트릭산(citric acid)이고, 카복실기 포함한 다른 작용기를 포함하는 카르복실산으로는 아스파르트산(aspartic acid), 락트산(lactic acid) 및 피루브산(pyruvic acid)이 사용될 수 있다.
바람직하게는, 카르복실산은 아세트산(acetic acid), 벤조산(benzoic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 시트릭산(citric acid), 아스파르트산(aspartic acid), 락트산(lactic acid) 및 피루브산(pyruvic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
물은 탈이온수가 사용될 수 있고, 앞서 전술한 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물의 성분들의 함량을 포함하는 조성물의 총 중량이 100 중량%가 되도록 포함될 수 있다.
실시예에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 동일 분야에서 통상적으로 사용되는 첨가제를 더 포함할 수 있고, 바림직하게는, 첨가제로 식각 조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 다양한 식각 공정에서 사용될 수 있으나, 바람직하게는, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 금속 실리사이드로 형성된 하부층 상에 형성된 금속층을 식각하기 위해 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 CMOS 장치에 사용되는 나노 소자의 게이트 전극, 소스 전극 또는 드레인 전극 등과 같은 낮은 접촉 저항, 높은 열적 안정성 또는 낮은 비저항을 갖는 실리사이드 형성 공정에서 사용될 수 있다.
이하에서는, 도 1a 내지 도 1d를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 식각 방법 및 본 발명의 실시예에 따른 식각액 조성물에 대해 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따른 식각 방법을 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 기재 상에 금속층을 형성하는 단계, 기재 및 금속층을 열처리하여 금속층 하부에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계 및 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 금속층을 식각하는 단계를 포함한다.
도 1a는 기재를 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 기재(110)를 준비한다.
기재(110)는 특별히 제한되지는 않으나, 바람직하게는, 기재(110)는 실리콘 기판이 사용될 수 있고, 실시예에 따라, 실리콘 기판은, 표면에 실리콘 부분을 포함하는 반도체 웨이퍼일 수 있다.
실시예에 따라, 기재(110) 상에는 시드층 또는 확산 방지막을 포함할 수 있다.
확산 방지막은 티타늄 질화물(TiN), 텅스텐 질화물(WN), 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 탄소 질화물(SiCN) 및 실리콘 산화 탄소 질화물(SiOCN)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있다.
확산 방지막은 금속층의 금속 물질이 기재 또는 다른 층(금속 실리사이드와 접합하고 있는 층)으로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
도 1b는 기재 상에 형성된 금속층을 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 기재(110) 상에 금속층(120)을 형성한다.
금속층(120)은 니켈(Ni) 백금(Pt), 니켈백금(NiPt), 인듐(In), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V), 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 란타늄(La)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람직하게는, 금속층(120)은 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 니켈백금(NiPt)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있고, 더욱 바람직하게는, 금속층(120)은 NiPt을 포함할 수 있다.
금속층(120)은 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition), 물리 기상 증착법(physical vapor deposition), 원자층 증착법(atomic layer deposition), 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 및 존 캐스팅(zone casting) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다.
도 1c는 기재 상에 형성된 금속 실리사이드층 및 금속층을 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 기재(110) 및 금속층(120)을 열처리하여 금속 실리사이드층(130)을 형성한다.
예를 들면, 실리사이드(silicide)는 소스/드레인 전극의 콘택트부 또는 게이트 전극의 저저항화를 실현하기 위하여 사용될 수 있고, 보다 구체적으로는 게이트 전극 및 소스/드레인 영역의 표면에 금속층을 형성한 다음, 열처리를 진행하여 선택적으로 실리사이드를 형성하여 게이트 전극의 비저항 및 소스/드레인 영역의 기생 저항을 감소시킬 수 있는 금속화 공정이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 기재(110) 상에 금속층(120)을 형성한 다음, 실리사이드화를 위한 열처리를 진행할 수 있다.
금속 실리사이드층(130)은 니켈(Ni) 실리사이드 백금(Pt) 실리사이드, 니켈백금(NiPt) 실리사이드, 인듐(In) 실리사이드, 알루미늄(Al) 실리사이드, 마그네슘(Mg) 실리사이드, 망간(Mn) 실리사이드, 베릴륨(Be) 실리사이드, 하프늄(Hf) 실리사이드, 나이오븀(Nb) 실리사이드, 텅스텐(W) 실리사이드, 바나듐(V) 실리사이드, 은(Ag) 실리사이드, 몰리브데늄(Mo) 실리사이드, 티타늄(Ti) 실리사이드, 구리(Cu) 실리사이드, 팔라듐(Pd) 실리사이드 및 란타늄(La) 실리사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함할 수 있고, 바람작하게는, 금속 실리사이드층(130)은 NiPt 실리사이드를 포함할 수 있다.
도 1d는 기재 상에 형성된 금속 실리사이드층을 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 금속층(120)을 식각하여 기재(110) 상에 형성된 금속 실리사이드층(130)을 형성한다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각 방법은 금속층(120)을 식각하기 위해 본 발명의 실시예에 따른 식각액 조성물이 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 산화제 5 중량% 내지 20 중량%, pH 조절제 5 중량% 내지 10중량%, 암모늄 화합물 0.1 내지 5 중량% 및 잔량의 물을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응 통해 산화된 금속 산화물이 재흡착되는 것을 방지하는 카르복실산(carboxylic acid)을 더 포함할 수 있다. 카르복실산은 본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물 내에 0.1 중량% 내지 5 중량%로 포함될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 금속 식각액 조성물은 대상 막질 상부에 형성된 금속층을 제거하기 위해 사용될 수 있고, 식각 공정 시, 금속층에 대한 데미지(damage)를 감소시키고, 잔여 금속을 선택적으로 제거할 수 있다.
실시예
금속 식각액 조성물
금속 식각액 조성물은 하기 [표 1]에 도시된 조성비(중량비 기준)로 혼합하여 실시예 1 내지 실시예 7 및 비교예 1 내지 비교예 4의 금속 식각액 조성물을 제조하였다.
[표 1]
시험예 1: 금속 제거 성능 평가 (식각 속도(etching rate)성능)
실시예 1 내지 4의 금속 식각액 조성물과 비교예 3 내지 비교예 5의 금속 식각액 조성물에 대하여 높은 식각율을 나타내야 하는 막질인 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 니켈백금(NiPt) 막질의 시편과, 낮은 식각율을 나타내야 하는 막질인 티타늄 질화물(TiN), NiPt 실리사이드(NiPt silicide), 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(SiN) 막질의 시편의 식각 속도(Etch rate)을 측정하였다.
식각 속도는 앞서 전술한 시편들을 실시예 1 내지 4의 금속 식각액 조성물과 비교예 3 내지 비교예 5의 금속 식각액 조성물에 50에서 10분 동안 딥핑(dipping)한 다음, 탈이온수(DIW)로 세정 후, 면저항 측정기와 박막 두께 측정기를 이용하여 분당 식각 속도를 측정하였고, 그 결과를 하기 [표 2]에 도시하였다.
[표 2]
[표 2]를 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 4의 금속 식각액 조성물은 암모늄 화합물이 포함되지 않는 비교예 4의 금속 식각액 조성물보다 높은 백금 및 NiPt 막질에 대한 식각 속도를 나타내는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 4의 금속 식각액 조성물은 pH 조절제가 포함되지 않은 비교예 5의 금속 식각액 조성물보다 높은 백금 및 NiPt 막질에 대한 식각 속도를 나타내는 것을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 내지 실시예 4는 황산을 포함하지 않는 비교예 3보다 티타늄 질화물 막질에 대한 낮은 식각 속도를 나타내어 부식에 대한 안정성이 높다는 것을 알 수 있다.
시험예 2: 실리사이드 부식 성능 평가 (XPS 비교 분석)
규소 막질에 NiPt 합금을 200Å증착하고, NiPt 실리사이드가 형성된 시편을 실시예 5 내지 실시예 6의 금속 식각액 조성물과 비교예 1의 금속 식각액 조성물에 50에서 5분 동안 딥핑(dipping)한 다음, 탈이온수(DIW)로 세정 후, X-선 광전자분광기(XPS)로 시편 표면을 측정하고, 측정된 그래프를 도 2a 내지 도 2c에 도시하였다.
도 2a본 발명의 실시예 5에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이고, 도 2b 발명의 실시예 6에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이며, 도 2c은 비교예 1에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 NiPt 실리사이드의 X-선 광전자분광기 결과를 도시한 그래프이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 발명의 실시예 5 및 실시예 6에 따른 금속 식각액 조성물은 할로겐 원소를 포함하지 않는 비교예 1의 금속 식각액 조성물 보다 NiPt 실리사이드 막질에 대한 안정성이 높은 것을 알 수 있다.
시험예 3: 재흡착성 평가
백금이 도포된 웨이퍼(Wafer)를 실시예 1 및 비교예 2의 금속 식각액 조성물에 50에서 5분 동안 딥핑(dipping)한 다음, 탈이온수(DIW)로 세정 후, 결함(Defect) 측정 장비를 통해 재흡착 입자(Particle)를 측정하였고, 측정된 이미지는 도 3a 및 도 3b에 도시하였다.
도 3a는 발명의 실시예 1에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 웨이퍼 표면을 도시한 이미지이고, 도 3b는 비교예 2에 따른 금속 식각액 조성물을 이용하여 식각된 웨이퍼 표면을 도시한 이미지이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 발명의 실시예 1에 따른 금속 식각액 조성물은 카르복실산을 포함하지 않는 비교예 2에 따른 금속 식각액 조성물보다 재흡착되는 입자를 감소시켜, 재흡착 안정성이 향상되는 것을 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
110: 기재 120: 금속층
130: 금속 실리사이드 층
130: 금속 실리사이드 층
Claims (13)
- 금속을 식각하기 위하여 사용되는 식각액 조성물로서,
산화제 5 중량% 내지 20 중량%, pH 조절제 5 중량% 내지 10 중량%, 암모늄 화합물 0.1 중량% 내지 5 중량% 및 잔량의 물을 포함하고,
상기 식각액 조성물은 할로겐족 원소를 포함하지 않으며,
상기 pH 조절제는 상기 식각액 조성물의 pH를 1이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 식각액 조성물은 카르복실산(carboxylic acid) 0.1 중량% 내지 5 중량%을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산화제는 금속 실리사이드(metal silicide) 형성 공정에서 잔존하는 금속층을 제거하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 암모늄 화합물은 잔여 금속층의 경시에 따른 식각 속도를 유지하는 동시에 금속 실리사이드(metal silicide)의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제2항에 있어서,
상기 카르복실산은 잔재 금속 산화물 및 킬레이트 반응 통해 산화된 금속 산화물이 재흡착되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산화제는 질산(nitric acid), 초산(acetic acid), 아질산(nitrous acid), 갈릭산(gallic acid), 젖산(lactic acid), 크롬산(chromic acid), 중크롬산칼륨(potassium dichromate), 염화철(iron chloride), 과망간산 칼륨(potassium permanganate) 및 설파민산(sulfamic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 pH 조절제는 인산(phosphoric acid) 및 에티드론산(etidroic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 암모늄 화합물은 황산암모늄(ammonium sulfate), 중탄산암모늄(ammonium bicarbonate), 질산암모늄(ammonium nitrate), 설파민산암모늄(ammonium sulfamate), 과황산암모늄(ammonium peroxysulfate) 및 구연산암모늄(ammonium citrate dibasic)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제2항에 있어서,
상기 카르복실산은 아세트산(acetic acid), 벤조산(benzoic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 시트릭산(citric acid), 아스파르트산(aspartic acid), 락트산(lactic acid) 및 피루브산(pyruvic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 금속은 니켈(Ni) 백금(Pt), 니켈백금(NiPt), 인듐(In), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 베릴륨(Be), 하프늄(Hf), 나이오븀(Nb), 텅스텐(W) 및 바나듐(V), 은(Ag), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 및 란타늄(La)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 식각액 조성물.
- 기재 상에 금속층을 형성하는 단계;
상기 기재 및 상기 금속층을 열처리하여 상기 금속층 하부에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계; 및
청구항 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 상기 금속층을 식각하는 단계
를 포함하고,
상기 식각액 조성물은 할로겐족 원소를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 금속층의 식각 방법.
- 제12항에 있어서,
상기 금속 실리사이드는 니켈(Ni) 실리사이드 백금(Pt) 실리사이드, 니켈백금(NiPt) 실리사이드, 인듐(In) 실리사이드, 알루미늄(Al) 실리사이드, 마그네슘(Mg) 실리사이드, 망간(Mn) 실리사이드, 베릴륨(Be) 실리사이드, 하프늄(Hf) 실리사이드, 나이오븀(Nb) 실리사이드, 텅스텐(W) 실리사이드, 바나듐(V) 실리사이드, 은(Ag) 실리사이드, 몰리브데늄(Mo) 실리사이드, 티타늄(Ti) 실리사이드, 구리(Cu) 실리사이드, 팔라듐(Pd) 실리사이드 및 란타늄(La) 실리사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속층의 식각 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170143905A KR101985167B1 (ko) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170143905A KR101985167B1 (ko) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190048724A KR20190048724A (ko) | 2019-05-09 |
| KR101985167B1 true KR101985167B1 (ko) | 2019-06-04 |
Family
ID=66546606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170143905A KR101985167B1 (ko) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101985167B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11639470B2 (en) | 2020-12-28 | 2023-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
| US12031076B2 (en) | 2020-12-28 | 2024-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137497A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | メタル材料用エッチング剤組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539454A (en) | 1976-07-14 | 1978-01-27 | Hitachi Ltd | Multiplying circuit |
| JP3387529B2 (ja) * | 1992-10-06 | 2003-03-17 | 朝日化学工業株式会社 | 銅および銅合金の化学溶解液 |
| US7618891B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-11-17 | International Business Machines Corporation | Method for forming self-aligned metal silicide contacts |
| JP2014507815A (ja) | 2011-03-11 | 2014-03-27 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | 新規なエッチング組成物 |
| KR20170065251A (ko) | 2015-12-03 | 2017-06-13 | 동우 화인켐 주식회사 | 니켈계 금속막의 식각액 조성물 |
-
2017
- 2017-10-31 KR KR1020170143905A patent/KR101985167B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137497A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | メタル材料用エッチング剤組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11639470B2 (en) | 2020-12-28 | 2023-05-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
| US12031076B2 (en) | 2020-12-28 | 2024-07-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Etching composition for thin film containing silver, method for forming pattern and method for manufacturing a display device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190048724A (ko) | 2019-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5523325B2 (ja) | チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液 | |
| US6291348B1 (en) | Method of forming Cu-Ca-O thin films on Cu surfaces in a chemical solution and semiconductor device thereby formed | |
| TWI407489B (zh) | 乾蝕刻後的洗淨液組成物及半導體裝置之製造方法 | |
| JP6555274B2 (ja) | コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法 | |
| KR102388074B1 (ko) | 반도체소자를 세정하기 위한 알칼리토류 금속을 포함하는 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 | |
| JP4221191B2 (ja) | Ｃｍｐ後洗浄液組成物 | |
| JP6555273B2 (ja) | タングステンを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法 | |
| JP6589882B2 (ja) | タンタルを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた洗浄方法 | |
| US7582570B2 (en) | Compositions for removal of processing byproducts and method for using same | |
| JP4551229B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 | |
| KR101985167B1 (ko) | 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법 | |
| TW201447042A (zh) | 蝕刻液 | |
| WO2014133137A1 (ja) | 半導体基板洗浄システムおよび半導体基板の洗浄方法 | |
| US11239093B2 (en) | Method for treating substrate, method for manufacturing semiconductor device, and kit for treating substrate | |
| JP2003313594A (ja) | 洗浄液および半導体装置の製造方法 | |
| JP2005166924A (ja) | タングステン金属除去液及びそれを用いたタングステン金属の除去方法 | |
| JP2005173046A (ja) | フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法 | |
| JP4816256B2 (ja) | エッチング方法 | |
| WO2014178326A1 (ja) | エッチング液 | |
| JP2009266984A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2017167797A1 (en) | Solution and method for etching titanium based materials | |
| WO2014178425A1 (ja) | エッチング液、これを用いたエッチング方法、エッチング液のキット、および半導体基板製品の製造方法 | |
| JP2023126198A (ja) | ルテニウムエッチング液組成物、これを用いたパターンの形成方法及びアレイ基板の製造方法、並びにこれにより製造されたアレイ基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |