KR20170065251A - 니켈계 금속막의 식각액 조성물 - Google Patents

니켈계 금속막의 식각액 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 클로라이드이온 및/또는 브로마이드이온, 니트레이트 이온, 암모늄계 부식방지제 및 물을 포함하여 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등의 니켈계 금속막에 대한 우수한 식각 특성을 가지는 니켈계 금속막의 식각액 조성물에 관한 것이다.

Description

니켈계 금속막의 식각액 조성물{ETCHANT COMPOSITION FOR ETCHING NICKEL LAYER}
본 발명은 금속막의 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 보호하고자 하는 다른 막질에 대해서는 손상을 방지하면서도, 식각하고자 하는 니켈계 금속막에 대해서는 우수한 식각성을 갖는 식각액 조성물에 관한 것이다.
반도체 집적 회로의 제조 공정은 다단계 구축 공정이다. 상기 공정은 기저층을 선택적으로 노출시키는 리소그래피, 부분 또는 완전 노출된 층의 식각(etching), 및 층의 침착 또는 식각에 의해 빈번하게 생성되는 간극의 충전 또는 물질의 선택적 침착의 반복적 단계를 수반한다. 금속의 식각은 중대한 공정 단계이다. 빈번하게 금속은 기타 금속, 금속 합금 및/또는 비금속 물질의 존재하에 인접 물질의 부식, 식각 또는 산화 없이 선택적으로 식각되어야 한다.
특히, 반도체 디바이스의 크기가 급속도로 작아지면서 집적회로에서의 특징부의 치수가 점증적으로 보다 작아짐에 따라, 인접 물질 또는 특징부에 대한 부식, 식각, 산화 또는 기타 손상을 최소화하는 것의 중요성이 증가되고 있다. 또한, 최근에는 전극의 접촉 저항을 더욱 저하시켜 내열성이나 과잉 성장 등을 제어하기 위해서, 예를 들면 니켈에 수 원자%의 백금을 첨가한 합금을 사용해서 니켈 백금 실리사이드를 형성하는 방법이 행해지고 있다.
지금까지 백금을 포함하지 않는 니켈 실리사이드를 사용할 경우, 일례로서 폴리실리콘 표면에 니켈 박막을 제막하고, 열처리에 의해 자기정합적으로 니켈 실리사이드를 형성하고(살리사이드 공정), RCA 세정에서 자주 사용되는 SPM[황산과수(황산/과산화수소)], 또는 HPM[염산과수(염산/과산화수소)]으로 처리함으로써 잉여의 니켈을 제거하는 방법이 사용되어 왔다.
그러나 니켈 백금 실리사이드를 사용하는 장치의 제작에 있어서는 상기와 같은 방법으로는 불충분하다. 백금은 대단히 내식성이 강한 금속이며, 니켈 등의 제거에 일반적으로 사용되는 약액이나, SPM 또는 HPM으로 처리하면 반도체 장치 기판 표면에 주로 백금으로 이루어진 잔사가 잔류하는 문제가 일어난다. 이러한 잔사는 반도체 장치의 전기 특성이나 신뢰성, 수율에 문제를 일으킨다.
또한, 백금의 잔사를 제거하기 위해서 강력한 용해능을 갖는 에칭액, 예를 들면 왕수로 처리하면 표면에 거칠기나 막두께의 변화가 생기기 쉬워 마찬가지로 반도체 장치의 특성에 악영향을 준다.
이에, 실리사이드 등에 손상을 주지 않고 Ni-Pt 합금막을 선택적으로 제거하는 방법이 요구되며, 충전 금속으로서 식각하고자 하는 Ni-Pt 합금막과 인접할 수 있는 알루미늄막, 알루미늄 합금막 등의 다른 막과 인접 물질에 영향을 주지 않는 높은 식각 선택성을 갖는 식각액 조성물이 요구된다.
일본 특허 공개 2009-176818호 공보
본 발명은 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
보호하고자 하는 다른 막질에 대해서는 부식 및 손상을 유발하지 않으면서, 식각하고자 하는 니켈막(Ni막) 또는 니켈백금 합금막(Ni-Pt 합금막) 등의 니켈계 금속막에 대해서는 우수한 식각 성능을 갖는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
클로라이드이온(Cl-) 및 브로마이드이온(Br-)으로부터 선택되는 1종 이상의 이온; 니트레이트 이온(NO3 -); 암모늄계 부식방지제; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등의 니켈계 금속막의 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등의 니켈계 금속막에 대한 식각 속도가 우수한 효과를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 보호하고자 하는 알루미늄(Al)막 및 니켈 백금 실리사이드(NiPtSi)막 등의 다른 막을 손상시키지 않아 막질의 보호가 가능하므로, 반도체 디바이스 제조공정에 있어 식각 특성을 향상시키고, 생산성 및 신뢰성을 크게 증가시킬 수 있다.
본 발명자들은 클로라이드이온 및/또는 브로마이드이온, 니트레이트 이온, 암모늄계 부식방지제 및 물을 포함하는 식각액 조성물이 다른 막질, 특히 반도체 제조 공정 중에 보호하고자 하는 알루미늄(Al)막 및/또는 니켈 백금 실리사이드(이하 'NiPtSi' 라고도 함)막질에 대한 영향을 최소화하면서도 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등 식각하고자 하는 니켈계 금속막 만을 선택적으로 식각할 수 있는 것을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은,
클로라이드이온(Cl-) 및 브로마이드이온(Br-)으로부터 선택되는 1종 이상의 이온; 니트레이트 이온(NO3 -); 암모늄계 부식방지제; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
상기 니켈계 금속막은 보다 상세하게는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막이다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 보호하고자 하는 다른 막질에는 손상을 가하지 않으면서, 식각하고자 하는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등에 대해서는 우수한 식각 성능을 가진다. 상기한 막들은 반도체 기판 상에 증착 또는 코팅을 통해 박막 또는 후막으로, 단층 또는 다층으로 적층된 구조일 수 있다.
본 명세서에서 다른 막질이라 함은, 반도체 제조 공정 중에 식각하고자 하는 니켈계 금속막과 인접하여 위치하거나, 이들 막의 하부 또는 측면에 위치할 수 있는 알루미늄(Al)막 및/또는 니켈 백금 실리사이드(NiPtSi)막 등일 수 있다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 성분들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
클로라이드이온(Cl - ) 및/또는 브로마이드이온(Br - )
본 발명의 식각액 조성물은 클로라이드이온(Cl-) 및 브로마이드이온(Br-)으로부터 선택되는 1종 이상의 이온을 포함한다. 본 발명의 식각액 조성물이 상기 클로라이드이온 및/또는 브로마이드이온을 포함할 경우 식각하고자 하는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등의 식각 속도를 유지 또는 증가시키면서도 보호하고자 하는 Al막 및 NiPtSi막 등의 손상, 산화 및 부식을 감소시킬 수 있다.
상기 클로라이드이온의 공급원으로서는 특별히 한정하지 않으나, 구체적인 예로서 염산, 암모늄 클로라이드 및 아민하이드로클로라이드 등을 들 수 있으며, 보다 바람직하게는 염산을 사용할 수 있다.
상기 아민하이드로클로라이드의 예로서는 HCl과, 1개 이상의 아민 관능기를 함유하는 일-, 이- 또는 삼치환된 아민 화합물과의 반응 생성물을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 적합한 상기 아민 화합물로는 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 프로필아민, 디프로필아민, 트리프로필아민, 피롤리딘, 피페리딘, 에틸메틸아민, 에틸디메틸아민, 페닐아민, 디페닐아민, 메틸디페닐아민, 디메틸페닐아민, 트리페닐아민, 벤질아민, 벤질메틸아민, 디벤질아민, 부틸아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 아닐린, 디메틸아닐린, 메틸아닐린, 페닐렌디아민 및 피페라진 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 브로마이드이온의 공급원으로서는 특별히 한정하지 않으나, 구체적인 예로서 브로민화수소, 암모늄 브로마이드 및 아민하이드로브로마이드 등을 들 수 있으며, 보다 바람직하게는 브로민화수소를 사용할 수 있다.
상기 아민하이드로브로마이드의 예로서는 HBr과, 1개 이상의 아민 관능기를 함유하는 일-, 이- 또는 삼치환된 아민 화합물과의 반응 생성물을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 적합한 상기 아민 화합물로는 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 프로필아민, 디프로필아민, 트리프로필아민, 피롤리딘, 피페리딘, 에틸메틸아민, 에틸디메틸아민, 페닐아민, 디페닐아민, 메틸디페닐아민, 디메틸페닐아민, 트리페닐아민, 벤질아민, 벤질메틸아민, 디벤질아민, 부틸아민, 디부틸아민, 트리부틸아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 아닐린, 디메틸아닐린, 메틸아닐린, 페닐렌디아민 및 피페라진 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 클로라이드이온의 공급원 및 상기 브로마이드이온의 공급원의 총 함량은, 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 4 내지 26 중량%인 것이 바람직하다. 함량이 상기한 범위 이내일 경우, 식각하고자 하는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등의 니켈계 금속막에 대한 식각 속도는 우수하게 유지하면서, 보호하고자 하는 Al막 및 NiPtSi막 등의 산화 및 부식 방지 효과가 우수하여 바람직하다.
니트레이트 이온(NO 3 - )
본 발명의 식각액 조성물은 니트레이트 이온(NO3 -)을 포함한다. 상기 니트레이트 이온은 본 발명의 식각액 조성물에 포함되어, 상술한 클로라이드이온 및/또는 브로마이드이온의 공급원과 반응시에 산화 니트로실(nitrosyl) 클로라이드 및/또는 브로마이드 중간체를 형성하는 것으로 판단된다. 니트로실 양이온(NO+)은 금속을 산화시키고, 수성 조성물 중에 이온화되어 있는 유리 클로라이드이온 및/또는 브로마이드이온은 금속을 착물화시켜 그 용해를 보조하는 것으로 판단된다.
상기 니트레이트 이온의 공급원은 특별히 한정되지 않으나, 구체적인 예로서 바람직하게는 질산 및 암모늄 니트레이트 등으로부터 선택되는 1종 이상을 들 수 있으며, 보다 바람직하게는 질산을 사용할 수 있다.
상기 니트레이트 이온의 공급원의 함량은, 조성물 총 중량에 대하여 2 내지 18 중량%인 것이 바람직하다. 상기한 기준으로 니트레이트 이온의 공급원의 함량이 2 중량% 미만인 경우 식각액 조성물에 충분한 산성도를 제공할 수 없어 식각 성능이 저하되는 문제가 있다. 반면 18 중량%를 초과하는 경우 식각하고자 하는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막에 인접한 다른 금속막, 예를 들어 Al막 또는 NiPtSi막을 산화시켜 인접부를 손상시킬 수 있다.
암모늄계 부식방지제
본 발명의 식각액 조성물은 암모늄계 부식방지제를 포함한다. 상기 암모늄계 부식방지제는 식각하고자 하는 Ni막 또는 Ni-Pt 합금막 등의 니켈계 금속막과 인접해 있는 니켈 실리사이드(NiSi) 또는 니켈 백금 실리사이드(NiPtSi)의 부식을 방지하는 역할을 한다.
상기 암모늄계 부식방지제는 특별히 한정하지 않으며 구체적인 예로서 황산암모늄, 인산암모늄, 벤조산암모늄, 탄산암모늄 및 테트라부틸암모늄 설페이트 등을 들 수 있으며, 이로부터 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
상기 암모늄계 부식방지제는 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.5 내지 1 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 암모늄계 부식방지제의 함량이 상기한 범위 이내일 경우 Ni-Pt 합금막 등 식각하고자 하는 니켈계 금속막에 대한 우수한 식각 특성을 가지면서도 다른 금속막의 손상 및 부식을 방지할 수 있다.
물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 상기한 성분들을 용해하는 역할을 함과 동시에, 산화된 무기 금속염을 용해하여 식각하고자 하는 막의 식각을 용이하게 한다.
상기 물은 특별히 한정하지 않으나, 반도체 공정용으로서 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하며, 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 상기한 성분들 외에 카르복실산계 부식방지제를 더 포함하는 것도 가능하다. 상기 카르복실산계 부식방지제는 상술한 암모늄계 부식방지제와 함께 보호하고자 하는 Al막 및/또는 NiPtSi막의 부식을 보다 효과적으로 방지하도록 기능한다.
상기 카르복실산계 부식방지제는 그 종류를 특별히 한정하지 않으며, 구체적인 예로서 벤조산, 살리실산 등을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 벤조산을 사용할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물이 상기 카르복실산계 부식방지제를 더 포함할 경우 함량은, 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3 중량%인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 계면활성제, 금속이온봉쇄제, pH 조절제, 식각조절제 등의 공지의 첨가제를 더 포함하는 것도 가능하다.
상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 더 첨가할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 Ni막 및/또는 Ni-Pt 합금막의 식각에 바람직하게 적용될 수 있다.
반면, 식각, 부식, 산화 및 손상을 막고 보호해야 하는 막은, 진보된 집적 회로 설계에 통합되고, 상기 니켈계 금속막의 식각 시 사용되는 식각액 조성물에 노출될 수 있는 막이다. 구체적으로 알루미늄(Al) 및/또는 알루미늄 합금(Al alloy), 식각하고자 하는 금속의 실리사이드 등을 들 수 있다. 상기 금속의 실리사이드는 구체적으로 NiPtSi, NiPtSiGe 등을 들 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
본 발명의 식각액 조성물을 사용하는 식각 방법은 특별히 한정하지 않으며, 이 분야에서 공지된 바의 습식 식각 공정 등을 사용할 수 있다. 상기 습식 식각의 구체적인 예로서는, 침적 및/또는 분무를 이용한 방법 등을 들 수 있다.
식각 조건으로서 온도는 통상적으로 30 내지 80℃, 바람직하게는 50 내지 70℃일 수 있고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 통상적으로 30초 내지 10분, 바람직하게는 1분 내지 5분이다. 그러나 이러한 조건은 엄밀하게 적용되지 않으며, 당업자에 의해 용이하거나 적합한 조건으로 선택될 수 있다.
상기 습식 식각 공정 시 본 발명에 따른 식각액 조성물로 처리함으로써 식각이 요구되는 막질만을 선택적으로 식각할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다. 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해질 것이다.
< 실시예 및 비교예 > 식각액 조성물의 제조
실시예 1~13 및 비교예 1~4.
하기 표 1에 기재된 성분을 상온에서 균일하게 혼합하여 식각액 조성물을 제조하였다.
(단위: 중량%)
항목 할라이드
공급원		 니트레이트
공급원		 암모늄계
부식방지제		 MSA DIW 카르복실산계
부식방지제
HCl HBr HNO3 AP AS BA
실시예 1 13 8.6 1 77.4
실시예 2 13 8.6 1 77.4
실시예 3 4.3 2.1 1 92.6
실시예 4 4.3 2.1 1 92.6
실시예 5 25.2 17.6 1 56.2
실시예 6 25.2 17.6 1 56.2
실시예 7 4.3 2.1 1 91.6 1
실시예 8 4.3 2.1 1 91.6 1
실시예 9 25.2 17.6 1 55.2 1
실시예 10 25.2 17.6 1 55.2 1
실시예 11 12.9 8.6 1 76.5 1
실시예 12 12.9 8.6 1 76.5 1
실시예 13 13 12.9 8.6 1 63.5 1
비교예 1 0.02 0.2 69.78 30
비교예 2 13 8.6 78.4
비교예 3 0.01 0.2 69.79 30
비교예 4 0.02 0.1 69.88 30
주)
MSA: 메탄술폰산(methanesulfonic acid)
AP: 인산암모늄(Ammonium phosphate)
AS: 황산암모늄(Ammonium sulfate)
BA: 벤조산(Benzoic acid)
< 실험예 >
실험예 1. 식각 속도 평가
실리콘 웨이퍼 위에 Ni-Pt 합금막이 단일막으로 증착된 웨이퍼를 준비하였다. 상기 웨이퍼는 2x2cm2 크기로 절단하고, 상기 실시예 1~13 및 비교예 1~4의 식각액 조성물을 60℃로 승온하여 1분간 침지하였다.
그 후, 상기 합금막이 증착된 웨이퍼를 초순수(DIW)로 세정 후 건조하고, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 막두께 변화를 측정하였다. 본 실험예에서 Ni-Pt 합금막의 식각 속도가 2,300 Å/min 이상이면 바람직한 것으로 평가할 수 있으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실험예 2. 식각 특성 평가
실리콘 웨이퍼 위에 Al막 또는 NiPtSi막이 각각 단일막으로 증착된 웨이퍼를 준비하였다. 상기 웨이퍼는 2x2cm2 크기로 절단하고, 상기 실시예 1~13 및 비교예 1~4의 식각액 조성물을 60℃로 승온하여 1분간 침지하였다.
이후, 상기 Al막 또는 NiPtSi막이 증착된 웨이퍼를 초순수(DIW)로 세정 후 건조하고, 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 막의 손상도를 평가하였다. 평가 기준은 하기와 같으며, 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<Al막 및 NiPtSi막의 손상(damage) 평가기준>
◎: 부식 0 내지 5% 발생
○: 부식 5% 초과 내지 10% 발생
△: 부식 10% 초과 내지 80% 발생
×: 부식 80% 초과 내지 100% 발생
항목 Ni-Pt 합금막의 식각속도 (Å/min) Damage 여부
Al막 NiPtSi막
실시예 1 2759 ○ ○
실시예 2 2748 ○ ○
실시예 3 2378 ○ ○
실시예 4 2396 ○ ○
실시예 5 3198 ○ ○
실시예 6 3269 ○ ○
실시예 7 2387 ◎ ◎
실시예 8 2403 ◎ ◎
실시예 9 3199 ◎ ◎
실시예 10 3258 ◎ ◎
실시예 11 2779 ◎ ◎
실시예 12 2753 ◎ ◎
실시예 13 2891 ◎ ◎
비교예 1 1495 ◎ ◎
비교예 2 2346 Ⅹ Ⅹ
비교예 3 1171 ◎ ◎
비교예 4 1036 ◎ ◎
상기 표 2의 결과를 통해 알 수 있듯이, 본 발명의 식각액 조성물인 실시예 1~13은 식각하고자 하는 Ni-Pt 합금막에 대해서는 우수한 식각속도를 나타냈으며, 보호하고자 하는 Al막 및 NiPtSi막의 손상은 발생하지 않거나 적절한 범위 이내인 것을 확인하였다.
반면 비교예 1~4의 경우 Ni-Pt 합금막에 대한 식각 성능이 불량하거나, Al막 또는 NiPtSi막에 대한 손상이 발생하였다.
구체적으로 비교예 1은 Al막 및 NiPtSi막에 대한 부식방지 효과는 있으나 Ni-Pt 합금막에 대한 식각 속도가 1,500 Å/min 수준으로 불량하였다. 염산, 질산, DIW 만을 포함하는 비교예 2의 경우 Al막 및 NiPtSi막에 대한 부식이 심하게 발생하였다. 암모늄계 부식방지제를 포함하지 않으며, 술폰산을 포함하고 각각 염산 또는 질산을 포함하는 비교예 3~4의 경우 Ni-Pt 합금막의 식각 속도가 현저히 낮아 사용에 부적합한 수준이었다.

Claims (10)

  1. 클로라이드이온(Cl-) 및 브로마이드이온(Br-)으로부터 선택되는 1종 이상의 이온; 니트레이트 이온(NO3 -); 암모늄계 부식방지제; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 클로라이드이온의 공급원은 염산, 암모늄 클로라이드 및 아민하이드로클로라이드로부터 선택되는 1종 이상이며,
    상기 브로마이드이온의 공급원은 브로민화수소, 암모늄 브로마이드 및 아민하이드로브로마이드로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  3. 청구항 2에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여,
    상기 클로라이드이온의 공급원 및 브로마이드이온의 공급원의 총 함량이 4 내지 26 중량%인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 니트레이트 이온의 공급원은 질산 및 암모늄 니트레이트로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여,
    상기 니트레이트 이온의 공급원의 함량은 2 내지 18 중량%인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 암모늄계 부식방지제는 황산암모늄, 인산암모늄, 벤조산암모늄, 탄산암모늄 및 테트라부틸암모늄 설페이트로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 암모늄계 부식방지제의 함량은, 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3 중량%인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 조성물은 카르복실산계 부식방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  9. 청구항 8에 있어서,
    조성물 총 중량에 대하여, 상기 카르복실산계 부식방지제의 함량은 0.1 내지 3 중량%인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
  10. 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 니켈계 금속막은 니켈막 또는 니켈백금 합금막인 것을 특징으로 하는 니켈계 금속막의 식각액 조성물.
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