WO2014178326A1 - エッチング液 - Google Patents

エッチング液 Download PDF

Info

Publication number
WO2014178326A1
WO2014178326A1 PCT/JP2014/061562 JP2014061562W WO2014178326A1 WO 2014178326 A1 WO2014178326 A1 WO 2014178326A1 JP 2014061562 W JP2014061562 W JP 2014061562W WO 2014178326 A1 WO2014178326 A1 WO 2014178326A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching solution
water
nickel
bromine
nickel platinum
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/061562
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
斉藤　康夫
冬樹 佐藤
Original Assignee
昭和電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 昭和電工株式会社 filed Critical 昭和電工株式会社
Publication of WO2014178326A1 publication Critical patent/WO2014178326A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition

Definitions

  • the present invention relates to an etching solution. More particularly, the present invention relates to an etching solution capable of selectively removing a nickel platinum alloy-based metal without attacking a silicon-based material and Al, W, Ti, TiN and TaN.
  • contact resistance is reduced by siliciding electrodes such as a gate, a source, and a drain for miniaturization, power saving, and speeding up of a MOS transistor.
  • siliciding electrodes such as a gate, a source, and a drain for miniaturization, power saving, and speeding up of a MOS transistor.
  • nickel, cobalt, titanium, or tungsten silicide has been used as a metal used for an electrode.
  • silicidation using, for example, nickel platinum alloy in which several atomic percent to several tens atomic percent platinum is added to nickel has been performed. It has been broken.
  • nickel silicide not containing platinum when nickel silicide not containing platinum is used, as an example, a nickel thin film is formed on a polysilicon surface, nickel silicide is formed in a self-aligning manner by heat treatment (salicide process), and SPM often used in RCA cleaning.
  • a method of removing excess nickel by treatment with (sulfuric acid / hydrogen peroxide (sulfuric acid / hydrogen peroxide)) or HPM (hydrochloric acid / hydrogen peroxide (hydrochloric acid / hydrogen peroxide)) has been used.
  • the above method is not sufficient for the production of a device using nickel platinum silicide.
  • Platinum is a metal with very strong corrosion resistance, and when it is treated with a chemical solution generally used for removing nickel or the like, or SPM or HPM, a residue mainly composed of platinum remains on the surface of the semiconductor device substrate. Such residues cause problems in the electrical characteristics, reliability, yield, and the like of the semiconductor device.
  • aqua regia having a general composition
  • the surface is likely to be rough or change in film thickness, which similarly adversely affects the characteristics of the semiconductor device. Therefore, a method of selectively removing the nickel platinum alloy without damaging silicide or other metals has been studied.
  • Patent Document 1 discloses a chemical containing a substance having a property of coordinating with nickel, such as an aqueous solution containing ammonia water or cyanide, in order to first remove most of nickel by SPM and then protect nickel platinum silicide. After the treatment, a method of dissolving and removing platinum with aqua regia having a general composition is disclosed. However, this method is difficult to handle because it uses aqua regia having a strong corrosive force, harmful cyanide and the like.
  • Patent Document 2 discloses a method in which a nickel platinum alloy (hereinafter also referred to as NiPt) is removed with a composition containing methanesulfonic acid, halogen ions, nitric acid, and water, and Al is not damaged.
  • NiPt nickel platinum alloy
  • methanesulfonic acid needs to be purified by distillation or the like for semiconductors, it has a drawback that the cost of the chemical solution is high because of its highly corrosive substance, resulting in high cost of the chemical solution.
  • Patent Document 3 discloses an etching solution containing halogen molecules, halogen ions, water, and an organic solvent.
  • iodine is most preferred as the halogen, and all examples contain iodine molecules and iodine ions.
  • the organic solvent is desirably contained in the etching solution in an amount of 1 to 88% by mass.
  • the NiPt etching rate of the iodine-based composition described in the examples is as low as about 5 nm / min at most, and is not practical.
  • JP 2009-176818 A US Patent Application Publication No. 2012/0231632 JP2013-21065A
  • the object of the present invention is to provide a silicon-based material (Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , nickel silicide, NiPtSi, etc.) and a nickel platinum alloy system with little damage to Al, W, Ti, TiN and TaN.
  • An object of the present invention is to provide an etching solution capable of selectively removing metal.
  • the present inventors have found that an etching solution containing a specific water-soluble organic solvent, a bromine source, a chlorine source or a combination thereof, and water, Found that silicon platinum materials such as Si, SiO 2, Si 3 N 4 , nickel silicide, nickel platinum silicide, and nickel platinum alloy can be selectively removed without damaging Al, W, Ti, TiN and TaN,
  • the present invention includes the following matters.
  • At least one water-soluble organic solvent selected from acetonitrile, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl methoxypropionate, and ⁇ -butyrolactone, 89.0 to 99.9% by mass, bromine source, chlorine
  • An etching solution containing 1 to 200 mmol / kg of a source or a combination thereof as a halogen atom concentration and water.
  • the etching solution according to [1] which is for removing nickel platinum alloy-based metals.
  • the bromine source is a combination of a bromine compound and at least one oxidizing agent selected from the group consisting of hydrogen peroxide, ammonium persulfate, and nitric acid
  • the chlorine source is a chlorine compound, a peroxidation
  • the etching rate ratio of the nickel platinum alloy metal to Al, Si, W, Ti, TiN, TaN, SiO 2 , Si 3 N 4 , nickel silicide and nickel platinum silicide is 7 or more [2] to [5 ]
  • the etching liquid in any one of. [7] A first liquid containing the water-soluble organic solvent and a second liquid containing bromine (Br 2 ), chlorine (Cl 2 ) or a combination thereof, or an oxidizing agent, and the first liquid When at least one of the second liquid contains water and the second liquid contains an oxidizing agent, the first liquid is an etching liquid kit containing a bromine compound, a chlorine compound, or a combination thereof.
  • the etching solution of the present invention is a nickel platinum alloy based material that hardly damages silicon-based materials (Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , nickel silicide, NiPtSi, etc.) and Al, W, Ti, TiN, and TaN.
  • the metal is selectively removed, for example, the nickel platinum alloy-based metal can be selectively removed at an etching rate of 10 nm / min or more and an etching rate ratio of 7 or more with respect to the silicon-based material. It is extremely effective for manufacturing semiconductor devices such as transistors.
  • Example No. of the present invention An Si substrate with a SiO 2 film was formed as Example No. of the present invention.
  • 7 is an SEM image of the surface of SiO 2 after being treated for 3 minutes at 50 ° C. using an etching solution having a composition of 7.
  • FIG. 1 of the present invention The Si substrate with the Si 3 N 4 film is referred to as Example No. 1 of the present invention.
  • 7 is a SEM image of the surface of Si 3 N 4 after being treated at 50 ° C. for 3 minutes using an etching solution having a composition of 7.
  • the etching solution of the present invention contains a specific water-soluble organic solvent, a bromine source, a chlorine source or a combination thereof, and water, and a nickel-platinum alloy with respect to silicon-based materials and Al, W, Ti, TiN, and TaN
  • the system metal can be selectively removed.
  • the mechanism of action of etching the nickel platinum alloy by the etching solution of the present invention is estimated as follows. That is, when a bromine source is present in the etching solution, bromine (Br 2 ), hypobromous acid, bromic acid, or the like in the etching solution causes chlorine (Cl 2) when a chlorine source is present in the etching solution. ), Nickel and platinum in nickel platinum alloys are oxidized by hypochlorous acid, chloric acid, etc., and platinum oxide and bromine atoms (bromide ions) or chlorine atoms (chloride ions) form further complexes. Thus, a compound that is easily dissolved in the etching solution is formed.
  • the water-soluble organic solvent improves the wettability of the etching solution with the nickel platinum alloy, and bromine (Br 2 ), hypobromous acid, bromic acid, chlorine (Cl 2 ), hypochlorous acid, chloric acid, etc. are nickel. It becomes easier to attack the surface of the platinum alloy.
  • water-soluble organic solvents such as bromine (Br 2 ), hypobromite, bromate, chlorine (Cl 2 ), hypochlorous acid, chloric acid, etc., extremely corrode materials such as Al, W, Ti, NiPtSi, etc. It also has a role of controlling so as not to.
  • the etching solution of the present invention By using the etching solution of the present invention, it is possible to provide a processing means effective for a semiconductor device forming method using a salicide process. Furthermore, by optimizing the composition of the etching solution of the present invention, the surface of the substrate treated with this etching solution can be brought into a state where there are very few nickel and platinum residues.
  • Water-soluble organic solvents used in the etching solution of the present invention include acetonitrile (ATN), propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), methyl 3-methoxypropionate (MMP), and ⁇ -butyrolactone. It is at least one selected from (GBL). Among these, ATN, PGME, and combinations thereof are preferable because high-purity products suitable for semiconductor manufacturing processes are easily available and inexpensive.
  • the water-soluble organic solvent is contained in the etching solution in an amount of 89.0 to 99.9% by mass, preferably 90.0 to 97.5% by mass, and more preferably 91.0 to 95.5% by mass.
  • the concentration of the water-soluble organic solvent is lower than 89.0% by mass, the etching rate of the silicon-based material and Al, W, Ti, TiN and TaN increases, and the nickel platinum alloy-based metal can be selectively removed. Can not. Further, when the concentration of the water-soluble organic solvent exceeds 99.9% by mass and approaches 100% by mass, the concentration of bromine source and / or chlorine source decreases, the etching rate of the nickel platinum alloy metal decreases, and the efficiency is improved. The nickel platinum alloy metal cannot be removed.
  • a plurality of the above water-soluble organic solvents may be used in combination.
  • bromine source it is desirable that at least one selected from bromine (Br 2 ), hypobromite, and bromic acid is contained in the etching solution. Hypobromite and bromic acid decompose over time, so in consideration of safety and quality, bromine (Br 2 ) is practically used, or a bromine compound and an oxidizing agent are mixed in the etching solution. It is preferable to produce a bromine source.
  • bromine compound those that generate bromine ions in the presence of water are preferred.
  • inorganic compounds such as hydrobromic acid and ammonium bromide, and 1,3-dibromo-5,5-dimethylhydantoin
  • Organic compounds such as N-bromosuccinimide, tetramethylammonium bromide, and tetrabutylammonium bromide can be used.
  • generates a bromine source by mixing with an oxidizing agent by making a hydrobromic acid and ammonia water react in a water-soluble organic solvent.
  • Bromine (Br 2 ), hypobromous acid, and bromic acid have the ability to oxidize NiPt even without an oxidizing agent in the presence of water, but oxygen atoms are present in the molecule such as hydrobromic acid and ammonium bromide.
  • Inorganic bromine compounds that do not contain oxygen and organic bromine compounds such as 1,3-dibromo-5,5-dimethylhydantoin, N-bromosuccinimide, tetramethylammonium bromide, and tetrabutylammonium bromide must be combined with an oxidizing agent to produce NiPt. Has no ability to oxidize.
  • the oxidizing agent examples include hydrogen peroxide, ammonium persulfate, nitric acid, sulfuric acid, potassium permanganate, and potassium dichromate.
  • bromine (Br 2 ) alone or at least one oxidant selected from the group consisting of bromine compounds such as hydrobromic acid, hydrogen peroxide, ammonium persulfate, and nitric acid It is preferable to use what combined these as a bromine source. These bromine sources may be used alone or in combination.
  • chlorine (Cl 2 ) As a chlorine source, it is desirable that at least one selected from chlorine (Cl 2 ), hypochlorous acid, and chloric acid is contained in the etching solution. Hypochlorous acid and chloric acid decompose over time, so in consideration of safety and quality, practically use chlorine (Cl 2 ) or mix chlorine compounds and oxidizing agents in the etching solution. It is preferable to generate a chlorine source.
  • the chlorine compound those that generate chlorine ions in the presence of water are preferable.
  • inorganic compounds such as hydrochloric acid and ammonium chloride, 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantoin, N-chlorosuccinimide, Organic compounds such as tetramethylammonium chloride and tetrabutylammonium chloride can be used.
  • Chlorine (Cl 2 ), hypochlorous acid, and chloric acid have the ability to oxidize NiPt even without an oxidant by coexistence with water, but inorganic such as hydrochloric acid and ammonium chloride that do not contain oxygen atoms in the molecule
  • Chlorine compounds and organochlorine compounds such as 1,3-dichloro-5,5-dimethylhydantoin, N-chlorosuccinimide, tetramethylammonium chloride, and tetrabutylammonium chloride have the ability to oxidize NiPt unless used in combination with an oxidizing agent. Absent.
  • the oxidizing agent examples include hydrogen peroxide, ammonium persulfate, nitric acid, sulfuric acid, potassium permanganate, and potassium dichromate.
  • chlorine (Cl 2 ) alone or a chlorine compound such as hydrochloric acid is combined with at least one oxidizing agent selected from the group consisting of hydrogen peroxide, ammonium persulfate, and nitric acid. Is preferably used as the chlorine source. These chlorine sources may be used alone or in combination.
  • the concentration of the bromine source, the chlorine source, or a combination thereof in the etching solution is 1 to 200 mmol / kg, preferably 5 to 100 mmol / kg, as the halogen atom concentration based on the total of bromine atoms and chlorine atoms. Preferably, it is 8 to 70 mmol / kg. If it is lower than 1 mmol / kg, the concentration of active species that dissolve NiPt is low, and the etching rate of NiPt is low. On the other hand, if it exceeds 200 mmol / kg, damage to Al and other metals increases.
  • the concentration of the oxidizing agent is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 7% by mass, and still more preferably 0.5 to 5% by mass.
  • the amount of the oxidizing agent is less than 0.01% by mass, the etching rate of NiPt may be excessively lowered, and in some cases, etching may not be performed. On the other hand, even if the oxidizing agent is more than 10% by mass, the etching rate of NiPt is not improved.
  • the etch rate for Al, W, Ti, TiN, TaN of the etchant is 5 nm / min or less at 50 ° C., preferably 2 nm / min or less, more preferably 1 nm / min. It is as follows.
  • the etching rate for Al, W, Ti, TiN, and TaN can be calculated by the following procedure, and Al is described as an example.
  • An Al thin film with a film thickness of 50 nm (L0) is formed on the Si substrate by sputtering.
  • a substrate having an Al thin film is cut into a 2 ⁇ 2 cm square to obtain a sample piece.
  • the sheet resistance value on the Al thin film side of an unused substrate with a known film thickness is measured, and the sheet resistance value (x) with respect to the film thickness of 50 nm (L0) is measured.
  • the sample piece is treated at 50 ° C. for 3 minutes, and the first sheet resistance value (y) on the Al thin film side is measured.
  • the sample piece is again treated with the same etching solution at 50 ° C. for 3 minutes, and then the second sheet resistance value (z) on the Al thin film side is measured.
  • the sample piece is rinsed with secondary distilled water and air-dried, and then the sheet resistance value is measured.
  • the etch rate ratio of the nickel platinum alloy based metal to the etchant Al, W, Ti, TiN, TaN, Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , nickel silicide and nickel platinum silicide is , 7 or more, preferably 10 or more, more preferably 20 or more, still more preferably 50 or more.
  • the etching rate of the etching solution with respect to the nickel platinum alloy-based metal is 10 nm / min or more, 20 nm / min or more, or 30 nm / min or more at 50 ° C. In consideration of the properties and the like, the composition can be appropriately selected by determining the composition of the etching solution.
  • the etching rate is preferably 10 nm / min or more, more preferably 15 nm / min or more, and further preferably 20 nm / min or more.
  • the etching rate for the nickel platinum alloy metal can be calculated by the following procedure. A thin film made of a nickel platinum alloy metal having a film thickness of 15 nm is formed on a Si substrate by sputtering. The substrate is cut into 1 ⁇ 1 cm squares to obtain sample pieces. 10 mL of the etching solution is put into a polyethylene container. The etching solution is kept at 50 ° C. using a thermostatic bath. After 30 minutes, the sample piece is put into the etching solution, the surface of the sample piece is visually observed, the time when the metal thin film derived from the nickel platinum alloy metal disappears is measured with a stopwatch, and the etching rate is calculated. .
  • a surfactant may be added to the etching solution of the present invention for the purpose of improving NiPt removability, protecting other materials of devices such as Al and NiPtSi, and improving liquid permeability to patterns.
  • Surfactants include cationic, nonionic, or anionic surfactants. Among these, anionic surfactants are used for the purpose of removing metals and other residues and protecting Al, silicon-based materials and the like. Examples of the anionic surfactant include sulfuric acid ester, sulfonic acid, carboxylic acid, phosphoric acid ester, and derivatives and salts thereof having a linear alkyl group having 8 to 20 carbon atoms.
  • anionic surfactant has a linear alkyl group having 12 carbon atoms
  • anionic surfactant ammonium dodecyl sulfate, triethanolamine dodecyl sulfate, dodecylbenzenesulfonic acid, dodecylsulfonic acid , Dodecyl diphenyl ether disulfonic acid, and derivatives and salts thereof, but the type of the anionic surfactant is not particularly limited.
  • anionic surfactants may be added in the form of a salt.
  • a nonionic surfactant such as a polyoxyalkylene alkyl ether derivative exhibiting a defoaming action can be added simultaneously with the anionic surfactant or alone.
  • the etching solution of the present invention needs to contain a water-soluble organic solvent, a bromine source and / or a chlorine source, and water at the time of use.
  • bromine (Br 2 ), chlorine (Cl 2 ), hypobromous acid, hypochlorous acid, bromic acid, and chloric acid are easily decomposed in the prepared etching solution.
  • the oxidizing agent are divided into two or more liquids, and these liquids are mixed immediately before use to prepare an etching liquid.
  • bromine (Br 2 ), chlorine (Cl 2 ), hypobromous acid Hypochlorous acid, bromic acid, or chloric acid may be generated.
  • Bromine (Br 2 ) and chlorine (Cl 2 ) are both a bromine source and a chlorine source, as well as an oxidizing agent.
  • an oxidizing agent When an oxidizing agent is mixed with a water-soluble organic solvent and transported, the water-soluble organic solvent may be decomposed by the oxidizing agent. Therefore, it is preferable to store and transport the water-soluble organic solvent and the oxidizing agent separately.
  • an etching liquid kit in which the first liquid contains a bromine compound, a chlorine compound, or a combination thereof can be used.
  • the first liquid may be a mixture of a water-soluble organic solvent and water
  • the second liquid may be a mixture of bromine (Br 2 ) and water
  • the first liquid may be a water-soluble organic solvent and water.
  • the 2nd liquid into the aqueous solution of an oxidizing agent in the liquid mixture of a bromine compound.
  • the first liquid can be a mixture of a water-soluble organic solvent, water, and hydrobromic acid
  • the second liquid can be a nitric acid aqueous solution or a hydrogen peroxide aqueous solution.
  • a chlorine source it can be carried out in the same manner as in the case of a bromine source.
  • nickel platinum alloy-based metal is an alloy containing nickel and platinum as main components, and typically, nickel is 80 to 99.5 atomic%, and platinum is 0.5 to 20 atoms. % Alloy. As will be described later, since nickel platinum silicide is formed by heat-treating a nickel platinum alloy-based metal film formed on silicon, the nickel platinum alloy-based metal itself does not substantially contain or contain silicon. Absent.
  • metals other than platinum for example, noble metals such as gold, palladium, iridium, ruthenium and rhodium, corrosion resistant metals such as tantalum and hafnium, germanium, other general metals, and those Metals that can be treated with the etching solution of the present invention also contain impurity components, such as carbon, which are inevitable to be mixed during metal nitrides and oxides, metal processing, refining, and film formation, such as carbon. Included in the range.
  • the etching solution of the present invention can be used for removing a nickel platinum alloy-based metal formed on a substrate, for example, a nickel platinum alloy-based metal film.
  • the etching solution of the present invention does not attack silicon-based materials such as Si, SiO 2 , Si 3 N 4 , nickel silicide, and Al, W, Ti, TiN, and TaN.
  • the formed nickel platinum alloy metal can be suitably removed.
  • the method for forming a nickel platinum alloy-based metal on the substrate is not particularly limited, and any method such as sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition), ALD (Atomic Layer Deposition), vacuum deposition, plating, etc. is used.
  • film forming conditions and heat treatment conditions are not limited.
  • Si, SiO 2 and Si 3 N 4 are mixed with germanium, boron, nitrogen, phosphorus, arsenic, gallium, antimony, carbon, etc. It may be doped.
  • Nickel silicide in a broad sense includes nickel silicide (nickel silicide), nickel platinum silicide (nickel platinum silicide), etc., and these are formed on the surface of the semiconductor device by heat treatment when manufacturing the semiconductor device. Since the composition and distribution of atoms change, they are also included in those treated with the etching solution of the present invention.
  • the amount of solution used, the number of treatments, the treatment temperature, etc. may be arbitrarily set in order to optimize selectivity and removability according to the formation conditions, film thickness, etc. of the metal thin film. .
  • a liquid temperature preferably 1 to 100 ° C., more preferably 15 to 80 ° C.
  • excellent metal removal property, metal selectivity and liquid life can be obtained.
  • the metal removability may be lowered.
  • it is desirable to heat paying attention to a change in concentration due to decomposition of components and volatilization of components of liquid.
  • NiPt removability was judged by the fact that there was no remaining nickel platinum alloy metal film on the substrate surface and no floating matter was generated in the etching solution.
  • the processing time may be extended and the processing temperature may be increased so as not to damage the silicon-based material.
  • the processing can be usually performed by supplying the etching solution to the surface of the semiconductor wafer with a single wafer cleaning device. Moreover, the process of immersing a semiconductor wafer in etching liquid may be sufficient. These treatments can also be performed using stirring, rocking and / or ultrasonic application. In addition, any device using nickel platinum alloy as a material can be used for electronic devices other than MOS transistors.
  • One embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device using the etching solution of the present invention includes the following steps. That is, a step of forming a nickel platinum alloy metal film on at least a part of a substrate made of a silicon material, and etching at least a part of the nickel platinum alloy metal film without damaging the silicon material And selectively removing using a liquid.
  • a step of sequentially forming polysilicon and a nickel platinum alloy-based metal thin film as electrode materials on at least a part of a substrate made of a silicon-based material, and a step of forming nickel platinum silicide in a self-aligned manner by heat treatment (Salicide process) and the process of removing an unreacted nickel platinum alloy using the etching solution of the present invention for example, a step of sequentially forming polysilicon and a nickel platinum alloy-based metal thin film as electrode materials on at least a part of a substrate made of a silicon-based material, and a step of forming nickel platinum silicide in a self-aligned manner by heat treatment (Salicide process) and the process of removing an unreacted nickel platinum alloy using the etching solution of the present invention.
  • the balance other than the components listed in Tables 1 and 2 is water. Secondary distilled water was used as the water.
  • Propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), acetonitrile (ATN), isopropyl alcohol (IPA), methyl 3-methoxypropionate (MMP), N-methylpyrrolidone (NMP), and ⁇ -butyrolactone (GBL) used for the electronic material by Showa Denko Co., Ltd. was used. 30% by mass hydrogen peroxide, 35% by mass hydrochloric acid and 60% by mass nitric acid were used for electronic materials manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd.
  • Tetramethylammonium bromide (TMABr), ammonium bromide manufactured by Kishida Chemical Co., Ltd.
  • TMABr Tetramethylammonium bromide
  • TBABr tetrabutylammonium bromide
  • I 2 iodine
  • Br 2 bromine
  • a special grade 28% by mass ammonia water manufactured by K.K. and dodecylbenzenesulfonic acid (DBS) manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. were used.
  • the water in the etching solution consists of secondary distilled water (water is distilled twice) and water contained in the reagent.
  • the etching solution was kept at 50 ° C. using a thermostatic bath. After 30 minutes, the NiPt sample piece was put into the prepared etching solution, the surface of the sample piece was visually observed, the time when the metal thin film caused by NiPt disappeared was measured with a stopwatch, and the etching rate was calculated.
  • Tables 1 and 2 collectively show the etching rate of NiPt when the nickel platinum alloy-based metal film-coated substrate is immersed in an etching solution. “-” In Table 2 means not measured.
  • damage evaluation for TaN and TiN was similarly performed using a sample piece formed by sputtering TaN and TiN with a thickness of 50 nm on a Si substrate.
  • the liquid used was No. 1 which is a typical composition of the examples. 7
  • the etching rates were 0.1 nm / min for both TaN and TiN, and good results were obtained, less than 2 nm / min.
  • NiPtSi (Damage evaluation of NiPtSi, SiO 2 , Si 3 N 4 ) No. which is a representative composition of Examples. 7 was used to evaluate the damage of NiPtSi, SiO 2 and Si 3 N 4 .
  • the NiPtSi film was formed by sputtering NiPt on a Si wafer and then performing a heat treatment. As a result, a sample piece in which 8 nm of NiPtSi and 10 nm of NiPt were sequentially laminated on the Si wafer was obtained, and this sample piece was used for the etching process. After the first etching treatment was performed on nickel platinum silicide (NiPtSi) at 50 ° C.
  • NiPtSi nickel platinum silicide
  • the etching solution of the present invention can efficiently remove the nickel platinum alloy-based metal without damaging the silicon-based material and the substrate containing Al, W, Ti, TiN, and TaN, it is useful for manufacturing a semiconductor device. It is.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

　珪素系材料、ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮに対して殆どダメージを与えることなくニッケル白金合金系金属を選択的に除去することができるエッチング液を提供する。本開示によれば、アセトニトリル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシプロピオン酸メチル、およびγ－ブチロラクトンから選ばれる少なくとも１種の水溶性有機溶剤８９．０～９９．９質量％、臭素源、塩素源またはそれらの組み合わせをハロゲン原子濃度として１～２００ｍｍｏｌ／ｋｇ、および水を含むエッチング液が提供される。

Description

エッチング液
　本発明はエッチング液に関する。さらに詳しくは、本発明は珪素系材料ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮを侵すことなくニッケル白金合金系金属を選択的に除去することができるエッチング液に関する。
　半導体デバイスに於いて、ＭＯＳ型トランジスタの微細化、省電力化、および高速化のために、ゲート、ソース、ドレインなどの電極をシリサイド化してコンタクト抵抗を低減することが行われている。従来、電極に用いられる金属としては、ニッケル、コバルト、チタンまたはタングステンのシリサイドが用いられてきた。近年、電極のコンタクト抵抗をさらに低下させ、耐熱性、過剰成長などを制御するために、例えば、ニッケルに数原子％～１０数原子％の白金を添加したニッケル白金合金を用いたシリサイド化が行われている。
　これまで、白金を含まないニッケルシリサイドを用いる場合、一例として、ポリシリコン表面にニッケル薄膜を製膜し、熱処理によって自己整合的にニッケルシリサイドを形成し（サリサイドプロセス）、ＲＣＡ洗浄でよく用いられるＳＰＭ（硫酸過水（硫酸／過酸化水素））またはＨＰＭ（塩酸過水（塩酸／過酸化水素））で処理することによって余剰のニッケルを除去する方法が用いられてきた。
　しかし、ニッケル白金シリサイドを用いるデバイスの作製においては、上記のような方法では不十分である。白金は非常に耐食性の強い金属であり、ニッケル等の除去に一般的に用いられる薬液、またはＳＰＭもしくはＨＰＭで処理すると、半導体デバイス基板表面に主に白金からなる残渣が残留する。このような残渣は、半導体デバイスの電気特性、信頼性、歩留りなどに問題を引き起こす。
　また、白金の残渣を除去するために強力な溶解能を有するエッチング液、例えば、一般的な組成の王水（例えば３５質量％ＨＣｌ：６０質量％ＨＮＯ３＝３：１（体積比））で処理すると表面に荒れまたは膜厚の変化が生じ易く、同様に半導体デバイスの特性に悪影響を与える。そこで、シリサイドや他の金属にダメージを与えずにニッケル白金合金を選択的に除去する方法が検討されている。
　特許文献１には、まずＳＰＭでニッケルの大部分を除去し、次にニッケル白金シリサイドを保護するため、アンモニア水またはシアン化物を含む水溶液等のニッケルと配位する性質を有する物質を含む薬品で処理した後、一般的な組成の王水で白金を溶解除去する方法が開示されている。しかし、この方法では、強力な腐食力を持つ王水、有害なシアン化物等を用いるため、取り扱いが困難である。
　特許文献２には、メタンスルホン酸、ハロゲンイオン、硝酸および水を含む組成物でニッケル白金合金（以下、ＮｉＰｔともいう）を除去し、かつＡｌにダメージを与えない方法が開示されている。しかしながら、メタンスルホン酸は半導体向けに蒸留等で精製する必要があるが、腐食性が高い物質のため精製コストが高く、その結果、薬液がコスト高になる欠点がある。
　特許文献３には、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、水、および有機溶剤を含むエッチング液が開示されている。発明の詳細な説明ではハロゲンとしてヨウ素が最も好ましいと記載があり、実施例は全てヨウ素分子およびヨウ素イオンを含んでいる。また有機溶剤はエッチング液中に１～８８質量％含まれることが望ましいと記載されている。しかしながら、実施例に記載されているヨウ素系組成物のＮｉＰｔのエッチングレートは、最も良好なものでもせいぜい５ｎｍ／分程度と低く実用的ではない。
特開２００９－１７６８１８号公報 米国特許出願公開第２０１２／０２３１６３２号明細書 特開２０１３－２１０６５号公報
　本発明の目的は、珪素系材料（Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイド、ＮｉＰｔＳｉ等）、ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮに対して殆どダメージを与えることなくニッケル白金合金系金属を選択的に除去することができるエッチング液を提供することにある。
　本発明者らは、ニッケル白金合金を除去する機能を有するエッチング液について鋭意検討した結果、特定の水溶性有機溶剤と、臭素源、塩素源またはそれらの組み合わせと、水とを含むエッチング液により、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイド、ニッケル白金シリサイド等の珪素系材料、ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮにダメージを与えることなくニッケル白金合金を選択的に除去できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は下記の事項を含む。
［１］アセトニトリル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシプロピオン酸メチル、およびγ－ブチロラクトンから選ばれる少なくとも１種の水溶性有機溶剤８９．０～９９．９質量％、臭素源、塩素源またはそれらの組み合わせをハロゲン原子濃度として１～２００ｍｍｏｌ／ｋｇ、および水を含むエッチング液。
［２］ニッケル白金合金系金属除去用である［１］に記載のエッチング液。
［３］前記臭素源が臭素（Ｂｒ２）であり、前記塩素源が塩素（Ｃｌ２）である［１］または［２］のいずれかに記載のエッチング液。
［４］前記臭素源が、臭素化合物と、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化剤との組み合わせであり、前記塩素源が、塩素化合物と、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化剤との組み合わせである、［１］または［２］のいずれかに記載のエッチング液。
［５］前記水溶性有機溶剤が、アセトニトリル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、またはそれらの組み合わせである［１］～［４］のいずれかに記載のエッチング液。
［６］Ａｌ、Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイドおよびニッケル白金シリサイドに対するニッケル白金合金系金属のエッチングレート比が７以上である［２］～［５］のいずれかに記載のエッチング液。
［７］前記水溶性有機溶剤を含む第１の液と、臭素（Ｂｒ２）、塩素（Ｃｌ２）もしくはそれらの組み合わせ、または酸化剤を含む第２の液とからなり、前記第１の液および前記第２の液の少なくとも１つが水を含み、前記第２の液が酸化剤を含む場合、前記第１の液が臭素化合物、塩素化合物、またはそれらの組み合わせを含むエッチング液キットであって、使用直前に第１の液および第２の液を混合することにより［１］～［６］のいずれかに記載のエッチング液を生成するエッチング液キット。
［８］珪素系材料からなる基板の少なくとも一部にニッケル白金合金系金属膜を形成する工程と、ニッケル白金合金系金属膜の少なくとも一部を［１］～［６］のいずれかに記載のエッチング液を用いて選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
［９］前記珪素系材料がＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイドおよびニッケル白金シリサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種である［８］に記載の半導体装置の製造方法。
［１０］珪素系材料からなる基板の少なくとも一部に電極材料としてポリシリコン、ニッケル白金合金系金属薄膜を順次製膜する工程と、熱処理によって自己整合的にニッケル白金シリサイドを形成する工程（サリサイドプロセス）と、未反応のニッケル白金合金を［１］～［６］のいずれかに記載のエッチング液を用いて選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　本発明のエッチング液は、珪素系材料（Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイド、ＮｉＰｔＳｉ等）ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮに対して殆どダメージを与えずにニッケル白金合金系金属を選択的に除去する、例えば、１０ｎｍ／分以上のエッチングレート、および上記珪素系材料に対するエッチングレート比７以上でニッケル白金合金系金属を選択的に除去することが可能であるため、ＭＯＳ型トランジスタ等の半導体デバイスの製造に極めて有効である。
ＳｉＯ２膜付Ｓｉ基板を本発明の実施例Ｎｏ．７の組成を有するエッチング液を用いて５０℃で３分間処理した後のＳｉＯ２表面のＳＥＭ像である。 Ｓｉ３Ｎ４膜付Ｓｉ基板を本発明の実施例Ｎｏ．７の組成を有するエッチング液を用いて５０℃で３分間処理した後のＳｉ３Ｎ４表面のＳＥＭ像である。
　以下に、本発明の実施形態を詳細に説明する。
　本発明のエッチング液は、特定の水溶性有機溶剤と、臭素源、塩素源またはそれらの組み合わせと、水とを含み、珪素系材料ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮに対してニッケル白金合金系金属を選択的に除去することができることを特徴とする。
　いかなる理論に拘束されるものではないが、本発明のエッチング液によるニッケル白金合金のエッチングの作用メカニズムは以下のように推定される。すなわち、エッチング液中に臭素源が存在する場合は、エッチング液中の臭素（Ｂｒ２）、次亜臭素酸、臭素酸等により、エッチング液中に塩素源が存在する場合は、塩素（Ｃｌ２）、次亜塩素酸、塩素酸等により、ニッケル白金合金中のニッケルおよび白金は酸化され、白金酸化物と臭素原子（臭化物イオン）または塩素原子（塩化物イオン）とがさらに錯体を形成することでエッチング液中に溶解しやすい化合物が形成される。水溶性有機溶剤は、ニッケル白金合金とのエッチング液の濡れ性を向上させ、臭素（Ｂｒ２）、次亜臭素酸、臭素酸、塩素（Ｃｌ２）、次亜塩素酸、塩素酸等がニッケル白金合金の表面をアタックしやすくなる。さらに水溶性有機溶剤は、臭素（Ｂｒ２）、次亜臭素酸、臭素酸、塩素（Ｃｌ２）、次亜塩素酸、塩素酸等が極度にＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＮｉＰｔＳｉ等の材料を腐食しないように制御する役割も有する。本発明のエッチング液を用いることで、サリサイドプロセスを用いた半導体デバイス形成方法に有効な加工手段を提供することができる。さらに、本発明のエッチング液は、組成を最適化することにより、このエッチング液で処理された基板表面を、ニッケルおよび白金の残留物が非常に少ない状態にすることができる。
　本発明のエッチング液に用いられる水溶性有機溶剤は、アセトニトリル（ＡＴＮ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、３－メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）、およびγ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）から選ばれる少なくとも１種である。これらの中でも半導体製造工程に適した高純度の製品が入手しやすく、安価であることから、ＡＴＮ、ＰＧＭＥおよびそれらの組み合わせが好ましい。水溶性有機溶剤はエッチング液中に８９．０～９９．９質量％配合され、好ましくは９０．０～９７．５質量％、さらに好ましくは９１．０～９５．５質量％で配合される。水溶性有機溶剤の濃度が８９．０質量％より低いと、珪素系材料、ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮのエッチングレートが大きくなり、ニッケル白金合金系金属を選択的に除去することができない。また、水溶性有機溶剤の濃度が９９．９質量％を超えて１００質量％に近づくと臭素源および／または塩素源の濃度が低くなり、ニッケル白金合金系金属のエッチングレートが低下し、効率よくニッケル白金合金系金属を除去することができない。上記水溶性有機溶剤を複数組み合わせて使用してもよい。
　臭素源としては、臭素（Ｂｒ２）、次亜臭素酸、および臭素酸から選ばれる少なくとも１種がエッチング液中に含まれることが望ましい。次亜臭素酸、および臭素酸は経時的に分解するため、安全面、品質面を考慮すると実用的には臭素（Ｂｒ２）を用いるか、あるいは臭素化合物と酸化剤を混合してエッチング液中に臭素源を生成させることが好ましい。臭素化合物としては水との共存下で臭素イオンを生成するものが好ましく、一例を挙げると臭化水素酸、臭化アンモニウム等の無機化合物、および１，３－ジブロモ－５，５－ジメチルヒダントイン、Ｎ－ブロモスクシミド、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の有機化合物を使用することが可能である。なお、酸化剤と混合することにより臭素源を生成するアンモニウム化合物は、水溶性有機溶剤の中で例えば臭化水素酸とアンモニア水を反応させることにより生成させてもよい。臭素（Ｂｒ２）、次亜臭素酸、および臭素酸は水共存化で酸化剤なしでもＮｉＰｔを酸化する能力を有しているが、臭化水素酸、臭化アンモニウム等の分子内に酸素原子を含まない無機臭素化合物、および１，３－ジブロモ－５，５－ジメチルヒダントイン、Ｎ－ブロモスクシミド、臭化テトラメチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の有機臭素化合物は酸化剤と併用しないとＮｉＰｔを酸化する能力をもたない。酸化剤としては過酸化水素、過硫酸アンモニウム、硝酸、硫酸、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム等が挙げられる。半導体のような金属不純物を嫌う用途では、臭素（Ｂｒ２）単独、あるいは臭素化合物、例えば臭化水素酸と、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化剤とを組み合わせたものを臭素源として用いることが好ましい。これらの臭素源は単独でも複数組み合わせて用いてもよい。
　塩素源としては、塩素（Ｃｌ２）、次亜塩素酸、および塩素酸から選ばれる少なくとも１種がエッチング液中に含まれることが望ましい。次亜塩素酸、および塩素酸は経時的に分解するため、安全面、品質面を考慮すると実用的には塩素（Ｃｌ２）を用いるか、あるいは塩素化合物と酸化剤を混合してエッチング液中に塩素源を生成させることが好ましい。塩素化合物としては水との共存下で塩素イオンを生成するものが好ましく、一例を挙げると塩酸、塩化アンモニウム等の無機化合物、および１，３－ジクロロ－５，５－ジメチルヒダントイン、Ｎ－クロロスクシミド、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム等の有機化合物を使用することが可能である。なお、酸化剤と混合することにより塩素源を生成するアンモニウム化合物は、水溶性有機溶剤の中で例えば塩酸とアンモニア水を反応させることにより生成させてもよい。塩素（Ｃｌ２）、次亜塩素酸、および塩素酸は水共存化で酸化剤なしでもＮｉＰｔを酸化する能力を有しているが、塩酸、塩化アンモニウム等の分子内に酸素原子を含まない無機塩素化合物、および１，３－ジクロロ－５，５－ジメチルヒダントイン、Ｎ－クロロスクシミド、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム等の有機塩素化合物は酸化剤と併用しないとＮｉＰｔを酸化する能力をもたない。酸化剤としては過酸化水素、過硫酸アンモニウム、硝酸、硫酸、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム等が挙げられる。半導体のような金属不純物を嫌う用途では、塩素（Ｃｌ２）単独、あるいは塩素化合物、例えば塩酸と、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化剤とを組み合わせたものを塩素源として用いることが好ましい。これらの塩素源は単独でも複数組み合わせて用いてもよい。
　エッチング液中の、臭素源、塩素源またはそれらの組み合わせの濃度は、臭素原子および塩素原子の合計を基準としたハロゲン原子濃度として１～２００ｍｍｏｌ／ｋｇであり、好ましくは５～１００ｍｍｏｌ／ｋｇ、より好ましくは８～７０ｍｍｏｌ／ｋｇである。１ｍｍｏｌ／ｋｇより低いとＮｉＰｔを溶解する活性種の濃度が薄く、ＮｉＰｔのエッチングレートが小さくなる。一方、２００ｍｍｏｌ／ｋｇを超えるとＡｌや他の金属へのダメージが大きくなる。酸化剤の濃度は０．０１～１０質量％、より好ましくは０．１～７質量％、さらに好ましくは０．５～５質量％であることが好ましい。酸化剤の量が０．０１質量％より少なくなるとＮｉＰｔのエッチングレートが過度に低下することがあり、場合によってはエッチングができないこともある。一方、酸化剤が１０質量％より多くてもＮｉＰｔのエッチングレートは向上しない。
　本開示のいくつかの実施態様において、エッチング液のＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮに対するエッチングレートは、５０℃において５ｎｍ／分以下であり、好ましくは２ｎｍ／分以下、より好ましくは１ｎｍ／分以下である。Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮに対するエッチングレートは、以下の手順によって算出することができ、Ａｌを例に記載する。Ｓｉ基板上に膜厚５０ｎｍ（Ｌ０）のＡｌ薄膜をスパッタリングにより製膜する。Ａｌ薄膜を有する基板を２×２ｃｍ角に切り出してサンプル片を得る。シート抵抗計を用いて膜厚が既知である未使用の基板のＡｌ薄膜側のシート抵抗値を測定し、膜厚５０ｎｍ（Ｌ０）に対するシート抵抗値（ｘ）を測定する。次に、エッチング液を５０℃、１０分で保温した後、サンプル片を５０℃で３分間処理して１回目のＡｌ薄膜側のシート抵抗値（ｙ）を測定する。サンプル片を再度同一のエッチング液にて５０℃で３分間処理した後で２回目のＡｌ薄膜側のシート抵抗値（ｚ）を測定する。各処理後はサンプル片を二次蒸留水でリンスし空気乾燥してからシート抵抗値を測定する。各々のシート抵抗値測定は６回の平均値とし、膜厚およびエッチングレートの算出を以下の式を用いて行う。
　　　　１回目処理後の膜厚（Ｌ１）＝Ｌ０×（ｘ／ｙ）
　　　　２回目処理後の膜厚（Ｌ２）＝Ｌ０×（ｘ／ｚ）
　　　　エッチングレート＝（Ｌ１－Ｌ２）／３[ｎｍ／分]
　本開示のいくつかの実施態様において、エッチング液のＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイドおよびニッケル白金シリサイドに対するニッケル白金合金系金属のエッチングレート比は、７以上であり、好ましくは１０以上、より好ましくは２０以上、さらに好ましくは５０以上である。本開示のいくつかの実施態様において、エッチング液のニッケル白金合金系金属に対するエッチングレートは、５０℃において１０ｎｍ／分以上、２０ｎｍ／分以上、または３０ｎｍ／分以上であり、上記エッチングレート比、生産性などを考慮してエッチング液の組成を決定することにより適宜選択することができる。上記エッチングレートは、好ましくは１０ｎｍ／分以上、より好ましくは１５ｎｍ／分以上、さらに好ましくは２０ｎｍ／分以上である。ニッケル白金合金系金属に対するエッチングレートは、以下の手順によって算出することができる。Ｓｉ基板上に膜厚１５ｎｍのニッケル白金合金系金属からなる薄膜をスパッタリングにより製膜する。この基板を１×１ｃｍ角に切り出してサンプル片を得る。エッチング液をポリエチレン製容器に１０ｍＬ投入する。恒温槽を用いてエッチング液を５０℃に保温する。３０分経過後、エッチング液に上記サンプル片を投入し、そのサンプル片表面を目視で観察し、ニッケル白金合金系金属起因の金属薄膜が消失する時間をストップウォッチで計測し、エッチングレートを計算する。
　本発明のエッチング液に、必要に応じて、ＮｉＰｔ除去性向上、Ａｌ、ＮｉＰｔＳｉ等のデバイスの他材料の保護、パターンへの液浸透性向上などのために界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤としては陽イオン性、非イオン性、または陰イオン性界面活性剤が挙げられる。これらの中で陰イオン性界面活性剤は、金属およびその他の残渣の除去、ならびにＡｌ、珪素系材料などの保護の目的で用いられる。陰イオン性界面活性剤としては、炭素数が８～２０の直鎖アルキル基を有する、硫酸エステル、スルホン酸、カルボン酸、リン酸エステル、ならびにそれらの誘導体および塩が挙げられる。例えば陰イオン性界面活性剤が炭素数１２の直鎖アルキル基を有する場合、陰イオン性界面活性剤として、より具体的にはドデシル硫酸アンモニウム、ドデシル硫酸トリエタノールアミン、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ドデシルジフェニルエーテルジスルホン酸、ならびにこれらの誘導体および塩等が挙げられるが、陰イオン性界面活性剤であれば、特にその種類が制約されるものではない。これらの陰イオン性界面活性剤は塩の形で添加してもよい。また、消泡作用を示すポリオキシアルキレンアルキルエーテル誘導体等の非イオン性界面活性剤を陰イオン性界面活性剤と同時に、あるいは単独で添加することができる。
　本発明のエッチング液は、使用時に水溶性有機溶剤、臭素源および／または塩素源、および水が混合されていることが必要である。しかしながら、調製したエッチング液中で臭素（Ｂｒ２）、塩素（Ｃｌ２）、次亜臭素酸、次亜塩素酸、臭素酸、および塩素酸は分解しやすいため、輸送時は臭素源および塩素源と酸化剤を分けて２液以上に分割し、使用直前にこれらの液を混合することによりエッチング液を調製し、エッチング液中に臭素（Ｂｒ２）、塩素（Ｃｌ２）、次亜臭素酸、次亜塩素酸、臭素酸、または塩素酸を生成させてもよい。臭素（Ｂｒ２）および塩素（Ｃｌ２）は、それぞれ臭素源および塩素源であるとともに酸化剤でもある。水溶性有機溶剤に酸化剤を混ぜて輸送すると水溶性有機溶剤が酸化剤により分解されることもあるため、水溶性有機溶剤と酸化剤を分離して保管および輸送することが好ましい。水溶性有機溶剤を含む第１の液と、臭素（Ｂｒ２）、塩素（Ｃｌ２）もしくはそれらの組み合わせ、または酸化剤を含む第２の液とからなり、第１の液および第２の液の少なくとも１つが水を含み、第２の液が酸化剤を含む場合、第１の液が臭素化合物、塩素化合物、またはそれらの組み合わせを含むエッチング液キットを使用することができる。例えば、第１の液を水溶性有機溶剤と水の混合液に、第２の液を臭素（Ｂｒ２）と水の混合液にしてもよく、第１の液を水溶性有機溶剤と水と臭素化合物の混合液に、第２の液を酸化剤の水溶液にしてもよい。さらに具体的に説明すると、第１の液を水溶性有機溶剤と水と臭化水素酸の混合液に、第２の液を硝酸水溶液または過酸化水素水溶液にすることができる。塩素源を使用する時も、臭素源の場合と同じようにして実施することができる。
　本明細書において「ニッケル白金合金系金属」とは、ニッケルおよび白金を主成分として含む合金であり、代表的なものとしてニッケルを８０～９９．５原子％、および白金を０．５～２０原子％含有する合金を指す。後述するとおり、ニッケル白金シリサイドはシリコン上に形成したニッケル白金合金系金属膜を熱処理することにより両者を反応させて形成させるので、ニッケル白金合金系金属自体は珪素を実質的に含まない、又は含まない。さらに、合金の白金含有量の一部として白金以外の金属、例えば、金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、ロジウム等の貴金属、タンタル、ハフニウム等の耐食性金属、ゲルマニウム、その他一般的な金属、さらにそれらの金属の窒化物や酸化物、金属の加工、精錬、製膜等の際に混入を防ぐことが不可避な不純物成分、例えばカーボン等を上記の範囲で含むものも本発明のエッチング液で処理できる金属の範囲に含まれる。
　本発明のエッチング液は、基板に形成されたニッケル白金合金系金属、例えばニッケル白金合金系金属膜の除去に用いることができる。本発明のエッチング液はＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイド等の珪素系材料ならびにＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮを侵食しないので、これらの珪素系材料からなる基板の一部に形成されたニッケル白金合金系金属を好適に除去することができる。ニッケル白金合金系金属の基板上への製膜方法は、特に限定されるものではなく、スパッタリング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、真空蒸着、めっき等のいずれの手法も用いることができ、また製膜条件や熱処理条件も限定されるものではない。
　本発明のエッチング液を用いて処理される珪素系材料のうち、Ｓｉ、ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４は、ゲルマニウムが混合されたもの、ホウ素、窒素、リン、砒素、ガリウム、アンチモン、カーボン等がドープされたものであってもよい。また、広義のニッケルシリサイドには、ニッケルシリサイド（ニッケルの珪化物）、ニッケル白金シリサイド（ニッケル白金の珪化物）等が含まれるが、これらは半導体デバイスを製造する際に熱処理によって半導体デバイス表面上で原子の組成や分布が変化するため、それらも本発明のエッチング液で処理されるものに含まれる。
　本発明のエッチング液は、金属薄膜の形成条件、膜厚等に応じて、選択性および除去性を最適化するために、使用する液量、処理回数、処理温度等を任意に設定してよい。液温を望ましくは１～１００℃、さらに望ましくは１５～８０℃として処理を行うことにより、優れた金属除去性、金属選択性および液寿命が得られる。これより低い温度で使用した場合、金属除去性の低下が起こることがある。これより高い温度で使用する場合、成分の分解や液の成分の揮発による濃度変化に留意し、加温することが望ましい。
　本発明のエッチング液を用いて半導体装置を製造する際、珪素系基板材料、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ等の部位にダメージを与えない程度に複数回処理し、超純水等による後洗浄を行うことにより、さらに除去性能を向上させることができる。なお、後述する本発明の実施例および比較例では、ＮｉＰｔ除去性は、基板表面のニッケル白金合金系金属膜の残りがなく、かつエッチング液中に浮遊物が発生しないことで判断したが、適用する半導体装置によってさらに厳しい除去性を求められる場合は、珪素系材料にダメージを与えない程度に処理時間の延長や処理温度を高くすればよい。
　本発明のエッチング液を用いて半導体装置を製造する際、通常は枚葉式洗浄装置で半導体ウェーハ表面にエッチング液を供給することにより処理を行うことができる。また半導体ウェーハをエッチング液に浸漬処理する工程でもよい。また、これらの処理は、攪拌、揺動および／または超音波印加を用いながら行うこともできる。また、ニッケル白金合金を材料として用いるデバイスであれば、ＭＯＳ型トランジスタ以外の電子デバイスにも用いることができる。
　本発明のエッチング液を用いた半導体装置の製造方法の一実施態様は、以下の工程を含む。すなわち、珪素系材料からなる基板の少なくとも一部にニッケル白金合金系金属膜を形成する工程と、前記珪素系材料にダメージを与えることなくニッケル白金合金系金属膜の少なくとも一部を本発明のエッチング液を用いて選択的に除去する工程とを含む。この方法は、例えば、珪素系材料からなる基板の少なくとも一部に電極材料としてポリシリコン、ニッケル白金合金系金属薄膜を順次製膜する工程と、熱処理によって自己整合的にニッケル白金シリサイドを形成する工程（サリサイドプロセス）と、未反応のニッケル白金合金を本発明のエッチング液を用いて除去する工程とを含む半導体の製造に適用できる。
　本発明を以下の実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（ニッケル白金合金の除去性評価）
　ニッケル白金合金系金属膜付基板をエッチング液に浸漬した際のニッケルおよび白金の除去性の効果を評価するため、以下の操作を行った。Ｓｉ基板上に９０原子％のニッケルおよび１０原子％の白金の合金からなる薄膜をスパッタリングにより製膜した。膜厚は１５ｎｍとした。この基板を１×１ｃｍ角に切り出して金属除去性評価用のサンプル片を得た。エッチング液の調製は、表１に示した各実施例および表２に示した各比較例の組成となるように各成分を混合することにより調製し、調製したエッチング液をポリエチレン製容器に１０ｍＬ投入した。表１および２に記載されている成分を除く残部は水である。水は二次蒸留水を使用した。プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、アセトニトリル（ＡＴＮ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、３－メトキシプロピオン酸メチル（ＭＭＰ）、Ｎ－メチルピロリドン（ＮＭＰ）、およびγ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）は昭和電工（株）製の電子材料用を用いた。３０質量％過酸化水素、３５質量％塩酸および６０質量％硝酸はキシダ化学（株）製の電子材料用を用い、臭化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＢｒ）、臭化アンモニウムはキシダ化学（株）製の特級試薬を、４８質量％臭化水素酸、臭化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＢｒ）、ヨウ素（Ｉ２）および臭素（Ｂｒ２）は和光純薬工業（株）製の特級試薬を用いた。実施例１４、１６、１８および２０では追加成分として、キシダ化学（株）製電子工業用の９７質量％硫酸、和光純薬工業（株）製のポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル（ＯＰＥ）、キシダ化学（株）製特級の２８質量％アンモニア水、および関東化学（株）製ドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＢＳ）をそれぞれ用いた。エッチング液中の水は二次蒸留水（水を２回蒸留）および試薬に含まれる水分からなる。恒温槽を用いてエッチング液を５０℃に保温した。３０分経過後、調製したエッチング液にＮｉＰｔサンプル片を投入し、サンプル片表面を目視で観察し、ＮｉＰｔ起因の金属薄膜が消失した時間をストップウォッチで計測し、エッチングレートを計算した。なお、ＮｉＰｔ膜が基板上に残存した場合やＮｉＰｔ膜が溶解せずに剥離した場合は×とした。表１および２にニッケル白金合金系金属膜付基板をエッチング液に浸漬した際のＮｉＰｔのエッチングレートをまとめて示す。表２中の「－」は未測定を意味する。
（Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮのダメージ評価）
　Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ膜付基板を各エッチング液に浸漬した際のダメージを評価するため、以下の操作を行った。Ｓｉ基板上にＡｌ（膜厚：５０ｎｍ）、Ｗ（膜厚：１００ｎｍ）またはＴｉ（膜厚：８５ｎｍ）からなる薄膜を各々スパッタリングにより製膜した。これらの基板を２×２ｃｍ角に切り出してサンプル片を得た。エッチングレートの算出は以下の方法により行った。まず、シート抵抗計を用いて膜厚が既知である未使用の基板の薄膜側のシート抵抗値を測定し、特定の膜厚（Ｌ０）に対するシート抵抗値（ｘ）を測定した。次に、エッチング液を５０℃、１０分で保温した後、サンプル片を５０℃で３分間処理して１回目の薄膜側のシート抵抗値（ｙ）を測定した。サンプル片を再度同一のエッチング液にて５０℃で３分間処理した後で２回目の薄膜側のシート抵抗値（ｚ）を測定した。各処理後はサンプル片を二次蒸留水でリンスし空気乾燥してからシート抵抗値を測定した。各々のシート抵抗値測定は６回の平均値とした。具体的な膜厚およびエッチングレートの算出は以下の式の通りに行った。
　　　　１回目処理後の膜厚（Ｌ１）＝Ｌ０×（ｘ／ｙ）
　　　　２回目処理後の膜厚（Ｌ２）＝Ｌ０×（ｘ／ｚ）
　　　　エッチングレート＝（Ｌ１－Ｌ２）／３[ｎｍ／分]
　Ａｌ、ＷまたはＴｉのエッチングレートが５ｎｍ／分以下のものを良好と判断した。表１および２にＡｌ、ＷまたはＴｉ膜付基板を各々エッチング液に浸漬した際のエッチングレートをまとめて示す。
　また、Ｓｉ基板上にＴａＮおよびＴｉＮを各々５０ｎｍの膜厚でスパッタリングにより形成したサンプル片を用いてＴａＮおよびＴｉＮに対するダメージ評価を同様に行った。使用した液は実施例の代表的組成であるＮｏ．７にて行った。エッチングレートはＴａＮ、ＴｉＮともに０．１ｎｍ／分であり、２ｎｍ／分未満と良好な結果が得られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
（ＮｉＰｔＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４のダメージ評価）
　実施例の代表的組成であるＮｏ．７を用いてＮｉＰｔＳｉ、ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４のダメージ評価を行った。ＮｉＰｔＳｉ膜はＳｉウェーハ上にＮｉＰｔをスパッタリングし、その後熱処理を行って形成した。その結果、Ｓｉウェーハ上にＮｉＰｔＳｉが８ｎｍ、ＮｉＰｔが１０ｎｍ順次積層されたサンプル片が得られ、このサンプル片をエッチング処理に用いた。ニッケル白金シリサイド（ＮｉＰｔＳｉ）に対して５０℃、３分間で１回目のエッチング処理を実施後、水リンス、乾燥をしてからシート抵抗値を測定した。続いて、１回目のエッチング処理と同様に２回目のエッチング処理を実施し、水リンス、乾燥後にシート抵抗値を測定した。シート抵抗値の増加率｛（２回目のシート抵抗値－１回目のシート抵抗値）／１回目のシート抵抗値｝×１００は０．６％であった。この結果からＮｉＰｔＳｉのダメージが非常に少ないことが分かる。ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４のダメージはＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４を各々Ｓｉ基板上に５０ｎｍの膜厚でスパッタリングにより形成した膜付き基板を５０℃で３分間エッチング液中に浸漬し、水リンス、乾燥後に表面を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより評価した。結果を図１ａ（ＳｉＯ２）および図１ｂ（Ｓｉ３Ｎ４）にそれぞれ示す。ＳｉＯ２およびＳｉ３Ｎ４の表面にはダメージは観察されなかった。
　本発明のエッチング液は、珪素系材料およびＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮおよびＴａＮを含む基板を侵すことなくニッケル白金合金系金属の効率的な除去を行うことができるので、半導体装置の製造上有用である。

Claims (10)

  1. 　アセトニトリル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシプロピオン酸メチル、およびγ－ブチロラクトンから選ばれる少なくとも１種の水溶性有機溶剤８９．０～９９．９質量％、臭素源、塩素源またはそれらの組み合わせをハロゲン原子濃度として１～２００ｍｍｏｌ／ｋｇ、および水を含むエッチング液。
  2. 　ニッケル白金合金系金属除去用である請求項１に記載のエッチング液。
  3. 　前記臭素源が臭素（Ｂｒ２）であり、前記塩素源が塩素（Ｃｌ２）である、請求項１または２のいずれかに記載のエッチング液。
  4. 　前記臭素源が、臭素化合物と、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化剤との組み合わせであり、前記塩素源が、塩素化合物と、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、および硝酸からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化剤との組み合わせである、請求項１または２のいずれかに記載のエッチング液。
  5. 　前記水溶性有機溶剤が、アセトニトリル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、またはそれらの組み合わせである請求項１～４のいずれか一項に記載のエッチング液。
  6. 　Ａｌ、Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイドおよびニッケル白金シリサイドに対するニッケル白金合金系金属のエッチングレート比が７以上である請求項２～５のいずれか一項に記載のエッチング液。
  7. 　前記水溶性有機溶剤を含む第１の液と、臭素（Ｂｒ２）、塩素（Ｃｌ２）もしくはそれらの組み合わせ、または酸化剤を含む第２の液とからなり、前記第１の液および前記第２の液の少なくとも１つが水を含み、前記第２の液が酸化剤を含む場合、前記第１の液が臭素化合物、塩素化合物、またはそれらの組み合わせを含むエッチング液キットであって、使用直前に第１の液および第２の液を混合することにより請求項１～６のいずれか一項に記載のエッチング液を生成するエッチング液キット。
  8. 　珪素系材料からなる基板の少なくとも一部にニッケル白金合金系金属膜を形成する工程と、ニッケル白金合金系金属膜の少なくとも一部を請求項１～６のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 　前記珪素系材料がＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ニッケルシリサイドおよびニッケル白金シリサイドからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 　珪素系材料からなる基板の少なくとも一部に電極材料としてポリシリコン、ニッケル白金合金系金属薄膜を順次製膜する工程と、熱処理によって自己整合的にニッケル白金シリサイドを形成する工程（サリサイドプロセス）と、未反応のニッケル白金合金を請求項１～６のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
PCT/JP2014/061562 2013-04-30 2014-04-24 エッチング液 WO2014178326A1 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-095301 2013-04-30
JP2013095301 2013-04-30
JP2013197189 2013-09-24
JP2013-197189 2013-09-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014178326A1 true WO2014178326A1 (ja) 2014-11-06

Family

ID=51843458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/061562 WO2014178326A1 (ja) 2013-04-30 2014-04-24 エッチング液

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW201510281A (ja)
WO (1) WO2014178326A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021058927A1 (fr) * 2019-09-27 2021-04-01 Technic France Composition chimique pour retirer des residus en alliage nickel-platine d'un substrat, et procede de retrait de tels residus
US11767595B2 (en) * 2020-07-31 2023-09-26 Fujifilm Corporation Chemical liquid, chemical liquid container, and method for treating substrate

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105177578B (zh) * 2015-10-19 2018-06-08 江苏理工学院 用于铜基钯镍合金镀层退镀的退镀液及退镀方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201849A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Motorola Ltd 金属配線形成方法
JPH08250503A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Toshiba Corp エッチング方法
JP2013021065A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201849A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Motorola Ltd 金属配線形成方法
JPH08250503A (ja) * 1995-03-15 1996-09-27 Toshiba Corp エッチング方法
JP2013021065A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Fujifilm Corp 半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021058927A1 (fr) * 2019-09-27 2021-04-01 Technic France Composition chimique pour retirer des residus en alliage nickel-platine d'un substrat, et procede de retrait de tels residus
FR3101360A1 (fr) * 2019-09-27 2021-04-02 Technic France Composition chimique pour retirer des residus en alliage nickel-platine d’un substrat, et procede de retrait de tels residus
US11767595B2 (en) * 2020-07-31 2023-09-26 Fujifilm Corporation Chemical liquid, chemical liquid container, and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TW201510281A (zh) 2015-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101388937B1 (ko) 니켈 백금 합금계 금속 제거용 조성물
EP3004287B1 (en) Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
JP5523325B2 (ja) チタン系金属、タングステン系金属、チタンタングステン系金属またはそれらの窒化物のエッチング液
US20090212021A1 (en) Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation
EP3599634A1 (en) Composition for titanium nitride hard mask removal and etch residue cleaning
WO2011074601A1 (ja) ルテニウム系金属のエッチング用組成物およびその調製方法
KR20100035250A (ko) 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
US20150275376A1 (en) Selective etch chemistry for gate electrode materials
WO2014115758A1 (ja) エッチング液
US9200372B2 (en) Passivation composition and process
US9399753B2 (en) Aqua regia and hydrogen peroxide HCL combination to remove Ni and NiPt residues
JP2013004871A (ja) 金属エッチング用組成物、および金属エッチング用組成物を用いた半導体装置の製造方法
WO2014178326A1 (ja) エッチング液
US20130099330A1 (en) Controllable Undercut Etching of Tin Metal Gate Using DSP+
WO2015129551A1 (ja) エッチング液、これを用いるエッチング方法および半導体基板製品の製造方法
KR20190048724A (ko) 금속 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속층의 식각 방법
US8513117B2 (en) Process to remove Ni and Pt residues for NiPtSi applications
EP4200895A1 (en) Composition, its use and a process for selectively etching silicon-germanium material
JP4305024B2 (ja) 酸化ハフニウムをエッチングする方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14791710

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14791710

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP