KR20100035250A - 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물 - Google Patents

액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20100035250A
KR20100035250A KR1020080094504A KR20080094504A KR20100035250A KR 20100035250 A KR20100035250 A KR 20100035250A KR 1020080094504 A KR1020080094504 A KR 1020080094504A KR 20080094504 A KR20080094504 A KR 20080094504A KR 20100035250 A KR20100035250 A KR 20100035250A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
copper
molybdenum
etching
composition
Prior art date
Application number
KR1020080094504A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101495683B1 (ko
Inventor
이태형
백귀종
Original Assignee
테크노세미켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 테크노세미켐 주식회사 filed Critical 테크노세미켐 주식회사
Priority to KR20080094504A priority Critical patent/KR101495683B1/ko
Priority to JP2009182004A priority patent/JP5023114B2/ja
Priority to TW098129381A priority patent/TWI404825B/zh
Priority to CN2009101769547A priority patent/CN101684557B/zh
Publication of KR20100035250A publication Critical patent/KR20100035250A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101495683B1 publication Critical patent/KR101495683B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은, 조성물 총 중량을 기준으로 12 ~ 35중량%의 과산화수소, 0.5 ~ 5중량%의 황산염, 0.5 ~ 5중량%의 인산염, 0.0001 ~ 0.5중량%의 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 ~ 5중량%의 제 1 수용성 고리형 아민, 0.1 ~5중량%의 킬레이트제, 0.1 ~ 5중량%의 제 2 수용성 고리형 아민, 0.1 ~ 5중량%의 글리콜 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.
또한 본 발명은 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소스(Source) 또는 드레인(Drain)전극용 금속배선제의 식각공정에 쓰이는 것을 특징으로 하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.
식각조성물, 구리, 구리/몰리브데늄, 액정표시장치

Description

액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물{Cu or Cu/Mo or Cu/Mo alloy electrode etching liquid in Liquid Crystal Display system}
본 발명은 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.
반도체 장치에서 기판상에 금속배선을 형성하기 위해서는 일반적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 상기 금속막상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트 형성공정 및 상기 포토레지스트를 접촉 마스크로 하여 식각을 수행하는 에칭공정으로 이루어지는 바, 이 중 상기 에칭 공정은 플라즈마 등을 이용한 건식식각이나, 식각용액을 이용하는 습식식각에 의해 수행된다. 건식식각의 경우, 고진공을 요하는 등 식각 조건이 까다롭고 비용이 많이 소요되므로, 적절한 식각액이 존재하는 경우 습식 식각이 보다 유리하다.
한편, TFT-LCD 장치에서 금속 배선막의 저항은 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자로서, 저저항의 금속 배선막 수득은 패널 크기 증가와 고해상도 구현에 관건이 되고 있다. 따라서, 종래 기술상 금속 배선막의 재료로 사용되는 크롬(Cr, 비 저항:25×10-6Ωm), 몰리브데늄(Mo, 비저항: 12×10-6Ωm), 알루미늄니오디움(AlNd, 비저항:5×10-6Ωm) 및 이들의 합금은 저항이 높아 대형 TFT-LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기에 바람직하지 않은 것으로 생각되어 지고 있다.
이와 관련하여, 알루미늄 또는 크롬 보다 저항이 현저하게 낮고 환경적으로도 큰 문제가 없는 구리 금속이 저 저항 배선막 재료로서 주목을 받고 있으나, 구리의 경우 그 금속막 위에 포토레지스트를 도포하여 패터닝 하는 공정에 많은 어려운 점, 예를 들어, 유리 기판 및 실리콘 절연막과의 접착력이 나빠지는 등의 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 구리를 단독으로 사용하기 보다는, 구리막과 하부 유리 기판 또는 실리콘 절연막과의 접착력을 증대시키고 실리콘 막으로의 구리의 확산을 억제하기 위하여 중간 금속막을 함께 사용하는 기술이 제안되었는바, 이러한 중간 금속막으로는 티타늄, 몰리브데늄 또는 몰리브데늄합금 등을 들 수 있다.
상기 구리/중간 금속막을 습식식각공정으로 에칭하기 위해서는 적절한 식각액의 개발이 선행되어야 하나, 현재 이를 위한 적절한 에칭액은 개발되어 있지 않은 상태이다. 예를 들어, 대한민국공개특허 1999-017836호는 인산, 질산 및 초산을 사용하여 구리/몰리브데늄 막을 식각하는 방법을 개시하고 있으나, 상기 기술은 식각속도가 너무 빠를 뿐만 아니라, 도 1에 나타낸 바와 같이, 패턴의 직선성이 좋지 않고, 식각 프로파일(etch profile)의 테이퍼 각이 90도 또는 그 이상이 되어 후속공정이 곤란하다.
또한, 구리/티타늄막을 식각하기 위해서 식각조성물 내에 불소이온이 함유된 조성물을 사용하려는 시도가 있었으나, 일반적으로 식각조성물 내에 불소이온이 포함되어 있으면 유리 기판 및 질화실리콘층 등에 까지 영향을 주어 각종 불량을 일으키는 것이 알려져 있다.
나아가, 기존의 과산화수소를 사용한 구리 식각액의 발명들은 대부분 유기산, 과산화수소, 황산염, 고리형 아민화합물 및 탈이온수를 포함한 구리/몰리브데늄막 식각조성물을 개시하고 있는바, 상기 기술의 경우, 패턴의 직선성 및 비교적 만족할 만한 테이퍼 각을 얻는 것은 가능하나, 유기산을 필수 구성성분으로 함유해야 하므로 경시변화 측면에서 바람직하지 않다,
또한 대한민국공개특허 제 2006-0099089호는 과산화수소, 황산염, 인산염, 불화물, 수용성 고리형 아민 화합물, 킬레이트제 및 탈이온수를 포함한 구리/몰리브데늄막 식각액을 개시하고 있는 바, 이 경우 식각속도 제어가 쉽고 원하는 테이퍼를 균일하게 수득할 수 있으며 우수한 패턴의 직진성, 적은 CD 손실 및 잔사를 유발시키지 않아 구리/몰리브데늄막을 이용한 액정표시장치의 제조에 사용하는 것이 가능하나 식각액 중의 금속 이온 농도의 변화에 따른 경시변화가 심하다는 단점이 있으며 특히 과량의 구리 이온에 의해 과산화수소의 급격한 분해 반응이 촉진되어 식각액의 안정성이 저하된다.
특히, 본 발명자의 연구에 따르면, 과산화수소를 구리 및 몰리브데늄 등의 금속에 대한 산화제로 사용하는 식각액의 경우 식각 공정이 진행될수록 식각액 중의 금속 이온 농도가 증가하게 되고 구리 등의 금속 이온은 산화제인 과산화수소를 분해시키는 촉매 역할을 하게 되어 식각공정 전체의 경시변화를 초래하게 된다. 또한 무엇보다도 몇몇의 사례에서 알 수 있듯이 급격한 과산화수소의 분해 반응은 단순한 식각공정의 경시변화 뿐만 아니라 액온의 급상승, 발연, 폭발 및 배관, 설비 등의 파손을 일으킬 수 있어 환경/안전 관점에서 그 금속 농도가 철저히 관리되어야 할 것이다.
본 발명은 상기의 기존 구리, 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 식각조성물들이 가지고 있는 문제점을 해결하고자 구리, 구리/몰리브데늄, 구리/몰리브데늄합금으로 구성된 금속배선을 일괄습식 식각하였을 때 제반 식각조성물의 특성을 확보하고, 식각공정 중에 증가하게 되는 금속 이온 농도에 대한 과산화수소의 분해 반응이 억제되어 식각특성이 오래 유지되며, 분해 반응에 안정한 식각조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 식각조성물은 상술한 기존 식각조성물이 가지고 있는 문제점을 해결하고자 과산화수소, 황산염, 인산염, 플루오르 이온을 제공할 수 있는 화합물, 제 1 수용성 고리형 아민 화합물, 킬레이트, 제 2 수용성 고리형 아민 화합물, 글리콜 화합물 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 식각조성물과, 상기 식각조성물을 사용한 금속배선 식각방법에 대하여 좀 더 상세히 설명하고자 한다.
본 발명에서 상기 금속배선은 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막인 것을 특징으로 한다. 여기서 상기 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브데늄합금막(Mo-alloy)이 상호 적층된 다중막일 수 있으며, 상기 다중막은 Cu/Mo(Mo-alloy)이중막, Cu/Mo(Mo-alloy)/Cu 또는 Mo(Mo-alloy)/Cu/Mo(alloy)의 삼중막을 포함할 수 있다. 상기 막의 순서는 기판의 물질, 접합성에 따라 적절히 조절할 수 있다.
상기 몰리브데늄합금막은 몰리브데늄-텡스텐(Mo-W), 몰리브데늄-티타늄(Mo-Ti), 몰리브데늄-니오비늄(Mo-Nb), 몰리브데늄-크롬(Mo-Cr) 또는 몰리브데늄-탄탈륨(Mo-Ta)으로 구성될 수 있다.
본 발명은 과산화수소, 황산염, 인산염, 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 킬레이트제, 제 1 수용성 고리형 아민, 제 2 수용성 고리형 아민, 글리콜 및 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.
상기 황산염은 황산암모늄, 과황산암모늄, 황산나트륨, 과황산나트륨, 황산칼륨, 과황산 칼륨, 황산으로부터 하나이상 선택될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 상기 황산염은 구리의 식각속도를 높여 에칭공정의 생산성 향상에 효과적이다.
상기 인산염은 크게 제한되지 않지만 일인산암모늄,이인산암모늄,인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨으로부터 하나이상 선택될 수 있으며, 또한 상기 불화물은 조성물 내에 플르오르이온을 제공해 줄 수 있는 불산계 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 불산, 불화암모늄, 불화칼륨, 과불화칼륨으로부터 하나이상 선택될 수 있다.
상기 인산염은 상기 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각시 하부의 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막이 구리막의 하부로 과 식각되는 것 을 억제하여 주는 역할을 한다. 여기서 상기 인산염이 지나치게 과량인 경우 하부의 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막이 구리의 끝단으로부터 과하게 돌출하게 되어 2중 프로파일을 가지며 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 부동태를 촉진하여 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 잔사를 유발하게 되는 부작용이 있다.
또한 상기 인산염이 배제된 경우에는 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막으로의 식각이 지나치게 되어 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 언더켓 또는 구리의 이중 프로파일을 갖게 된다.
상기 불화물은 불산, 불화암모늄, 불화칼륨, 과불화칼륨으로부터 하나이상 선택될 수 있다.
상기 불화물은 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막의 금속 특성상 국부적인 부동태 반응으로 인해 형성되는 잔사를 제거하는 역할을 한다. 이는 과산화수소를 사용하여 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄합금막을 식각하는 경우 상기 막의 국부적 부동태 반응에 의하여 잔사의 문제가 생기게 되는데 이는 과산화수소에 의해 Mo로부터 형성된 MoO6가 낮은 pH(예를 들어 pH6.0미만)하에서, 완전히 식각되어Mo+3또Mo+6의 형태로 전이되지 못하고 표면부동태로 인한 잔사를 형성하게 되기 때문이다.
그러나 조성물 내에 플루오르 이온을 가진 불화물을 첨가하는 경우 활성이 높은 플루오르이온이 MoO3의 식각반응을 촉진시켜 Mo의 잔사 형성 없는 식각을 가능하게 한다. 특히, 과산화수소, 황산염 및 인산염으로 이루어진 식각 시스템과 함께 사용할 경우 유리막 식각 또는 질화실리콘등 보호막의 식각문제가 거의 발생하지 않으므로 금속 배선패턴 형성에 매우 유리하게 사용할 수 있다.
상기 킬레이트제는 특별히 한정되지 않으며, 바람직하게는 EDTA, 이미노디아세트산(Iminodiacetic Acid), 니트릴로트리아세트산(Nitrilotriacetic acid), 디에틸렌트리니트릴로펜타아세트산(Diethylene Trinitrilo Pentaacetic Acid: DTPA)으로부터 하나이상 선택될 수 있다. 상기 킬레이트제는 식각조성물 중에 구리막, 몰리브데늄 또는 몰리브데늄합금의 이온농도가 증가하고 이로 인해 과산화수소가 분해되어 식각조성물의 식각능력이 저하되는 현상을 방지하며, 또한 식각조성물의 보관 시 발생할 수 있는 과산화수소의 자체 분해반응을 억제한다.
보다 구체적으로 상기 바람직한 예시로 든 킬레이트제의 경우 구리막의 식각시 발생하는 금속이온들을 킬레이션 반응을 통해 봉쇄시킴으로써 과산화수소의 분해 반응을 억제하고, 이로써 다량의 금속배선을 식각 처리하여도 식각특성이 변화되지 않는 장점을 가지게 된다.
본 발명에서 상기 제 1수용성 고리형 아민은 크게 제한되지 않지만 아미노테트라졸(Aminotetrazole), 벤조트리아졸(Benzotriazole), 메틸벤조트리아졸(Methylbenzotriazol), 1,2,3 트리아졸(1,2,3-Triazole), 이미다졸(Imidazole), 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤 , 피롤린으로부터 하나이상 선택된다. 상기 제 1수용성 고리형 아민은 구리에 대한 식각속도를 조절할 수 있도록 해주며, 배선의 직진성을 향상시킨다.
상기 제 2 수용성 고리형 아민은 시클로헥실아민,시클로프로필아민,시클로펜 틸아민,시클로헵틸아민,시클로옥틸아민으로부터 하나이상 선택될 수 있다. 또한 제 2수용성고리형아민은 식각공정 중에 증가하게 되는 금속이온 농도에 대한 과산화수소의 분해반응을 억제하여 식각특성이 오래 유지되도록 하며, 따라서 본 발명에 의한 식각조성물이 분해 반응에 안정할 수 있게 해준다.
상기 제 2 수용성 고리형 아민은 글리콜이 첨가되었을 때 안정성이 더욱 향상될 수 있다. 상기 글리콜은 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜, 부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜로부터 하나이상 선택되며 상기 제 2수용성 고리형 아민보다 과량으로 포함되는 것을 특징으로 한다. 제 2 수용성 고리형 아민이 글리콜보다 과량으로 투입되었을 경우 Mo의 잔사를 발생시킬 수 있다.
본 발명에 의한 식각조성물은 다음과 같다.
본 발명은 조성물 총 중량을 기준으로 12 ~ 35중량%의 과산화수소, 0.5 ~ 5중량%의 황산염, 0.5 ~ 5중량%의 인산염, 0.0001 ~ 0.5중량%의 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 ~ 5중량%의 제 1 수용성 고리형 아민, 0.1 ~5중량%의 킬레이트제, 0.1 ~ 5중량%의 제 2 수용성 고리형 아민, 0.1 ~ 5중량%의 글리콜 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물에 관한 것이다.
그리고 상기 범위에서 식각조성물의 특성이 오래 유지되며 적절한 식각속도를 가질 수 있으며, 잔사 없이 식각에 의한 분해 반응에 의해 안정한 용액이 될 수 있다. 또한 배선의 직진성이 양호한 장점이 있다.
본 발명에 따른 금속배선 식각조성물에 사용되는 과산화수소, 황산염, 인산염, 불화물, 제 1 수용성 고리형 아민, 킬레이트제는 통상적으로 공지된 방법에 의해 제조가 가능하고, 반도체 공정용의 순도를 가지는 것이 바람직하다.
그리고 상기 식각조성물에 사용되는 탈이온수는 반도체 공정용을 사용하고 바람직하게는 18MΩ/cm 이상의 물을 사용한다.
본 발명에 따른 상기 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물은 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소스(Source) 또는 드레인(Drain)전극용 금속배선제의 식각공정에 쓰이는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 기판 상에 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막을 증착하는 단계;
상기 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트막을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트가 형성된 막에 상기 식각조성물을 사용하여 금속배선을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 막을 제거하는 단계; 및
탈이온수로 상기 금속배선을 세정 및 질소로 건조시키는 단계;
를 포함하는 금속배선 식각방법에 관한 것이다.
상기 금속배선은 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브데늄합금막(Mo-alloy)이 상호 적층된 다중막이며, 상기 몰리브데늄 막 또는 몰리브데늄합금막은 100 ~ 500Å, 상기 구리막은 1000 ~ 10,000Å의 두께를 갖도록 증착할 수 있으며 상기범위에서 식각이 잔사 없이 효율적으로 일어날 수 있다.
상기 금속 배선의 식각은 크게 제한되지 않지만 30 ~　40℃에서 진행할 수 있다. 상기 식각조성물을 사용할 때 침적 및 스프레이 방법 모두 가능하나 바람직하게는 스프레이 방법을 통하여 상기 식각조성물을 기판 상에 분무시켜 식각공정을 진행할 수 있으며, 30 ~ 160초 동안 스프레이 방법을 통하여 상기 기판 상에 분부시킴으로써 금속배선을 형성할 수 있다. 또한 상기 포토레지스트를 제거할 때, 통상적으로 쓰이는 박리액(stripper)을 사용할 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 식각조성물을 사용하여 금속배선을 식각하였을 때 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 본 발명에 따른 식각조성물은 조성변화를 통해 식각 속도의 조절이 자유로우며, 또한 식각 프로파일(etch profile)이 우수하고, 배선의 직진성이 양호한 장점이 있다. 그리고 잔사의 완전제거가 가능하다는 장점이 있어 저항이 낮은 구리 막을 TFT-LCD 게이트 및 소스/드레인 전극용으로 사용하는 경우 그 식각조성물로 사용할 수 있는 효과가 있다.
둘째, 본 발명에 따른 식각조성물로 다량의 금속배선을 식각하였을 때도 상기 식각조성물의 특성이 유지되며, 식각조성물의 보관 기간이 긴 장점이 있다. 또한 식각공정에 의해 발생되는 구리 및 몰리브덴 금속 농도가 4,000 ppm에서도 급격한 과산화수소의 분해가 일어나지 않아 안정적인 공정 운영이 가능하다는 장점이 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 이하 설명될 내용은 발명을 좀 더 잘 이해시키기 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
[실시예 및 비교예]
식각조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 구성성분과 함량으로 혼합하여 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 ~ 4의 식각조성물을 제조하였다.
식각방법
유리기판(100mm×100mm) 상에 몰리브데늄(200Å)막을 증착시키고 상기 몰리브데늄(200Å)막 상에 구리(1600Å)막을 증착시킨 뒤 포토리소그래피(photo lithography) 공정을 통하여 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성되도록 한 후, 상기 실시예 1 ~ 6 및 비교예 1 ~ 4의 조성물을 각각 사용하여 구리/몰리브데늄 이중 막에 대하여 식각공정을 실시하였다. 식각공정시 조건은 조성물의 온도가 30℃이고 스프레이 방법을 통하여 100초 동안 상기 식각조성물을 기판 상에 분무시켜 식각공정을 진행하였으며, 식각공정 후 박리액(stripper)으로 포토레지스트를 제거하고 , 탈이온수로 세정한 뒤 질소로 건조 시켰다.
물성평가
상기 식각방법으로 식각한 시료에 대하여 물성을 평가하여 하기 표 2에 나타 내었다.
식각특성 평가는 상기 식각방법으로 식각하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰하여 양호 또는 불량으로 평가하여 하기 표 2에 기재하였다.
몰리브데늄잔사 평가는 상기 식각방법으로 식각하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경 또는 광학현미경으로 관찰하였을 때 몰리브데늄잔사의 유무를 평가하여 하기 표 2에 기재하였다.
식각조성물의 안정성 평가는 상온에서 상기 실시예 및 비교예의 식각조성물에 각각 구리와 몰리브데늄의 중량비가 10 :1이 되도록 투입한 후, 72시간 동안 온도변화를 관찰하여 40℃가 넘지 않을 경우를 안정한 것으로 판단하였다. 이는 과산화수소의 급격한 분해반응이 온도의 상승을 수반하기 때문이다. 상기 식각조성물의 안정성평가는 구리에 대한 최대안정성으로 표현할 수 있으며,구리에 대한 최대안정성은 상기의 방법으로 안정성을 평가하였을 때 40℃를 넘지 않는 구리의 최대 농도(ppm)으로 결정하였다.
표1
Figure 112008067667633-PAT00001
표2
Figure 112008067667633-PAT00002
상기 물성평가 결과 실시예의 경우 비교예1~3에 비해 더 많은 구리 및 몰리브데늄을 투입하여 구리이온농도를 높여도 과산화수소의 급격한 분해반응이 일어나지 않아 더 안정적으로 사용이 가능하였다.
또한 시클로헥실아민이 폴리에틸렌글리콜보다 과량으로 포함하는 식각조성물일 경우 몰리브덴의 잔사가 발생하였다.
도 1은 종래기술인 대한민국공개특허 1999-017836호에 따른 인산, 질산 및 초산을 혼합한 식각조성물을 사용하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.
도 2 ~3은 실시예1에 의한 식각조성물로 식각공정을 수행하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.
도 1은 종래기술인 대한민국공개특허 1999-017836호에 따른 인산, 질산 및 초산을 혼합한 식각조성물을 사용하였을 때의 구리/몰리브데늄 이중막의 식각프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.
도 2 ~ 3은 실시예 1에 의한 식각조성물 조성물을 사용하였을 때의 구리/몰리브데늄이중막의 식각 프로파일의 단면을 전자현미경으로 관찰한 사진도이다.

Claims (16)

  1. 과산화수소, 황산염, 인산염, 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 킬레이트제, 제 1 수용성 고리형 아민, 제 2 수용성 고리형 아민, 글리콜 및 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 황산염은 황산암모늄, 과황산암모늄, 황산나트륨, 과황산나트륨, 황산칼륨, 과황산칼륨, 황산으로부터 하나이상 선택되는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 인산염은 일인산암모늄, 이인산암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨 으로부터 하나이상 선택되는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 불화물은 불산, 불화암모늄, 불화칼륨, 과불화칼륨으로부터 하나이상 선택되는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 EDTA, 이미노디아세트산(Iminodiacetic Acid), 니트릴로트리아세트산(Nitrilotriacetic acid), 디에틸렌트리니트릴로펜타아세트산(Diethylene Trinitrilo Pentaacetic Acid: DTPA)으로부터 하나이상 선택되는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1수용성 고리형 아민은 아미노테트라졸(Aminotetrazole), 벤조트리아졸(Benzotriazole), 메틸벤조트리아졸(Methylbenzotriazol), 1,2,3 트리아졸(1,2,3-Triazole), 이미다졸(Imidazole), 인돌, 푸린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤 , 피롤린으로부터 하나이상 선택되는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 제 2 수용성 고리형 아민은 시클로헥실아민, 시클로프로필아민, 시클로펜틸아민, 시클로헵틸아민, 시클로옥틸아민으로부터 하나이상 선택되는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 글리콜은 에틸렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 헥실렌글리콜, 부틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜으로부터 하나이상 선택되며, 상기 제 2수용성 고리형아민보다 과량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브데늄합금막(Mo-alloy)이 상호 적층된 다중막인 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 다중막은 Cu/Mo(Mo-alloy)이중막, Cu/Mo(Mo-alloy)/Cu 또는 Mo(Mo-alloy)/Cu/Mo(alloy)의 삼중막인 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 몰리브데늄합금막은 몰리브데늄-텡스텐(Mo-W), 몰리브데늄-티타늄(Mo-Ti), 몰리브데늄-니오비늄(Mo-Nb), 몰리브데늄-크롬(Mo-Cr) 또는 몰리브데늄-탄탈륨(Mo-Ta)으로 구성됨을 특징으로 하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리 브데늄합금막의 식각조성물.
  12. 제 1항내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,
    조성물 총 중량을 기준으로 12 ~ 35중량%의 과산화수소, 0.5 ~ 5중량%의 황산염, 0.5 ~ 5중량%의 인산염, 0.0001 ~ 0.5중량%의 플루오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 ~ 5중량%의 제 1 수용성 고리형 아민, 0.1 ~5중량%의 킬레이트제 0.1 ~ 5중량%의 제 2 수용성 고리형 아민, 0.1 ~ 5중량%의 글리콜 및 전체 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물은 액정표시장치의 TFT(Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소스(Source) 또는 드레인(Drain)전극용 금속배선제의 식각공정에 쓰이는 것을 특징으로 하는 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막의 식각조성물.
  14. 기판 상에 구리막, 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막을 증착하는 단계;
    상기 기판 상에 소정의 패턴을 가진 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트가 형성된 막에 제 1항내지 제 11항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 식각조성물을 사용하여 금속배선을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 제거하는 단계; 및
    탈 이온수로 상기 금속배선을 세정 및 질소로 건조시키는 단계;
    를 포함하는 금속배선 식각방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 금속배선은 구리/몰리브데늄막 또는 구리/몰리브데늄합금막은 1 이상의 구리(Cu)막과 1이상의 몰리브데늄(Mo)막 및/또는 몰리브데늄합금막(Mo-alloy)이 상호 적층된 다중막인 금속배선 식각방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 몰리브데늄 막 또는 몰리브데늄합금막은 100 ~ 500Å, 상기 구리막은 1000 ~ 10,000Å의 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 하는 금속배선 식각방법.
KR20080094504A 2008-09-26 2008-09-26 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물 KR101495683B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080094504A KR101495683B1 (ko) 2008-09-26 2008-09-26 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
JP2009182004A JP5023114B2 (ja) 2008-09-26 2009-08-05 液晶表示装置の銅及び銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金電極用の食刻組成物
TW098129381A TWI404825B (zh) 2008-09-26 2009-09-01 液晶顯示器系統中之銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）／鉬（Ｍｏ）或銅（Ｃｕ）／鉬（Ｍｏ）合金電極蝕刻液體
CN2009101769547A CN101684557B (zh) 2008-09-26 2009-09-25 液晶显示器系统中的铜、铜/钼或铜/钼合金电极蚀刻液体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080094504A KR101495683B1 (ko) 2008-09-26 2008-09-26 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100035250A true KR20100035250A (ko) 2010-04-05
KR101495683B1 KR101495683B1 (ko) 2015-02-26

Family

ID=42047923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20080094504A KR101495683B1 (ko) 2008-09-26 2008-09-26 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5023114B2 (ko)
KR (1) KR101495683B1 (ko)
CN (1) CN101684557B (ko)
TW (1) TWI404825B (ko)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011136594A2 (ko) * 2010-04-30 2011-11-03 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
WO2011136597A2 (ko) * 2010-04-29 2011-11-03 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
WO2013025003A2 (ko) * 2011-08-18 2013-02-21 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법
KR101256276B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-18 플란제 에스이 다중막의 식각액 조성물 및 그 식각방법
KR101339316B1 (ko) * 2011-05-06 2013-12-09 솔브레인 주식회사 유리 손상이 없는 구리 / 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄 / 구리 / 몰리브데늄 3중 막의 식각 조성물
US8894876B2 (en) 2010-04-20 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Etchant for electrode and method of fabricating thin film transistor array panel using the same
KR20150024764A (ko) 2013-08-27 2015-03-09 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160084163A (ko) * 2015-01-05 2016-07-13 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160106544A (ko) 2013-01-14 2016-09-12 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리막, 몰리브덴막 및 구리-몰리브덴 합금막의 식각액 조성물
KR20160116943A (ko) 2015-03-31 2016-10-10 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20170011585A (ko) 2015-07-23 2017-02-02 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20170074451A (ko) * 2015-12-22 2017-06-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리 식각액 조성물
WO2018070837A1 (ko) * 2016-10-14 2018-04-19 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액 조성물
US10501853B2 (en) 2014-10-10 2019-12-10 Samyoung Pure Chemicals Co., Ltd. Etchant composition, method for etching multilayered film, and method for preparing display device
CN113061891A (zh) * 2013-10-18 2021-07-02 东进世美肯株式会社 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
KR20230039621A (ko) * 2017-01-26 2023-03-21 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각 조성물

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101880129A (zh) * 2010-05-28 2010-11-10 合肥茂丰电子科技有限公司 玻璃基板减薄蚀刻液及其制备方法与应用
CN103052907B (zh) * 2010-07-30 2015-08-19 东友精细化工有限公司 用于制造液晶显示装置用阵列基板的方法
WO2012015088A1 (ko) * 2010-07-30 2012-02-02 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
TWI514479B (zh) * 2010-08-02 2015-12-21 Dongwoo Fine Chem Co Ltd 用以製造液晶顯示裝置用之陣列基板的方法及銅系金屬層用之蝕刻劑組成物
KR101270560B1 (ko) * 2010-11-12 2013-06-03 오씨아이 주식회사 금속막 식각용 조성물
KR101728553B1 (ko) * 2010-12-21 2017-04-20 동우 화인켐 주식회사 오믹 컨택층용 식각액 조성물
KR101774484B1 (ko) 2011-02-15 2017-09-05 삼성디스플레이 주식회사 인듐 산화막의 비할로겐성 식각액 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
CN102140639B (zh) * 2011-04-19 2014-04-23 森鹤乐器股份有限公司 沉积金属退除剂及制备方法
KR102009250B1 (ko) * 2011-09-09 2019-08-12 동우 화인켐 주식회사 표시장치의 제조방법 및 이에 이용되는 구리계 금속막/금속 산화물막의 식각액 조성물
CN102703902B (zh) * 2012-06-26 2014-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列基板铜导线的蚀刻液
KR101922625B1 (ko) * 2012-07-03 2018-11-28 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
JP2014032999A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR101394133B1 (ko) * 2012-08-22 2014-05-15 주식회사 이엔에프테크놀로지 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물
CN103668206A (zh) * 2012-09-19 2014-03-26 东友精细化工有限公司 用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物
CN103668207B (zh) * 2012-09-24 2018-04-06 东友精细化工有限公司 蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示设备的方法
KR102008689B1 (ko) * 2013-04-23 2019-08-08 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 구리 및 몰리브덴을 포함하는 다층막의 에칭에 사용되는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 기판의 제조방법, 그리고 그 제조방법에 의해 제조되는 기판
JP6207248B2 (ja) * 2013-06-17 2017-10-04 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
JP6421751B2 (ja) * 2013-07-05 2018-11-14 富士フイルム和光純薬株式会社 エッチング剤、エッチング方法およびエッチング剤調製液
KR20150043569A (ko) * 2013-10-07 2015-04-23 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리 및 몰리브덴 함유 막의 식각액 조성물
KR102160286B1 (ko) * 2013-11-04 2020-09-28 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN105765107B (zh) * 2013-11-25 2017-12-19 松下知识产权经营株式会社 多层膜用蚀刻液和蚀刻浓缩液及蚀刻方法
JP6164614B2 (ja) * 2013-12-06 2017-07-19 メック株式会社 エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法
CN103980905B (zh) * 2014-05-07 2017-04-05 佛山市中山大学研究院 一种用于氧化物材料体系的蚀刻液及其蚀刻方法和应用
KR102209680B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-29 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102204228B1 (ko) * 2014-06-30 2021-01-18 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160001985A (ko) * 2014-06-30 2016-01-07 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
TWI618817B (zh) * 2015-12-29 2018-03-21 Daxin Materials Corporation 蝕刻液組成物及應用其之蝕刻方法
TWI726995B (zh) * 2016-02-17 2021-05-11 易安愛富科技有限公司 蝕刻液組合物
TWI640656B (zh) * 2016-03-24 2018-11-11 Daxin Materials Corporation 鹼性蝕刻液組成物及應用其之蝕刻方法
JP6777420B2 (ja) * 2016-04-21 2020-10-28 関東化学株式会社 単層膜または積層膜のエッチング組成物または前記組成物を用いたエッチング方法
KR102090243B1 (ko) * 2016-06-08 2020-03-17 주식회사 이엔에프테크놀로지 과수안정화제 및 이를 포함하는 식각 조성물
JP6190920B2 (ja) * 2016-06-08 2017-08-30 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 薄膜トランジスタ
KR20180012372A (ko) * 2016-07-26 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 제조 방법
CN109087852B (zh) * 2018-08-10 2020-09-08 深圳市华星光电技术有限公司 晶体管金属电极结构的制作方法
CN109234736B (zh) * 2018-08-31 2020-08-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种高寿命铜钼蚀刻液及蚀刻方法
CN109524303B (zh) * 2018-11-23 2021-03-19 京东方科技集团股份有限公司 导电图形及其制作方法、显示基板、显示装置
CN111123561B (zh) * 2019-12-12 2021-10-08 Tcl华星光电技术有限公司 金属线制备装置和金属线制备方法
KR20210088290A (ko) * 2020-01-06 2021-07-14 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액 조성물
CN112080747B (zh) * 2020-09-02 2021-10-08 Tcl华星光电技术有限公司 蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的蚀刻液组合物及其应用
CN112410789A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 Tcl华星光电技术有限公司 金属配线蚀刻液组合物及其应用
CN112415799A (zh) * 2020-11-10 2021-02-26 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN113106454A (zh) * 2021-03-24 2021-07-13 Tcl华星光电技术有限公司 蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379824B1 (ko) * 2000-12-20 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판
JP2002266088A (ja) * 2001-03-07 2002-09-18 Yamatoya & Co Ltd 銅張積層板用ソフトエッチング剤
KR100505328B1 (ko) 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
JP2004218021A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Yamatoya & Co Ltd 銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤及び銅及び銅合金の表面の粗面処理法
CN1875325B (zh) * 2003-10-29 2011-01-26 马林克罗特贝克公司 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
KR101174767B1 (ko) * 2005-03-10 2012-08-17 솔브레인 주식회사 금속배선 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법
KR101199533B1 (ko) * 2005-06-22 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR100839428B1 (ko) * 2007-05-17 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 식각액, 및 이를 이용한 박막트랜지스터를 갖는 기판의제조 방법

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8894876B2 (en) 2010-04-20 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Etchant for electrode and method of fabricating thin film transistor array panel using the same
WO2011136597A2 (ko) * 2010-04-29 2011-11-03 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
WO2011136597A3 (ko) * 2010-04-29 2012-03-01 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
WO2011136594A3 (ko) * 2010-04-30 2012-03-01 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
WO2011136594A2 (ko) * 2010-04-30 2011-11-03 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
KR101256276B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-18 플란제 에스이 다중막의 식각액 조성물 및 그 식각방법
KR101339316B1 (ko) * 2011-05-06 2013-12-09 솔브레인 주식회사 유리 손상이 없는 구리 / 몰리브데늄막 또는 몰리브데늄 / 구리 / 몰리브데늄 3중 막의 식각 조성물
WO2013025003A3 (ko) * 2011-08-18 2013-04-11 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법
WO2013025003A2 (ko) * 2011-08-18 2013-02-21 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법
KR20160106544A (ko) 2013-01-14 2016-09-12 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리막, 몰리브덴막 및 구리-몰리브덴 합금막의 식각액 조성물
KR20150024764A (ko) 2013-08-27 2015-03-09 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN113061891A (zh) * 2013-10-18 2021-07-02 东进世美肯株式会社 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
US10501853B2 (en) 2014-10-10 2019-12-10 Samyoung Pure Chemicals Co., Ltd. Etchant composition, method for etching multilayered film, and method for preparing display device
KR20160084163A (ko) * 2015-01-05 2016-07-13 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160116943A (ko) 2015-03-31 2016-10-10 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20170011585A (ko) 2015-07-23 2017-02-02 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20170074451A (ko) * 2015-12-22 2017-06-30 주식회사 이엔에프테크놀로지 구리 식각액 조성물
WO2018070837A1 (ko) * 2016-10-14 2018-04-19 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액 조성물
KR20180041317A (ko) * 2016-10-14 2018-04-24 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액 조성물
KR20230039621A (ko) * 2017-01-26 2023-03-21 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP5023114B2 (ja) 2012-09-12
TW201012971A (en) 2010-04-01
CN101684557B (zh) 2012-02-22
TWI404825B (zh) 2013-08-11
CN101684557A (zh) 2010-03-31
JP2010080934A (ja) 2010-04-08
KR101495683B1 (ko) 2015-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101495683B1 (ko) 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
KR101495619B1 (ko) 고선택비를 갖는 구리(구리합금) 식각액 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
TWI503451B (zh) 用以蝕刻金屬層之組成物
KR101174767B1 (ko) 금속배선 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법
JP5713485B2 (ja) 金属配線用エッチング液組成物
KR101299131B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각 조성물
KR20120044630A (ko) 구리 함유 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
KR102293675B1 (ko) 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20120140481A (ko) 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101702129B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102269327B1 (ko) 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20170021196A (ko) 표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101146099B1 (ko) 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물
KR20200098108A (ko) 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물
KR102619627B1 (ko) 식각 조성물 및 이를 이용하는 식각방법
KR102505196B1 (ko) 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102459685B1 (ko) 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 디스플레이용 어레이 기판의 제조방법, 및 디스플레이용 어레이 기판
TWI758342B (zh) 蝕刻組合物
KR100595910B1 (ko) 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물
KR101236133B1 (ko) 금속 식각액 조성물
KR100595913B1 (ko) 평판디스플레이용 투명도전막의 에칭액 조성물
CN117468003A (zh) 蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板
KR102412260B1 (ko) 몰리브덴 함유 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102362554B1 (ko) 구리계 금속막용 식각 조성물
KR102310095B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 6