TWI726995B

TWI726995B - 蝕刻液組合物

Info

Publication number: TWI726995B
Application number: TW106105009A
Authority: TW
Inventors: 尹景湖; 申孝燮; 金世訓
Original assignee: 易安愛富科技有限公司
Priority date: 2016-02-17
Filing date: 2017-02-16
Publication date: 2021-05-11
Also published as: CN107090581B; TW201741503A; CN107090581A

Abstract

本發明涉及一種包含過氧化氫、蝕刻抑制劑、螯合劑、蝕刻添加劑、雙氧水穩定劑和pH調節劑的蝕刻液組合物，其通過不包含氟類化合物並且pH為4以上，防止氧化物半導體在含銅和鉬膜的蝕刻工藝中被蝕刻，從而使可能在蝕刻工藝中發生的不良最小化。此外，由於不需要以往為了確保氧化物半導體的穩定電氣特性而應用的絕緣性保護層(蝕刻終止層)工藝，能夠降低氧化物半導體TFT製造時的成本。

Description

蝕刻液組合物

本發明涉及一種銅和鉬膜或者銅和鉬合金膜(以下，簡稱“含銅/鉬膜”)的蝕刻液組合物，尤其是用作TFT-LCD、OLED等顯示器電極的含銅/鉬膜的蝕刻液組合物。

半導體裝置和TFT-LCD、OLED等微電路是通過如下的一系列光刻工藝完成的，即在基板上形成的鋁、鋁合金、銅及銅合金等導電性金屬膜或氧化矽膜、氮化矽膜等絕緣膜上，均勻地塗布光刻膠，然後通過刻有圖案的掩模進行曝光後顯影從而形成所需圖案的光刻膠，採用幹式蝕刻或濕式蝕刻將圖案轉印到位於光刻膠下部的金屬膜或絕緣膜，之後通過剝離工藝去除不需要的光刻膠。

大型顯示器的柵極和資料金屬佈線採用與現有的鋁和鉻佈線相比，阻抗低且沒有環境問題的銅金屬。由於銅與玻璃基板和矽絕緣膜的粘合強度低且存在向矽膜擴散的問題，將鈦、鉬等用作下部阻擋金屬。

作為與同時蝕刻銅膜和含鉬膜時可使用的蝕刻液組合物相關的技術，韓國專利公開公報第2003-0082375號、專利公開公報第2004-0051502號、專利公開公報第2006-0064881號和專利公開公報第2006-0099089號等中公開了基於過氧化氫的含銅/鉬膜的蝕刻液。

所述現有的含銅/鉬膜的蝕刻液含有氟類化合物，這是因為所述氟類化合物在同時蝕刻含銅/鉬膜時能夠提升鉬或鉬合金的蝕刻速度，從而起到去除鉬或鉬合金的殘留物的作用。此外，上述蝕刻液組合物具有2至3的低的pH值，起到有效、快速地蝕刻銅的作用。

但是，在用所述蝕刻液組合物蝕刻由銅和鉬或鉬合金形成的源電極和漏電極的情況下，由於含有氟類化合物且pH低，存在不僅僅是所述源電極和漏電極，而且形成在所述源電極和漏電極下部的氧化物半導體(InGaZnO)也被同時蝕刻的問題。這種氧化物半導體的蝕刻會增加TFT元件特性的不良。

現有技術文獻

專利文獻

(專利文獻1)專利公開公報第2003-0082375號

(專利文獻2)專利公開公報第2004-0051502號

(專利文獻3)專利公開公報第2006-0064881號

(專利文獻4)專利公開公報第2006-0099089號

本發明的目的在於提供一種蝕刻液組合物，其防止氧化物半導體在蝕刻含銅/鉬膜的工藝中被蝕刻，從而最小化可在蝕刻工藝中發生的不良。

為了實現上述目的，本發明提供一種基於過氧化氫的蝕刻液組合物，其包含過氧化氫、蝕刻抑制劑、螯合劑、蝕刻添加劑、雙氧水穩定劑、pH調節劑和水。本發明是不包含氟類化合物且pH為4以上的蝕刻液組合物，並且為了有效地抑制銅的蝕刻速度，可與有機酸一起包含磷酸或磷酸鹽作為蝕刻添加劑，並且為了高pH下的組合物的穩定性，可將烷基胺作為雙氧水穩定劑包含。

根據本發明的一個方式，所述蝕刻液組合物以組合物的總重量計，包含18-25重量%的過氧化氫、0.1-5重量%的蝕刻抑制劑、0.1-4重量%的螯合劑、0.02-10重量%的蝕刻添加劑、0.01-5重量%的雙氧水穩定劑、0.1-3重量%的pH調節劑以及使組合物的總重量成為100重量%的水。

在另一方式中，所述蝕刻抑制劑可包含0.1-1重量%的芳環化合物。

在再一方式中，所述蝕刻添加劑可包含0.01-5重量%的具有一個以上的羧基的不含氮原子有機酸、以及0.01-5重量%的磷酸鹽化合物。

在又一方式中，所述雙氧水穩定劑可以是烷基胺。

根據本發明的另一方式，所述蝕刻液組合物以組合物的總重量計，包含：18-25重量%的過氧化氫；作為蝕刻抑制劑的0.1-5重量%的芳環化合物；作為螯合劑的0.1-4重量%的含氮原子有機酸；作為蝕刻添加劑的0.01-5重量%的具有一個以上的羧基的不含氮原子有機酸、和0.01-5重量%的磷酸鹽化合物；作為雙氧水穩定劑的0.01-5重量%的烷基胺；作為用於將pH調節為4以上的pH調節劑的、0.1-3重量%的鹼性溶液；以及使組合物的總重量成為100重量%的水。

此外，除了上述成分以外，所述蝕刻液組合物還可包含常見的添加劑。

根據本發明的蝕刻液組合物，通過防止氧化物半導體在濕式蝕刻含銅/鉬膜的工藝中被蝕刻，使可在蝕刻工藝中發生的不良最小化。此外，由於不需要以往為了確保氧化物半導體的穩定電氣特性而應用的絕緣性保護層(蝕刻終止層)工藝，能夠降低氧化物半導體TFT製造時的成本。

圖1是使用本發明實施例1的蝕刻液組合物來蝕刻含銅/鉬膜的情況下，為了確認暴露的氧化物半導體(InGaZnO)的厚度變化而觀察樣品的側面的掃描電子顯微鏡照片。

圖2是示出分別使用本發明實施例1的蝕刻液組合物和比較例5的蝕刻液組合物來蝕刻氧化物半導體(InGaZnO)單膜的結果的、觀察了樣品的平面的掃描電子顯微鏡照片。

本發明可進行多種變更並可具有多種實施例，在附圖中例示特定實施例並在詳細說明中進行詳細說明。但是，這並不旨在將本發明限定在特定的實施方式，而應當理解為包括包含在本發明的思想和技術範圍中的所有變更、等同物以及替代物。在說明本發明時，當判斷為對相關公知技術的具體說明會使本發明的要旨不清楚時，將省略對其的詳細說明。

以下，對根據本發明實施例的含銅/鉬膜的蝕刻液組合物進行更詳細的說明。

本發明的蝕刻液組合物可同時蝕刻含銅/鉬膜。其中，“含銅/鉬膜”是指銅膜和鉬膜，或者銅膜和鉬合金膜，鉬合金是鉬與各種金屬的合金，優選為與鈦、鉭、鉻、釹、鎳、銦或錫的合金，最優選為與鈦的合金。

根據本發明的蝕刻液組合物可包含過氧化氫、蝕刻抑制劑、螯合劑、蝕刻添加劑、雙氧水穩定劑、pH調節劑以及使整個組合物的總重量成為100重量%的水。所述蝕刻液組合物不包含氟類化合物且pH為4以上，並且為了有效地抑制銅的蝕刻速度，可與有機酸一起包含磷酸或磷酸鹽作為蝕刻添加劑，並且為了高pH下的過氧化氫類蝕刻組合物的穩定性，可將烷基胺作為雙氧水穩定劑包含。

根據本發明的優選實施例，所述蝕刻液組合物以組合物的總重量計，包含：18-25重量%的過氧化氫；0.1-5重量%的蝕刻抑制劑；0.1-4重量%的螯合劑；作為蝕刻添加劑的0.01-5重量%的具有一個以上的羧基的不含氮原子有機酸、和0.01-5重量%的磷酸鹽化合物；0.01-5重量%的的雙氧水穩定劑；0.1-3重量%的pH調節劑；以及使組合物的總重量成為100重量%的水。更優選地，所述蝕刻抑制劑是芳環化合物，所述螯合劑是在化學結構內含有一個以上的氮原子的有機酸，所述雙氧水穩定劑是烷基胺。

以下，對根據本發明一實施例的含銅/鉬膜的蝕刻液組合物的各組成成分進行更詳細的說明。

a)過氧化氫

在根據本發明的蝕刻液組合物中，過氧化氫用作銅和鉬、或者銅和鉬合金的主要氧化劑。以組合物的總重量計，過氧化氫可被包含18-25重量%。當所包含的過氧化氫不足18重量%時，銅和鉬合金的氧化力不充分，可能無法實現蝕刻；當所包含的過氧化氫超過25重量%時，蝕刻速度過快，存在難以控制工藝的問題。根據本發明的蝕刻液組合物能夠實現適當的蝕刻速度，從而能夠防止蝕刻殘留物和蝕刻不良，減少臨界尺寸損失(CD loss)，容易調整工藝。

b)蝕刻抑制劑

在根據本發明的蝕刻液組合物中，蝕刻抑制劑調整銅和鉬、或者銅和鉬合金的蝕刻速度來減小圖案的臨界尺寸損失(CD loss)，提高工藝裕量，實現具有適當錐度角(taper angle)的蝕刻剖面。

具體而言，所述蝕刻抑制劑是在分子內包含從氧、硫和氮中選擇的一種以上的雜原子的單環式雜環化合物，或者具有上述單環式的雜環和苯環的縮合結構的雜環化合物。所述單環式的雜環化合物可以是具有碳原子數為1至10的單環式結構的雜環芳香族化合物或者雜環脂肪族化合物，具體的例子可以舉出呋喃(furan)、噻吩(thiophene)、吡咯(pyrrole)、惡唑(oxazole)、咪唑(imidazole)、吡唑(pyrazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、5-氨基四唑(5-aminotetrazole)或甲基四氮唑(methyltetrazole)等雜環芳香族化合物；以及呱嗪(piperazine)、甲基呱嗪(methylpiperazine)、羥乙基呱嗪(hydroxyethylpiperazine)、吡咯烷(pyrrolidine)或四氧嘧啶(alloxan)等雜環脂肪族化合物，但不限於這些。此外，所述具有分子內包含從氧、硫和氮中選擇的一種以上的雜原子的單環式雜環和苯的縮合結構的雜環化合物，可以舉出苯並呋喃(benzofurane)、苯並噻吩(benzothiophene)、吲哚(indole)、苯並咪唑(benzimidazole)、苯並吡唑(benzpyrazole)、甲基苯並三唑(tolutriazole)、氫甲基苯並三唑(hydrotolutriazole)或羥甲基苯並三唑(hydroxytolutriazole)等，但並不限於這些。可單獨使用上述化合物中的一種或混合使用兩種以上。

以蝕刻液組合物的總重量計，所述蝕刻抑制劑可被包含0.1-5重量%，優選為0.1-1重量%。當所包含的蝕刻抑制劑不足0.1重量%時，難以調整蝕刻速度，能夠調整錐度角的能力降低，並且由於工藝裕量小，存在量產性降低的問題；當所包含的蝕刻抑制劑超過5重量%時，蝕刻速度減小，從而存在效率低的問題。

c)螯合劑

在本發明的蝕刻液組合物中，螯合劑與蝕刻進行期間產生的銅離子、鉬或其合金離子等的金屬離子形成螯合物來使其鈍化，從而防止由這些金屬離子引起的副反應的發生，其結果，在重複進行的蝕刻工藝中也能維持蝕刻特性。尤其是，對於銅層而言，當蝕刻液組合物中殘留有大量的銅離子時，存在形成鈍化膜而被氧化，從而不被蝕刻的問題，但是在加入螯合劑時，能夠防止銅離子的鈍化膜的形成。此外，螯合劑防止過氧化氫自身的分解反應，從而能夠增加蝕刻液的穩定性。因此，若在蝕刻液組合物中不添加螯合劑，則在蝕刻進行期間被氧化的金屬離子被活化，從而蝕刻液的蝕刻特性容易改變，並且過氧化氫的分解反應被促進，可能發生發熱或爆炸。

所述螯合劑是含氮原子有機酸，可以是在分子內與氨基一起包含羧酸基或膦酸基的化合物。具體的例子可以舉出亞氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、氨三乙酸(nitrilotriacetic acid)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylenetrinitrilacetic acid)、氨基三亞甲基膦酸(aminotris(methylenephosphonic acid))、1-羥基亞乙基-1,1-二磷酸((1-hydroxyethane-1,1-diyl)bis(phosphonic acid))、乙二胺四亞甲基磷酸(ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid))、二亞乙基三胺五亞甲基磷酸(diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid))、丙氨酸(alanine)、谷氨酸(glutamic acid)、氨基丁酸(aminobutyric acid)或者甘氨酸(glycin)等，可單獨使用這些中的一種或者使用兩種以上的混合物。

以蝕刻液組合物的總重量計，所述螯合劑可被包含0.1-4重量%，優選為0.1-2重量%。當所包含的螯合劑不足0.1重量%時，可鈍化的金屬離子量過少，控制過氧化氫分解反應的能力降低；當所包含的螯合劑超過4重量%時，由於形成額外的螯合劑，不能期待使金屬鈍化的作用，從而存在效率低的問題。

d)蝕刻添加劑

在根據本發明的蝕刻液組合物中，蝕刻添加劑起到對銅和鉬、或者銅和鉬合金的輔助氧化劑的作用，可調整蝕刻速度，改善錐度剖面。作為所述蝕刻添加劑，可使用無機酸、有機酸、磷酸或它們的鹽，可單獨使用這些中的一種或者使用兩種以上的混合物。

具體而言，所述無機酸可以是硫酸、硝酸、磷酸、鹽酸或氫氟酸等，所述有機酸是具有一個以上的羧基的不含氮原子有機酸，可以是醋酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、羥基醋酸、戊二酸、甘氨酸或琥珀酸等。此外，所述鹽表示上面提及的無機酸或有機酸的鹽。

以蝕刻液組合物的總重量計，所述蝕刻添加劑可被包含0.02-10重量%，並且在另一方式中可被包含0.02-5重量%。當所包含的蝕刻添加劑不足0.02重量%時，根據蝕刻添加劑使用的錐度剖面改善效果微乎其微；當所包含的蝕刻添加劑超過10重量%時，由於過量的蝕刻添加劑，蝕刻特性反而可能降低，因此是不可取的。

在本發明的優選方式中，為了有效地控制銅的蝕刻速度，所述蝕刻添加劑可包含0.01-5重量%的具有一個以上的羧基的不含氮原子有機酸，包含0.01-5重量%的磷酸或磷酸鹽，磷酸鹽的例子有磷酸一銨、磷酸二銨、磷酸三銨、磷酸氫鈉、磷酸氫二鈉、磷酸鈉、磷酸氫鉀、磷酸氫二鉀、磷酸鉀等。

e)雙氧水穩定劑

在根據本發明的蝕刻液組合物中，雙氧水穩定劑起到在重複進行蝕刻工藝而蝕刻液內的金屬離子含量高的情況下控制過氧化氫分解反應的作用。具體而言，作為所述雙氧水穩定劑，可以使用甘醇類、胺類或它們的混合物等。優選地，所述雙氧水穩定劑可以是烷基胺化合物。例如，丁胺、戊胺、辛胺、2-乙基-丁胺、2-己胺、2-乙基己胺、庚胺、己胺或環己胺等化合物。

當蝕刻液組合物中包含所述雙氧水穩定劑時，以組合物的總重量計，所述雙氧水穩定劑可被包含0.01-5重量%，優選為0.1-5重量%，更優選為0.5-3重量%。當所包含的雙氧水穩定劑不足0.01重量%時，對過氧化氫分解反應的控制效果微乎其微；當所包含的雙氧水穩定劑超過5重量%時，有可能降低蝕刻能力。

f)pH調節劑

在根據本發明的蝕刻液組合物中，pH調節劑可將所述蝕刻液組合物的pH調節成4至6。當所述蝕刻液組合物的pH不足4時，存在氧化物半導體被蝕刻的問題。此外，當所述蝕刻液組合物的pH超過6時，銅和鉬、或者銅和鉬合金可能不被蝕刻。

其中，所述pH調節劑可以是無機堿。具體而言，可包含碳酸鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀和氨中的一種以上。優選地，以組合物的總重量計，所述pH調節劑被包含0.1-3重量%。當所述pH調節劑的重量不足0.1重量%時，包含在所述蝕刻液組合物中的過氧化氫的蝕刻作用活性可能不充分。此外，當所述pH調節劑的重量超過3重量%時，有可能所述蝕刻液組合物的pH急劇增加，降低過氧化氫的活性，從而降低銅和鉬合金的蝕刻速度和蝕刻均勻性。

g)水

對於包含在所述蝕刻液組合物中的水，並沒有特別的限定，但是優選使用去離子水。具體而言，更優選使用水中的離子被去除的程度的、電阻率為18MΩ/cm以上的去離子水。所述水可以以使蝕刻液組合物的總重量成為100重量%的量被包含。

h)其它添加劑

為了提高蝕刻性能，本發明的含銅/鉬膜的蝕刻液組合物還可包含通常在蝕刻液組合物中使用的任意添加劑。作為所述添加劑，可以舉出氧化物半導體保護劑、蝕刻穩定劑、表面活性劑等。可單獨使用這些中的一種或混合使用兩種以上。

具有如上所述的組成的根據本發明的蝕刻液組合物，其在蝕刻被用作液晶顯示裝置或有機電致發光顯示裝置等的電極的含銅/鉬膜時，使下部膜的蝕刻最小化，從而能夠防止元件的不良。具體而言，所述下部膜可以是氧化物半導體。此外，本發明的蝕刻液組合物通過不蝕刻由氧化物半導體構成的半導體層，能夠省略絕緣性保護層的製造工藝，所述絕緣性保護層用於保護半導體層免受用於蝕刻源電極和漏電極的蝕刻液組合物的影響，因此能夠簡化顯示裝置的工藝。進一步，在蝕刻含銅/鉬膜時，能夠改善錐度角、臨界尺寸損失和蝕刻平直度等蝕刻特性。由此，所述蝕刻液組合物可在將含銅/鉬膜用作構成液晶顯示裝置的TFT(Thin Film Transistor)的柵極、源電極或漏電極用金屬佈線材料的情況下有效地用作用於形成金屬佈線圖案的蝕刻液組合物。

可根據通常的方法來實施利用上述蝕刻液組合物的含銅/鉬膜的蝕刻方法。具體而言，可通過包含如下步驟的含銅/鉬膜的蝕刻方法來實施上述蝕刻方法：在基板上沉積含銅/鉬膜；在所述銅/鉬膜上形成光刻膠膜後進行圖案化；以及使用上述蝕刻液組合物來對形成有圖案化的光刻膠膜的含銅/鉬膜進行蝕刻，此時對於在所述基板上形成的含銅/鉬膜的層疊順序並沒有特別的限定。

此外，所述蝕刻方法可包含：在基板與含銅/鉬膜之間，即在基板與銅膜之間或者基板與含鉬膜之間形成半導體結構物的步驟。所述半導體結構物可以是液晶顯示裝置、等離子體顯示面板等顯示裝置用半導體結構物。具體而言，所述半導體結構物可包含從電介質膜、導電膜以及非晶或多晶等矽膜中選擇的一層以上的膜，並且這些半導體結構物可根據通常的方法來製造。

以下，對本發明的實施例進行詳細說明，以便本發明所屬技術領域的技術人員容易實施。但是，本發明可以以各種不同的形式實現，不限於這裡說明的實施例。

<實施例1-15和比較例1-5>

以下面表1中記載的成分含量混合各成分來製備了實施例1-15和比較例1-5的組合物。

所述表1中ATZ：5-氨基四唑(5-aminotetrazole)、IDA：亞氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、MA：丙二酸(malonic acid)、GA：羥基醋酸(glycolic acid)、CA：檸檬酸(Citric acid)、GuA：戊二酸(Glutaric acid)、 TA：酒石酸(Tartaric acid)、AP：磷酸銨、SP：磷酸鈉、KP：磷酸鉀、BA：丁胺(butylamine)、PA：戊胺(pentylamine)、OA：辛胺(octylamine)、EBA：2-乙基-丁胺(2-ethyl-1-butanamine)、HxA：2-己胺(2-hexanamine)、EHA：2-乙基己胺(2-ethyl hexylamine)、HpA：庚胺(Heptylamine)、HA：己胺(hexylamine)、CHA：環己胺(Cyclohexylamine)、GC：甘氨酸(Glycine)和NH：氫氧化鈉(Sodium hydroxide)各成分的含量單位為重量份。

<蝕刻性能測試>

為了評價根據本發明的蝕刻液的效果，在玻璃基板上以500~800Å的厚度沉積氧化物半導體(InGaZnO)，然後沉積3000Å厚度的銅和鉬合金膜，之後進行光刻工藝來形成圖案，製備了樣品。

此外，為了評價氧化物半導體(InGaZnO)蝕刻，在以500~800Å的厚度沉積之後，進行光刻工藝來形成圖案，製備了樣品。

在可進行噴射的設備(Mini-etcher ME-001)中利用實施例1-15的蝕刻液組合物和比較例1-5的蝕刻液組合物進行了蝕刻。利用掃描電子顯微鏡(日立公司製造，S-4800)觀察了蝕刻後的銅和鉬合金膜的蝕刻特性和氧化物半導體(InGaZnO)蝕刻。為了確認蝕刻特性，進行了30% Over Etch蝕刻，並且為了確認氧化物半導體(InGaZnO)基板蝕刻，蝕刻進行了300秒。

為了評價穩定性，在各組合物蝕刻液中溶解了5000ppm的銅粉末之後，在32度中維持了24小時，並測量了溫度變化。

在下表2中示出了其實驗結果。

從表2中可以看出，根據本發明的實施例1-27的組合物中包含適量的蝕刻添加劑、雙氧水穩定劑的組合物在pH 4下適合於量產的蝕刻速度和蝕刻偏差、溫度穩定性等優異，同時對氧化物半導體(InGaZnO)的蝕刻大大減少或者被抑制到觀察不到的水準。

圖1是使用根據實施例1的蝕刻液組合物來蝕刻銅和鉬合金膜的情況下，為了確認暴露的氧化物半導體(InGaZnO)的厚度變化而觀察樣品的側面的掃描電子顯微鏡照片。可以確認，在使用根據本發明的蝕刻液組合物時，銅和鉬合金膜被完全去除，氧化物半導體幾乎沒被蝕刻。

圖2是示出了使用根據實施例1和比較例5的蝕刻液組合物來測試氧化物半導體(InGaZnO)基板的蝕刻性能的結果的、觀察了樣品的平面的掃描電子顯微鏡照片。可以確認，根據實施例1的蝕刻液組合物對氧化物半導體沒有損傷，但是根據比較例5的組合物對氧化物半導體進行了蝕刻。

從如上所述的實驗結果可以確認，根據本發明的蝕刻液組合物在蝕刻含銅/鉬膜時使作為下部膜的氧化物半導體的蝕刻最小化，從而能夠使所述氧化物半導體的不良最小化。

以上，詳細記述了本發明內容的特定部分，但是對於本領域技術人員而言，這樣的具體技術僅僅是優選實施方式，本發明的範圍不被這些所限定是顯而易見的。因此，本發明的實質範圍由隨附的權利要求及它們的等同物所限定。

Claims

一種含銅和鉬膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，以組合物的總重量計，所述蝕刻液組合物包含：18-25重量%的過氧化氫；0.1-5重量%的蝕刻抑制劑；0.1-4重量%的螯合劑；包含0.01-5重量%的具有一個以上的羧基的不含氮原子有機酸、和0.01-5重量%的磷酸鹽的蝕刻添加劑；0.01-5重量%的的雙氧水穩定劑；0.1-3重量%的pH調節劑；以及使組合物的總重量成為100重量%的水。
如請求項1所述的含銅和鉬膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，所述蝕刻抑制劑是包含從氧、硫和氮中選擇的一個以上的雜原子的、碳原子數為1至10的雜環化合物。
如請求項1所述的含銅和鉬膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，所述螯合劑是同時具有氨基和羧基的化合物。
如請求項1所述的含銅和鉬膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，所述雙氧水穩定劑是烷基胺。
如請求項1所述的含銅和鉬膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，所述pH調節劑包含碳酸鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀和氨中的一種以上。
如請求項1所述的含銅和鉬膜的蝕刻液組合物，其特徵在於，所述有機酸選自由醋酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、羥基醋酸、戊二酸、甘氨酸和琥珀酸；它們的鹽；以及它們的混合物組成的組。