CN115044906A - 一种腐蚀溶液及其背接触异质结太阳能电池制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种催化腐蚀溶液，它包括铜离子0.001％‑0.1％、氢氟酸0.1％‑5％、氧化剂1％‑8％、螯合剂0.01％‑1％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。本发明的目的在于提供一种腐蚀溶液及其背接触异质结太阳能电池制造方法，能在常温下对P型非晶硅或微晶硅进行快速腐蚀，且选择性强。
Description
技术领域
本发明涉及一种腐蚀溶液及其背接触异质结太阳能电池制造方法。
背景技术
背接触异质结太阳能电池(HBC)是基于硅基高效异质结工艺制作的背接触太阳能电池，正、负电极均设置在电池片的背面，电池片正面无任何电极遮挡光线，可以达到最大的光吸收面积，有效的提高太阳能电池效率，最高实验室效率可达到26.63％。
背接触异质结太阳能电池的N型和P型导电膜层均位于电池片的背面，可分为N型导电区、绝缘区、P型导电区。在制作背面电极图形的过程中，需要对非晶硅膜层进行至少两次的选择性蚀刻，以形成N型导电区和P型导电区。其中，常温条件下碱性蚀刻剂(如NaOH，KOH溶液等)极易腐蚀本征型非晶硅或微晶硅和N型非晶硅或微晶硅，而不易腐蚀P型非晶硅或微晶硅。
目前，通常采用以下几种方法对P型非晶硅或微晶硅层进行选择性蚀刻：其一，采用高温碱液，如主要成分为NaOH、KOH等强碱溶液，腐蚀温度通常高于50℃，反应速度快，溶液不易挥发，但对衬底硅片和绝缘膜层均有明显的腐蚀作用，选择性不佳；其二，采用强氧化型酸性溶液，如化学抛光混酸溶液CP133(HF/H2NO3/CH3COOH的混合溶液)，或酸性蚀刻膏等腐蚀材料，通过强氧化性使硅氧化，然后腐蚀氧化硅的过程去除P型非晶硅或微晶硅，反应速度快，但溶液易挥发，对衬底硅片和绝缘膜层也存在明显的腐蚀作用；其三，采用激光蚀刻的方式去除P型非晶硅或微晶硅层，通常采用纳秒或皮秒的紫外或绿光激光进行加工，可以迅速去除P型非晶硅或微晶硅层，但光斑能量的控制极为苛刻，能量过量和不足都会产生严重的缺陷影响钝化效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种腐蚀溶液及其背接触异质结太阳能电池制造方法，能在常温下对P型非晶硅或微晶硅进行快速腐蚀，且选择性强。
本发明的目的通过如下技术方案实现：
一种催化腐蚀溶液，它包括铜离子0.001％-0.1％、氢氟酸0.1％-5％、氧化剂1％-8％、螯合剂0.01％-1％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。
一种快速腐蚀溶液，它包括氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。
一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括蚀刻P型导电膜层，其具体为在半导体基板第一主面形成P型导电膜层，且对需保留P型导电膜层的区域进行防蚀刻保护后，采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液去除裸露的P型导电膜层，之后进行清洗；所述催化腐蚀溶液包括铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂和水；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水。
较之现有技术而言，本发明的优点在于：
(1)通过采用催化腐蚀溶液，采用离子催化反应，在常温条件下加快对P型非晶硅或微晶硅的腐蚀速度；通过采用快速腐蚀溶液，在常温条件下对P型非晶硅或微晶硅具有较快的腐蚀速度。
(2)采用的催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液对非晶硅或微晶硅腐蚀选择性更强，腐蚀非晶硅或微晶硅的速度，是腐蚀绝缘膜层速度的10-30倍，是腐蚀衬底硅片速度的10-20倍以上；反应过程中，P型非晶硅或微晶硅腐蚀完成后几乎自动停止对其他膜层的腐蚀。
(3)腐蚀溶液对掩膜层氧化腐蚀能力较弱，在快速腐蚀非晶硅或微晶硅膜层时，掩膜层抗腐蚀效果更优。
(4)采用的保护材料与腐蚀溶液相互配合腐蚀开口的方式，在溶液中反应更温和，避免激光蚀刻产生的缺陷，改善钝化效果，提高电池片转换效率。
附图说明
图1是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图2是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图3是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图4是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图5是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图6是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图7是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图8是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图9是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图10是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图11是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图12是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图13是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图14是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图15是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图16是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图17是本发明太阳能电池实施例1的一制作工序的截面简图。
图18是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图19是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图20是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图21是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图22是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图23是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图24是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图25是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图26是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图27是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图28是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图29是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图30是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图31是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图32是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图33是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
图34是本发明太阳能电池实施例2的一制作工序的截面简图。
具体实施方式
一种催化腐蚀溶液，它包括铜离子0.001％-0.1％、氢氟酸0.1％-5％、氧化剂1％-8％、螯合剂0.01％-1％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。
所述氧化剂包括双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
所述螯合剂包括丙烯酰胺磺酸盐共聚物、聚丙烯酸、乙二胺四甲叉膦酸或二乙烯三胺五甲叉膦酸中的一种以上。
一种快速腐蚀溶液，它包括氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。
所述氧化剂包括硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
所述缓冲剂包括乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上。
一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括蚀刻P型导电膜层，其具体为在半导体基板第一主面形成P型导电膜层，且对需保留P型导电膜层的区域进行防蚀刻保护后，采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液去除裸露的P型导电膜层，之后进行清洗；所述催化腐蚀溶液包括铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂和水；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水。
所述蚀刻P型导电膜层的具体方法为，使用主要由铜离子0.001％-0.1％、氢氟酸0.1％-5％、氧化剂1％-8％、螯合剂0.01％-1％，按上述质量百分数和纯水配制成的催化腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下，去除裸露的P型导电膜层，之后用酸性清洗剂和纯水进行清洗；或者，使用主要由氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，按上述质量百分数和纯水配制成的快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下，去除裸露的P型导电膜层，之后用纯水进行清洗。
所述蚀刻P型导电膜层中的酸性清洗剂为主要由盐酸或硫酸与螯合剂、氧化剂混合而成的水溶液；所述盐酸或硫酸的浓度为1％-6％，螯合剂的浓度为0％-1％，氧化剂的浓度为1％-8％；使用所述酸性清洗剂在45℃-80℃的温度下进行清洗。
一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，在半导体基板第一主面的一部分设置表面覆盖绝缘膜层的P型导电膜层，以形成第一导电区；
所述步骤A的具体方法为，
a1，在半导体基板的第一主面依次形成P型导电膜层和第一绝缘膜层；
a2，在第一绝缘膜层表面形成遮盖第一导电区的第一掩膜层；
a3，去除未覆盖第一掩膜层的第一绝缘膜层；
a4，采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液去除P型导电膜层，之后进行清洗；所述催化腐蚀溶液包括铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂和水；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水；
a5，去除第一掩膜层，之后进行清洗。
所述步骤a2的具体方法为，采用丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印在第一绝缘膜层表面形成第一导电区图形的第一掩膜层，以遮盖第一导电区；所述第一掩膜层为能阻止酸液穿透但易被碱液去除的膜层，主要由耐酸型的油墨、感光胶或树脂构成，厚度为3-15um。
所述第一绝缘膜层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅中的一种以上；所述步骤a3的具体方法为，采用浓度为1％-8％的氢氟酸溶液和/或快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下，一次性或分次去除未覆盖第一掩膜层的第一绝缘膜层。
所述步骤a5的具体方法为，采用碱性溶液在15℃-50℃的温度下去除第一掩膜层，之后使用碱性清洗剂和纯水进行清洗；所述碱性溶液为主要由氢氧化钠或氢氧化钾与氧化剂混合而成的水溶液，所述氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为0.5％-7.5％，氧化剂的浓度为0％-5％。
所述步骤a5中的碱性清洗剂为主要由氢氧化钠或氢氧化钾与二乙二醇单丁醚混合的水溶液，所述氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为0.1％-2％，二乙二醇单丁醚的浓度为0.1％-4％；使用所述碱性清洗剂在15℃-50℃的温度下进行清洗。
所述氧化剂包括硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
所述缓冲剂包括乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上。
所述螯合剂包括丙烯酰胺磺酸盐共聚物、聚丙烯酸、乙二胺四甲叉膦酸或二乙烯三胺五甲叉膦酸中的一种以上。
一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括如下步骤，
步骤A，在半导体基板第一主面的一部分设置表面覆盖第一绝缘膜层的N型导电膜层，以形成第一导电区；
步骤B，在半导体基板第一主面的另一部分设置P型导电膜层，以形成第二导电区；
所述步骤B的具体方法为，
b1，在半导体基板的第一主面依次形成P型导电膜层和第二绝缘膜层；
b2，在第二绝缘膜层表面形成遮盖第二导电区的第二掩膜层；
b3，去除未覆盖第二掩膜层的第二绝缘膜层；
b4，采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液去除P型导电膜层，之后进行清洗；所述催化腐蚀溶液包括铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂和水；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水；
b5，去除第二掩膜层，之后进行清洗；
b6，去除裸露的第一绝缘膜层和第二绝缘膜层，之后进行清洗。
所述步骤b2的具体方法为，采用丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印在第二绝缘膜层表面形成第二导电区图形的第二掩膜层，以遮盖第二导电区；所述第二掩膜层为能阻止酸液穿透但易被碱液去除的膜层，主要由耐酸型的油墨、感光胶或树脂构成，厚度为3-15um。
所述第二绝缘膜层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅中的一种以上；所述步骤b3的具体方法为，采用浓度为1％-8％的氢氟酸溶液和/或快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下，一次性或分次去除未覆盖第二掩膜层的第二绝缘膜层。
所述步骤b5的具体方法为，采用碱性溶液在15℃-50℃的温度下去除第二掩膜层，之后使用碱性清洗剂和纯水进行清洗；所述碱性溶液为主要由氢氧化钠或氢氧化钾与氧化剂混合而成的水溶液，所述氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为0.5％-7.5％，氧化剂的浓度为0％-5％。
所述步骤b5中的碱性清洗剂为主要由氢氧化钠或氢氧化钾与二乙二醇单丁醚混合的水溶液，所述氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为0.1％-2％，二乙二醇单丁醚的浓度为0.1％-4％；使用所述碱性清洗剂在15℃-50℃的温度下进行清洗。
所述氧化剂包括硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
所述缓冲剂包括乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上。
所述螯合剂包括丙烯酰胺磺酸盐共聚物、聚丙烯酸、乙二胺四甲叉膦酸或二乙烯三胺五甲叉膦酸中的一种以上。
一种采用腐蚀溶液制作背接触异质结太阳能电池的方法，包括以下步骤：
(1)对半导体基板进行制绒清洗
(2)在半导体基板背面制作第一半导体层和第一绝缘膜层
(3)催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液制作第二导电区图形
(4)制作第二半导体层、第三半导体层、第二绝缘膜层、第三绝缘膜层和保护层
(5)制作第一导电区图形
(6)制作第一导电区电极、第二导电区电极和绝缘槽
以上各步骤的详细说明
(1)对半导体基板进行制绒和清洗：
采用碱性制绒液对半导体基板进行制绒，采用RCA清洗对制绒后半导体基板进行清洗。可以是单面制绒，也可以是双面制绒。
半导体基板是N型硅片半导体基板；半导体基板可以是单晶硅片，也可以是多晶、铸锭单晶硅片。
硅片清洗采用RCA清洗。
(2)在半导体基板的背面制作第一半导体层和第一绝缘膜层：
采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作第一半导体层和第一绝缘膜层。当半导体基板是单面制绒半导体基板时，第一半导体层和第一绝缘膜层依次沉积在非制绒面；当半导体基板是双面制绒的半导体基板时第一半导体层和第一绝缘膜层依次沉积在任意一面。
第一半导体层为P型导电膜层，由本征层非晶硅或微晶硅层和P型非晶硅或微晶硅层构成，第一绝缘膜层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅中的至少一种。
(3)催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液制作第二导电区图形。
具体制作方法如下：
步骤一、采用保护材料进行图形转移，制作第二导电区镂空图形的第一掩膜层；
步骤二、采用氢氟酸溶液和/或快速腐蚀溶液去除裸露区域(第一掩膜层未覆盖区域)表面的第一绝缘膜层，并以纯水清洗；
步骤三、在催化腐蚀溶液中，去除裸露区域的第一半导体层，并以酸性清洗剂和纯水清洗；或者在快速腐蚀溶液中，去除裸露区域的第一半导体层，并以纯水清洗；
步骤四、用碱性溶液浸泡冲洗去除第一掩膜层，并以碱性清洗剂和纯水清洗；
步骤五、用RCA清洗去除残留金属离子及其他污染。
其中步骤三中，催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液易与第一半导体层反应，不易与硅片反应，当第一半导体层完全腐蚀后，腐蚀作用自然停止，该腐蚀过程具有极佳的选择性；
步骤一中所述保护材料是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸等酸液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤一所述制作第一掩膜层的方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法；
步骤二中所述的氢氟酸溶液浓度1％-8％，温度为15℃-50℃；
步骤三中所述的催化腐蚀溶液包含铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂；浓度分别为铜离子浓度0.001％-0.1％、氢氟酸浓度0.1％-5％、氧化剂浓度1％-8％、螯合剂浓度0.01％-1％，反应温度为15℃-50℃；步骤二、三中所述的快速腐蚀溶液包含氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数，反应温度为15℃-50℃。
步骤三中所述的酸性清洗剂为含有盐酸(HCl)或硫酸(H2SO4)与螯合剂、氧化剂混合而成的水溶液，盐酸(HCl)或硫酸(H2SO4)的浓度为1％-6％，螯合剂浓度为0％-1％，氧化剂浓度为1％-8％；温度为45℃-80℃；
步骤四中所述的碱性溶液为含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与氧化剂混合而成的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.5％-7.5％，氧化剂浓度为0％-5％；温度为15℃-50℃；
步骤四中所述的碱性清洗剂含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与二乙二醇单丁醚(BDG)混合的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.1％-2％，BDG溶度为0.1％-4％；温度为15℃-50℃；
以上所述氧化剂为硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的至少一种；
以上所述缓冲剂包括乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上；
以上所述螯合剂为丙烯酰胺磺酸盐共聚物(AMPS)、聚丙烯酸(PAA)、乙二胺四甲叉膦酸(EDTMPA)和二乙烯三胺五甲叉膦酸(DTPMP)中的至少一种。
(4)制作第二半导体层、第三半导体层和第二绝缘膜层、第三绝缘膜层
在半导体基板正面制作第三半导体层、第三绝缘膜层，在半导体基板背面制作第二半导体层、第二绝缘膜层。
第三半导体层可以是本征型非晶硅或微晶硅一种膜层，也可以是本征型非晶硅或微晶硅层和N型的非晶硅或微晶硅层构成；第二半导体层为N型导电膜层，由本征型非晶硅或微晶硅层和N型非晶硅或微晶硅层构成。
第三绝缘膜层为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。第二绝缘膜层是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。
第二半导体层和第三半导体层采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作半第二绝缘膜层和第三绝缘膜层采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作。
其中，第三半导体层、第三绝缘膜层和第二半导体层、第二绝缘膜层制作顺序是：可以先沉积第三半导体层，再制作第二半导体层和第二绝缘膜层，最后制作第三绝缘膜层；也可先制作第二半导体层，再制作第三半导体层和第三绝缘膜层，最后制作第二绝缘膜层。
(5)制作第一导电区图形
可采用溶液腐蚀法和激光蚀刻法制作第一导电区图形。当以下步骤采用激光蚀刻法制作第一导电区图形时，第二绝缘膜层可不制作。
溶液腐蚀法如下：
步骤一、采用保护材料进行图形转移，制作第一导电区图形的掩膜层；
步骤二、采用氢氟酸溶液中去除裸露区域(保护材料未覆盖区域)表面的第二绝缘膜层，并以纯水清洗；
步骤三、用碱性溶液浸泡冲洗去除掩膜层、第二半导体层，并以碱性清洗剂和纯水清洗；
步骤四、采用氢氟酸溶液中去残余表面的第二绝缘膜层和裸露的第一绝缘膜层，并以纯水清洗。
以上，步骤二和步骤四采用单面腐蚀(水上漂)工艺，只对半导体基板背面的第二绝缘膜层和第一绝缘膜层腐蚀，对半导体基板正面的第三绝缘膜层的一面不处理。氢氟酸溶液易与第二绝缘膜层和第一绝缘膜层反应，不易与第二半导体层和第一半导体层反应，当第二绝缘膜层和第一绝缘膜层完全腐蚀后，腐蚀作用自然停止，该腐蚀过程具有极佳的选择性。
步骤一中所述保护材料是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸等酸液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤一所述制作掩膜层的方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法；
步骤二中所述的氢氟酸溶液浓度1％-8％；
步骤三中所述的碱性溶液为含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与氧化剂混合而成的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.5％-7.5％，H2O2浓度为0％-5％；温度为15℃-50℃；
步骤三中所述的碱性清洗剂含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与二乙二醇单丁醚(BDG)混合的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.1％-2％，BDG溶度为0.1％-4％；温度为15℃-50℃；
以上所述氧化剂为双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的至少一种。
激光蚀刻法：
采用激光蚀刻法，步骤(4)中第二绝缘膜层可不制作(相应的本步骤中则无需去除第二绝缘膜层)。
步骤一、采用激光蚀刻的方法，去除半导体基板背面第二半导体层部分区域的N型非晶硅层和本征非晶硅层和第二绝缘膜层，形成第一导电区图形。
步骤二、采用氢氟酸溶液中去激光蚀刻第二半导体层后残留的第二绝缘膜层和裸露的第一绝缘膜层，并以纯水清洗。
步骤一中所述激光为绿光纳秒或绿光外皮秒激光，也可使用紫外纳秒或紫外皮秒激光；
步骤二中所述的氢氟酸溶液浓度1％-8％。
(6)制作第一导电区电极、第二导电区电极和绝缘槽
具体制作方法如下：
步骤一、制作透明导电膜层和金属导电膜层，并采用保护材料制作绝缘槽的图形掩膜层；
步骤二、采用酸性蚀刻液腐蚀裸露区域的金属导电膜层和透明导电膜层；
步骤三、采用碱性溶液去除绝缘槽图形掩膜层和裸露的第二半导体层,形成绝缘槽；
步骤四、采用抗电镀保护材料制作第一导电区和第二导电区电极图形的掩膜层；
步骤五、制作第一导电区和第二导电区电极；
步骤六、采用碱性溶液去除第一导电区和第二导电区电极图形的掩膜层。
步骤一所述制作透明导电膜层和金属导电膜层的方法为物理气相沉积(PVD)方法；
步骤一所述透明导电膜层为掺杂的氧化铟薄膜，如掺锡氧化铟、掺钨氧化铟、掺锌氧化铟、掺镓氧化铟、掺钛氧化铟；
步骤一所述金属导电膜层包含金属层和抗氧化层构成，金属层为Cu；抗氧化层覆盖于金属层表面，抗氧化层可以是透明导电膜层，如ITO/IWO/IZO/AZO/ATO等，也可以是金属或合金材料，如镍、镍铜、镍铬等；
步骤一所述保护材料是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止氢氟酸、盐酸、硫酸等酸液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤四所述抗电镀保护材料是是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止酸性电镀液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤一和步骤四所述制作掩膜层的方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法；
步骤五所述制作第一导电区和第二导电区电极的方法为电镀；
步骤二所述酸性蚀刻液包括盐酸、硫酸、双氧水、氨水、铜离子、铁离子等至少一种的水溶液；可以用一种混合液一次性蚀刻金属导电膜层和透明导电膜层，也可以用不同的配比混合液分别腐蚀金属导电膜层和透明导电膜层，形成绝缘槽；
步骤三和步骤七中的碱性溶液为含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与氧化剂混合而成的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.5％-7.5％，氧化剂浓度为0％-5％。
实施例1：
下面结合说明书附图和实施例对本发明内容进行详细说明：
如图1至图17所示为本发明提供的一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法的实施例示意图。
以下内容是以N单晶硅作为半导体基板，采用本发明的制作方法制作的背接触异质结太阳能电池的具体实施方式。仅为本发明的一种实例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
本实施例的具体步骤如下：
S101、对半导体基板0进行制绒清洗；
S102、在半导体基板0的背面制作第一半导体层的本征非晶硅层1-1、P型非晶硅层1-2和第一绝缘层1-3；
S103a、在第一绝缘层1-3表面制作第二导电区图形掩膜层7；
S103b、在氢氟酸溶液中，去除裸露区域(掩膜层7未覆盖区域)表面的第一绝缘层1-3，并以纯水清洗；
S103c、在催化腐蚀溶液中，去除裸露区域(掩膜层7未覆盖区域)的第一半导体层的P型非晶硅层1-2和本征型非晶硅层1-1，并以酸性溶液和纯水清洗；或者在快速腐蚀溶液中，去除裸露区域(掩膜层7未覆盖区域)的第一半导体层的P型非晶硅层1-2和本征型非晶硅层1-1，并以纯水清洗；
S103d、在碱性溶液浸泡冲洗，去除掩膜层7,后以碱性清洗剂和纯水清洗，最后再RCA清洗硅片半导体基板0去除残留金属离子及其他污染；
S104、制作正面第三半导体层3-1及第三绝缘层3-2、背面第二半导体层的本征非晶硅层2-1、N型非晶硅层2-2和第二绝缘层2-3；
S105a、制作第一导电区图形掩膜层8(保护已开口的第二导电区，裸露第一导电区的部分区域)；
S105b、在氢氟酸溶液中，去除裸露区域(掩膜层8未覆盖区域)表面的第二绝缘层2-3，并以纯水清洗；
S105c、在碱性溶液浸泡冲洗，去除掩膜层8和裸露的区域(掩膜层8未覆盖区域)表面第二半导体层的N型非晶硅层2-2和本征非晶硅层2-1，并以碱性清洗剂和纯水清洗；
S105d、在氢氟酸溶液中去除剩余的第二绝缘层2-3和裸露的第一绝缘层1-3，并以纯水清洗；
S106a、制作透明导电膜层4-1和金属导电膜层4-2，并制作绝缘槽5的图形掩膜层9；
S106b、采用酸性蚀刻液腐蚀裸露区域(掩膜层9未覆盖区域)的金属导电膜层4-2和透明导电膜层4-1,并以纯水清洗；
S106c、采用碱性溶液去除掩膜层9和裸露的第二半导体层的N型非晶硅层2-2和本征非晶硅层2-1，形成绝缘槽5,并以纯水清洗；
S106d、制作第一导电区和第二导电区电极图形的掩膜层10；
S106e、制作第一导电区电极6-1和第二导电区电极6-2；
S106f、采用碱性溶液去除掩膜层10,并以纯水清洗。
一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法，包括以下步骤：
(1)对半导体基板进行制绒清洗
(2)在半导体基板背面制作第一半导体层和第一绝缘层
(3)制作第二导电区图形
(4)制作第二半导体层、第三第二半导体层、第二绝缘层、第三绝缘层和保护层
(5)采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液制作第一导电区图型
(6)制作第一导电区电极、第二导电区电极和绝缘槽
以上各步骤的详细说明
(1)对半导体基板进行制绒和清洗：
采用碱性制绒液对半导体基板进行制绒，采用RCA清洗对制绒后半导体基板进行清洗。可以是单面制绒，也可以是双面制绒。
半导体基板是N型硅片半导体基板；半导体基板可以是单晶硅片，也可以是多晶、铸锭单晶硅片。
(2)在半导体基板的背面制作第一半导体层和第一绝缘层：
采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作第一半导体层和第一绝缘层。当半导体基板是单面制绒半导体基板时，第一半导体层和第一绝缘层依次沉积在非制绒面；当半导体基板是双面制绒的半导体基板时第一半导体层和第一绝缘层依次沉积在任意一面。
第一半导体层由本征层非晶硅或微晶硅和N型非晶硅或微晶硅构成，第一绝缘层为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅中的至少一种。
(3)制作第二导电区图形
可采用溶液腐蚀法或激光蚀刻法中的一种制作第二导电区图形。
溶液腐蚀法如下：
步骤一、采用保护材料进行图形转移，制作第二导电区图形的掩膜层；
步骤二、采用氢氟酸溶液中去除裸露区域(保护材料未覆盖区域)表面的第一绝缘层，并以纯水清洗；
步骤三、用碱性溶液浸泡冲洗去除掩膜层、第一半导体层，并以碱性清洗剂和纯水清洗；
步骤四、用RCA清洗去除残留金属离子及其他污染。
以上，步骤二氢氟酸溶液易与第一绝缘层反应，不易与第一半导体层反应，当第一绝缘层完全腐蚀后，腐蚀作用自然停止，该腐蚀过程具有极佳的选择性。
步骤一中所述保护材料是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止氢氟酸、盐酸、硫酸等酸液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤一所述制作掩膜层的方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法；
步骤二中所述的氢氟酸溶液浓度1％-8％；
步骤三中所述的碱性溶液为含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与氧化剂混合而成的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.5％-7.5％，H2O2浓度为0％-5％；温度为15℃-50℃；
步骤三中所述的碱性清洗剂含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与二乙二醇单丁醚(BDG)混合的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.1％-2％，BDG溶度为0.1％-4％；温度为15℃-50℃；
以上所述氧化剂为双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的至少一种；
激光蚀刻方法如下：可采用直接激光蚀刻方法或采用牺牲层的激光蚀刻方法中的一种进行激光蚀刻。
A.直接激光蚀刻方法：
步骤一、采用激光蚀刻的方法，去除半导体基板背面部分区域的牺牲层，形成第二导电区图形；
步骤二、用RCA清洗去除残留金属离子及其他污染。
步骤一中所述激光为绿光纳秒或绿光外皮秒激光，也可使用紫外纳秒或紫外皮秒激光。
B.采用牺牲层的激光蚀刻方法：
步骤一、在第一绝缘层表面制作牺牲层；
步骤二、采用激光蚀刻的方法，去除半导体基板背面部分区域的牺牲层，形成第二导电区图形；
步骤三、采用氢氟酸溶液中去激光蚀刻牺牲层后残留的第一绝缘层，并以纯水清洗；
步骤四、用RCA清洗去除残留金属离子及其他污染。
步骤一中所述牺牲层可以本征型非晶硅或微晶硅膜层，也可以是P型非晶硅或微晶硅膜层，也可以是本征型非晶硅或微晶硅膜层和P型非晶硅或微晶硅膜层的复合膜层；
牺牲层采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作；
步骤二中所述激光为绿光纳秒或绿光外皮秒激光，也可使用紫外纳秒或紫外皮秒激光；
步骤三中所述的氢氟酸溶液浓度1％-8％。
(4)制作第二半导体层、第三半导体层、第二绝缘层、第三绝缘层和保护层
在半导体基板正面制作第三半导体层、第三绝缘层，在半导体基板背面制作第二半导体层、第二绝缘层；
第三半导体层可以是本征型非晶硅或微晶硅一种膜层，也可以是本征型非晶硅或微晶硅和N型的非晶硅或微晶构成；第二半导体层由本征型非晶硅或微晶硅和P型非晶硅或微晶硅构成；
第三绝缘层为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。第二绝缘层是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅；
第二半导体层和第三半导体层采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作半第二绝缘层和第三绝缘层采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作；
其中，第三半导体层、第三绝缘层和第二半导体层、第二绝缘层制作顺序是：可以先沉积第三半导体层，再制作第二半导体层和第二绝缘层，最后制作第三绝缘层；也可先制作第二半导体层，再制作第三半导体层和第三绝缘层，最后制作第二绝缘层。
(5)采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液制作第一导电区图型
步骤一、采用保护材料进行图形转移，制作第一导电区图形的掩膜层；
步骤二、采用氢氟酸溶液中去除裸露区域(掩膜层未覆盖区域)表面的第二绝缘层，并以纯水清洗；
步骤三、在催化腐蚀溶液中，去除裸露区域的第二半导体层，并以酸性溶液和纯水清洗；或者在快速腐蚀溶液中，去除裸露区域的第二半导体层，并以纯水清洗；
步骤四、用碱性溶液浸泡冲洗，去除掩膜层，并以碱性清洗剂和纯水清洗；
步骤五、采用氢氟酸溶液中去除半导体基板背面表面残留的第二绝缘层和裸露的第一绝缘层，并以纯水清洗。
以上，步骤二、步骤三和步骤五采用单面腐蚀工艺，只对半导体基板背面的第二绝缘层和第一绝缘层腐蚀，对半导体基板正面的第三绝缘层的一面不处理。
催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液易与第二半导体层反应，不易与第一绝缘层反应，当第二半导体层完全腐蚀后，腐蚀作用自然停止，该腐蚀过程具有极佳的选择性；氢氟酸溶液易与第二绝缘层和第一绝缘层反应，不易与第二半导体层和第一半导体层反应，当第二绝缘层和第一绝缘层完全腐蚀后，腐蚀作用自然停止，该腐蚀过程具有极佳的选择性。
步骤一中所述保护材料是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止氢氟酸、盐酸、硫酸等酸液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤一和所述制作掩膜层的方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法；
步骤二中所述的氢氟酸溶液浓度1％-8％，温度为15℃-50℃；
步骤三中所述的催化腐蚀溶液包含铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂；浓度分别为铜离子浓度0.001％-0.1％、氢氟酸浓度0.1％-5％、氧化剂浓度1％-8％、螯合剂浓度0.01％-1％，温度为15℃-50℃；步骤三中所述的快速腐蚀溶液包含氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数，反应温度为15℃-50℃。
步骤三中所述的酸性溶液为含有盐酸(HCl)或硫酸(H2SO4)、螯合剂与氧化剂混合而成的水溶液，盐酸(HCl)或硫酸(H2SO4)的浓度为1％-6％，螯合剂浓度为0％-1％，氧化剂浓度为1％-8％；温度为45℃-80℃；
步骤四中所述的碱性溶液为含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)溶液与氧化剂混合而成的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.5％-7.5％，氧化剂浓度为0％-5％；温度为15℃-50℃；
步骤四中所述的碱性清洗剂含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与二乙二醇单丁醚(BDG)混合的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.1％-2％，BDG溶度为0.1％-4％；温度为15℃-50℃；
以上所述氧化剂为硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的至少一种；
以上所述缓冲剂包括乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上；
以上所述螯合剂为丙烯酰胺磺酸盐共聚物(AMPS)、聚丙烯酸(PAA)、乙二胺四甲叉膦酸(EDTMPA)和二乙烯三胺五甲叉膦酸(DTPMP)中的至少一种。
(6)制作第一导电区电极、第二导电区电极和绝缘槽
步骤一、制作透明导电膜层和金属导电膜层，并采用保护材料制作绝缘槽的图形掩膜层
步骤二、采用酸性蚀刻液腐蚀裸露区域的金属导电膜层和透明导电膜层,形成绝缘槽
步骤三、采用碱性溶液去除绝缘槽图形掩膜层和裸露的第二半导体层
步骤四、采用抗电镀保护材料制作第一导电区和第二导电区电极图形的掩膜层
步骤五、制作第一导电区和第二导电区电极
步骤六、采用碱性溶液去除第一导电区和第二导电区电极图形的掩膜层步骤一所述制作透明导电膜层和金属导电膜层的方法为物理气相沉积(PVD)方法；
步骤一所述透明导电膜层为掺杂的氧化铟薄膜，如掺锡氧化铟、掺钨氧化铟、掺锌氧化铟、掺镓氧化铟、掺钛氧化铟；
步骤一所述金属导电膜层包含金属层和抗氧化层构成，金属层为Cu；抗氧化层覆盖于金属层表面，抗氧化层可以是透明导电膜层，如ITO/IWO/IZO/AZO/ATO等，也可以是金属或合金材料，如镍、镍铜、镍铬等；
步骤一所述保护材料是是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止氢氟酸、盐酸、硫酸等酸液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤二所述酸性蚀刻液包括盐酸、硫酸、双氧水、氨水、铜离子、铁离子等至少一种的水溶液；可以用一种混合液一次性蚀刻金属导电膜层和透明导电膜层，也可以用不同的配比混合液分别腐蚀金属导电膜层和透明导电膜层，形成绝缘槽；
步骤三和步骤七中的碱性溶液为含有氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)与氧化剂混合而成的水溶液，氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)浓度为0.5％-7.5％，氧化剂浓度为0％-5％；
步骤四所述抗电镀保护材料是是耐酸型油墨、感光胶或树脂为主要成分的材料，厚度为3-15um；可阻止酸性电镀液的穿透，易被碱性溶液(如NaOH/KOH等溶液)去除；
步骤一和步骤四所述制作掩膜层的方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法；
步骤五所述制作第一导电区和第二导电区电极的方法为电镀。
实施例2：
下面结合说明书附图和实施例对本发明内容进行详细说明：
如图18至图34所示为本发明提供的一种采用腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法的实施例示意图。
以下内容是以N单晶硅作为半导体基板，采用本发明的制作方法制作的背接触异质结太阳能电池的具体实施方式。仅为本发明的一种实例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
本实施例的具体步骤如下：
S101、对半导体基板0进行制绒清洗；
S102、在半导体基板0的背面制作第一半导体层的本征非晶硅层1-1、N型非晶硅层1-2和第一绝缘层1-3；
S103a、在第一绝缘层1-3表面制作第二导电区图形掩膜层7；
S103b、在氢氟酸溶液中，去除裸露区域(掩膜层7未覆盖区域)表面的第一绝缘层1-3，并以纯水清洗；
S103c、用碱性溶液浸泡冲洗，去除掩膜层7,第一半导体层的N型非晶硅层1-2和本征非晶硅层1-1，并以碱性清洗剂和纯水清洗；用RCA清洗去除残留金属离子及其他污染；
S104、制作正面第三半导体层3-1及第三绝缘层3-2、背面第二半导体层的本征非晶硅层2-1、P型非晶硅层2-2和第二绝缘层2-3；
S105a、制作第一导电区图形掩膜层8(保护已开口的第二导电区，裸露第一导电区的部分区域)；
S105b、在氢氟酸溶液中，去除裸露区域(掩膜层8未覆盖区域)表面的第二绝缘层2-3，并以纯水清洗；
S105c、在催化腐蚀溶液中，除裸露区域的第二半导体层的P型非晶硅层2-2和本征型非晶硅层2-1，并以酸性溶液和纯水清洗；或者，在快速腐蚀溶液中，除裸露区域的第二半导体层的P型非晶硅层2-2和本征型非晶硅层2-1，并以纯水清洗；
S105d、用碱性溶液浸泡冲洗，去除掩膜层8,并以碱性清洗剂和纯水清洗；
S105e、在氢氟酸溶液中去除剩余的第二绝缘层2-3和裸露的第一绝缘层1-3，并以纯水清洗；
S106a、制作透明导电膜层4-1和金属导电膜层4-2，并制作绝缘槽5的图形掩膜层9；
S106b、采用酸性蚀刻液腐蚀裸露区域(掩膜层9未覆盖区域)的金属导电膜层4-2和透明导电膜层4-1，形成绝缘槽5,并以纯水清洗；
S106c、采用碱性溶液去除掩膜层9,并以纯水清洗；
S106d、制作第一导电区和第二导电区电极图形的掩膜层10；
S106e、制作第一导电区电极6-1和第二导电区电极6-2；
S106f、采用碱性溶液去除掩膜层10,并以纯水清洗。
Claims (14)
1.一种催化腐蚀溶液，其特征在于：它包括铜离子0.001％-0.1％、氢氟酸0.1％-5％、氧化剂1％-8％、螯合剂0.01％-1％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。
2.根据权利要求1所述的催化腐蚀溶液，其特征在于：所述氧化剂包括双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
3.根据权利要求1或2所述的催化腐蚀溶液，其特征在于：所述螯合剂包括丙烯酰胺磺酸盐共聚物、聚丙烯酸、乙二胺四甲叉膦酸或二乙烯三胺五甲叉膦酸中的一种以上。
4.一种快速腐蚀溶液，其特征在于：它包括氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，余量为水，以上各成分含量为质量百分数。
5.根据权利要求4所述的快速腐蚀溶液，其特征在于：所述氧化剂包括硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
6.根据权利要求4或5所述的快速腐蚀溶液，其特征在于：所述缓冲剂包括乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上。
7.一种采用权利要求1-6任意一项所述腐蚀溶液进行蚀刻的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括蚀刻P型导电膜层，其具体为在半导体基板第一主面形成P型导电膜层，且对需保留P型导电膜层的区域进行防蚀刻保护后，采用催化腐蚀溶液或快速腐蚀溶液去除裸露的P型导电膜层，之后进行清洗；所述催化腐蚀溶液包括铜离子、氢氟酸、氧化剂、螯合剂和水；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水。
8.根据权利要求7所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括如下步骤，步骤A，在半导体基板第一主面的一部分设置表面覆盖绝缘膜层的P型导电膜层，以形成第一导电区；
所述步骤A的具体方法为，
a1，在半导体基板的第一主面依次形成P型导电膜层和第一绝缘膜层；
a2，在第一绝缘膜层表面形成遮盖第一导电区的第一掩膜层；
a3，去除未覆盖第一掩膜层的第一绝缘膜层；
a4，蚀刻P型导电膜层；
a5，去除第一掩膜层，之后进行清洗。
9.根据权利要求8所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤a2的具体方法为，采用丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印在第一绝缘膜层表面形成第一导电区图形的第一掩膜层，以遮盖第一导电区；所述第一掩膜层为能阻止酸液穿透但易被碱液去除的膜层，主要由耐酸型的油墨、感光胶或树脂构成，厚度为3-15um。
10.根据权利要求9所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤a5的具体方法为，采用碱性溶液在15℃-50℃的温度下去除第一掩膜层，之后使用碱性清洗剂和纯水进行清洗；所述碱性溶液为主要由氢氧化钠或氢氧化钾与氧化剂混合而成的水溶液，所述氢氧化钠或氢氧化钾的浓度为0.5％-7.5％，氧化剂的浓度为0％-5％。
11.根据权利要求7所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括如下步骤，
步骤A，在半导体基板第一主面的一部分设置表面覆盖第一绝缘膜层的N型导电膜层，以形成第一导电区；
步骤B，在半导体基板第一主面的另一部分设置P型导电膜层，以形成第二导电区；
所述步骤B的具体方法为，
b1，在半导体基板的第一主面依次形成P型导电膜层和第二绝缘膜层；
b2，在第二绝缘膜层表面形成遮盖第二导电区的第二掩膜层；
b3，去除未覆盖第二掩膜层的第二绝缘膜层；
b4，蚀刻P型导电膜层；
b5，去除第二掩膜层，之后进行清洗；
b6，去除裸露的第一绝缘膜层和第二绝缘膜层，之后进行清洗。
12.根据权利要求7至11任意一项所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述蚀刻P型导电膜层的具体方法为，使用主要由铜离子0.001％-0.1％、氢氟酸0.1％-5％、氧化剂1％-8％、螯合剂0.01％-1％，按上述质量百分数和纯水配制成的催化腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下，去除裸露的P型导电膜层，之后用酸性清洗剂和纯水进行清洗；或者，使用主要由氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，按上述质量百分数和纯水配制成的快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下，去除裸露的P型导电膜层，之后用纯水进行清洗。
13.根据权利要求12所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述蚀刻P型导电膜层中的酸性清洗剂为主要由盐酸或硫酸与螯合剂、氧化剂混合而成的水溶液；所述盐酸或硫酸的浓度为1％-6％，螯合剂的浓度为0％-1％，氧化剂的浓度为1％-8％；使用所述酸性清洗剂在45℃-80℃的温度下进行清洗。
14.根据权利要求7至11任意一项所述背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述去除未覆盖第一掩膜层的第一绝缘膜层或去除未覆盖第二掩膜层的第二绝缘膜层的具体方法为，采用浓度为1％-8％的氢氟酸溶液和/或快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下采用单面腐蚀或浸泡腐蚀的方法，一次性或分次去除未覆盖第一掩膜层的第一绝缘膜层或未覆盖第二掩膜层的第二绝缘膜层。
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