CN115842069A - 一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤a1，在半导体基板的第一主面上设置第一导电型膜层；步骤a2，在第一导电型膜层上设置复合绝缘膜层；所述步骤a2的具体方法为，a101,在第一导电型膜层上采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅生成一层基底绝缘层；a102，在基底绝缘层上形成一层以上叠合绝缘层，至少包含一层采用非晶硅或微晶硅形成的叠合绝缘层；每层叠合绝缘层分别采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶硅或微晶硅生成。本发明的目的在于提供一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法，大幅度提高半导体膜层在溶液清洗过程的保护效果，减少溶液清洗产生的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法。
背景技术
背接触异质结太阳能电池(HBC)是基于硅基高效异质结工艺制作的，正负电极均设置在电池片的背面，电池片正面无任何电极遮挡光线，可以达到最大的光吸收面积，有效的提高太阳能电池效率。背接触异质结太阳能电池最高实验室效率可达到26.63％，是目前硅基单结电池实验室的最高转换效率，备受业界关注。但背接触异质结太阳能电池，因其工序极其繁琐，制程复杂，量产化进展缓慢，并且用以对不同导电型半导体层进行绝缘分隔的绝缘层，其常因膜层均匀性、针孔等因素，易在生产过程中被破坏，导致其遮盖的半导体层局部因钻蚀等原因被严重损伤，而不利于提高电池效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法，大幅度提高半导体膜层在溶液清洗过程的保护效果，减少溶液清洗产生的缺陷。
本发明的目的通过如下技术方案实现：
一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其包含如下工序：
步骤a1，在半导体基板的第一主面上设置第一导电型膜层；
步骤a2，在第一导电型膜层上设置复合绝缘膜层；
所述步骤a2的具体方法为，
a201,在第一导电型膜层上采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅生成一层基底绝缘层；
a202，在基底绝缘层上形成一层以上叠合绝缘层，至少包含一层采用非晶硅或微晶硅形成的叠合绝缘层；每层叠合绝缘层分别采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶硅或微晶硅生成。
一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池，它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面的一部分的第一导电型膜层、设置在第一导电型膜层部分区域上的复合绝缘膜层以及设置在半导体基板的第一主面的其他部分和复合绝缘膜层上的第二导电型膜层；与半导体基板第一主面直接接触的第一导电型膜层构成第一导电区，与半导体基板第一主面直接接触的第二导电型膜层构成第二导电区；所述复合绝缘膜层包括设置在第一导电型膜层上的基底绝缘层以及设置在基底绝缘层上的一层以上叠合绝缘层；所述叠合绝缘层至少包括一层材质为非晶硅或微晶硅的膜层。
较之现有技术而言，本发明的优点在于：
(1)采用复合绝缘膜层作为N型半导体层的保护层，以化学蚀刻工艺进行第二导电区图形制作，可大幅度提高N型半导体层在溶液清洗过程的保护效果，减少溶液清洗产生的缺陷。
(2)采用溶液(腐蚀溶液结合氢氟酸溶液)腐蚀方法制作第二导电区图形，采用激光蚀刻方法制作第一导电区图形的制作方法，采用丝网印刷制作金属电极的方法。
(3)采用激光蚀刻工艺去除P型半导体层制作第一导电区图形，利用激光蚀刻快速高效的特点去除较难腐蚀P型半导体层，有利于缩短工艺时间，提高产能。
附图说明
图1是本发明一种背接触异质结太阳能电池制造方法的流程简图。
图2是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图3是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图4是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图5是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图6是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图7是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图8是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图9是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图10是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图11是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图12是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图13是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图14是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图15是本发明太阳能电池单元的一制造工序的截面示意图。
图16是本发明太阳能电池单元的一实施例的截面示意图。
具体实施方式
一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其包含如下工序：
步骤a1，在半导体基板的第一主面上设置第一导电型膜层；
步骤a2，在第一导电型膜层上设置复合绝缘膜层；
所述步骤a2的具体方法为，
a201,在第一导电型膜层上采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅生成一层基底绝缘层；
a202，在基底绝缘层上形成一层以上叠合绝缘层，至少包含一层采用非晶硅或微晶硅形成的叠合绝缘层；每层叠合绝缘层分别采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶硅或微晶硅生成。
在进行步骤A之前，对半导体基板的第二主面进行单面制绒。
所述单面制绒的具体方法为，在半导体基板的第一主面形成第一阻挡层，再对第二主面进行制绒操作，之后去除第一阻挡层；或者，所述单面制绒的具体方法为，采用漂浮式制绒设备对半导体基板的第二主面进行单面制绒；或者，所述单面制绒的具体方法为，对半导体基板进行双面制绒，后采用漂浮式清洗设备对半导体基板的第二主面进行单面抛光；或者，所述单面制绒的具体方法为，对半导体基板进行双面制绒，之后在半导体基板的第一主面形成第二阻挡层，再对半导体基板的第二主面进行抛光操作，最后去除第二阻挡层。
所述第一阻挡层的制作方法为，在半导体基板的第一主面采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或碳氧化硅层中的至少一种阻挡膜层；或者，所述第一阻挡层的制作方法为，在半导体基板的第一主面和第二主面采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或碳氧化硅层中的至少一种阻挡膜层，然后用氢氟酸溶液去除第二主面上的阻挡膜层。所述第二阻挡层的制作方法可采用第一阻挡层的制作方法进行制作。
所述步骤A还包含如下工序，
步骤a3，在复合绝缘膜层上设置遮盖第一导电区的第一掩膜层；
步骤a4，去除裸露的位于第二导电区的复合绝缘膜层。
所述第一导电型膜层为N型导电型膜层，所述步骤a4的具体方法为，采用浓度为1％-8％的氢氟酸溶液和/或快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下采用单面腐蚀或浸泡腐蚀的方法，一次性或分次去除复合绝缘膜层；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水。
所述步骤A还包含如下工序，
步骤a5，采用溶液去除第一掩膜层和裸露的第一导电型膜层；
步骤a6，在半导体基板的第一主面上设置第二导电型膜层；
步骤a7，采用激光去除第一导电区中部的第二导电型膜层；
步骤a8，去除裸露的位于第一导电区的复合绝缘膜层。
所述第一导电型膜层为N型导电型膜层，第二导电型膜层为P型导电型膜层；所述步骤a5的具体方法为，采用碱性清洗液去除第一掩膜层和裸露的第一导电型膜层，之后清洗；所述碱性清洗液包含KOH、NaOH、Na2CO3、NaHCO3和BDG溶液中至少一种的碱性溶液。
所述采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法还包括如下步骤，
步骤B，经步骤A处理后，在第一导电区和第二导电区表面设置导电层；
步骤C，在第一导电区与第二导电区的交界处对导电层采用激光蚀刻方式、化学蚀刻方式或激光蚀刻与化学蚀刻相结合方式进行开槽；所述开槽在第一导电区和第二导电区之间形成分隔绝缘；
步骤D，在半导体基板的第一主面上形成与第一导电区和第二导电区分别对应配合的第一导电栅线和第二导电栅线。
所述步骤C包含如下工序，
步骤c1，在导电层上设置镂空隔离槽图形的第二掩膜层；
步骤c2，采用溶液去除裸露的导电层。
一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池，它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面的一部分的第一导电型膜层、设置在第一导电型膜层部分区域上的复合绝缘膜层以及设置在半导体基板的第一主面的其他部分和复合绝缘膜层上的第二导电型膜层；与半导体基板第一主面直接接触的第一导电型膜层构成第一导电区，与半导体基板第一主面直接接触的第二导电型膜层构成第二导电区；所述复合绝缘膜层包括设置在第一导电型膜层上的基底绝缘层以及设置在基底绝缘层上的一层以上叠合绝缘层；所述叠合绝缘层至少包括一层材质为非晶硅或微晶硅的膜层。
所述基底绝缘层的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。
所述背接触异质结太阳能电池还包括设置在第一导电区上且与第一导电型膜层电连接的第一导电层、设置在第一导电层上的第一电极、设置在第二导电区上且与第二导电型膜层电连接的第二导电层以及设置在第二导电层上的第二电极；所述第一导电层与第二导电层之间设有绝缘分隔槽。
所述背接触异质结太阳能电池还包括设置在第一主面上的第三半导体层和正面绝缘层。
下面结合说明书附图和实施例对本发明内容进行详细说明：
本发明提供的一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其具体步骤如下：
步骤S101、单面制绒清洗。
a.衬底1是N型；可以是单晶硅片，也可以是多晶硅片或铸锭单晶硅片。
b.对衬底1进行单面制绒，只在衬底1的一面产生金字塔绒面作为正面，另一面保持抛光面作为背面。
c.单面制绒的方法有以下两种：其一、在衬底的一面沉积第一阻挡层或在衬底的两面沉积阻挡层并用单面腐蚀工艺去除其中一面的阻挡层(剩余一面的阻挡层为第一阻挡层)，再在制绒液中制绒，最后去除第一阻挡层。其二、采用漂浮式设备对衬底的其中一面制绒，另一面保持抛光表面。
d.阻挡层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅中的至少一种膜层；制作方法是采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作；采用氢氟酸溶液去除阻挡层。
e.采用RCA清洗方式清洗。
步骤S102、在衬底1的背面上依次制作第一导电型膜层和复合绝缘膜层2-3，在复合绝缘膜层2-3表面制作第二导电区图形的第一掩膜层3。
a.衬底1背面沉积第一导电型膜层，即第一本征层2-1和第一半导体层2-2；第一本征层2-1为本征非晶硅或本征微晶硅,第一半导体层2-2是N型非晶硅或N型微晶硅。
b.复合绝缘膜层2-3为氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或碳氧化硅层中的至少一种膜层与非晶硅层或微晶硅层共同组成，其叠层特点为，将非晶硅层或微晶硅层设置在氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或碳氧化硅层中的至少一种膜层的内部或表面，即非晶硅层或微晶硅层不与第一半导体层2-2接触。
c.第一掩膜层3的材料为油墨、感光胶或树脂,可使用碱液去除；第一掩膜层3采用的制作方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法制作；第一掩膜层3的厚度为2-10um。
d.第一导电型膜层和复合绝缘膜层2-3的制作方法是采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作。
步骤S103、去除未被第一掩膜层3覆盖的复合绝缘膜层2-3。
a.采用氢氟酸溶液和腐蚀溶液中至少一种，一次或多次腐蚀去除未被第一掩膜层3覆盖的复合绝缘膜层2-3。
b.氢氟酸溶液浓度为1-8％，以上为重量百分数。
c.腐蚀溶液包括氢氟酸0.1％-3％、氧化剂20％-60％、缓冲剂0-40％，余量为水，以上为重量百分数。
d.所述氧化剂包括硝酸、双氧水、臭氧或过硫酸根离子中的一种以上。
e.所述缓冲剂为乙酸、草酸、柠檬酸中的一种以上。
步骤S104、去除第一掩膜层3和裸露的第一导电型膜层并清洗衬底。
a.采用碱性清洗液去除第一掩膜层3，同时去除裸露的第一半导体层2-2和第一本征层2-1形成第二导电区图形，后采用RCA清洗衬底。
b.所述碱性清洗液包含KOH、NaOH、Na2CO3、NaHCO3和BDG溶液中至少一种的碱性溶液。
步骤S105、正面沉积第三半导体层4-1和正面绝缘层4-2，背面沉积第二导电型膜层。
a.衬底1正面沉积第三半导体层4-1、正面绝缘层4-2，衬底1背面沉积第二导电型膜层，即第二本征层5-1和第二半导体层5-2。
b.第三半导体层4-1可以是本征型的非晶硅或微晶硅，也可以是本征型的非晶硅或微晶硅和N型的非晶硅或微晶构成。
c.正面绝缘层4-2为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
d.第二本征层5-1是本征型非晶硅。
e.第二半导体层5-2是P型非晶硅或P型微晶硅。
f.第三半导体层4-1、正面绝缘层4-2和第二导电型膜层的制作顺序：可以先沉积第三半导体层4-1，再制作第二本征层5-1和第二半导体层5-2，最后制作正面绝缘层4-2；也可先制作第二本征层5-1和第二半导体层5-2，再制作第三半导体层4-1、正面绝缘层4-2。
g.第三半导体层4-1、正面绝缘层4-2和第二导电型膜层的制作方法是采用PECVD、LPCVD或HWCVD制作；绝缘层4-2的制作方法是采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作。
步骤S106、激光蚀刻第二导电型膜层制作第一导电区图形
a.优选采用绿光532nm的纳秒或皮秒激光，也可使用紫外355nm的纳秒或皮秒激光。
b.采用激光蚀刻方法去除第二本征层5-1和第二半导体层5-2，裸露底部的复合绝缘膜层2-3。
步骤S107、去除裸露的复合绝缘膜层2-3。
a.采用的腐蚀溶液为氢氟酸溶液，浓度为1％-8％。
b.采用单面腐蚀工艺，只对衬底1背面进行腐蚀，对正面绝缘层4-2不腐蚀。
c.第一本征层2-1、第一半导体层2-2、第二本征层5-1和第二半导体层5-2不与氢氟酸溶液反应，裸露的复合绝缘膜层3完全腐蚀后，腐蚀作用自然停止，该步骤腐蚀过程具有极佳的选择性。
步骤S108、沉积导电层6。
a.采用PVD镀膜方法，在衬底1背面沉积导电层6。
b.导电层6可以是透明导电膜层构成，也可以是透明导电膜层和金属导电膜层共同构成。
c.透明导电膜层为掺杂的氧化铟薄膜，如掺锡氧化铟、掺钨氧化铟、掺锌氧化铟、掺镓氧化铟、掺钛氧化铟。
d.金属导电膜层包含金属层和抗氧化层构成，金属层为Cu；抗氧化层覆盖于金属层表面，抗氧化层可以是透明导电膜层，如ITO/IWO/IZO/AZO/ATO等，也可以是金属或合金材料，如镍、镍铜、镍铬等。
步骤S109、制作隔离槽图形掩膜层7。
a.隔离槽图形掩膜层7的材料为油墨、感光胶或树脂,可使用碱液去除。
b.隔离槽图形掩膜层7采用的制作方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法制作。
c.隔离槽图形掩膜层7的厚度为2-20um.
步骤S110、去除裸露的导电层6形成隔离槽8.
a.采用金属腐蚀溶液去除未被隔离槽图形掩膜层7覆盖的导电层6。
b.腐蚀溶液为混合溶液，包括盐酸、硫酸、双氧水、氨水、铜离子、铁离子等至少一种的水溶液。可以用一种混合液一次性蚀刻金属导电膜层和透明导电膜层，也可以用不同的配比混合液分别腐蚀金属导电膜层和透明导电膜层，形成隔离槽8。
步骤S111、去除隔离槽图形掩膜层7。
a.采用碱性清洗液去除隔离槽图形掩膜层7。
b.所述碱性清洗液包含KOH、NaOH、Na2CO3、NaHCO3中至少一种的碱性溶液。
步骤S112、制作金属副栅电极9。
a.所述金属副栅电极9沿第一导电区12和第二导电区13分布。
b.所述金属副栅电极9的材料为低温银浆。
c.所述金属副栅电极9的制作方法为丝网印刷.
步骤S113、制作电极绝缘层1。
a.所述电极绝缘层1覆盖于局部的第一导电区12和第二导电区13，并覆盖其相邻的绝缘槽。同一横向位置的电极绝缘层1仅覆盖第一导电区12或第二导电区13。
b.所述电极绝缘层1的材料为绝缘光油。
c.所述电极绝缘层1的制作方法为丝网印刷、滚涂、喷墨打印或移印等方法制作.
步骤S114、制作金属主栅电极10。
a.金属主栅电极10横向覆盖于电极绝缘层1表面。位于覆盖第二导电区13的电极绝缘层1表面上的金属主栅电极10，连接所有位于第一导电区的金属副栅电极9(如图15)，位于覆盖第一导电区13的电极绝缘层1表面上的金属主栅电极10，连接所有位于第二导电区的金属副栅电极9。
b.所述金属主栅电极10的材料为低温银浆。
c.所述金属主栅电极10的制作方法为丝网印刷。
如图1至图15所示为本发明提供的一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法的实施例示意图。
以下内容是以N单晶硅作为衬底，采用本发明的制作方法制作的背接触异质结太阳能电池的具体实施方式。仅为本发明的一种实例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
实施例一
S101、清洗N型单晶衬底1后，对衬底1进行单面制绒。
S102、在衬底1的背面上依次沉积第一本征层2-1、第一半导体层2-2(即N型掺杂型半导体层)和复合绝缘膜层2-3，在复合绝缘膜层2-3的表面覆盖第一掩膜层3。
S103、采用腐蚀溶液和氢氟酸溶液去除未被第一掩膜层3覆盖的复合绝缘膜层2-3。
S104、去除第一掩膜层3及裸露的第一半导体层2-2和第一本征层2-1以形成第二导电区图形，后对衬底1进行清洗。
S105、衬底1正面沉积第三半导体层4-1和正面绝缘层4-2，背面沉积第二本征层5-1和第二半导体层5-2(即P型掺杂型半导体层)。
S106、采用激光蚀刻，去除部分第二半导体层5-2和第二本征层5-1，以形成第一导电区图形。
S107、采用氢氟酸溶液去除第一导电区裸露的复合绝缘膜层2-3。
S108、在衬底1背面制作导电层6。
S109、在导电层6表面印刷第二掩膜层7。
S110、采用蚀刻液去除第二掩膜层7未保护区域的导电层6，以形成隔离槽8。
S111、用碱性溶液去除第二掩膜层7。
S112、制作金属副栅电极9。
S113、制作电极绝缘层10。
S114、制作金属主栅电极11。
实施例二：
如图16所示，一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池，它包括半导体基板(即衬底1)、设置在半导体基板的第一主面的一部分的第一导电型膜层(即第一本征层2-1、第一半导体层2-2)、设置在第一导电型膜层部分区域上的复合绝缘膜层以及设置在半导体基板的第一主面的其他部分和复合绝缘膜层上的第二导电型膜层(即第二本征层5-1和第二半导体层5-2)；与半导体基板第一主面直接接触的第一导电型膜层构成第一导电区12，与半导体基板第一主面直接接触的第二导电型膜层构成第二导电区13；所述复合绝缘膜层包括设置在第一导电型膜层上的基底绝缘层2-3-1以及设置在基底绝缘层2-3-1上的叠合绝缘层2-3-2；所述叠合绝缘层2-3-2的材质为非晶硅。
所述基底绝缘层2-3-1的材质为氮化硅硅。
所述背接触异质结太阳能电池还包括设置在第一导电区12上且与第一导电型膜层电连接的第一导电层6-1、设置在第一导电层6-1上的第一电极14、设置在第二导电区13上且与第二导电型膜层电连接的第二导电层6-2以及设置在第二导电层6-2上的第二电极15；所述第一导电层6-1与第二导电层6-2之间设有隔离槽8进行绝缘分隔。
所述背接触异质结太阳能电池还包括设置在第一主面上的第三半导体层4-1和正面绝缘层4-2。
Claims (10)
1.一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它包括步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区，其包含如下工序：
步骤a1，在半导体基板的第一主面上设置第一导电型膜层；
步骤a2，在第一导电型膜层上设置复合绝缘膜层；
所述步骤a2的具体方法为，
A201,在第一导电型膜层上采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅生成一层基底绝缘层；
A202，在基底绝缘层上形成一层以上叠合绝缘层，至少包含一层采用非晶硅或微晶硅形成的叠合绝缘层；每层叠合绝缘层分别采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶硅或微晶硅生成。
2.根据权利要求1所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：在进行步骤A之前，对半导体基板的第二主面进行单面制绒。
3.根据权利要求2所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述单面制绒的具体方法为，在半导体基板的第一主面形成第一阻挡层，再对第二主面进行制绒操作，之后去除第一阻挡层；或者，所述单面制绒的具体方法为，采用漂浮式制绒设备对半导体基板的第二主面进行单面制绒；或者，所述单面制绒的具体方法为，对半导体基板进行双面制绒，后采用漂浮式清洗设备对半导体基板的第二主面进行单面抛光；或者，所述单面制绒的具体方法为，对半导体基板进行双面制绒，之后在半导体基板的第一主面形成第二阻挡层，再对半导体基板的第二主面进行抛光操作，最后去除第二阻挡层。
4.根据权利要求3所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述第一阻挡层的制作方法为，在半导体基板的第一主面采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或碳氧化硅层中的至少一种阻挡膜层；或者，所述第一阻挡层的制作方法为，在半导体基板的第一主面和第二主面采用PECVD、LPCVD、HWCVD或PVD制作氮化硅层、氧化硅层、氮氧化硅层或碳氧化硅层中的至少一种阻挡膜层，然后用氢氟酸溶液去除第二主面上的阻挡膜层。
5.根据权利要求1所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤A还包含如下工序，
步骤a3，在复合绝缘膜层上设置遮盖第一导电区的第一掩膜层；
步骤a4，去除裸露的位于第二导电区的复合绝缘膜层。
所述第一导电型膜层为N型导电型膜层，所述步骤a4的具体方法为，采用浓度为1％-8％的氢氟酸溶液和/或快速腐蚀溶液，在15℃-50℃的温度下采用单面腐蚀或浸泡腐蚀的方法，一次性或分次去除复合绝缘膜层；所述快速腐蚀溶液包括氢氟酸、氧化剂和水，或者氢氟酸、氧化剂、缓冲剂和水。
6.根据权利要求5所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤A还包含如下工序，
步骤a5，采用溶液去除第一掩膜层和裸露的第一导电型膜层；
步骤a6，在半导体基板的第一主面上设置第二导电型膜层；
步骤a7，采用激光去除第一导电区中部的第二导电型膜层；
步骤a8，去除裸露的位于第一导电区的复合绝缘膜层。
7.根据权利要求6所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述第一导电型膜层为N型导电型膜层，第二导电型膜层为P型导电型膜层；所述步骤a5的具体方法为，采用碱性清洗液去除第一掩膜层和裸露的第一导电型膜层，之后清洗；所述碱性清洗液包含KOH、NaOH、Na2CO3、NaHCO3和BDG溶液中至少一种的碱性溶液。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它还包括如下步骤，
步骤B，经步骤A处理后，在第一导电区和第二导电区表面设置导电层；
步骤C，在第一导电区与第二导电区的交界处对导电层采用激光蚀刻方式、化学蚀刻方式或激光蚀刻与化学蚀刻相结合方式进行开槽；所述开槽在第一导电区和第二导电区之间形成分隔绝缘；
步骤D，在半导体基板的第一主面上形成与第一导电区和第二导电区分别对应配合的第一导电栅线和第二导电栅线。
9.根据权利要求8所述的采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤C包含如下工序，
步骤c1，在导电层上设置镂空隔离槽图形的第二掩膜层；
步骤c2，采用溶液去除裸露的导电层。
10.一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池，其特征在于：它包括半导体基板、设置在半导体基板的第一主面的一部分的第一导电型膜层、设置在第一导电型膜层部分区域上的复合绝缘膜层以及设置在半导体基板的第一主面的其他部分和复合绝缘膜层上的第二导电型膜层；与半导体基板第一主面直接接触的第一导电型膜层构成第一导电区，与半导体基板第一主面直接接触的第二导电型膜层构成第二导电区；所述复合绝缘膜层包括设置在第一导电型膜层上的基底绝缘层以及设置在基底绝缘层上的一层以上叠合绝缘层；所述叠合绝缘层至少包括一层材质为非晶硅或微晶硅的膜层。
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