JP3492213B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池の製
造方法に関し、より詳細には、ＺｎＯからなる透明電極
の分離抵抗の低減に関する。
造方法に関し、より詳細には、ＺｎＯからなる透明電極
の分離抵抗の低減に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜太陽電池は、ガラス等の透光
性絶縁基板上にＳｎＯ2やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電
膜が形成され、その上に非晶質半導体のｐ層、ｉ層、ｎ
層がこの順に積層されて光電変換活性層が形成され、そ
の上に金属薄膜裏面電極が積層されてなる構造と、金属
基板電極の上に非晶質半導体のｎ層、ｉ層、ｐ層がこの
順に積層されて光電変換活性層が形成され、その上に透
明導電膜が積層されてなる構造とがある。
性絶縁基板上にＳｎＯ2やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電
膜が形成され、その上に非晶質半導体のｐ層、ｉ層、ｎ
層がこの順に積層されて光電変換活性層が形成され、そ
の上に金属薄膜裏面電極が積層されてなる構造と、金属
基板電極の上に非晶質半導体のｎ層、ｉ層、ｐ層がこの
順に積層されて光電変換活性層が形成され、その上に透
明導電膜が積層されてなる構造とがある。
【０００３】これらのうち、p-i-n層の順に積層する方
法は、透光性絶縁基板が太陽電池表面カバーガラスを兼
ねることができること、又、ＳｎＯ2等の耐プラズマ性
透明導電膜が開発されて、この上に非晶質半導体の光電
変換活性層をプラズマＣＶＤ法で積層することが可能と
なったこと、等から多用されるようになり、現在の主流
となっている。
法は、透光性絶縁基板が太陽電池表面カバーガラスを兼
ねることができること、又、ＳｎＯ2等の耐プラズマ性
透明導電膜が開発されて、この上に非晶質半導体の光電
変換活性層をプラズマＣＶＤ法で積層することが可能と
なったこと、等から多用されるようになり、現在の主流
となっている。
【０００４】この薄膜太陽電池の透明導電膜としては、
ＳｎＯ2が一般的であるがＺｎＯも用いられるようにな
ってきており、太陽電池内部で光を有効に利用するた
め、これらの表面を凹凸化する技術も、特開平６−２０
４５２７号公報などに示された方法で可能となってきて
いる。
ＳｎＯ2が一般的であるがＺｎＯも用いられるようにな
ってきており、太陽電池内部で光を有効に利用するた
め、これらの表面を凹凸化する技術も、特開平６−２０
４５２７号公報などに示された方法で可能となってきて
いる。
【０００５】また、大面積化を行うためには、レーザー
を用いて集積化を行い、直列接続するのが一般的な方法
である。この構造は、ガラス基板等の透光性絶縁基板上
に透明導電膜を短冊状に形成し、その上に非晶質半導体
層、次いで裏面電極を順に積層する。そして、１つの透
明溝電膜、非晶質半導体層、裏面電極からなる単位太陽
電池の透明導電膜が隣接する単位太陽電池の裏面電極と
接触する構造となるように、両電極および非晶質半導体
層のパターンを形成する。
を用いて集積化を行い、直列接続するのが一般的な方法
である。この構造は、ガラス基板等の透光性絶縁基板上
に透明導電膜を短冊状に形成し、その上に非晶質半導体
層、次いで裏面電極を順に積層する。そして、１つの透
明溝電膜、非晶質半導体層、裏面電極からなる単位太陽
電池の透明導電膜が隣接する単位太陽電池の裏面電極と
接触する構造となるように、両電極および非晶質半導体
層のパターンを形成する。
【０００６】ＺｎＯ膜のパターニング法として、フォト
リソグラフィ法を用い、酸性水溶液を用いてエッチング
する方法もあるが、大面積化および低コスト化が困難で
一般的ではない。
リソグラフィ法を用い、酸性水溶液を用いてエッチング
する方法もあるが、大面積化および低コスト化が困難で
一般的ではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これまではＳｎＯ2を
レーザーパターニングすることが一般的であったが、近
年ＺｎＯが透明電極として用いられ始めており、これの
パターンニングが必要となっている。しかしＺｎＯを用
いる場合、従来と同様にレーザーパターニングすると分
離したパターン間で数百キロオームという不十分な分離
抵抗しか得られないという問題点があった。
レーザーパターニングすることが一般的であったが、近
年ＺｎＯが透明電極として用いられ始めており、これの
パターンニングが必要となっている。しかしＺｎＯを用
いる場合、従来と同様にレーザーパターニングすると分
離したパターン間で数百キロオームという不十分な分離
抵抗しか得られないという問題点があった。
【０００８】 これはガラス基板を用いず、パターンニ
ングも行わない特開平６−２０４５２７号公報では発生
しなかった問題点である。また、薄膜太陽電池の変換効
率向上のためには、透明電極であるＺｎＯに微細な凹凸
を形成することが必要であるが、凹凸を形成するために
酢酸、塩酸等の酸により表面をエツチングした後にレー
ザーパターンニングを行うと、やはり分離したパターン
間で数百キロオームの分離抵抗しか得られないという問
題があった。なお、図２は一般的なＺｎＯ膜のパターン
ニング工程のフローチャートを示している。
ングも行わない特開平６−２０４５２７号公報では発生
しなかった問題点である。また、薄膜太陽電池の変換効
率向上のためには、透明電極であるＺｎＯに微細な凹凸
を形成することが必要であるが、凹凸を形成するために
酢酸、塩酸等の酸により表面をエツチングした後にレー
ザーパターンニングを行うと、やはり分離したパターン
間で数百キロオームの分離抵抗しか得られないという問
題があった。なお、図２は一般的なＺｎＯ膜のパターン
ニング工程のフローチャートを示している。
【０００９】さらにこのようにパターニングされた透明
電極の間に十分な分離抵抗（通常は数メガオーム以上、
望ましくは１０メガオーム以上）がなければ、集積化さ
れた薄膜太陽電池の変換効率はパターン間のリーク電流
のために低下してしまうという問題点があった。
電極の間に十分な分離抵抗（通常は数メガオーム以上、
望ましくは１０メガオーム以上）がなければ、集積化さ
れた薄膜太陽電池の変換効率はパターン間のリーク電流
のために低下してしまうという問題点があった。
【００１０】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、薄膜太陽電池に必要な透明電極の
分離抵抗を得る製造方法を提供することを目的とする。
なされたものであり、薄膜太陽電池に必要な透明電極の
分離抵抗を得る製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜太陽電池の
製造方法は、薄膜太陽電池を形成する基板上に、ＺｎＯ
からなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜にレーザ
ー、放電加工等の熱的な加工によるパターンニング加工
を行ってスクライブラインを形成する。その後化学的な
エッチングを行って、上記スクライブラインに再付着し
たＺｎＯの残渣を除去し、かつ上記透明導電膜の表面に
微細な凹凸を形成する。さらに、エッチング液として、
酢酸、塩酸等の酸あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム当のアルカリを用いる。
製造方法は、薄膜太陽電池を形成する基板上に、ＺｎＯ
からなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜にレーザ
ー、放電加工等の熱的な加工によるパターンニング加工
を行ってスクライブラインを形成する。その後化学的な
エッチングを行って、上記スクライブラインに再付着し
たＺｎＯの残渣を除去し、かつ上記透明導電膜の表面に
微細な凹凸を形成する。さらに、エッチング液として、
酢酸、塩酸等の酸あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム当のアルカリを用いる。
【００１２】本発明においては、レーザー、放電加工等
の熱的な加工によるパターンニング加工時に、ＺｎＯが
昇華する際にパターンニング間に再付着し、これがパタ
ーン間の分離抵抗を数百キロオームにしてしまうと考え
られる。
の熱的な加工によるパターンニング加工時に、ＺｎＯが
昇華する際にパターンニング間に再付着し、これがパタ
ーン間の分離抵抗を数百キロオームにしてしまうと考え
られる。
【００１３】それでは従来のＳｎＯ2を透明電極として
用いた場合になぜ同様の問題が発生しなかったかという
疑問が生じる。これはＳｎＯ2自身の比抵抗がＺｎＯよ
りも１桁以上大きいことに起因すると考えられる。
用いた場合になぜ同様の問題が発生しなかったかという
疑問が生じる。これはＳｎＯ2自身の比抵抗がＺｎＯよ
りも１桁以上大きいことに起因すると考えられる。
【００１４】即ちＳｎＯ2では数メガオーム以上の分離
抵抗が得られても、ＺｎＯでは数百キロオームの分離抵
抗になってしまうからである。ＺｎＯの場合酢酸、塩酸
等の酸により簡単にエッチングできるため、レーザー等
によりパターニングした後、エッチングすることによ
り、再付着したＺｎＯあるいはＺｎＯの残渣を除去する
ことができ、分離抵抗を１０メガオーム以上のテスター
等では測定不能なレベルまで完璧に分離することが可能
となる。
抵抗が得られても、ＺｎＯでは数百キロオームの分離抵
抗になってしまうからである。ＺｎＯの場合酢酸、塩酸
等の酸により簡単にエッチングできるため、レーザー等
によりパターニングした後、エッチングすることによ
り、再付着したＺｎＯあるいはＺｎＯの残渣を除去する
ことができ、分離抵抗を１０メガオーム以上のテスター
等では測定不能なレベルまで完璧に分離することが可能
となる。
【００１５】さらに、透明導電膜の分離を行う時に、Ｚ
ｎＯの表面形状を同時に凹凸化すると、薄膜太陽電池の
変換効率が向上する。
ｎＯの表面形状を同時に凹凸化すると、薄膜太陽電池の
変換効率が向上する。
【００１６】これまで凹凸化したＳｎＯ2膜をレーザー
パターニングするのが一般的であったが、ＺｎＯの場合
には表面を凹凸化するためには、２ミクロン程度の厚さ
に膜を形成するか、６００〜８００ｎｍ程度膜を形成し
た後にエッチングすることにより適正な凹凸化を行うこ
とができる。
パターニングするのが一般的であったが、ＺｎＯの場合
には表面を凹凸化するためには、２ミクロン程度の厚さ
に膜を形成するか、６００〜８００ｎｍ程度膜を形成し
た後にエッチングすることにより適正な凹凸化を行うこ
とができる。
【００１７】しかし、凹凸化した後レーザーパターニン
グしたのでは十分な分離抵抗が得られないため、レーザ
ーパターニング後にエッチングすることが必要である。
その時にテクスチャーエッチングと同時にパターニング
の分離を行うことが可能である。テクスチャーエッチン
グとパターニングの分離が同時に可能であることは、テ
クスチャーエッチングに要する時間がパターンニングの
分離に必要な時間よりも長いからである。
グしたのでは十分な分離抵抗が得られないため、レーザ
ーパターニング後にエッチングすることが必要である。
その時にテクスチャーエッチングと同時にパターニング
の分離を行うことが可能である。テクスチャーエッチン
グとパターニングの分離が同時に可能であることは、テ
クスチャーエッチングに要する時間がパターンニングの
分離に必要な時間よりも長いからである。
【００１８】テクスチャーエッチングでエッチングを行
う膜厚は部分的にではあるが１００〜２００ｎｍ程度で
あるのに対し、パターニングの分離に必要なエッチング
を行う膜厚は数ｍｍ程度である。この関係があるためテ
クスチャーエッチングと同時にパターンニングの分離が
可能となるのである。
う膜厚は部分的にではあるが１００〜２００ｎｍ程度で
あるのに対し、パターニングの分離に必要なエッチング
を行う膜厚は数ｍｍ程度である。この関係があるためテ
クスチャーエッチングと同時にパターンニングの分離が
可能となるのである。
【００１９】テクスチャーエッチングに一般的に用いら
れる酢酸、あるいは、塩酸といった酸を用いることによ
り、テクスチャーエッチングと同時にパターニングをさ
れた透明電極間の分離を行うことが可能である。ＺｎＯ
自身は、両性酸化物であるため、アルカリ系のものでも
エッチングが可能であるが、Ｎａ、Ｋといった元素は透
明導電膜に形成する半導体膜に悪影響を及ぼす可能性が
大きいため、あまり望ましくない。エッチングを行うた
めには０．５％程度の酢酸を用いれば数分で可能であ
る。
れる酢酸、あるいは、塩酸といった酸を用いることによ
り、テクスチャーエッチングと同時にパターニングをさ
れた透明電極間の分離を行うことが可能である。ＺｎＯ
自身は、両性酸化物であるため、アルカリ系のものでも
エッチングが可能であるが、Ｎａ、Ｋといった元素は透
明導電膜に形成する半導体膜に悪影響を及ぼす可能性が
大きいため、あまり望ましくない。エッチングを行うた
めには０．５％程度の酢酸を用いれば数分で可能であ
る。
【００２０】このような処理により、１０メガオーム以
上の分離抵抗を有するパターンニングされた透明溝電膜
上に薄膜太陽電池を形成することができ、良好な特性を
待つ太陽電池を得ることが可能である。もちろん透明導
電膜のパターンニング間の分離抵抗が数百キロオームで
あっても薄膜太陽電池の変換効率が０になるということ
はないが、隣り合った電極間で電流がリークしてしまう
ため、大幅な曲線因子の低下につながる。完全に隣り合
ったパターンが分離されていることが理想的であるが、
本発明の製造方法を用いて形成した太陽電池であれば、
テスター等の測定機では測定不可能なレベルまで分離が
可能である。この点では従来のＳｎＯ2のパターニング
における分離抵抗の値（１〜１０メガオーム）以上が得
られており、変換効率向上に本発明が寄与することは言
うまでもない。
上の分離抵抗を有するパターンニングされた透明溝電膜
上に薄膜太陽電池を形成することができ、良好な特性を
待つ太陽電池を得ることが可能である。もちろん透明導
電膜のパターンニング間の分離抵抗が数百キロオームで
あっても薄膜太陽電池の変換効率が０になるということ
はないが、隣り合った電極間で電流がリークしてしまう
ため、大幅な曲線因子の低下につながる。完全に隣り合
ったパターンが分離されていることが理想的であるが、
本発明の製造方法を用いて形成した太陽電池であれば、
テスター等の測定機では測定不可能なレベルまで分離が
可能である。この点では従来のＳｎＯ2のパターニング
における分離抵抗の値（１〜１０メガオーム）以上が得
られており、変換効率向上に本発明が寄与することは言
うまでもない。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図３を参照し、本
発明の実施の形態を説明する。なお、図１は本発明の実
施の形態１の薄膜太陽電池の概略構造の断面図であり、
図３は本発明のＺｎＯ膜のパターンニング工程のフロー
チャートである。まず、透光性絶縁基板１としてガラス
基板を用いる。ここではガラスを用いているが、絶縁性
基板あるいは表面が絶縁物で覆われていればよい。この
上に透明導電膜２を６００〜８００ｎｍ程度の膜厚で形
成する。
発明の実施の形態を説明する。なお、図１は本発明の実
施の形態１の薄膜太陽電池の概略構造の断面図であり、
図３は本発明のＺｎＯ膜のパターンニング工程のフロー
チャートである。まず、透光性絶縁基板１としてガラス
基板を用いる。ここではガラスを用いているが、絶縁性
基板あるいは表面が絶縁物で覆われていればよい。この
上に透明導電膜２を６００〜８００ｎｍ程度の膜厚で形
成する。
【００２２】この透明導電膜２はその材料としてＺｎＯ
を用いる。ＺｎＯ膜はＧａあるいはＡｌ等を不純物とし
て添加された導電性が高く、透過率も高いものが望まし
い。ＺｎＯ膜の形成は様々な方法で可能だが、本実施の
形態においてはスパッタリング法を用いて形成した。こ
の時の成膜条件は基板温度１５０℃、アルゴン圧力６ｍ
Ｔｏｒｒ、投入パワー密度２．５ｍＷ／ｃｍ2で形成し
た。このようにして形成したＺｎＯ膜を４００℃で１時
間、大気中でアニールを行った。これは後に行うテクス
チャーエッチングプロセスの際に、全体に均一なエッチ
ングができるように結晶の配向性を整えるためである。
を用いる。ＺｎＯ膜はＧａあるいはＡｌ等を不純物とし
て添加された導電性が高く、透過率も高いものが望まし
い。ＺｎＯ膜の形成は様々な方法で可能だが、本実施の
形態においてはスパッタリング法を用いて形成した。こ
の時の成膜条件は基板温度１５０℃、アルゴン圧力６ｍ
Ｔｏｒｒ、投入パワー密度２．５ｍＷ／ｃｍ2で形成し
た。このようにして形成したＺｎＯ膜を４００℃で１時
間、大気中でアニールを行った。これは後に行うテクス
チャーエッチングプロセスの際に、全体に均一なエッチ
ングができるように結晶の配向性を整えるためである。
【００２３】 この後、透明導電膜２のパターニングを
行う。この透明導電膜２は短冊状の形状にそれぞれが分
離されて第一の開溝（スクライブライン５）が形成され
ている。短冊の幅はＺｎＯの面抵抗による抵抗ロスを考
慮すれば１ｃｍ以内が望ましい。その後、上記透明導電
膜に化学的なエッチングを行う。その後、基板を純粋で
洗浄し、エッチング液を荒い流した。この後、分離抵抗
を測定すると、１０メガオーム以上であった。
行う。この透明導電膜２は短冊状の形状にそれぞれが分
離されて第一の開溝（スクライブライン５）が形成され
ている。短冊の幅はＺｎＯの面抵抗による抵抗ロスを考
慮すれば１ｃｍ以内が望ましい。その後、上記透明導電
膜に化学的なエッチングを行う。その後、基板を純粋で
洗浄し、エッチング液を荒い流した。この後、分離抵抗
を測定すると、１０メガオーム以上であった。
【００２４】透明導電膜２上には、ａ−Ｓｉ：Ｈｐ層、
ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｈｎ層が順次積層されて
なるアモルファス層３を有する構造となっている。ａ−
Ｓｉ：Ｈ層４は、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈｉ層やａ−ＳｉＣ：
Ｈｉ層のような合金層でもよい。ｉ層の膜厚は１００ｎ
ｍから６００ｎｍ程度、ｎ層の膜厚は数十ｎｍである。
ａ−Ｓｉ：Ｈｐ層の上に形成されたａ−Ｓｉ：Ｈｉ層、
ａ−Ｓｉ：Ｈｎ層は第一の関溝と半分程度が重なるよう
に第二の関溝が形成されている。また、第二の関溝の形
成は第一の関溝５と同様、パターニングするためにレー
ザースクライブが用いられる。
ａ−Ｓｉ：Ｈｉ層、ａ−Ｓｉ：Ｈｎ層が順次積層されて
なるアモルファス層３を有する構造となっている。ａ−
Ｓｉ：Ｈ層４は、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈｉ層やａ−ＳｉＣ：
Ｈｉ層のような合金層でもよい。ｉ層の膜厚は１００ｎ
ｍから６００ｎｍ程度、ｎ層の膜厚は数十ｎｍである。
ａ−Ｓｉ：Ｈｐ層の上に形成されたａ−Ｓｉ：Ｈｉ層、
ａ−Ｓｉ：Ｈｎ層は第一の関溝と半分程度が重なるよう
に第二の関溝が形成されている。また、第二の関溝の形
成は第一の関溝５と同様、パターニングするためにレー
ザースクライブが用いられる。
【００２５】次に裏面電極４を形成する。裏面電極４は
反射率の比較的高い金属であるＡｌやＡｇを用いてい
る。膜厚としては数百ｎｍから数μｍ程度である。簡単
の為に裏面電極４を金属電極のみとしているが、裏面で
の反射光を有効に利用するために、透明導電膜をアモル
ファス層３の上に形成してもよい。次にレーザースクラ
イブにより第三の関溝を形成する。第三の関溝は第二の
関溝より１００μｍ程度離れた場所に４０μｍ程度の幅
で形成する。
反射率の比較的高い金属であるＡｌやＡｇを用いてい
る。膜厚としては数百ｎｍから数μｍ程度である。簡単
の為に裏面電極４を金属電極のみとしているが、裏面で
の反射光を有効に利用するために、透明導電膜をアモル
ファス層３の上に形成してもよい。次にレーザースクラ
イブにより第三の関溝を形成する。第三の関溝は第二の
関溝より１００μｍ程度離れた場所に４０μｍ程度の幅
で形成する。
【００２６】本発明により作製した単層の薄膜太陽電池
（基板サイズ：６５０×４５５ｍｍ）の特性は、AM1.5
（１００ｍＷ／ｃｍ2）においてIsc:0.527A、Voc:65.8
V、F.F.:0.73、Pmax:25.3Wであった。
（基板サイズ：６５０×４５５ｍｍ）の特性は、AM1.5
（１００ｍＷ／ｃｍ2）においてIsc:0.527A、Voc:65.8
V、F.F.:0.73、Pmax:25.3Wであった。
【００２７】尚、本実施の形態は光電変換層が単層であ
るが、タンデム構造のように積層されたものでも良い。
るが、タンデム構造のように積層されたものでも良い。
【００２８】
【発明の効果】本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、薄
膜太陽電池を形成する基板上に、透明導電膜としてＺｎ
Ｏを形成し、それをレーザー、放電加工等の熱的なパタ
ーンニング加工の後に化学的なエッチングを行い、その
際に、透明電極表面に微細な凹凸を同時に形成するプロ
セスによりなる。また、このような製造方法によりパタ
ーニングされた透明導電膜間の分離抵抗が１０メガオー
ム以上となるため、変換効率の高い薄膜太陽電池の形成
が可能となる。
膜太陽電池を形成する基板上に、透明導電膜としてＺｎ
Ｏを形成し、それをレーザー、放電加工等の熱的なパタ
ーンニング加工の後に化学的なエッチングを行い、その
際に、透明電極表面に微細な凹凸を同時に形成するプロ
セスによりなる。また、このような製造方法によりパタ
ーニングされた透明導電膜間の分離抵抗が１０メガオー
ム以上となるため、変換効率の高い薄膜太陽電池の形成
が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１の薄膜太陽電池の概略構
造の断面図である。
造の断面図である。
【図２】一般的なＺｎＯ膜のパターンニング工程のフロ
ーチヤートである。
ーチヤートである。
【図３】本発明のＺｎＯ膜のパターニング工程のフロー
チャートである。
チャートである。
１：透光性絶縁基板
２：透明導電膜
３：アモルファスＳｉ層
４：裏面電極
５：スクラブライン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜太陽電池を形成する基板上に、Ｚｎ
Ｏからなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜にレーザ
ー加工によるパターンニング加工を行ってスクライブラ
インを形成し、その後化学的なエッチングを行って、上
記スクライブラインに再付着したＺｎＯの残渣を除去
し、かつ上記透明導電膜の表面に微細な凹凸を形成する
ことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、上記透明導電膜を６
００乃至８００ｎｍの膜厚に形成することを特徴とする
薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１において、上記化学的なエッチ
ングを行う際に、エッチング液として酸あるいはアルカ
リを用いてエッチングすることを特徴とする薄膜太陽電
池の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、上記エッチング液と
して、酢酸又は塩酸を用いることを特徴とする薄膜太陽
電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27678198A JP3492213B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27678198A JP3492213B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114555A JP2000114555A (ja) | 2000-04-21 |
| JP3492213B2 true JP3492213B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=17574286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27678198A Expired - Fee Related JP3492213B2 (ja) | 1998-09-30 | 1998-09-30 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3492213B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002261309A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換モジュールの製造方法 |
| JP4270761B2 (ja) | 2001-01-17 | 2009-06-03 | 富士通コンポーネント株式会社 | タッチパネル |
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