JP4660354B2 - 導電性薄膜の加工方法及び装置 - Google Patents
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Description
(4)第2電極およびその電源を複数配列すれば、一回の操作で複数のパターンを同時に形成できるので、パターニング処理速度を容易に向上できる。
図1(2)は第2電極22を複数並べた加工方法(加工装置)を斜視図で示したものである。例えば並列に並べた5個の第2電極22を、板ばね41又はスプリングを介して絶縁材から成る第2電極支持台42に支持する。そして、各々の第2電極22は、電源端子43を用いて電源に接続される。
このように、第2電極22をn個(例えば5個)並べれば、処理速度はn倍(例えば5倍)になる。したがって、n本のパターンを1回の走査で作製することができる。
本発明の方法により、絶縁性基板10としてのガラス基板の表面に形成された導電性薄膜12としてのMo薄膜を加工した。このMo薄膜は、薄膜太陽電池用下部電極を構成するための導電性薄膜であり、スパッタリング、蒸着等により形成される。加工条件は下記のとおりであった。なお第2電極22としては、図3に示すものを使用した。
第2電極(電極本体):厚さD=0.1mm、幅W=5mmの銅板
電源装置 :メトロニクス社製Model 526型
電圧と制限電流値 :5V、0.2A
第2電極の掃引速度 :2cm/sec
図6に示すように、この加工によりMo薄膜12に幅100μmの溝24が形成された。溝24の底面は露出した絶縁性基板10の表面10Sであった。
本発明の方法により、絶縁性基板10としてのガラス基板の表面に形成された、導電性薄膜12としての薄膜太陽電池用下部電極を構成するMo薄膜を加工した。加工条件は、第2電極の厚さD=0.2mmとした以外は実施例1と同様であった。
第2電極22としては、図4に示すような電極板(電極本体部分)22Cで構成されているものを用い、図5に示すように、この第2電極22をガラス基板(絶縁性基板)10に対して矢印P方向に掃引することにより加工した。ガラス基板10の表面に形成された導電性薄膜12としては、一般的なフッ素ドープ酸化錫(FTO)の薄膜を用いた。この導電性薄膜12を含む透明導電膜基板の諸元(仕様)並びにパターニング条件は次のとおりである。
<透明導電膜基板の仕様>
品名 SnO2導電基板(旭硝子社製)
基板サイズ 50mm×50mm×1.1mmt
基体の材質 ガラス
透明導電膜の材料 フッ素ドープ酸化錫(FTO)
透明導電膜の膜厚 1.0μm
透明導電膜のシート抵抗 8.8Ω/□
<パターニング条件>
電源(直流安定化電源) MODEL526(メテロニクス社製)
設定電圧(制限電流値) 20V(2A)
第2電極の掃引速度 2cm/sec
ここで、適切な印加電圧は主に被加工物である透明導電膜12のシート抵抗値に応じて選択されるべきである。シート抵抗値が高い場合にはより高い印加電圧を必要とする傾向がある。透明導電膜12に接触する第2電極22先端の接触面22Eに大きなジュール熱が発生し、接触部における透明導電膜12が蒸発もしくは剥離する。その結果、第2電極22の掃引軌跡に沿ってパターン溝24が形成される。
<パターン間電気抵抗値>
測定箇所 抵抗値
1−2 38kΩ
2−3 40kΩ
3−4 44kΩ
4−5 50kΩ
(平均)43kΩ
このように分割された透明導電膜を用いてデバイスを構成する際、透明導電膜間の抵抗を通してリーク電流が流れることになるが、太陽電池のように1セルあたりの出力電圧が約0.5V〜0.8Vと低く且つ電流が大きい(〜20mA/cm2)デバイスにおいては、隣接する透明導電膜間の電気抵抗値が上記のように、数10kΩと十分高く、リーク電流は高々、数10μAであるので、太陽電池としての特性を低下させることはない。しかし、表示デバイスのように、高電圧、低電流で動作させる場合には分割された透明導電膜間の絶縁性をさらに改善する必要がある。
分割された透明導電膜を用いてデバイスを構成する場合において、分割された透明導電膜間の絶縁性を改善することを目的として、実施例3と同様の方法により、透明導電膜を分割した後に、隣接する透明導電膜間に高電圧を印加する工程を加えた。このような高電圧電源回路の例を図8に示す。したがって、図1の符号18で示す電源に、図8に示す高電圧電源回路を組み込むことにより、300Vの電圧を発生せることができるが、電流制限抵抗器R1により、出力電流値は最大3mAに抑制される。これにより、高電圧を印加した隣接する透明導電膜間にアーク放電が生じ過大電流が流れることによる膜の損傷を防止することができる。
分割された透明導電膜間の絶縁性を改善することを目的として、制限電流値が印加電圧の大きさに対応して異なることを特徴とする電源を用いて透明導電膜のパターニングを行った。このような電源装置の一例を図10に示す。電源装置をこのような構成とするとにより、第2電極を透明導電膜に接触させながら掃引すると低電圧電源(20V電源)が作用しても実施例3の場合と同様に透明導電膜に溝パターンが形成される。このとき溝パターン領域に高抵抗の抵抗体が存在しても、高電圧電源(300V)が引き続き作用することで高抵抗の抵抗体が焼き切られ、溝パターンで分離された透明導電膜で絶縁性が向上する。しかも、電流制限抵抗器(300kΩ)により最大電流が1mA以下に抑えられているので透明導電膜のほかの領域に損傷が及ぶことはない。
以上説明したように、高電源電圧(第2電圧)の電圧は、パターニングに用いる電圧に対し、5倍〜50倍程度である。また、高電源電圧(第2電圧)の電源の制限電流値は、パターニングに用いる電圧の制限電流値に対し、1/1000倍〜1/10000倍程度である。
12 導電性薄膜(透明導電膜)
d 導電性薄膜12の厚さ
12S 導電性薄膜12の表面
14 第1電極
16 架台
18 電源
20 リード線
22 第2電極
24 溝
Claims (9)
- 絶縁性基板の表面に形成された導電性薄膜の加工方法であって、
第1電極を上記導電性薄膜に接触させ、上記第1電極との間に第1電圧を印加した第2電極の先端と上記導電性薄膜の表面とを通電状態に維持しつつ、該第2電極の先端で該導電性薄膜上を走査することにより、該導電性薄膜の厚さを貫通し上記絶縁性基板の表面が底面として露出している溝を該導電性薄膜に形成すると共に、形成した前記パターン溝により分離された隣接する導電性薄膜間に、前記第1電圧に比較して大幅に高い第2電圧を印加すると共に、該第2電圧の電源の制限電流値をパターニングに用いる電源の制限電流値に比較して大幅に低い値に設定することを特徴とする導電性薄膜の加工方法。 - 請求項1において、上記絶縁性基板としてのガラス基板の表面に、上記導電性薄膜として、薄膜太陽電池用下部電極を構成するための金属薄膜が形成されていることを特徴とする導電性薄膜の加工方法。
- 請求項2において、上記金属薄膜がモリブデン薄膜であることを特徴とする導電性薄膜の加工方法。
- 請求項1において、上記絶縁性基板としてのガラス基板の表面に、上記導電性薄膜として、薄膜太陽電池上部電極を構成するための透明導電薄膜が形成されていることを特徴とする導電性薄膜の加工方法。
- 請求項4において、上記透明導電薄膜がインジウム錫酸化物薄膜であることを特徴とする導電性薄膜の加工方法。
- 請求項1から5までのいずれか1項において、複数本の上記第2電極を同時に走査することにより、複数本の上記溝を同時に形成することを特徴とする導電性薄膜の加工方法。
- 絶縁性基板の表面に形成された導電性薄膜の一部に接触する第1電極と、形成すべきパターン溝幅と同程度の寸法に先端を加工した第2電極との間に所定の第1電圧を印加した状態で、該第2電極の先端で前記導電性薄膜上を走査することにより、該導電性薄膜の厚さを貫通し上記絶縁性基板の表面が底面として露出しているパターン溝を該導電性薄膜に形成すると共に、形成した前記パターン溝により分離された隣接する導電性薄膜間に、前記第1電圧に比較して大幅に高い第2電圧を印加すると共に、該第2電圧の電源の制限電流値をパターニングに用いる電源の制限電流値に比較して大幅に低い値に設定することを特徴とする導電性薄膜の加工方法。
- パターニングに用いる電源の制限電流値が、印加電圧の大きさに対応して異なることを特徴とする請求項7に記載の導電性薄膜の加工方法。
- 絶縁性基板の表面に形成された導電性薄膜にパターン溝を形成する加工装置であって、
上記導電性薄膜に接触させた第1電極で上記絶縁性基板を架台上に締付けて固定する手段と、
先端の走査部が、形成すべきパターンの溝幅に対応する幅を有する第2電極と、
上記第1電極と第2電極の先端との間に第1電圧を印加する手段と、
上記導電性薄膜の表面と上記第2電極の先端とを通電状態に維持しつつ、前記第2電極又は前記架台を動作させることにより、前記導電性薄膜の厚さを貫通し上記絶縁性基板の表面が底面として露出しているパターン溝を形成するパターン溝形成手段と、
形成した前記パターン溝により分離された隣接する導電性薄膜間に、前記第1電圧に比較して大幅に高い第2電圧を印加する、電流制限抵抗器を有する高電圧電源回路が組み込まれた、パターン溝の溝幅維持手段と、を具備することを特徴とする導電性薄膜の加工装置。
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