CN107090581A

CN107090581A - 蚀刻液组合物

Info

Publication number: CN107090581A
Application number: CN201710086307.1A
Authority: CN
Inventors: 尹景湖; 申孝燮; 金世训
Original assignee: ENF Technology CO Ltd
Current assignee: ENF Technology CO Ltd
Priority date: 2016-02-17
Filing date: 2017-02-17
Publication date: 2017-08-25
Anticipated expiration: 2037-02-17
Also published as: CN107090581B; TWI726995B; TW201741503A

Abstract

本发明涉及一种包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂和pH调节剂的蚀刻液组合物，其通过不包含氟类化合物并且pH为4以上，防止氧化物半导体在含铜和钼膜的蚀刻工艺中被蚀刻，从而使可能在蚀刻工艺中发生的不良最小化。此外，由于不需要以往为了确保氧化物半导体的稳定电气特性而应用的绝缘性保护层(蚀刻终止层)工艺，能够降低氧化物半导体TFT制造时的成本。

Description

蚀刻液组合物

技术领域

本发明涉及一种铜和钼膜或者铜和钼合金膜(以下，简称“含铜/钼膜”)的蚀刻液组合物，尤其是用作TFT-LCD、OLED等显示器电极的含铜/钼膜的蚀刻液组合物。

背景技术

半导体装置和TFT-LCD、OLED等微电路是通过如下的一系列光刻工艺完成的，即在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或氧化硅膜、氮化硅膜等绝缘膜上，均匀地涂布光刻胶，然后通过刻有图案的掩模进行曝光后显影从而形成所需图案的光刻胶，采用干式蚀刻或湿式蚀刻将图案转印到位于光刻胶下部的金属膜或绝缘膜，之后通过剥离工艺去除不需要的光刻胶。

大型显示器的栅极和数据金属布线采用与现有的铝和铬布线相比，阻抗低且没有环境问题的铜金属。由于铜与玻璃基板和硅绝缘膜的粘合强度低且存在向硅膜扩散的问题，将钛、钼等用作下部阻挡金属。

作为与同时蚀刻铜膜和含钼膜时可使用的蚀刻液组合物相关的技术，韩国专利公开公报第2003-0082375号、专利公开公报第2004-0051502号、专利公开公报第2006-0064881号和专利公开公报第2006-0099089号等中公开了基于过氧化氢的含铜/钼膜的蚀刻液。

所述现有的含铜/钼膜的蚀刻液含有氟类化合物，这是因为所述氟类化合物在同时蚀刻含铜/钼膜时能够提升钼或钼合金的蚀刻速度，从而起到去除钼或钼合金的残留物的作用。此外，上述蚀刻液组合物具有2至3的低的pH值，起到有效、快速地蚀刻铜的作用。

但是，在用所述蚀刻液组合物蚀刻由铜和钼或钼合金形成的源电极和漏电极的情况下，由于含有氟类化合物且pH低，存在不仅仅是所述源电极和漏电极，而且形成在所述源电极和漏电极下部的氧化物半导体(InGaZnO)也被同时蚀刻的问题。这种氧化物半导体的蚀刻会增加TFT元件特性的不良。

现有技术文献

专利文献

(专利文献1)专利公开公报第2003-0082375号

(专利文献2)专利公开公报第2004-0051502号

(专利文献3)专利公开公报第2006-0064881号

(专利文献4)专利公开公报第2006-0099089号

发明内容

要解决的问题

本发明的目的在于提供一种蚀刻液组合物，其防止氧化物半导体在蚀刻含铜/钼膜的工艺中被蚀刻，从而最小化可在蚀刻工艺中发生的不良。

问题的解决方案

为了实现上述目的，本发明提供一种基于过氧化氢的蚀刻液组合物，其包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂、pH调节剂和水。本发明是不包含氟类化合物且pH为4以上的蚀刻液组合物，并且为了有效地抑制铜的蚀刻速度，可与有机酸一起包含磷酸或磷酸盐作为蚀刻添加剂，并且为了高pH下的组合物的稳定性，可将烷基胺作为双氧水稳定剂包含。

根据本发明的一个方式，所述蚀刻液组合物以组合物的总重量计，包含18-25重量％的过氧化氢、0.1-5重量％的蚀刻抑制剂、0.1-4重量％的螯合剂、0.02-10重量％的蚀刻添加剂、0.01-5重量％的双氧水稳定剂、0.1-3重量％的pH调节剂以及使组合物的总重量成为100重量％的水。

在另一方式中，所述蚀刻抑制剂可包含0.1-1重量％的芳环化合物。

在再一方式中，所述蚀刻添加剂可包含0.01-5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸、以及0.01-5重量％的磷酸盐化合物。

在又一方式中，所述双氧水稳定剂可以是烷基胺。

根据本发明的另一方式，所述蚀刻液组合物以组合物的总重量计，包含：18-25重量％的过氧化氢；作为蚀刻抑制剂的0.1-5重量％的芳环化合物；作为螯合剂的0.1-4重量％的含氮原子有机酸；作为蚀刻添加剂的0.01-5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸、和0.01-5重量％的磷酸盐化合物；作为双氧水稳定剂的0.01-5重量％的烷基胺；作为用于将pH调节为4以上的pH调节剂的、0.1-3重量％的碱性溶液；以及使组合物的总重量成为100重量％的水。

此外，除了上述成分以外，所述蚀刻液组合物还可包含常见的添加剂。

本发明的效果

根据本发明的蚀刻液组合物，通过防止氧化物半导体在湿式蚀刻含铜/钼膜的工艺中被蚀刻，使可在蚀刻工艺中发生的不良最小化。此外，由于不需要以往为了确保氧化物半导体的稳定电气特性而应用的绝缘性保护层(蚀刻终止层)工艺，能够降低氧化物半导体TFT制造时的成本。

附图说明

图1是使用本发明实施例1的蚀刻液组合物来蚀刻含铜/钼膜的情况下，为了确认暴露的氧化物半导体(InGaZnO)的厚度变化而观察样品的侧面的扫描电子显微镜照片。

图2是示出分别使用本发明实施例1的蚀刻液组合物和比较例5的蚀刻液组合物来蚀刻氧化物半导体(InGaZnO)单膜的结果的、观察了样品的平面的扫描电子显微镜照片。

具体实施方式

本发明可进行多种变更并可具有多种实施例，在附图中例示特定实施例并在详细说明中进行详细说明。但是，这并不旨在将本发明限定在特定的实施方式，而应当理解为包括包含在本发明的思想和技术范围中的所有变更、等同物以及替代物。在说明本发明时，当判断为对相关公知技术的具体说明会使本发明的要旨不清楚时，将省略对其的详细说明。

以下，对根据本发明实施例的含铜/钼膜的蚀刻液组合物进行更详细的说明。

本发明的蚀刻液组合物可同时蚀刻含铜/钼膜。其中，“含铜/钼膜”是指铜膜和钼膜，或者铜膜和钼合金膜，钼合金是钼与各种金属的合金，优选为与钛、钽、铬、钕、镍、铟或锡的合金，最优选为与钛的合金。

根据本发明的蚀刻液组合物可包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂、pH调节剂以及使整个组合物的总重量成为100重量％的水。所述蚀刻液组合物不包含氟类化合物且pH为4以上，并且为了有效地抑制铜的蚀刻速度，可与有机酸一起包含磷酸或磷酸盐作为蚀刻添加剂，并且为了高pH下的过氧化氢类蚀刻组合物的稳定性，可将烷基胺作为双氧水稳定剂包含。

根据本发明的优选实施例，所述蚀刻液组合物以组合物的总重量计，包含：18-25重量％的过氧化氢；0.1-5重量％的蚀刻抑制剂；0.1-4重量％的螯合剂；作为蚀刻添加剂的0.01-5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸、和0.01-5重量％的磷酸盐化合物；0.01-5重量％的的双氧水稳定剂；0.1-3重量％的pH调节剂；以及使组合物的总重量成为100重量％的水。更优选地，所述蚀刻抑制剂是芳环化合物，所述螯合剂是在化学结构内含有一个以上的氮原子的有机酸，所述双氧水稳定剂是烷基胺。

以下，对根据本发明一实施例的含铜/钼膜的蚀刻液组合物的各组成成分进行更详细的说明。

a)过氧化氢

在根据本发明的蚀刻液组合物中，过氧化氢用作铜和钼、或者铜和钼合金的主要氧化剂。以组合物的总重量计，过氧化氢可被包含18-25重量％。当所包含的过氧化氢不足18重量％时，铜和钼合金的氧化力不充分，可能无法实现蚀刻；当所包含的过氧化氢超过25重量％时，蚀刻速度过快，存在难以控制工艺的问题。根据本发明的蚀刻液组合物能够实现适当的蚀刻速度，从而能够防止蚀刻残留物和蚀刻不良，减少临界尺寸损失(CD loss)，容易调整工艺。

b)蚀刻抑制剂

在根据本发明的蚀刻液组合物中，蚀刻抑制剂调整铜和钼、或者铜和钼合金的蚀刻速度来减小图案的临界尺寸损失(CD loss)，提高工艺裕量，实现具有适当锥度角(taperangle)的蚀刻剖面。

具体而言，所述蚀刻抑制剂是在分子内包含从氧、硫和氮中选择的一种以上的杂原子的单环式杂环化合物，或者具有上述单环式的杂环和苯环的缩合结构的杂环化合物。所述单环式的杂环化合物可以是具有碳原子数为1至10的单环式结构的杂环芳香族化合物或者杂环脂肪族化合物，具体的例子可以举出呋喃(furan)、噻吩(thiophene)、吡咯(pyrrole)、恶唑(oxazole)、咪唑(imidazole)、吡唑(pyrazole)、三唑(triazole)、四唑(tetrazole)、5-氨基四唑(5-aminotetrazole)或甲基四氮唑(methyltetrazole)等杂环芳香族化合物；以及哌嗪(piperazine)、甲基哌嗪(methylpiperazine)、羟乙基哌嗪(hydroxyethylpiperazine)、吡咯烷(pyrrolidine)或四氧嘧啶(alloxan)等杂环脂肪族化合物，但不限于这些。此外，所述具有分子内包含从氧、硫和氮中选择的一种以上的杂原子的单环式杂环和苯的缩合结构的杂环化合物，可以举出苯并呋喃(benzofurane)、苯并噻吩(benzothiophene)、吲哚(indole)、苯并咪唑(benzimidazole)、苯并吡唑(benzpyrazole)、甲基苯并三唑(tolutriazole)、氢甲基苯并三唑(hydrotolutriazole)或羟甲基苯并三唑(hydroxytolutriazole)等，但并不限于这些。可单独使用上述化合物中的一种或混合使用两种以上。

以蚀刻液组合物的总重量计，所述蚀刻抑制剂可被包含0.1-5重量％，优选为0.1-1重量％。当所包含的蚀刻抑制剂不足0.1重量％时，难以调整蚀刻速度，能够调整锥度角的能力降低，并且由于工艺裕量小，存在量产性降低的问题；当所包含的蚀刻抑制剂超过5重量％时，蚀刻速度减小，从而存在效率低的问题。

c)螯合剂

在本发明的蚀刻液组合物中，螯合剂与蚀刻进行期间产生的铜离子、钼或其合金离子等的金属离子形成螯合物来使其钝化，从而防止由这些金属离子引起的副反应的发生，其结果，在重复进行的蚀刻工艺中也能维持蚀刻特性。尤其是，对于铜层而言，当蚀刻液组合物中残留有大量的铜离子时，存在形成钝化膜而被氧化，从而不被蚀刻的问题，但是在加入螯合剂时，能够防止铜离子的钝化膜的形成。此外，螯合剂防止过氧化氢自身的分解反应，从而能够增加蚀刻液的稳定性。因此，若在蚀刻液组合物中不添加螯合剂，则在蚀刻进行期间被氧化的金属离子被活化，从而蚀刻液的蚀刻特性容易改变，并且过氧化氢的分解反应被促进，可能发生发热或爆炸。

所述螯合剂是含氮原子有机酸，可以是在分子内与氨基一起包含羧酸基或膦酸基的化合物。具体的例子可以举出亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、氨三乙酸(nitrilotriacetic acid)、乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylenetrinitrilacetic acid)、氨基三亚甲基膦酸(aminotris(methylenephosphonic acid))、1-羟基亚乙基-1,1-二磷酸((1-hydroxyethane-1,1-diyl)bis(phosphonic acid))、乙二胺四亚甲基磷酸(ethylenediamine tetra(methylenephosphonic acid))、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸(diethylenetriamine penta(methylenephosphonic acid))、丙氨酸(alanine)、谷氨酸(glutamic acid)、氨基丁酸(aminobutyricacid)或者甘氨酸(glycin)等，可单独使用这些中的一种或者使用两种以上的混合物。

以蚀刻液组合物的总重量计，所述螯合剂可被包含0.1-4重量％，优选为0.1-2重量％。当所包含的螯合剂不足0.1重量％时，可钝化的金属离子量过少，控制过氧化氢分解反应的能力降低；当所包含的螯合剂超过4重量％时，由于形成额外的螯合剂，不能期待使金属钝化的作用，从而存在效率低的问题。

d)蚀刻添加剂

在根据本发明的蚀刻液组合物中，蚀刻添加剂起到对铜和钼、或者铜和钼合金的辅助氧化剂的作用，可调整蚀刻速度，改善锥度剖面。作为所述蚀刻添加剂，可使用无机酸、有机酸、磷酸或它们的盐，可单独使用这些中的一种或者使用两种以上的混合物。

具体而言，所述无机酸可以是硫酸、硝酸、磷酸、盐酸或氢氟酸等，所述有机酸是具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸，可以是醋酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、羟基醋酸、戊二酸、甘氨酸或琥珀酸等。此外，所述盐表示上面提及的无机酸或有机酸的盐。

以蚀刻液组合物的总重量计，所述蚀刻添加剂可被包含0.02-10重量％，并且在另一方式中可被包含0.02-5重量％。当所包含的蚀刻添加剂不足0.02重量％时，根据蚀刻添加剂使用的锥度剖面改善效果微乎其微；当所包含的蚀刻添加剂超过10重量％时，由于过量的蚀刻添加剂，蚀刻特性反而可能降低，因此是不可取的。

在本发明的优选方式中，为了有效地控制铜的蚀刻速度，所述蚀刻添加剂可包含0.01-5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸，包含0.01-5重量％的磷酸或磷酸盐，磷酸盐的例子有磷酸一铵、磷酸二铵、磷酸三铵、磷酸氢钠、磷酸氢二钠、磷酸钠、磷酸氢钾、磷酸氢二钾、磷酸钾等。

e)双氧水稳定剂

在根据本发明的蚀刻液组合物中，双氧水稳定剂起到在重复进行蚀刻工艺而蚀刻液内的金属离子含量高的情况下控制过氧化氢分解反应的作用。具体而言，作为所述双氧水稳定剂，可以使用甘醇类、胺类或它们的混合物等。优选地，所述双氧水稳定剂可以是烷基胺化合物。例如，丁胺、戊胺、辛胺、2-乙基-丁胺、2-己胺、2-乙基己胺、庚胺、己胺或环己胺等化合物。

当蚀刻液组合物中包含所述双氧水稳定剂时，以组合物的总重量计，所述双氧水稳定剂可被包含0.01-5重量％，优选为0.1-5重量％，更优选为0.5-3重量％。当所包含的双氧水稳定剂不足0.01重量％时，对过氧化氢分解反应的控制效果微乎其微；当所包含的双氧水稳定剂超过5重量％时，有可能降低蚀刻能力。

f)pH调节剂

在根据本发明的蚀刻液组合物中，pH调节剂可将所述蚀刻液组合物的pH调节成4至6。当所述蚀刻液组合物的pH不足4时，存在氧化物半导体被蚀刻的问题。此外，当所述蚀刻液组合物的pH超过6时，铜和钼、或者铜和钼合金可能不被蚀刻。

其中，所述pH调节剂可以是无机碱。具体而言，可包含碳酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾和氨中的一种以上。优选地，以组合物的总重量计，所述pH调节剂被包含0.1-3重量％。当所述pH调节剂的重量不足0.1重量％时，包含在所述蚀刻液组合物中的过氧化氢的蚀刻作用活性可能不充分。此外，当所述pH调节剂的重量超过3重量％时，有可能所述蚀刻液组合物的pH急剧增加，降低过氧化氢的活性，从而降低铜和钼合金的蚀刻速度和蚀刻均匀性。

g)水

对于包含在所述蚀刻液组合物中的水，并没有特别的限定，但是优选使用去离子水。具体而言，更优选使用水中的离子被去除的程度的、电阻率为18MΩ/㎝以上的去离子水。所述水可以以使蚀刻液组合物的总重量成为100重量％的量被包含。

h)其它添加剂

为了提高蚀刻性能，本发明的含铜/钼膜的蚀刻液组合物还可包含通常在蚀刻液组合物中使用的任意添加剂。作为所述添加剂，可以举出氧化物半导体保护剂、蚀刻稳定剂、表面活性剂等。可单独使用这些中的一种或混合使用两种以上。

具有如上所述的组成的根据本发明的蚀刻液组合物，其在蚀刻被用作液晶显示装置或有机电致发光显示装置等的电极的含铜/钼膜时，使下部膜的蚀刻最小化，从而能够防止元件的不良。具体而言，所述下部膜可以是氧化物半导体。此外，本发明的蚀刻液组合物通过不蚀刻由氧化物半导体构成的半导体层，能够省略绝缘性保护层的制造工艺，所述绝缘性保护层用于保护半导体层免受用于蚀刻源电极和漏电极的蚀刻液组合物的影响，因此能够简化显示装置的工艺。进一步，在蚀刻含铜/钼膜时，能够改善锥度角、临界尺寸损失和蚀刻平直度等蚀刻特性。由此，所述蚀刻液组合物可在将含铜/钼膜用作构成液晶显示装置的TFT(Thin Film Transistor)的栅极、源电极或漏电极用金属布线材料的情况下有效地用作用于形成金属布线图案的蚀刻液组合物。

可根据通常的方法来实施利用上述蚀刻液组合物的含铜/钼膜的蚀刻方法。具体而言，可通过包含如下步骤的含铜/钼膜的蚀刻方法来实施上述蚀刻方法：在基板上沉积含铜/钼膜；在所述铜/钼膜上形成光刻胶膜后进行图案化；以及使用上述蚀刻液组合物来对形成有图案化的光刻胶膜的含铜/钼膜进行蚀刻，此时对于在所述基板上形成的含铜/钼膜的层叠顺序并没有特别的限定。

此外，所述蚀刻方法可包含：在基板与含铜/钼膜之间，即在基板与铜膜之间或者基板与含钼膜之间形成半导体结构物的步骤。所述半导体结构物可以是液晶显示装置、等离子体显示面板等显示装置用半导体结构物。具体而言，所述半导体结构物可包含从电介质膜、导电膜以及非晶或多晶等硅膜中选择的一层以上的膜，并且这些半导体结构物可根据通常的方法来制造。

以下，对本发明的实施例进行详细说明，以便本发明所属技术领域的技术人员容易实施。但是，本发明可以以各种不同的形式实现，不限于这里说明的实施例。

<实施例1-15和比较例1-5>

以下面表1中记载的成分含量混合各成分来制备了实施例1-15和比较例1-5的组合物。

【表1】

所述表1中ATZ：5-氨基四唑(5-aminotetrazole)、IDA：亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、MA：丙二酸(malonic acid)、GA：羟基醋酸(glycolic acid)、CA：柠檬酸(Citric acid)、GuA：戊二酸(Glutaric acid)、TA：酒石酸(Tartaric acid)、AP：磷酸铵、SP：磷酸钠、KP：磷酸钾、BA：丁胺(butylamine)、PA：戊胺(pentylamine)、OA：辛胺(octylamine)、EBA：2-乙基-丁胺(2-ethyl-1-butanamine)、HxA：2-己胺(2-hexanamine)、EHA：2-乙基己胺(2-ethyl hexylamine)、HpA：庚胺(Heptylamine)、HA：己胺(hexylamine)、CHA：环己胺(Cyclohexylamine)、GC:甘氨酸(Glycine)和NH：氢氧化钠(Sodium hydroxide)各成分的含量单位是重量份。

<蚀刻性能测试>

为了评价根据本发明的蚀刻液的效果，在玻璃基板上以的厚度沉积氧化物半导体(InGaZnO)，然后沉积厚度的铜和钼合金膜，之后进行光刻工艺来形成图案，制备了样品。

此外，为了评价氧化物半导体(InGaZnO)蚀刻，在以的厚度沉积之后，进行光刻工艺来形成图案，制备了样品。

在可进行喷射的设备(Mini-etcher ME-001)中利用实施例1-15的蚀刻液组合物和比较例1-5的蚀刻液组合物进行了蚀刻。利用扫描电子显微镜(日立公司制造，S-4800)观察了蚀刻后的铜和钼合金膜的蚀刻特性和氧化物半导体(InGaZnO)蚀刻。为了确认蚀刻特性，进行了30％Over Etch蚀刻，并且为了确认氧化物半导体(InGaZnO)基板蚀刻，蚀刻进行了300秒。

为了评价稳定性，在各组合物蚀刻液中溶解了5000ppm的铜粉末之后，在32度中维持了24小时，并测量了温度变化。

在下表2中示出了其实验结果。

【表2】

从表2中可以看出，根据本发明的实施例1-27的组合物中包含适量的蚀刻添加剂、双氧水稳定剂的组合物在pH 4下适合于量产的蚀刻速度和蚀刻偏差、温度稳定性等优异，同时对氧化物半导体(InGaZnO)的蚀刻大大减少或者被抑制到观察不到的水平。

图1是使用根据实施例1的蚀刻液组合物来蚀刻铜和钼合金膜的情况下，为了确认暴露的氧化物半导体(InGaZnO)的厚度变化而观察样品的侧面的扫描电子显微镜照片。可以确认，在使用根据本发明的蚀刻液组合物时，铜和钼合金膜被完全去除，氧化物半导体几乎没被蚀刻。

图2是示出了使用根据实施例1和比较例5的蚀刻液组合物来测试氧化物半导体(InGaZnO)基板的蚀刻性能的结果的、观察了样品的平面的扫描电子显微镜照片。可以确认，根据实施例1的蚀刻液组合物对氧化物半导体没有损伤，但是根据比较例5的组合物对氧化物半导体进行了蚀刻。

从如上所述的实验结果可以确认，根据本发明的蚀刻液组合物在蚀刻含铜/钼膜时使作为下部膜的氧化物半导体的蚀刻最小化，从而能够使所述氧化物半导体的不良最小化。

以上，详细记述了本发明内容的特定部分，但是对于本领域技术人员而言，这样的具体技术仅仅是优选实施方式，本发明的范围不被这些所限定是显而易见的。因此，本发明的实质范围由随附的权利要求及它们的等同物所限定。

Claims

1.一种含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，包含过氧化氢、蚀刻抑制剂、螯合剂、蚀刻添加剂、双氧水稳定剂和pH调节剂，

所述蚀刻添加剂，以组合物的总重量计，包含0.01-5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸、以及0.01-5重量％的磷酸或磷酸盐，

所述双氧水稳定剂以组合物的总重量计为0.01-5重量％，

所述蚀刻液组合物的pH为4至6。

2.根据权利要求1所述的含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

以组合物的总重量计，所述蚀刻液组合物包含：

18-25重量％的过氧化氢；

0.1-5重量％的蚀刻抑制剂；

0.1-4重量％的螯合剂；

包含0.01-5重量％的具有一个以上的羧基的不含氮原子有机酸、和0.01-5重量％的磷酸盐的蚀刻添加剂；

0.01-5重量％的的双氧水稳定剂；

0.1-3重量％的pH调节剂；以及

使组合物的总重量成为100重量％的水。

3.根据权利要求1所述的含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述蚀刻抑制剂是包含从氧、硫和氮中选择的一个以上的杂原子的、碳原子数为1至10的杂环化合物。

4.根据权利要求1所述的含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述螯合剂是同时具有氨基和羧基的化合物。

5.根据权利要求1所述的含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述双氧水稳定剂是烷基胺。

6.根据权利要求1所述的含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述pH调节剂包含碳酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾和氨中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的含铜和钼膜的蚀刻液组合物，其特征在于，

所述有机酸选自由醋酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、葡萄糖酸、羟基醋酸、戊二酸、甘氨酸和琥珀酸；它们的盐；以及它们的混合物组成的组。