CN107447217A - 金属膜蚀刻液组合物 - Google Patents

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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

本发明提供一种金属膜蚀刻液组合物，其包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、有机酸、有机酸盐、甲基四唑、脂肪族烷基磺酸和水。该金属膜蚀刻液组合物具有处理张数优异的效果，能够延长蚀刻液组合物的使用周期，并且不包含作为环境管理物质的苯酚类而环保。

Description

金属膜蚀刻液组合物
技术领域
本发明涉及金属膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法，更详细而言，涉及包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、有机酸、有机酸盐、甲基四唑、脂肪族烷基磺酸和水的金属膜蚀刻液组合物及利用该金属膜蚀刻液组合物的显示装置制造方法。
背景技术
作为驱动半导体装置和平板显示装置的电路，代表性的是薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)。TFT-LCD的制造过程包括如下工序：在通常的基板上形成作为栅电极和源电极/漏电极用配线材料的金属膜，在该金属膜的选择性区域形成光致抗蚀剂后，将该光致抗蚀剂用作掩模而对上述金属膜进行蚀刻。
以往，作为栅电极和源电极/漏电极用配线材料，使用铝或其合金与其他金属层叠而成的金属膜。铝的价格低廉且电阻低，但耐化学性差，在后续工序中会诱发如下液晶面板的运行不良：因突起(hillock)之类的不良而与其他导电层引起短路(short)现象，或与氧化物层接触而形成绝缘层等。
考虑到这些方面，提出了铜膜和钛膜的双层金属膜作为栅电极和源电极/漏电极用配线材料。
然而，为了蚀刻铜膜和钛膜的双层金属膜，存在不得不使用彼此不同的两种蚀刻液来蚀刻各金属膜的缺点。特别是，为了蚀刻包含铜的铜膜，主要使用过氧化氢系或过硫酸氢钾(OXONE)系蚀刻液。
韩国公开专利第10-2010-0040352号公开了一种包含过氧化氢、磷酸、磷酸盐、螯合剂、环状胺化合物的过氧化氢系蚀刻液。但是，这样的过氧化氢系蚀刻液存在如下缺点：引发不均匀化反应而使组合物本身发生分解或因经时带来的急剧的组成变化而导致不稳定，此外，过硫酸氢钾系蚀刻液存在蚀刻速度慢且经时不稳定的缺点。
此外，以往存在随着被蚀刻液处理的膜的数量增多蚀刻图案的倾斜角发生变化的问题，还存在无法延长蚀刻液的使用周期的问题。
现有技术文献
专利文献
韩国公开专利：第10-2010-0040352号
发明内容
所要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种经时稳定性高、不改变蚀刻轮廓且可提高处理张数的金属膜蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的在于，提供不包含作为环境管理物质的苯酚类的环保的金属膜蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的在于，提供使用上述金属膜蚀刻液组合物的显示装置的制造方法。
解决课题的方法
为了达成上述目的，
本发明提供包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、有机酸、有机酸盐、甲基四唑、脂肪族烷基磺酸和水的金属膜蚀刻液组合物。
此外，本发明提供包括利用上述蚀刻液组合物将金属膜蚀刻的工序的显示装置的制造方法。
此外，本发明提供由上述显示装置的制造方法制造的显示装置。
发明效果
本发明的金属膜蚀刻液组合物因不包含环境管理物质而环保。
此外，本发明的金属膜蚀刻液组合物具有处理张数优异的效果，因而能够延长蚀刻液组合物的使用周期。
此外，本发明的金属膜蚀刻液组合物能够有效地用于显示装置的制造。
具体实施方式
以下，更详细说明本发明。
本发明涉及包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、有机酸、有机酸盐、甲基四唑、脂肪族烷基磺酸和水的金属膜蚀刻液组合物。
以往的金属膜蚀刻液组合物、更详细而言包含钛膜和铜膜的多层膜蚀刻液组合物包含环状胺化合物和环状磺酸。
然而，随着上述以往的蚀刻液组合物中的铜离子增多，用作铜的抗氧化剂的环状胺化合物的分解加速，会出现随处理张数变化的锥角(taper angle)变大、蚀刻形状发生变形的现象。
因此，产生如下问题：需要经常更换蚀刻液组合物，发生因此带来的经济损失，制品的成本上升。
此外，上述环状磺酸包含作为环境管理物质的苯酚类，因此存在不环保的问题。
因此，本发明中为了解决如上所述的问题，想要提供一种经时稳定性优异、环保、蚀刻轮廓在高铜离子浓度下也不变形而处理张数优异的金属膜蚀刻液组合物。
更详细而言，上述金属膜蚀刻液组合物的金属膜是多层膜，上述多层膜是优选包含钛膜和铜膜的多层膜。
上述包含钛膜和铜膜的多层膜是指，层叠有钛膜和铜膜的多层金属膜。具体而言，包括依次层叠有铜膜/钛膜的双层金属膜、依次层叠有钛膜/铜膜的双层金属膜。此外，也包括交替层叠有铜膜和钛膜的三层以上的多层金属膜，比如铜膜/钛膜/铜膜的三层金属膜、钛膜/铜膜/钛膜的三层金属膜、铜膜/钛膜/铜膜/钛膜/铜膜的多层金属膜等。此时，铜膜和钛膜厚度没有特别限制。
此外，本发明中，铜膜可以是仅由铜构成的单铜膜，也可以是由包含铜以及选自由铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、铍(Be)、铪(Hf)、铌(Nb)、钨(W)和钒(V)组成的组中的一种以上的铜合金构成的铜合金膜。
此外，本发明中，钛膜可以是仅由钛构成的单钛膜，也可以是由包含钛以及选自由铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、铍(Be)、铪(Hf)、铌(Nb)、钨(W)和钒(V)组成的组中的一种以上的钛合金构成的钛合金膜。
以下，更详细地说明本发明的蚀刻液组合物的构成成分。
(A)过硫酸盐
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的过硫酸盐是蚀刻金属膜中的铜膜的主氧化剂，是也有助于蚀刻钛膜的成分。
上述过硫酸盐包含选自由过硫酸钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)和过硫酸铵((NH4)2S2O8)组成的组中的一种以上。
此外，相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述过硫酸盐的含量为0.5～20重量％，优选为5～15重量％。
如果上述过硫酸盐的含量低于0.5重量％，则蚀刻率减小而无法实现充分的蚀刻，如果超过20重量％，则蚀刻率过快而不易控制蚀刻程度，因此金属膜可能会被过蚀刻(overetching)。
(B)氟化合物
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的氟化合物尤其蚀刻金属膜中的钛膜，且发挥将因上述蚀刻而可能产生的残渣去除的作用。
上述氟化合物包含选自由氟化铵(ammonium fluoride)、氟化钠(sodiumfluoride)、氟化钾(potassium fluoride)、氟化氢铵(ammonium bifluoride)、氟化氢钠(sodium bifluoride)和氟化氢钾(potassium bifluoride)组成的组中的一种以上。
此外，相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述氟化合物的含量为0.01～2重量％，优选为0.1～1重量％。
如果上述氟化合物的含量低于0.01重量％，则钛膜蚀刻困难，如果超过2重量％，则可能会产生钛膜蚀刻所带来的残渣，并且不仅是钛膜，层叠有钛膜的玻璃基板也会被蚀刻。
(C)无机酸
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的无机酸发挥金属膜的助氧化剂的作用，即，可根据上述无机酸的含量来控制蚀刻速度。
此外，由于可与蚀刻液组合物中的铜离子反应，因而发挥阻止铜离子的增加而防止蚀刻率降低的作用。
上述无机酸包含选自由硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸组成的组中的一种以上。
相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述无机酸的含量为0.1～10重量％，优选为1～5重量％。
如果上述无机酸的含量低于0.1重量％，则蚀刻率降低而无法确保充分的蚀刻速度，如果含量超过10重量％，则会使金属膜蚀刻时所使用的感光膜产生裂纹(crack)，或使感光膜剥离。如果上述感光膜产生裂纹或剥离，则会产生位于感光膜下部的金属膜被过度蚀刻的问题。
(D)有机酸及有机酸盐
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的有机酸发挥随着在蚀刻液组合物中的含量增加而提高蚀刻速度的作用。
此外，本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的有机酸盐发挥随着在蚀刻液组合物中的含量增加而降低蚀刻速度的作用。特别是，上述有机酸盐起到螯合剂的作用，通过与铜离子形成络合物从而能够调节铜膜的蚀刻速度。
因此，通过适当调节上述有机酸和有机酸盐的含量，从而能够调节蚀刻速度。
上述有机酸包含选自由抗坏血酸(Ascorbic Acid)、乙酸(acetic acid)、丁酸(butanoic acid)、柠檬酸(citric acid)、甲酸(formic acid)、葡糖酸(gluconic acid)、乙醇酸(glycolic acid)、丙二酸(malonic acid)、草酸(oxalic acid)、戊酸(pentanoicacid)、磺基苯甲酸(sulfobenzoic acid)、磺基琥珀酸(sulfosuccinic acid)、磺基邻苯二甲酸(sulfophthalic acid)、水杨酸(salicylic acid)、苯甲酸(benzoic acid)、乳酸(lactic acid)、甘油酸(glyceric acid)、琥珀酸(succinic acid)、苹果酸(malic acid)、酒石酸(tartaric acid)、异柠檬酸(isocitric acid)、丙烯酸(propenoic acid)和亚氨基二乙酸(imminodiacetic acid)组成的组中的一种以上。
此外，上述有机酸盐包含选自由有机酸的钾盐、钠盐和铵盐组成的组中的一种以上，所述有机酸是选自由上述有机酸组成的组中的一种以上。
相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述有机酸的含量为0.1～20重量％，优选为1～15重量％。
如果上述有机酸的含量低于0.1重量％，则蚀刻速度降低，铜膜的锥角变小。如果上述有机酸的含量超过20重量％，则产生蚀刻速度变得过快，大于所需锥角的问题。
此外，相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述有机酸盐的含量为0.1～10重量％，优选为0.5～5重量％。
如果上述有机酸盐的含量低于0.1重量％，则不易调节铜的蚀刻速度，可能发生过蚀刻，如果含量超过10重量％，则铜的蚀刻速度降低，蚀刻时间增多，工序时间变长，因而会产生处理张数减少的问题。
(E)甲基四唑
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的甲基四唑(methyl tetrazole)发挥防腐蚀剂的作用，能够使蚀刻轮廓在高铜离子浓度下也不变形，因而能够表现出高处理张数。因而，能够延长蚀刻液组合物的使用时间。
相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述甲基四唑的含量为0.1～5重量％，优选为0.3～3重量％。
如果上述甲基四唑的含量低于0.1重量％，则金属膜中铜膜的蚀刻率变高，存在过蚀刻的危险，如果含量超过5重量％，则金属膜中铜膜的蚀刻率变低，可能无法进行期望程度的蚀刻。
(F)脂肪族烷基磺酸
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的脂肪族烷基磺酸发挥助氧化剂的作用，由于能够将蚀刻液组合物中金属离子螯合，因此防止副反应而经时变化稳定。此外，上述脂肪族烷基磺酸不包含芳香族基团，化学反应后不产生苯酚类反应物，因而环保。
上述脂肪族烷基磺酸可以使环状烷基磺酸或链状烷基磺酸，上述链状烷基磺酸可包含选自由甲基磺酸、乙基磺酸和丙基磺酸组成的组中的一种以上。
相对于本发明的蚀刻液组合物总重量，上述脂肪族烷基磺酸的含量为0.1～6重量％，优选为1～5重量％。
如果上述脂肪族烷基磺酸的含量低于0.1重量％，则蚀刻速度变慢，无法将蚀刻液组合物中的金属离子螯合，蚀刻液组合物的经时稳定性可能降低。此外，如果上述脂肪族烷基磺酸超过6重量％，则蚀刻速度变得过快，可能会发生对于金属的损伤而引发配线的断线或短路。
(G)水
本发明的金属膜蚀刻液组合物中所包含的水以蚀刻液组合物总重量成为100重量％的方式包含。上述水没有特别限制，但优选利用去离子水。
此外，本发明的金属膜蚀刻液组合物可进一步包含选自由多价螯合剂和防腐蚀剂组成的组中的一种以上。此外，上述添加剂并不限于此，为了使本发明的效果更加良好，还可选择添加本领域公知的各种其他添加剂。
本发明的金属膜蚀刻液组合物的成分能够根据通常已知的方法来制造，优选以半导体工序用的纯度来使用。
上述本发明的金属膜蚀刻液组合物可根据本领域通常已知的蚀刻方法来使用。比如，可使用利用浸渍、喷雾、或浸渍和喷雾的方法等，该情况下，作为蚀刻条件，温度大概为30～80℃，优选为50～70℃，浸渍、喷雾、或浸渍和喷雾时间大概为30秒～10分钟，优选为1分钟～5分钟。但是，这样的条件并不会被严格地遵守，本领域的技术人员可选择更加容易或合适的条件。
此外，本发明涉及包括利用上述本发明的蚀刻液组合物来蚀刻金属膜的工序的显示装置制造方法。
上述金属膜优选为多层膜，上述多层膜优选为包含钛膜和铜膜的多层膜。
上述包含钛膜和铜膜的多层膜是指，层叠有钛膜和铜膜的多层金属膜。具体而言，包括依次层叠有铜膜/钛膜的双层金属膜，依次层叠有钛膜/铜膜的双层金属膜。此外，也包括交替层叠有铜膜和钛膜的三层以上的多层金属膜，比如铜膜/钛膜/铜膜的三层金属膜、钛膜/铜膜/钛膜的三层金属膜、铜膜/钛膜/铜膜/钛膜/铜膜的多层金属膜等。此时，铜膜和钛膜的厚度没有特别限制。
此外，本发明中，铜膜可以是仅由铜构成的单铜膜，也可以是由包含铜以及选自由铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、铍(Be)、铪(Hf)、铌(Nb)、钨(W)和钒(V)组成的组中的一种以上的铜合金构成的铜合金膜。
此外，本发明中，钛膜可以是仅由钛构成的单钛膜，也可以是由包含钛以及选自由铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、铍(Be)、铪(Hf)、铌(Nb)、钨(W)和钒(V)组成的组中的一种以上的钛合金构成的钛合金膜。
此外，上述显示装置可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
此外，本发明涉及由上述制造方法制造的显示装置。
以下，通过实施例来更详细地说明本发明。然而，下述实施例仅用于更具体地说明本发明，本发明的范围并不受下述实施例的限制。下述实施例可在本发明的范围内由本领域的技术人员来适当地修改、变更。
<金属膜蚀刻液组合物制造>
实施例1～11及比较例1～6
根据下述表1的组成，制造实施例1～11和比较例1～6的金属膜蚀刻液组合物。
[表1]
(单位：重量％)
APS：过硫酸铵(Ammonium persulfate)
AF：氟化铵(Ammonium fluoride)
MTZ：甲基四唑(Methyltetrazole)
TZ：四唑(Tetrazole)
ATZ：5-氨基四唑(5-Aminotetrazole)
ETZ：乙基四唑(Ethyltetrazole)
MSA：甲磺酸(Methane sulfonic acid)
PSA：丙磺酸(Propyl sulfonic acid)
pTSA：对甲苯磺酸(para toluene sulfonic acid)
BSA：苯磺酸(benzene sulfonic acid)
A.A：乙酸铵(Ammonium acetate)
AcOH：乙酸(Acetic acid)
实验例1.金属膜蚀刻液组合物的苯酚产生及处理张数评价
使用栅极基板来测定金属膜蚀刻液组合物的物性。
为了进行蚀刻，使用能够处理0.5代玻璃尺寸(glass size)的设备Etcher(AST公司)，将上述实施例1～11及比较例1～6的蚀刻液组合物维持在25℃后，将蚀刻液组合物以喷雾式喷射至上述栅极基板上。喷雾压力为0.1Mpa，蚀刻区(etcher zone)中的排气压力维持在20Pa。
以每小时1000ppm添加铜粉而评价处理张数，关于蚀刻时间，以2倍于铜被蚀刻时的时间进行过蚀刻。
此外，测定上述实施例1～11及比较例1～6的蚀刻液组合物的苯酚类产生。
将上述处理张数评价及苯酚类产生结构示于下述表2中。
[表2]
区分 苯酚类产生有/无 处理张数(ppm)
实施例1 无 3500
实施例2 无 5000
实施例3 无 3500
实施例4 无 3000
实施例5 无 3000
实施例6 无 3500
实施例7 无 4000
实施例8 无 3000
实施例9 无 4500
实施例10 无 4000
实施例11 无 4000
比较例1 有 5000
比较例2 有 4000
比较例3 无 1500
比较例4 无 2500
比较例5 无 1500
比较例6 有 4500
从上述表2的结果可确认到，未使用芳香族磺酸的实施例1～11的蚀刻液组合物没有产生苯酚类。
此外，通过使用甲基四唑作为防腐蚀剂，从而得到优异的处理张数结果。
另一方面，比较例1、2和6的蚀刻液组合物虽然使用甲基四唑而处理张数优异，但是因使用芳香族磺酸而检测到作为环境管理物质的苯酚类。
比较例3～5的蚀刻液组合物因脂肪族烷基磺酸而未检测出苯酚类，但是由于没有使用甲基四唑，因此得到处理张数不良的结果。
关于处理张数，3000ppm以上的蚀刻液组合物目前已在大量生产工序中使用，只有达到5000ppm以上才认为蚀刻液组合物具有产品竞争力，因此上述比较例3～5的蚀刻液组合物作为产品来使用是不佳的。
因此，可知本发明的金属膜蚀刻液组合物不产生作为环境管理物质的苯酚类，表现出优异的处理张数。
实验例2.随处理张数变化的蚀刻液组合物中的防腐蚀剂(四唑)含量测定
在玻璃基板(100mm×100mm)上蒸镀钛合金膜，且在上述膜上蒸镀铜膜后通过光刻(photolithography)工序在基板上形成具有预定图案的光致抗蚀剂，然后分别使用实施例2及比较例3～5的组合物实施蚀刻工序。喷射式蚀刻方式的实验设备使用0.5代Etcher(AST公司)，蚀刻工序时，蚀刻液组合物的温度设为约26℃左右，蚀刻时间以100～120秒来进行。恰当温度也可视需要根据其他工序条件和其他要素进行改变。
蚀刻后，测定随处理张数(Cu浓度)变化的防腐蚀剂含量，将结果示于下述表3中。
[表3]
从上述表3的结果可确认到，作为使用了甲基四唑的本发明的蚀刻液组合物的实施例2即使处理张数增加，甲基四唑的含量也不减少。
另一方面，关于使用其他种类的四唑而非甲基四唑作为防腐蚀剂的比较例3～5的蚀刻液组合物，确认到随着处理张数增加，四唑的分解速度加快而含量减少。
即，如果使用甲基四唑以外的四唑化合物作为防腐蚀剂，则存在随着处理张数增加，四唑的分解速度加快，随处理张数变化的锥角变高，蚀刻形状发生变形，需要经常更换蚀刻液组合物的问题。
然而，如果使用甲基四唑作为防腐蚀剂，则即使处理张数增加，也不发生分解，能够维持蚀刻形状，从而能够延长蚀刻液组合物的更换时间。
实验例3.金属膜蚀刻液组合物的蚀刻性能评价
在玻璃基板(100mm×100mm)上蒸镀钛合金膜，且在上述膜上蒸镀铜膜后通过光刻(photolithography)工序在基板上形成预定图案的光致抗蚀剂，然后分别使用实施例1～11及比较例1～6的组合物实施蚀刻工序。喷射式蚀刻方式的实验设备使用0.5代Etcher(AST公司)，蚀刻工序时，蚀刻液组合物的温度设为约26℃左右，蚀刻时间以100～120秒来进行。恰当温度也可视需要根据其他工序条件和其他要素进行改变。
蚀刻后，测定随处理张数(Cu浓度)变化的锥角(°)变化量，将结果示于下述表4中。
予以说明的是，锥角是指Cu斜面的倾斜度。如果锥角过大，则后续进行膜蒸镀时，会发生台阶覆盖(Step Coverage)不良所带来的裂纹现象，因此维持适合的锥角是重要的。通常，优选形成30～60°的锥角，如果锥角变化量增加至16°以上，则不良率会显著增加，从而会将所使用的蚀刻液组合物更换成新的蚀刻液组合物。
[表4]
上述表4的结果中，作为本发明的蚀刻液组合物的实施例1～11表现出随处理张数变化锥角的变化良好，但比较例1～5的蚀刻液组合物表现出从初期锥角(铜0ppm)开始随着处理张数逐渐增加锥角变化量加大。此外，比较例6的蚀刻液组合物的锥角变化量良好，但是存在因使用环状磺酸(pTSA)而产生无关锥角的苯酚类的问题。

Claims (10)

1.一种金属膜蚀刻液组合物，其包含过硫酸盐、氟化合物、无机酸、有机酸、有机酸盐、甲基四唑、脂肪族烷基磺酸和水。
2.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述过硫酸盐包含选自由过硫酸钾、过硫酸钠和过硫酸铵组成的组中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化合物包含选自由氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾组成的组中的一种以上。
4.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述无机酸包含选自由硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸组成的组中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸包含选自由抗坏血酸、乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸和亚氨基二乙酸组成组中的一种以上。
6.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸盐包含选自由下述有机酸的钾盐、钠盐和铵盐组成的组中的一种以上，所述有机酸是选自由抗坏血酸、乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸和亚氨基二乙酸组成的组中的一种以上。
7.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述脂肪族烷基磺酸是链状或环状的脂肪族烷基磺酸。
8.根据权利要求7所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述链状的脂肪族烷基磺酸包含选自由甲基磺酸、乙基磺酸和丙基磺酸组成的组中的一种以上。
9.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，相对于蚀刻液组合物总重量，包含过硫酸盐0.5～20重量％、氟化合物0.01～2重量％、无机酸0.1～10重量％、有机酸0.1～20重量％、有机酸盐0.1～10重量％、甲基四唑0.1～5重量％和脂肪族烷基磺酸0.1～6重量％，且以使蚀刻液组合物的总重量为100重量％的方式包含余量的水。
10.根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属膜为多层膜，所述多层膜为包含钛膜和铜膜的多层膜。
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