CN111192936A - 一种不合格成品电池片的还原工艺 - Google Patents

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武啟强
陈燕玲
王超
陆祥
钱俊
乐雄英
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Abstract

本发明提供一种不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、去除电池硅片铝背场:配置酸溶液并加热,选取成品电池硅片放入酸溶液中,至电池硅片上的铝粉完全反应脱落后取出,纯水漂洗;S2、去除电池硅片背面铝硅合金层:配置碱溶液并加热,将S1步骤处理后的电池硅片放入碱溶液中进行表面腐蚀,至电池硅片正、背电极反应脱落后取出,用纯水和双氧水漂洗;S3、去除正面SiNx膜与背面钝化膜:配置混合酸溶液并加热,将S2步骤处理后的电池硅片放入混合酸溶液中,至电池硅片正面SiNx膜及背面钝化膜完全反应去除干净后取出;S4、HCL二次清洗;S5、洗净、烘干。本方法针对PERC电池的还原,将电池片还原成原始硅片,节省成本开销、资源浪费。

Description

一种不合格成品电池片的还原工艺
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制造和应用领域,尤其是一种不合格成品电池片的还原工艺。
背景技术
随着工业社会的不断发展,人类对能源的需求量与日俱增,能源短缺已经成为阻碍经济发展与世界和平的关键因素。太阳能因其清洁、储量大,分布广泛等优点备受关注,以太阳能电池为核心的光伏产业直接将太阳能转化成电能,是目前公认的“绿色能源”。
光伏产业发展的核心问题就是如何制作出低成本、高效率的太阳能电池。太阳能光伏电池主要是以半导体材料为基础,其中PERC电池是直接实现光电转换的装置,但是正常生产作业中,成品合格率始终无法达到100%,会产生降级片,此时如果下传会影响生产效率与良率,此部分不合格产品多以低廉的价格处理掉,致使进一步造成资源的浪费,制作成本的日益增加。
发明内容
鉴于以上现状,本发明提供一种不合格成品电池片的还原工艺,尤其针对PERC电池的还原工艺,通过本发明工艺可以非常简便的回收到PERC电池片正反面的贵金属电极,同时还可以将这些低效、降级、报废的电池片还原成原始硅片,重新开始常规的电池工艺流程制作成合格电池片,极大的节省了成本的开销和资源的浪费。
具体技术方案如下:
一种不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,所述还原工艺包括以下步骤:
S1、去除电池硅片铝背场:配置酸溶液并加热,选取成品电池硅片放入酸溶液中,至电池硅片上的铝粉完全反应脱落后取出,纯水漂洗;
S2、去除电池硅片背面铝硅合金层:配置碱溶液并加热,将S1步骤处理后的电池硅片放入碱溶液中进行表面腐蚀,至电池硅片正、背电极反应脱落后取出,用纯水和双氧水漂洗;
S3、去除正面SiNx膜与背面钝化膜:配置混合酸溶液并加热,将S2步骤处理后的电池硅片放入混合酸溶液中,至电池硅片正面SiNx膜及背面钝化膜完全反应去除干净后取出;
S4、HCL二次清洗:配置酸溶液并加热,将S3步骤处理后的电池硅片放入酸溶液中,反应去除电池片表面的金属离子;
S5、洗净、烘干:将S4步骤处理后的电池硅片放入纯水中,添加双氧水漂洗,干净后取出烘干。
进一步,步骤S1中的酸溶液是纯水与HCL配置成的浓度为20%的HCL溶液,加热至70℃,反应时间为200S。
进一步,步骤S2中的碱溶液是纯水与NaOH配置成的浓度为35%的NaOH溶液,加热至85℃,反应时间为130S。
进一步,步骤S2中的腐蚀量为0.4g。
进一步,步骤S3中的混合酸溶液为水、HF与HCL配置成的混合溶液,其中HF的浓度为8%,HCL的浓度为3%,加热至70℃,反应时间为400S。
进一步,步骤S4中的酸溶液是纯水与HCL配置成的浓度为1%的盐酸溶液,加热至45℃,反应时间为80S。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中进一步给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
与常规电池返工工艺不同,PERC电池在电池的背表面沉积ALO(氧化铝)+SiNx(氮化硅)作为减反射膜,常规电池的清洗还原配方并不能将之清洗干净,究其原因,若是单纯采用传统清洗还原方法,硅片背表面的ALO(氧化铝)膜层并不能完全清洗干净,此时若是重新制绒,会形成复合中心,影响电池性能。
本发明针对以上情况提供一种不合格成品电池片的还原工艺,包括以下步骤:
S1、去除电池硅片铝背场:配置酸溶液并加热,选取成品电池硅片放入酸溶液中,至电池硅片上的铝粉完全反应脱落后取出,纯水漂洗;其中具体为将纯水配入盐酸制成浓度为20%的HCL溶液,将HCL溶液加热至70℃,将电池片放入HCL溶液中反应200S,至电池硅片上的铝粉完全脱落后取出,用纯水将电池片漂洗干净。
S2、去除电池硅片背面铝硅合金层:配置碱溶液并加热,将S1步骤处理后的电池硅片放入碱溶液中进行表面腐蚀,至电池硅片正、背电极反应脱落后取出,用纯水和双氧水漂洗;其中具体为将纯水配入NaOH制成浓度为35%的NaOH溶液,将NaOH溶液加热至85℃,将电池片放入NaOH溶液中反应130S后取出,用纯水加少量双氧水将电池漂洗干净,由于NaOH溶液与Ag不会发生反应,NaOH 溶液能从电极边缘渗透与硅发生有效反应使正、反面电极整体腐蚀脱落,NaOH与硅腐蚀的腐蚀量以0.4g为最佳,NaOH与硅反应的化学反应式为:Si+2NaOH+2H2O====Na2SiO3+2H2 ↑,该过程在去除硅片铝硅合金的同时还方便实现脱落贵金属的再回收。
需要说明的是,由于PERC电池有别于常规电池工艺,PERC电池在背面钝化介质膜局部区域利用激光烧蚀方式局部开膜,使铝浆与硅片物理填充性能达到最优来实现良好的电接触,因此就提升了还原工艺的复杂度。目前所使用激光烧蚀方式,激光烧蚀深度为0.6-0.8um,所以本实施例中化学腐蚀的腐蚀量达到0.4g时,即方便对贵金属电极的收集,又能保证激光烧蚀区域的铝硅合金层被完全去除。
S3、去除正面SiNx膜与背面钝化膜:配置混合酸溶液并加热,将S2步骤处理后的电池硅片放入混合酸溶液中,至电池硅片正面SiNx膜及背面钝化膜完全反应去除干净后取出;其中的混合酸溶液为水、HF与HCL配置成的混合溶液,HF的浓度为8%,HCL的浓度为3%,将混合酸溶液加热至70℃,反应400S,即可将电池硅片正面SiNx膜及背面钝化膜完全反应去除干净。
S4、HCL二次清洗:配置酸溶液并加热,将S3步骤处理后的电池硅片放入酸溶液中,反应去除电池片表面的金属离子;其中的酸溶液是纯水与HCL配置成的浓度为1%的盐酸溶液,将酸溶液加热至45℃,反应时间80S,盐酸中的Cl-有携带金属离子的能力,可以去除电池片表面的金属离子,减少硅片表面金属杂质造成的缺陷达到降低SRH复合的目的。
S5、洗净、烘干:将S4步骤处理后的电池硅片放入纯水中,添加双氧水漂洗,干净后取出烘干。
在本实施例中,浓度为8%氢氟酸溶液可去除成品电池片的 SiNx 膜,氢氟酸和盐酸混合液可去除背面PERC钝化膜,若电池硅片背面未镀氧化铝膜则无需加盐酸,再用盐酸溶液对成品电池片进行二次清洗,去除表面金属离子达到还原硅片回收贵金属目的。本实施例通过一系列化学腐蚀的手段,非常简便的回收到电池正反面的贵金属电极,同时将这些低效、降级、报废的电池片还原成原始硅片,之后再经过制绒——扩散——去PSG——碱抛光——热氧化退火—— PECVD 镀减反射膜——镀钝化膜——在钝化膜表面使用激光开槽——印刷烧结——测试分选等步骤,将还原后的硅片重新加工为合格电池片,极大的节省了成本的开销和资源的浪费。
本领域的技术人员应理解,上述描述的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (6)

1.一种不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、去除电池硅片铝背场:配置酸溶液并加热,选取成品电池硅片放入酸溶液中,至电池硅片上的铝粉完全反应脱落后取出,纯水漂洗;
S2、去除电池硅片背面铝硅合金层:配置碱溶液并加热,将S1步骤处理后的电池硅片放入碱溶液中进行表面腐蚀,至电池硅片正、背电极反应脱落后取出,用纯水和双氧水漂洗;
S3、去除正面SiNx膜与背面钝化膜:配置混合酸溶液并加热,将S2步骤处理后的电池硅片放入混合酸溶液中,至电池硅片正面SiNx膜及背面钝化膜完全反应去除干净后取出,纯水漂洗;
S4、HCL二次清洗:配置酸溶液并加热,将S3步骤处理后的电池硅片放入酸溶液中,反应去除电池片表面的金属离子;
S5、洗净、烘干:将S4步骤处理后的电池硅片放入纯水中,添加双氧水漂洗,干净后取出烘干。
2.根据权利要求1所述的不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,步骤S1中的酸溶液是纯水与HCL配置成的浓度为20%的盐酸溶液,加热至70℃,反应时间为200S。
3.根据权利要求1所述的不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,步骤S2中的碱溶液是纯水与NaOH配置成的浓度为35%的NaOH溶液,加热至85℃,反应时间为130S。
4.根据权利要求3所述的不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,步骤S2中的腐蚀量为0.4g。
5.根据权利要求1所述的不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,步骤S3中的混合酸溶液为水、HF与HCL配置成的混合溶液,其中HF的浓度为8%,HCL的浓度为3%,加热至70℃,反应时间为400S。
6.根据权利要求1所述的不合格成品电池片的还原工艺,其特征在于,步骤S4中的酸溶液是纯水与HCL配置成的浓度为1%的盐酸溶液,加热至45℃,反应时间为80S。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111900232A (zh) * 2020-08-03 2020-11-06 中威新能源(成都)有限公司 一种shj电池生产中不良返工方法
CN112349584A (zh) * 2020-10-26 2021-02-09 英利能源(中国)有限公司 一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法
CN115207161A (zh) * 2022-07-14 2022-10-18 通威太阳能(安徽)有限公司 反洗设备

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009121604A2 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 Universität Stuttgart Photovoltaic solar cell and method of production thereof
CN102629644A (zh) * 2012-04-21 2012-08-08 湖南红太阳光电科技有限公司 一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺
CN103700733A (zh) * 2014-01-16 2014-04-02 常州天合光能有限公司 太阳能电池的n型晶体硅衬底的清洗处理方法
CN106972079A (zh) * 2017-03-03 2017-07-21 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Perc太阳能电池硅片背面的清洗方法
CN108054243A (zh) * 2017-12-16 2018-05-18 广东爱旭科技股份有限公司 一种单晶perc太阳能电池镀膜不良片的返工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009121604A2 (en) * 2008-04-04 2009-10-08 Universität Stuttgart Photovoltaic solar cell and method of production thereof
CN102629644A (zh) * 2012-04-21 2012-08-08 湖南红太阳光电科技有限公司 一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺
CN103700733A (zh) * 2014-01-16 2014-04-02 常州天合光能有限公司 太阳能电池的n型晶体硅衬底的清洗处理方法
CN106972079A (zh) * 2017-03-03 2017-07-21 浙江爱旭太阳能科技有限公司 Perc太阳能电池硅片背面的清洗方法
CN108054243A (zh) * 2017-12-16 2018-05-18 广东爱旭科技股份有限公司 一种单晶perc太阳能电池镀膜不良片的返工方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111900232A (zh) * 2020-08-03 2020-11-06 中威新能源(成都)有限公司 一种shj电池生产中不良返工方法
CN111900232B (zh) * 2020-08-03 2022-06-17 中威新能源(成都)有限公司 一种shj电池生产中不良返工方法
CN112349584A (zh) * 2020-10-26 2021-02-09 英利能源(中国)有限公司 一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法
CN112349584B (zh) * 2020-10-26 2022-09-13 英利能源(中国)有限公司 一种用于TOPCon电池的去绕镀方法及TOPCon电池的制备方法
CN115207161A (zh) * 2022-07-14 2022-10-18 通威太阳能(安徽)有限公司 反洗设备
CN115207161B (zh) * 2022-07-14 2024-05-14 通威太阳能(安徽)有限公司 反洗设备

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