CN106981547A - 一种处理单晶返工片的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 11
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 claims description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000276489 Merlangius merlangus Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明公开了一种处理单晶返工片的方法，包括以下步骤，(1)将返工片分选出来，置于不通源的扩散炉中，进行高温处理；(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理；(3)最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可；(4)将制绒后的返工片进行喷淋，然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理，并依次进行漂洗，甩干处理。本发明能够减少电池片生产过程中返工片数量，提高返工片的转换效率及成品率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池制造技术领域，特别是指一种处理单晶返工片的方法。
背景技术
随着化石能源的不断减少和环境污染的不断加剧，新能源的研发与推广使用得到高度关注。其中，太阳能作为新能源之一，其丰富、洁净等优点使其最可能成为新能源的主导。目前，在众多种类的太阳能电池中，晶硅太阳能电池已经成为主导，提高电池的转换效率和降低成本是我们研究的热点。
目前产业化的晶硅太阳能电池片的制造工艺包括制绒、扩散、刻蚀、去PSG、PECVD、丝网印刷、烧结、分类检测。在晶硅太阳能电池的生产工艺中，制绒工序使硅片表面织构化形成随机分布的金字塔结构的绒面或者类似于半球状的凹陷等不同表面形状，是有效地降低表面反射率的方法之一，提高太阳能电池表面的光吸收，达到提高其转换效率的目的。在制绒工序中，经常会出现碎片率高、色斑、花篮印等异常现象，影响生产效率，降低转换效率甚至导致降级或报废，增加生产成本。本发明中采用一种晶硅制绒后色斑片的返工处理方法，有效地降低因色斑片引起的降级或报废的数量，降低了生产成本。
其中清洗制绒工序返工片类型主要包括 ：油污片、手印片、白斑片、局部泛白片、雨点片、水痕印片。扩散工序返工片类型包括 ：高方阻片、低方阻片、烧焦片、脏片。刻蚀工序返工片类型包括 ：过刻片、脏片。PECVD 工序返工片类型包括 ：彩虹片、膜过厚片、膜过薄片。上述返工片的出现，若不做返工处理，它不仅影响物理冶金法单晶太阳能电池片的外观还会影响转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种处理单晶返工片的方法，能够减少电池片生产过程中返工片数量，提高返工片的转换效率及成品率。
本发明所述的一种处理单晶返工片的方法，包括以下步骤，
(1)将返工片分选出来，置于不通源的扩散炉中，进行高温处理，温度为1000±1℃高温处理时间为15～20min；
(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理，超声波清洗的频率是20-50KHZ，功率是 1800W，清洗时间 2～ 10min；
(3)当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉 1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH 和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.25mL 添加剂，6.3g NaOH，8mL 异丙醇；最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可；
(4)将制绒后的返工片进行喷淋，然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理，并依次进行漂洗，甩干处理。
进一步改进，所述步骤（3）中的添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。
进一步改进，所述步骤 (4) 中的酸洗采用的是氢氟酸、盐酸和水的混合液，其中氢氟酸的体积分数为10～25％，盐酸的体积分数为 5 ～ 50％，水的体积分数为30％-80％，时间为 5-10min。
本发明的有益效果在于：
本发明是通过采用本发明提供的处理制绒后返工片的返工处理的技术方案，去除硅片表面残留的顽固的有机物等引起的色斑，从而获得表面干净、绒面均匀的制绒硅片，提高返工片的转换效率，减少因制绒后产生色斑而降级或报废的硅片数量，有效地降低生产成本。返工硅片表面油污、白斑、手印等脏污经过清洗后完全洗净，降低硅片的报废比例达到50%以上，减少了由于物理冶金法返工硅片所需的化学品的使用量 20% 左右，从而减少了生产成本，大大提高了废物利用率。
具体实施方式
实施例1
本发明所述的一种处理单晶返工片的方法，包括以下步骤，
(1)将返工片分选出来，置于不通源的扩散炉中，进行高温处理，温度为1000±1℃高温处理时间为15～20min；
(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理，超声波清洗的频率是20-50KHZ，功率是 1800W，清洗时间 2～ 10min；
(3)当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉 1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH 和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.25mL 添加剂，6.3g NaOH，8mL 异丙醇；最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可；
(4)将制绒后的返工片进行喷淋，然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理，并依次进行漂洗，甩干处理。
优选地，所述步骤（3）中的添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。
优选地，所述步骤 (4) 中的酸洗采用的是氢氟酸、盐酸和水的混合液，其中氢氟酸的体积分数为10～25％，盐酸的体积分数为 5 ～ 50％，水的体积分数为30％-80％，时间为 5-10min。
本发明提供了一种处理单晶返工片的方法，以上所述仅是本发明的优选实施方法，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种处理单晶返工片的方法，其特征在于，包括以下步骤，
(1)将返工片分选出来，置于不通源的扩散炉中，进行高温处理，温度为1000±1℃高温处理时间为15～20min；
(2)将高温处理后的返工片放入去离子水中在常温下进行超声波清洗或碱洗处理，超声波清洗的频率是20-50KHZ，功率是 1800W，清洗时间 2～ 10min；
(3)当制绒槽内的溶液为刚失效的溶液时，先将制绒槽内的溶液排掉 1/3，然后注入等量纯水稀释溶液，然后在溶液内补加添加剂、NaOH 和异丙醇，控制每升稀释后的溶液加入1.25mL 添加剂，6.3g NaOH，8mL 异丙醇；最后将步骤（2）得到的返工片在上述制绒槽内进行清洗制绒工序即可；
(4)将制绒后的返工片进行喷淋，然后置于氢氟酸和盐酸的混合溶液中进行酸洗处理，并依次进行漂洗，甩干处理。
2.根据权利要求1中所述的一种处理单晶返工片的方法，其特征在于：所述步骤（3）中的添加剂采用单晶硅片制绒辅助剂。
3.根据权利要求1中所述的一种处理单晶返工片的方法，其特征在于：所述步骤 (4)中的酸洗采用的是氢氟酸、盐酸和水的混合液，其中氢氟酸的体积分数为10～25％，盐酸的体积分数为5～ 50％，水的体积分数为30％-80％，时间为 5-10min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710300389.5A CN106981547A (zh) | 2017-04-29 | 2017-04-29 | 一种处理单晶返工片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710300389.5A CN106981547A (zh) | 2017-04-29 | 2017-04-29 | 一种处理单晶返工片的方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106981547A true CN106981547A (zh) | 2017-07-25 |
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ID=59342528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710300389.5A Pending CN106981547A (zh) | 2017-04-29 | 2017-04-29 | 一种处理单晶返工片的方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106981547A (zh) |
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