TWI733924B - 蝕刻劑組成物之用途 - Google Patents

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Abstract

提供一種蝕刻劑組成物，包括：過氧化氫；含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物；胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；底切抑制劑；以及C4或更多碳數的烷基胺。本發明之蝕刻劑組成物在蝕刻製程期間控制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻，從而允許穩定的蝕刻過程，並改善蝕刻特性。

Description

蝕刻劑組成物之用途
以下揭露內容關於一種蝕刻劑組成物，且更具體地，關於一種用於TFT-LCD顯示器的電極中的蝕刻劑組成物。
在半導體裝置中的基板上形成金屬佈線的製程一般包括用於形成金屬層的濺射製程、藉由光阻劑塗覆具有所欲圖案的光阻劑形成製程、曝光和顯影、以及在形成佈線後，去除不需要的光阻劑的剝離製程。
為了製造半導體裝置和TFT-LCD的基板，通常使用鋁或鋁合金層作為用於TFT(薄膜電晶體)的柵極和資料線電極的佈線材料。然而，為了實現大型顯示器，減少用於電極的佈線的電阻是必要的。為此，已經有使用具有低電阻的金屬銅來形成佈線的嘗試。
然而，使用銅層進行佈線形成的製程具有與矽絕緣膜的黏著強度差的問題。為了彌補銅層的缺點，使用鈦、鉬、鈦/鉬合金等作為下層障壁金屬層。
在障壁金屬是鈦/鉬的合金的情況下，由於鈦的化學性質，只能使用某些離子或在一定條件下進行蝕刻。在障壁金屬是鉬的情況下，對於蝕刻製程是有利的， 但是與銅/鈦和銅/鉬合金層相比，銅層與鉬層之間的黏著強度差。特別是，由於蝕刻劑會滲透到銅層與鉬層之間的黏著強度差的部分而會加劇過度蝕刻。
關於可用於銅層和鉬合金層的蝕刻劑組成物，韓國專利登記號10-1495619揭露一種過氧化氫-基底蝕刻劑。然而，該蝕刻劑係用於鉬合金層，且在銅/鉬合金層的情況下，不考慮銅與障壁層之間的黏著強度差的部分的界面保護，因此在銅/鉬層的界面上存在過蝕刻問題。另外，特別是環狀胺化合物與在銅層蝕刻期間產生的銅離子結合的情況下，在此情況下，當在蝕刻劑組成物中存在氯離子時，氯離子和結合到銅離子上的化合物會反應並產生微溶的沉澱。
因此，目前需要一種技術來改善由銅層和鉬層的低黏著強度引起的界面的過度蝕刻問題。
[相關先前技術文獻]
[專利文獻]
韓國專利登記號10-1495619(2015年2月16日)。
本發明之一實施例旨在提供一種能夠在蝕刻銅層和鉬層時控制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻的蝕刻劑組成物，從而具有優異和穩定的蝕刻性能，並能改善蝕刻特性。
在一個態樣中，一種蝕刻劑組成物包括：過氧化氫；含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物；胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；底切抑制劑；以及C4或更多碳數的烷基胺。
基於100重量份的該過氧化氫，根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可包括0.1重量份至50重量份的該環狀化合物或該芳香族化合物；0.1重量份至50重量份的該胺基羧酸系化合物或該胺基磷酸系化合物；0.1重量份至50重量份的該選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；0.01重量份至20重量份的該底切抑制劑；以及0.1重量份至50重量份的該烷基胺。
根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可進一步包括氟化合物。
根據本發明之示例性實施例的氟化合物可基於100重量份的該過氧化氫以0.01重量份至20重量份被添加。
根據本發明之示例性實施例的C4或更多碳數的烷基胺可以是C4至C16直鏈或支鏈的烷基胺化合物。
根據本發明之示例性實施例的C4或更多碳數的烷基胺可以是選自由丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺及 2-乙基-1-己胺所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之示例性實施例的環狀化合物或芳香族化合物可以是選自由噁唑(oxazole)、咪唑、吡唑(pyrazole)、三唑、四唑、5-胺基四唑、甲基四唑、哌嗪(piperazine)、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、苯并咪唑、苯并吡唑、甲基苯并三唑、氫甲基苯并三唑及羥甲基苯并三唑所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之示例性實施例的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物可包括在分子中具有胺基的羧酸基或膦酸基。
根據本發明之示例性實施例的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物可以是選自由亞胺基二乙酸、氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二伸乙三胺五乙酸、胺基參(亞甲基膦酸)、(1-羥基乙烷-1,1-二基)雙(亞膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、丙胺酸、麩胺酸、胺基丁酸及甘胺酸等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之示例性實施例的無機酸可以是選自由硫酸、硝酸及磷酸所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
有機酸可以是選自由乙酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、蘋果酸、葡萄糖酸、醛糖酸及琥珀酸等所組成之群組中的任 一種或兩種或更多種的混合物。
無機酸鹽和有機酸鹽可以是選自由磷酸氫鉀、磷酸氫鈉、磷酸氫銨、磷酸鈉、過磷酸鈉、磷酸鉀、過磷酸鉀、磷酸銨及過磷酸銨等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之示例性實施例的氟化合物可以是選自由HF、NaF、KF、AlF3、HBF4、NH4HF2、NaHF2、KHF2及NH4BF4所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之示例性實施例的底切抑制劑可以是選自由腺嘌呤、鳥糞嘌呤、異鳥糞嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可鹼、咖啡因及尿酸等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可進一步包括選自由過氧化氫穩定劑、蝕刻穩定劑及玻璃蝕刻抑制劑所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
根據本發明之蝕刻劑組成物可控制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻，並可增加蝕刻劑組成物的穩定性，從而允許優異和穩定的蝕刻製程。
另外，與傳統的蝕刻劑組成物相比，本發明之蝕刻劑組成物可在蝕刻製程期間保護界面，從而改善蝕刻特性諸如錐角、CD損失和視覺線性度(vision linearity)， 並且有效降低缺陷率。
圖1是使用根據本發明之實例1的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察傾斜試樣的剖面所獲得的照片。
圖2是使用根據本發明之實例6的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察傾斜試樣的剖面所獲得的照片。
圖3是使用根據本發明之實例11的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察傾斜試樣的剖面所獲得的照片。
圖4是使用根據本發明之比較例1的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察傾斜試樣的剖面所獲得的照片。
圖5是使用根據本發明之比較例6的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察傾斜試樣的剖面所獲得的照片。
圖6是使用根據本發明之實例1的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察試樣的剖面所獲得的照片。
圖7是使用根據本發明之比較例6的蝕刻劑組成物對銅/鉬層進行蝕刻，然後藉由掃描型電子顯微鏡觀察試樣的剖面所獲得的照片。
在下文中，將詳細描述根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物。
本發明提供一種蝕刻劑組成物，包括：過氧化氫；含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物；胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；底切抑制劑；以及C4或更多碳數的烷基胺。
該蝕刻劑組成物可包括以下所有：過氧化氫；含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物；胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；底切抑制劑；以及C4或更多碳數的烷基胺，從而有效地蝕刻銅層和鉬層兩者。此外，可以抑制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻，使得可以有效地控制蝕刻劑滲透到具有較差黏著強度的銅層和鉬層的部分的過度蝕刻。此外，蝕刻劑組成物具有藉由控制過度蝕刻來執行穩定的蝕刻製程及保護銅層和鉬層的界面的特性，從而能顯著地改善蝕刻特性。
如本文所用“銅層和鉬層”是指銅層和鉬層，且除了銅層和鉬層以外的銅和鉬的合金層可以被排除。
由於鉬合金層具有比銅層和鉬層更佳的銅層與障壁層之間的黏著強度，所以可能不考慮C4或更多碳數 的烷基胺。
基於100重量份的該過氧化氫，根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可包括0.1重量份至50重量份的環狀化合物或芳香族化合物；0.1重量份至50重量份的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；0.1重量份至50重量份的選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；0.01重量份至20重量份的底切抑制劑；以及0.1重量份至50重量份的烷基胺。在此範圍內，銅層和鉬層的界面的過度蝕刻控制效果優異。
更佳地，基於100重量份的該過氧化氫，根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可包括1重量份至20重量份的環狀化合物或芳香族化合物；1重量份至20重量份的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；1重量份至20重量份的選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；0.1重量份至20重量份的底切抑制劑；以及1重量份至20重量份的烷基胺。在此範圍內，可以更有效地控制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻，並且可以有效地改善蝕刻特性諸如錐角、CD損失和視覺線性度。
特別佳地，基於100重量份的該過氧化氫，根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可包括2重量份至10重量份的環狀化合物或芳香族化合物；5重量份至15重量份的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；1重量份至10重量份的選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組 中之任一種或二種或更多種的化合物；1重量份至5重量份的底切抑制劑；以及1重量份至10重量份的烷基胺。在此範圍內，可以顯著地改善銅層和鉬層的界面的過度蝕刻控制效果，並且可以確保優異蝕刻特性諸如錐角、CD損失和視覺線性度。
在下文中，將以具體實例描述根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物的每個組分。
a)過氧化氫。
根據本發明之示例性實施例的過氧化氫可以用作銅和鉬或銅層和鉬層的主要氧化劑。
相對於蝕刻劑組成物，根據本發明之示例性實施例的過氧化氫可以10重量%至30重量%被包括在內，且更佳是以15重量%至25重量%被包括在內。當過氧化氫以少於10重量%被包括在內時，則銅和鉬的氧化力不足，使得不能進行蝕刻，且當過氧化氫以超過30重量%被包括在內時，則蝕刻速率太快，使得製程控制困難。在該範圍內，過氧化氫可以實施較佳的蝕刻速率以防止蝕刻殘留物和蝕刻缺陷。此外，它可以降低CD損失，並允許簡單的製程調整。
b)含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物。
根據本發明之示例性實施例，該含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更 多種的環狀化合物或芳香族化合物可以調整銅和鉬的蝕刻速率，從而降低CD損失的模式。此外，該含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物可以增加製程幅度(margin)，並且允許獲得具有適當錐角的蝕刻輪廓。
作為具體實例，該含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物可以是選自由噁唑、咪唑、吡唑、三唑、四唑、5-胺基四唑、甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、苯并咪唑、苯并吡唑、甲基苯并三唑、氫甲基苯并三唑及羥甲基苯并三唑所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，本發明之含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物係以0.1重量份至50重量份被包括在內，且更佳是以1重量份至20重量份被包括在內，又更佳是以2重量份至10重量份被包括在內。在該範圍內，該含有選自由氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物可保持適當的蝕刻速率。
當該含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物以少於0.1重量份被包括在內時，難以調整蝕刻速率，調整錐角的能力可能會降低，並且製程幅度很小，從 而降低大量生產率。此外，當該含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物以超過50重量份被包括在內時，蝕刻速率降低，因此無效率(inefficient)。
c)胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物。
根據本發明之示例性實施例的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物與在蝕刻製程期間產生的金屬離子諸如銅離子和鉬離子形成螯合物以使離子去活性，從而防止由這些金屬引起的副作用。結果，即使在重複的蝕刻製程中，蝕刻特性也可以被維持。
特別地，在銅層的情況下，當銅離子大量存在於蝕刻劑組成物中時，它們形成被氧化的鈍化層，從而防止蝕刻。然而，藉由添加胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物，可以防止由銅離子形成鈍化層。此外，胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物可以防止過氧化氫本身的分解反應，從而增加蝕刻劑的穩定性。
在沒有將胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物添加到蝕刻劑組成物中的情況下，在蝕刻製程期間中氧化的金屬離子被活化，使得蝕刻劑的蝕刻特性容易變化，且會促進過氧化氫的分解反應引起著火和爆炸。
因此，本發明之胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物可以與在蝕刻製程中產生的金屬離子螯合以抑制過氧化氫的分解，並且用於在儲存蝕刻劑組成物時增加穩定性。
根據本發明之示例性實施例的胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物可以包括在分子中具有胺基的羧酸基或膦酸基。
作為具體實例，該胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物可以是選自由亞胺基二乙酸、氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二伸乙三胺五乙酸、胺基參(亞甲基膦酸)、(1-羥基乙烷-1,1-二基)雙(亞膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、丙胺酸、麩胺酸、胺基丁酸及甘胺酸所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物係以0.1重量份至50重量份被包括在內，且更佳是以1重量份至20重量份被包括在內，又更佳是以5重量份至15重量份被包括在內。在該範圍內，金屬離子可以優異的效率去活性，並且可以抑制與金屬離子的副反應。
當該胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物以少於0.1重量份被包括在內時，待去活性的金屬離子的量過小，使得控制過氧化氫的分解反應的能力可能下降，並且當以超過50重量份被包括在內時，可能不期望會藉由形成另外的螯合物使金屬去活性，因此無效率。
d)選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物。
根據本發明之示例性實施例的選自由有機 酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物用作銅和鉬的輔助氧化劑，並可改善錐形輪廓。
作為具體實例，該無機酸可以是選自由硫酸、硝酸及磷酸等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
作為具體實例，該有機酸可以是選自由乙酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、蘋果酸、葡萄糖酸、醛糖酸及琥珀酸等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
作為具體實例，作為其鹽的無機酸鹽和有機酸鹽可以是磷酸鹽，並且可以是選自由磷酸氫鉀、磷酸氫鈉、磷酸氫銨、磷酸鈉、過磷酸鈉、磷酸鉀、過磷酸鉀、磷酸銨及過磷酸銨等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，且較佳是具有優異的蝕刻特性改善效果的磷酸氫銨，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物係以0.1重量份至50重量份被包括在內，且更佳是以1重量份至20重量份被包括在內，且又更佳是以1重量份至10重量份被包括在內。在該範圍內，由於使用該選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物所致的錐形輪廓改善效果可以是優異的，並且可以抑制蝕刻特性的劣化。
e)底切抑制劑。
為了在同時蝕刻銅層和鉬層時控制鉬層的底切蝕刻，可以調節氟化合物和含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物的含量。然而，當氟化合物的含量少時，則可能產生鉬殘餘物，且當含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物的含量增加時，則銅的蝕刻速率會顯著地降低，因而難以進行蝕刻處理。
為此，本發明包括底切抑制劑，藉此防止產生鉬層殘餘物並降低銅的蝕刻速率。
根據本發明之示例性實施例的底切抑制劑可以是含有選自由嘧啶和咪唑的縮合結構中的胺基、羥基、羰基和甲基所組成之群組中的任一種或複數種官能基的化合物。
該底切抑制劑含有在嘧啶和咪唑的縮合結構中的胺基、羥基、羰基和甲基所組成之群組中的任一種或複數種官能基，因而底切抑制效果大，且可以發揮優異的蝕刻特性改善效果。
作為具體實例，該底切抑制劑可以是嘌呤鹼，其是選自由腺嘌呤、鳥糞嘌呤、異鳥糞嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可鹼、咖啡因及尿酸等所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，且較佳是腺嘌呤、鳥糞嘌呤及異鳥糞嘌呤，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該底切抑制劑係以0.01重量份至20重量份被包括在內，更佳是以0.1重量份至20重量份被包括在內，又更佳是以1重量份至5重量份被包括在內。在該範圍內，由於使用該底切抑制劑的改善效果可能是優異的，並且蝕刻速率可能不會降低。
f)C4或更多碳數的烷基胺。
當同時蝕刻銅層和鉬層時，由於銅層和鉬層的化學性質，會發生具有黏著強度差的部分。在此情況下，在蝕刻過程期間，該具有黏著強度差的部分可能會被蝕刻劑滲透。
當不能控制滲透時，由於銅層和鉬層的界面的過度蝕刻導致降低的輪廓例如錐角差和佈線短路，可能會導致增加的缺陷率。
為此，本發明使用C4或更多碳數的烷基胺，因而控制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻以改善蝕刻輪廓，並且有效地降低缺陷率。
具體地，該C4或更多碳數的烷基胺可以是C4至C16，較佳是C4至C8的直鏈或支鏈的烷基胺化合物。在該範圍內，該化合物可以選擇性地吸附在銅層和鉬層的黏著強度差的界面上，因而抑制蝕刻劑滲透到界面以控制銅層和鉬層的界面的過度蝕刻。此外，由於蝕刻劑組成物不具有氣泡，因此更佳為C4至C8烷基胺。然而，C3或低級烷基胺化合物可能不會抑制蝕刻劑滲透。
作為具體實例，該C4或更多碳數的烷基胺可 以是選自由丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺及2-乙基-1-己胺所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該C4或更多碳數的烷基胺係以0.1重量份至50重量份被包括在內，更佳是以1重量份至20重量份被包括在內，又更佳是以1重量份至10重量份被包括在內。在該範圍內，由於界面保護導致的界面的過度蝕刻控制效果可能是優異的。此外，不會產生鉬殘餘物，因而不會由於殘餘物導致電短路、佈線不良，且亮度不會降低。
g)氟化合物。
本發明可進一步在蝕刻劑組成物中包括氟化合物。該氟化合物在同時蝕刻銅層和鉬層時可以改善鉬層的蝕刻速率，因而降低尾部長度，並且用於移除蝕刻期間不可避免產生的鉬殘餘物。鉬的增加的尾部可能降低亮度，並且當殘餘物保留在基板和下層中時，會電短路、佈線不良和亮度降低，因此，較佳是必須移除該尾部。
根據本發明之示例性實施例的氟化合物可以是能夠解離產生F-或HF2 -的化合物。
作為具體實例，該氟化合物可以是選自由HF、NaF、KF、AlF3、HBF4、NH4HF2、NaHF2、KHF2及NH4BF4所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該氟化合物係以0.01重量份至20重量份被包括在內。在該範圍 內，鉬殘餘物可以被有效地移除，並且可以抑制諸如玻璃基板的下膜的蝕刻。
h)水。
本發明之蝕刻劑組成物可進一步包括水，且包含在該蝕刻劑組成物中的水不受特別限制，但是較佳可以是去離子水。作為具體實例，更佳是具有18MΩ/cm或更高電阻率值的去離子水，其中該電阻率是去除水中離子的程度。基於100重量份的過氧化氫，水可以200重量份至1000重量份被添加，更佳為以250重量份至800重量份被添加，又更佳為以300重量份至500重量份被添加。
i)其他添加劑。
根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物可進一步包括蝕刻劑組成物中通常使用的用於改善蝕刻性能的視需要的添加劑。作為添加劑，任一種或兩種或更多種的添加劑選自由過氧化氫穩定劑、蝕刻穩定劑及玻璃蝕刻抑制劑等所組成之群組。
當蝕刻劑中的金屬離子含量由於重複的蝕刻製程而高時，該過氧化氫穩定劑可以用於控製過氧化氫分解反應。
作為具體實例，該過氧化氫穩定劑可以是選自由磷酸、乙二醇和胺所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。具體地，可以包括聚乙二醇，但不限於此。
在過氧化氫穩定劑包含在蝕刻劑組成物中的 情況下，基於100重量份的過氧化氫，其可以0.1重量份至30重量份被添加，更佳以1重量份至20重量份被添加，又更佳以5重量份至15重量份被添加。在該範圍內，過氧化氫穩定劑對過氧化氫分解反應具有優異的控制效果，並且不會降低蝕刻能力。
蝕刻穩定劑可以是同時具有醇基和胺基的化合物。作為具體實例，可以是選自由甲醇胺、乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甲基乙醇胺和N-甲基乙醇胺所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該蝕刻穩定劑係以0.01重量份至10重量份被添加，更佳是以0.05重量份至7重量份被添加，又更佳是以0.1重量份至5重量份被添加。在該範圍內，蝕刻穩定劑可以有效地抑制金屬殘餘物的產生。
玻璃蝕刻抑制劑可以是選自由氫氟硼酸和氫氟硼酸鹽所組成之群組中的任一種或複數種的混合物。作為具體實例，其可以是選自由HBF4、NaBF4、KBF4及NH4BF4所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物，但不限於此。
較佳是，基於100重量份的該過氧化氫，該玻璃蝕刻抑制劑的含量是0.01重量份至10重量份，更佳是0.05重量份至7重量份，又更佳是0.1重量份至5重量份。在該範圍內，玻璃蝕刻抑制效果可能優異，並且蝕刻速率可 能不會降低。
具有上述組成物的本發明之蝕刻劑組成物在蝕刻銅層和鉬層時保護銅層和鉬層的界面，從而控制該界面上的過度蝕刻發生，以允許穩定的蝕刻製程。結果，可以改善諸如錐角、CD損失和視覺線性度的蝕刻特性。此外，可以容易地執行蝕刻速率調整。
因此，當使用銅層和鉬層作為構成液晶顯示器的薄膜電晶體(TFT)的柵極、源極或汲極電極的金屬佈線材料時，該蝕刻劑組成物可有效地用作用於形成金屬佈線圖案的蝕刻劑組成物。
根據本發明之示例性實施例的銅層和鉬層可以是其中一個或複數個銅(Cu)層和一個或複數個鉬(Mo)層交替堆疊的多層，並且該多層可以包括銅(Cu)/鉬(Mo)雙層、以及銅(Cu)/鉬(Mo)/銅(Cu)或鉬(Mo)/銅(Cu)/鉬(Mo)三層，但不限於此。層順序可以根據基板的材質和黏合性質適當地調整。
使用根據本發明之示例性實施例的蝕刻劑組成物的銅層和鉬層的蝕刻方法可以根據常規方法來進行。
具體地，銅層和鉬層的蝕刻方法包括：在基板上沉積銅/鉬層。
在該銅層和鉬層上形成光阻劑層，並圖案化該光阻劑層。
可進行使用本發明之蝕刻劑組成物來蝕刻其上形成有圖案化的光阻劑層的銅層和鉬層。此處，形成在 基板上的銅/鉬層的堆疊順序沒有特別限制。
此外，蝕刻方法可包括在基板與銅層和鉬層之間，亦即在基板與銅層之間，或者在基板與鉬層之間形成半導體結構。
該半導體結構可以是用於諸如液晶顯示器和電漿顯示面板的顯示器的半導體結構。
具體地，該半導體結構可包括選自由介電膜、導電膜以及諸如非晶質或多晶膜的矽膜所組成之群組中的一層或複數層。該半導體結構可以根據常規方法製造。
在下文中，將藉由以下實例更詳細地描述根據本發明之蝕刻劑組成物及其製備方法。然而，下文的實例僅是用於詳細描述本發明的參考，並且本發明不限於此，且可以各種形式實施。
此外，除非另外定義，否則所有技術術語和科學術語具有與本案所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的那些相同的含義。本文使用的術語僅用於有效地描述特定的示例性實施例，而不意欲在限制本發明。
此外，下文提供的圖式藉由舉例的方式提供，使得本發明的思想可以被充分地傳遞給本案所屬技術領域中具有通常知識者。因此，本發明不限於下文提供的圖式，而是可以許多不同的形式進行修改。此外，為了清楚本發明的精神和範圍，下文提供的圖式將被誇大。
此外，除非在上下文中另外指出，否則說明書和隨附的申請專利範圍中使用的單數形式亦可意欲包括 複數形式。
[實例1至實例29、以及比較例1至比較例13]
以下表1中列出的組分含量(重量%)混合各組分，從而製備根據本發明之蝕刻劑組成物。
Figure 106135312-A0305-02-0024-1
Figure 106135312-A0305-02-0025-2
Figure 106135312-A0305-02-0026-3
上表1中列出的組分如下。
作為含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物，使用以ATZ表示的5-胺基四唑。
作為胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物，使用以IDA表示的亞胺基二乙酸。
作為選自由有機酸、無機酸及其鹽之任一種或二種或更多種的化合物，使用以AHP表示的磷酸氫銨。
作為氟化合物，使用NH4HF2。作為底切抑制劑，使用鳥糞嘌呤。
作為C4或更多碳數的烷基胺，使用丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺和2-乙基-1-己胺。
丁胺以b-AM表示，戊胺以pn-AM表示，己胺以hx-AM表示，庚胺以hp-AM表示，辛胺以o-AM表示，以及2-乙基-1-己胺以2-e-1-hx-A表示。
在比較例中，使用丙胺、乙胺和環己胺作為烷基胺，且該丙胺、該乙胺和該環己胺分別以pr-AM、e-AM和cyhx-AM表示。
[實驗例：蝕刻性能評估]
在玻璃基板上，分別依次沉積具有5500Å的厚度的銅層和鉬層以製造試樣。對該試樣進行光蝕刻製程以形成圖案化的光阻膜，並分別使用實例1至實例29和比較例1至比較例13的蝕刻劑組成物對銅層和鉬層進行蝕刻。此處，使用可噴射設備(小型蝕刻機ME-001)在32℃下進行120秒的蝕刻製程。
在完成蝕刻之後，測量蝕刻終點。此外，使用掃描型電子顯微鏡(Hitachi,S-4800)，觀察蝕刻的銅層和鉬層的蝕刻特性，諸如CD損失、錐角、或銅層和鉬層的界面的過度蝕刻的存在或不存在等。該銅層和鉬層的界面的過度蝕刻的存在或不存在可以藉由傾斜該試樣使用掃描型電子顯微鏡來確認。結果顯示在下表2。
Figure 106135312-A0305-02-0027-4
Figure 106135312-A0305-02-0028-5
上表2表示蝕刻性能評估。如上表2所示，與比較例1至比較例13的蝕刻劑組成物相比，根據本發明之實例1至實例29的蝕刻劑組成物含有C4或更多碳數的烷基胺，因而在所有蝕刻偏差、CD損失、錐角方面均表現優異的結果。
特別地，當將實例4、實例6、實例11、實例 17和實例25與未添加氟化合物的實例5、實例7、實例12、實例19和實例23進行比較時，實例4、實例6、實例11、實例17和實例25具有改善的鉬層的蝕刻速率且沒有惡化過度蝕刻控制效果，因此具有降低的尾部長度，且能有效地從其中移除鉬殘餘物。
比較例1至比較例7包括C3丙胺，因而不能抑制蝕刻劑滲透到銅層和鉬層界面，結果存在過度蝕刻。此外，比較例8包括C2乙胺，因而引起過度蝕刻。
比較例9不包括作為含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物的5-胺基四唑，使得難以控制蝕刻速率，且錐形的形式差。比較例10不包括作為胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物的亞胺基二乙酸(IDA)，因此導致過度蝕刻的過氧化氫分解反應的控制能力差。比較例11不包括作為選自由有機酸、無機酸及其鹽之任一種或二種或更多種的化合物的磷酸氫銨(AHP)，因而具有高錐角值。比較例12不包括作為底切抑制劑的鳥糞嘌呤，因而產生鉬殘餘物，具具有高錐角。比較例13包括作為環狀胺化合物的環己胺，因而不能控制導致過度蝕刻的過度蝕刻抑制。
此外，為了觀察在銅層與鉬層之間是否發生界面過度蝕刻，使用實例1、實例6和實例11、以及比較例1和比較例6的蝕刻劑組成物來蝕刻銅層和鉬層，並使用掃描型電子顯微鏡傾斜和觀察該銅層和鉬層的試樣的剖面。結果顯示在圖1、圖2、圖3、圖4和圖5。
圖1、圖2和圖3示出分別使用根據實例1、實例6和實例11的蝕刻劑組成物蝕刻銅層和鉬層，然後使用掃描型電子顯微鏡傾斜從側面觀察的試樣的剖面所獲得的照片。
圖4和圖5示出分別使用根據比較例1和比較例6的蝕刻劑組成物蝕刻銅層和鉬層，然後使用掃描型電子顯微鏡傾斜觀察的試樣的剖面所獲得的照片。
如圖1、圖2和圖3所示，使用本發明之實例1、實例6和實例11的蝕刻劑組成物蝕刻該等層的結果，證實沒有觀察到銅/鉬層界面的過度蝕刻。
然而，當使用比較例1和比較例6的蝕刻劑組成物時，可證實不佳的視覺輪廓，這是因在銅和鉬層界面上發生過度蝕刻以擴大界面間隙，如圖4和圖5所示。
此外，藉由掃描型電子顯微鏡觀察被蝕刻以確認蝕刻特性的銅層和鉬層的試樣的剖面。結果顯示在圖6和圖7。
圖6示出使用根據實例1的蝕刻劑組成物蝕刻銅層和鉬層之後，藉由掃描型電子顯微鏡觀察到試樣的剖面的照片，而圖7示出使用根據比較例6的蝕刻劑組成物蝕刻銅/鉬層之後，藉由掃描型電子顯微鏡觀察到試樣的剖面的照片。
如圖6所示，當使用實例1的蝕刻劑組成物時，蝕刻特性優異。
如圖7所示，當使用比較例6的蝕刻劑組成物 時，藉由銅和鉬層界面的過度蝕刻顯示出倒錐形的形式的不佳蝕刻特性。
如上所述，當蝕刻銅層和鉬層時，根據本發明之蝕刻劑組成物藉由控制銅和鉬層界面的過度蝕刻允許穩定的蝕刻製程。此外，如結果，證實了改善蝕刻特性諸如錐角、CD損失和視覺線性度。
在上文中，儘管已經描述本發明的較佳示例性實施例，然而，各種修改和等同物可被用於本發明，顯然上述實例可被適當地修改和相同地應用。因此，上述說明不受限於以下申請專利範圍定義的本發明的範圍。

Claims (10)

  1. 一種蝕刻劑組成物之用途，該蝕刻劑組成物用於蝕刻銅層和鉬層，該蝕刻劑組成物包括：過氧化氫；含有選自由分子中的氧、硫及氮所組成之群組中之任一種或二種或更多種的環狀化合物或芳香族化合物；胺基羧酸系化合物或胺基磷酸系化合物；選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；底切抑制劑；以及C4至C8烷基胺；其中，基於100重量份的該過氧化氫，該蝕刻劑組成物包括0.1重量份至50重量份的該環狀化合物或該芳香族化合物；0.1重量份至50重量份的該胺基羧酸系化合物或該胺基磷酸系化合物；0.1重量份至50重量份的該選自由有機酸、無機酸及其鹽所組成之群組中之任一種或二種或更多種的化合物；0.01重量份至20重量份的該底切抑制劑；以及0.1重量份至50重量份的該烷基胺，且其中，該C4至C8烷基胺係選自由丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺及2-乙基-1-己胺所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
  2. 如請求項1所記載之用途，其中，該蝕刻劑組成物進 一步包括氟化合物。
  3. 如請求項2所記載之用途，其中，基於100重量份的該過氧化氫，該氟化合物係以0.01重量份至20重量份被添加。
  4. 如請求項1所記載之用途，其中，該環狀化合物或該芳香族化合物係選自由噁唑、咪唑、吡唑、三唑、四唑、5-胺基四唑、甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羥乙基哌嗪、苯并咪唑、苯并吡唑、甲基苯并三唑、氫甲基苯并三唑及羥甲基苯并三唑所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
  5. 如請求項1所記載之用途，其中，該胺基羧酸系化合物或該胺基磷酸系化合物包括在分子中具有胺基的羧酸基或膦酸基。
  6. 如請求項1所記載之用途，其中，該胺基羧酸系化合物或該胺基磷酸系化合物係選自由亞胺基二乙酸、氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二伸乙三胺五乙酸、胺基參(亞甲基膦酸)、(1-羥基乙烷-1,1-二基)雙(亞膦酸)、乙二胺肆(亞甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、丙胺酸、麩胺酸、胺基丁酸及甘胺酸所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
  7. 如請求項1所記載之用途，其中，該有機酸係選自由乙酸、甲酸、丁酸、檸檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸、蘋果酸、葡萄糖酸、醛糖酸及琥珀酸所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的 混合物；該無機酸係選自由硫酸、硝酸及磷酸所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物；該無機酸鹽和該有機酸鹽係選自由磷酸氫鉀、磷酸氫鈉、磷酸氫銨、磷酸鈉、過磷酸鈉、磷酸鉀、過磷酸鉀、磷酸銨及過磷酸銨所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
  8. 如請求項2所記載之用途，其中，該氟化合物係選自由HF、NaF、KF、AlF3、HBF4、NH4HF2、NaHF2、KHF2及NH4BF4所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
  9. 如請求項1所記載之用途，其中，該底切抑制劑係選自由腺嘌呤、鳥糞嘌呤、異鳥糞嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、可可鹼、咖啡因及尿酸所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
  10. 如請求項1所記載之用途，其中，該蝕刻劑組成物進一步包括選自由過氧化氫穩定劑、蝕刻穩定劑及玻璃蝕刻抑制劑所組成之群組中的任一種或兩種或更多種的混合物。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109082663A (zh) * 2018-07-19 2018-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种铜/钼蚀刻液组合物及其应用
CN111719157B (zh) * 2019-03-20 2024-06-07 易安爱富科技有限公司 蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法
KR20210088290A (ko) * 2020-01-06 2021-07-14 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액 조성물
CN111808612A (zh) * 2020-07-08 2020-10-23 江苏和达电子科技有限公司 一种用于铜/钼（铌）/igzo膜层的蚀刻液、蚀刻补充液及其制备方法和应用
CN112030165B (zh) * 2020-08-28 2022-05-20 武汉迪赛新材料有限公司 Tft-lcd制程用铜钼合层蚀刻液
KR102577915B1 (ko) * 2021-02-23 2023-09-14 주식회사 이엔에프테크놀로지 금속막 식각액 조성물
CN115287657A (zh) * 2022-07-09 2022-11-04 南通群安电子材料有限公司 用于清铜牙的蚀刻药水

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201500585A (zh) * 2013-05-02 2015-01-01 Fujifilm Corp 蝕刻液及蝕刻液套組、使用其的蝕刻方法以及半導體基板製品的製造方法
TW201514278A (zh) * 2013-10-02 2015-04-16 Enf Technology Co Ltd 銅及鉬含有膜的蝕刻液組合物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3225471B2 (ja) * 1992-12-24 2001-11-05 旭電化工業株式会社 銅溶解剤
KR100919596B1 (ko) * 2008-02-21 2009-09-29 (주) 휴브글로벌 에칭 첨가제 및 이를 함유하는 에칭용 조성물
KR101495683B1 (ko) * 2008-09-26 2015-02-26 솔브레인 주식회사 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
KR101495619B1 (ko) 2008-10-10 2015-02-26 솔브레인 주식회사 고선택비를 갖는 구리(구리합금) 식각액 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
KR101270560B1 (ko) * 2010-11-12 2013-06-03 오씨아이 주식회사 금속막 식각용 조성물
JP6135999B2 (ja) * 2012-04-10 2017-05-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法
JP6494254B2 (ja) * 2014-11-18 2019-04-03 関東化學株式会社 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法
CN104611702B (zh) * 2015-02-11 2016-01-20 江阴江化微电子材料股份有限公司 —种液晶面板铜钼膜蚀刻液
KR102265890B1 (ko) * 2015-03-12 2021-06-16 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
US10332784B2 (en) * 2015-03-31 2019-06-25 Versum Materials Us, Llc Selectively removing titanium nitride hard mask and etch residue removal

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201500585A (zh) * 2013-05-02 2015-01-01 Fujifilm Corp 蝕刻液及蝕刻液套組、使用其的蝕刻方法以及半導體基板製品的製造方法
TW201514278A (zh) * 2013-10-02 2015-04-16 Enf Technology Co Ltd 銅及鉬含有膜的蝕刻液組合物

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