KR100379824B1 - 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 - Google Patents

식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 Download PDF

Info

Publication number
KR100379824B1
KR100379824B1 KR10-2000-0079355A KR20000079355A KR100379824B1 KR 100379824 B1 KR100379824 B1 KR 100379824B1 KR 20000079355 A KR20000079355 A KR 20000079355A KR 100379824 B1 KR100379824 B1 KR 100379824B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
copper
acid
etching solution
wiring
hydrogen peroxide
Prior art date
Application number
KR10-2000-0079355A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020050020A (ko
Inventor
조규철
채기성
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19703341&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR100379824(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR10-2000-0079355A priority Critical patent/KR100379824B1/ko
Priority to US10/015,650 priority patent/US6780784B2/en
Priority to GB0314719A priority patent/GB2386865B/en
Priority to GB0130263A priority patent/GB2370251B/en
Priority to DE10162576.6A priority patent/DE10162576B4/de
Priority to CNB011444959A priority patent/CN1257313C/zh
Priority to JP2001387785A priority patent/JP4282927B2/ja
Publication of KR20020050020A publication Critical patent/KR20020050020A/ko
Publication of KR100379824B1 publication Critical patent/KR100379824B1/ko
Application granted granted Critical
Priority to US10/889,052 priority patent/US7850866B2/en
Priority to US12/654,494 priority patent/US8236704B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode

Abstract

본 발명은 전자 기기용 어레이기판의 제조방법에 관한 것으로, 특히 상기 어레이기판에 구성되는 신호배선을 형성하는 구리를 패턴하는 식각용액에 관한 것이다.
실리콘 성분이 포함된 구성층 상에 구리배선을 형성할 경우, 상기 구리배선의 하부에는 금속층을 더욱 형성하여, 실리콘과 구리의 반응을 방지하기 위한 이중 배선구조가 제안되었다. 그러나, 구리배선을 포함한 이중층의 배선을 일괄 식각 할 수 있는 식각용액이 없었기 때문에 구리배선의 사용이 매우 제한적이었다.
이와 같은 문제를 해결하기 위한 본 발명은 무기산 또는 중성 염과 과산화 수소수를 혼합한 식각용액을 제안하며, 이로 인한 이중배선의 일괄식각이 가능하기 때문에 전자기기용 어레이기판에 저 저항 구리배선의 사용을 더욱 활성화 할 수 있다.

Description

식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는 전자기기용 어레이기판{Etchant and array substrate for electric device with Cu lines patterend on the array substrate using the etchant}
본 발명은 전자기기용 어레이기판에 관한 것으로, 특히 액정표시장치용 어레이기판을 구성하는 구리배선의 식각용액과, 그 식각용액을 이용한 구리배선의 패턴방법에 관한 것이다.
일반적으로, 금속배선은 소자에 신호를 중개하는 역할을 한다.
상기 신호를 중개하는 금속배선은 값이 싸고 저 저항 값을 가지며, 내식성이 강한 금속일수록 제품의 신뢰성과 가격 경쟁력을 높이는데 기여할 수 있다.
액정표시장치를 예를 들어 설명하면, 액정표시장치의 제 1 기판인 어레이기판의 특징은, 만들고자 하는 각 소자에 어떤 물질을 사용하는가 혹은 어떤 사양에 맞추어 설계하는가에 따라 제품의 품질이 결정되는 경우가 많다.
예를 들어, 과거 소형 액정표시장치의 경우는 별로 문제시되지 않았지만, 18인치 이상의 대면적, 고 해상도(예를 들어 SXGA, UXGA 등) 액정 표시장치의 경우에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 사용되는 재질의 고유 저항 값이 화질의 우수성을 결정하는 중요한 요소가 된다.
따라서, 대면적/고해상도의 액정 표시소자의 경우에는 게이트 배선 및 데이터 배선의 재질로 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 저항이 낮은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
그러나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 게이트 배선 및 게이트전극의 표면에서 힐락(H)이 발생하게 되며, 상기 힐락(H)은 게이트 배선 및 게이트전극의 상부에 덮여있는 게이트 절연막의 이상 성장을 유도할 수 있고, 액티브층과 상기 게이트 전극간의 절연파괴로 인한 단락이 발생할 수 있기 때문에, 스위칭 소자로서의 역할을 하지 못하게 된다.
따라서, 상기 알루미늄 배선의 경우는 합금의 형태로 쓰이거나 적층 구조가 적용되기도 한다. 그러나, 적층으로 게이트 배선을 형성할 경우 공정이 추가되는 단점이 있다.
근래에는, 이러한 문제를 해결하기 위해, 단순한 공정으로 배선형성이 가능하며, 저항이 낮고 값이 싼 금속인 구리(Cu)의 사용이 제안되는 추세이다.
도 1의 평면도와 도 2의 단면도를 참조하여 액정표시장치용 어레이기판의 구성과, 적층구조에 대해 설명한다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치용 어레이기판(10)은 일 방향으로 연장되어 형성되는 게이트 배선(13)과, 상기 게이트 배선(13)과 게이트 절연막(24)을 사이에 두고 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(15)으로 형성된다.
이때, 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)의 교차영역에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT)(T)가 구성된다. 상기 박막트랜지스터(TFT)(T)는 게이트전극(32)과, 소스전극(34) 및 드레인전극(36)과 반도체층(38)으로 구성된다.
상기 반도체층은(38)은 상기 게이트 전극(32)상부의 게이트 절연막(24) 상에 구성되며, 순수 비정질 실리콘층인 액티브층(38a)과 불순물 비정질 실리콘층인 오믹 콘택층(38b)으로 구성된다.
상기 오믹 콘택층(38b)은 상기 소스전극(34)및 드레인전극(36)의 하부에 구성되어, 상기 두 전극과 상기 액티브층(38a)간의 접촉저항을 낮추는 역할을 한다.
상기 어레이기판(10)의 상부에는 상기 박막트랜지스터(T)와 상기 게이트배선 (13)및 데이터배선(15)을 보호하는 보호층(38)이 구성되며, 상기 화소영역(P)의 보호층(34) 상부에는, 상기 보호층을 식각하여 형성한 콘택홀(40)을 통해 상기 드레인전극(36)과 전기적으로 접촉하는 화소전극(42)이 구성된다.
이와 같은 구성에서, 능동 행렬 액정 표시장치의 동작에 중요한 게이트 배선(13)에 사용되는 금속은 RC딜레이(delay)를 작게 하기 위하여, 전술한 바와 같이 저항이 작은 알루미늄(Al)이 주류를 이루고 있다.
이하, 표 1은 일반 적으로 사용되는 각종 배선재료의 특성을 정리한 도면으로, 표 1에 도시된 바와 같이 현재 일반적으로 액정 표시장치에 배선으로 사용되는 금속은 주로 알루미늄(Al) 또는 크롬(Cr) 등이다.
표 1 각종 배선재료에 따른 특성.
금속 비저항(μΩ*cm) 가격 접착력 내열성
Cu 2 우수 나쁨 우수
Au 3 나쁨 나쁨 우수
Al 4 우수 우수 나쁨
Mo 10 보통 우수 우수
Cr 25 보통 우수 우수
표1에 나타난 바와 같이, 상기 알루미늄은 저 저항과 우수한접착력(Adhesion)을 보유하고 있으나 열에는 약한 면이 있다. 따라서, 저항이 매우 낮고 가격 면에서 우수한 구리를 사용하여 어레이기판을 구성하는 방법이 제안되고 있다.
그러나, 구리로 상기 게이트 배선을 형성할 경우에는 일반적으로 과산화암모늄((NH4)2S2O)인 식각용액을 사용하여, 기판 등에 부정적인 영향을 미치지 않기 때문에 게이트배선을 구리로 사용하는 것이 가능하나, 상기 구리를 데이터배선으로 사용할 경우에는 아래와 같은 문제가 있다.
첫 째, 상기 데이터배선을 구리 단층막으로 형성 할 경우에는, 상기 구리로 구성된 소스전극 및 드레인전극과 접촉하는 반도체층의 실리콘 성분이 구리와 반응하여 상기 구리층과 반도체층(비정질 실리콘층)사이에 반응층이 형성되어 전기적으로 좋지 않은 영향을 미치게 된다.
둘 째, 만약 전술한 구리와 반도체층과의 반응을 피하기 위해, 상기 구리배선의 하부에 또 다른 금속, 예를 들면 티타늄(Ti)또는 몰리브덴(Mo)으로 형성된 배선을 구성하게 되면, 상기 적층된 두 금속을 동시에 식각하기 위한 식각용액을 사용해야 한다.
상기 적층된 이중 금속층을 동시에 식각하기 위한 식각용액으로는 불소(HF)계 용액과 산소(Oxygen)계 식각용액이 알려져 있다.
그러나, 상기 불소계 식각용액은 상기 기판으로 사용하는 유리기판과, 상기 유리기판 상에 절연막으로 증착된 실리콘 질화막(SiNx)또는 실리콘 산화막(SiO2)을 동시에 식각하게 되는 결과를 가진다.
결과적으로, 절연막에 심각한 데미지를 입히기 때문에 상기 절연막의 하부에 구성된 하부 구성요소들의 불량을 유발하는 원인이 된다.
따라서, 상기 구리로 이루어진 배선은 상기 데이터 배선으로 사용하는 것이 매우 어렵다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 유기산 및 무기산 또는 수용성 중성염과 과산화 수소수를 함유한 식각용액을 사용하여, 구리를 포함한 이중 금속층의 일괄 식각을 가능하게 함으로써, 저 비용으로 저 저항 배선을 형성할 수 있도록 하여 제품의 특성과 제품의 수율을 개선하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치용 어레이기판을 도시한 개략적인 평면도이고,
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ`를 따라 절단하여 도시한 단면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 식각용액을 구성하는 무기산 중 황산과 과산화 수소수의 몰 비에 따른 구리 단층막의 식각시간을 나타낸 그래프이고,
도 4는 본 발명에 따른 식각용액을 구성하는 무기산 중 황산과 과산화 수소수의 몰 비에 따른 몰리브덴 단층막의 식각율을 나타낸 그래프이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ`를 따라 절단하여, 본 발명에 따른 식각용액을 이용한 구리배선의 패턴공정을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판의 공정 단면도이다.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
A : 황산에 대한 과산화 수소수의 몰비에 따른 구리의 식각시간을 나타낸 그래프.
B : 황산에 대한 과산화 수소수의 농도에 따른 Mo의 식각비를 나타낸 그래프.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 식각용액은 무기산과 중성 염과 유기산중 선택된 하나와 과산화 수소수와 과산화 수소수 안정화제를 혼합하여 형성한다.
상기 중성 염은 염화물과 황화물과 요오드화물로 구성된 그룹 중 하나이다.
상기 무기산은 염산(HCl), 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4)으로 구성된 그룹중 하나를 선택하여 사용한다.
상기 유기산은 초산(CH3COOH)인 것을 특징으로 한다.
상기 식각용액은 몰리브덴(Mo)/구리(Cu)로 구성된 이중 금속층을 일괄 식각할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 식각용액을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트배선과 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선과의 사이에 게이트 절연막을 개재(介在)하여 교차 형성되고, 중성 염과 무기산과 유기산 중 선택된 하나와 과산화 수소수(H2O2)와 과산화수소수 안정화제를 혼합한 에칭용액에 의해 일괄 식각된 구리/몰리브덴의 이중 금속층으로 형성된 데이터배선과, 상기 데이터배선에 연결된 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극을 형성하는 단계와; 상기 드레인전극과 접촉한 투명 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 구성과 작용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에서는 상기 박막트랜지스터를 구성하는 데이터 배선을 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo)의 이중배선으로 형성할 경우, 상기 구리층과 몰리브덴 층을 일괄 식각할 수 있는 식각용액과, 상기 식각용액을 이용하여 패턴된 구리배선을 포함하는 어레이기판의 제조방법에 대해 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 상기 구리/몰리브덴(Cu/Mo)의 이중층을 일괄식각 할 수 있는 식각용액으로 유기산과 무기산과 수용성 중성염 중 하나와 과산화 수소수(H2O2)와 과산화 수소수 안정화제를 함유한 식각용액을 사용하는 것이다.
본 발명에 따른 식각용액으로 인한 상기 몰리브덴 막의 식각 메카니즘은 아래 식 (1)과 같다.
Mo+3H2O2= MoO3+3H2O ------ (1)
식(1)에서 알 수 있듯이, 상기 MoO3가 H2O에 녹아서 상기 몰리브덴 막이 식각된다. 따라서, 상기 몰리브덴 막은 상기 H2O2만을 사용하여도 식각이 가능하다는 결론을 얻을 수 있다.
반면, 구리의 식각 메카니즘은 아래 식 (2)와 같다.
Cu+H2O2=CuO+H2O ---(2)
상기 식 (2)에서 상기 반응 결과물인 산화 구리와 본 발명에 따른 유기산 및 무기산 또는 중성 염의 음이온이 반응하여, 구리 화합물과 H2O 또는 금속 산화물 또는 금속이온을 생성하면서 구리막이 식각된다.
따라서, 상기 구리막을 식각하기 위해서는 H2O2와 수용성 중성 염과 무기산이 필요하다. 이때, 반응 중 상기 H2O2의 자기분해를 방지하기 위해 H2O2안정화제를 첨가하는 것이 좋다.
따라서, 유기산을 사용할 경우, 본 발명에 따른 제 1 식각용액은 유기산인초산과 H2O2와 H2O2안정화제를 포함하여 구성한다.
이때, 구리와의 반응은 아래 식 (3)과 같다.
Cu+H2O2=CuO+H2O
→CuO+2CH3COOH =Cu(CH3COO)2+H2O ----(3)
또한, 무기산을 사용할 경우, 본 발명에 따른 제 2 식각용액은 무기산인 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 염산(HCl),인산(H3PO4)중 선택된 하나와 H2O2와 H2O2안정화제를 포함하여 구성한다.
이때, 구리와의 반응은 아래 식 (4),(5),(6)과 같다.
제 1 예로 황산을 포함한 식각용액일 경우,
Cu+H2O2=CuO+H2O
→CuO+H2SO4=CuSO4+H2O ----(4)
제 2 예로 염산을 포함한 식각용액일 경우,
Cu+H2O2=CuO+H2O
→CuO+2HCl=CuCl2+H2O ----(5)
제 3 예로 질산을 포함한 식각용액일 경우,
Cu+H2O2=CuO+H2O
→CuO+2HNO3=Cu(NO3)2+H2O ----(6)
다른 예로, 중성염을 사용할 경우, 본 발명에 따른 제 3 식각용액은 염화물(KCl,NaCl), 황화물(KHSO4), 요오드화물(KIO4) 중 선택된 하나와 H2O2와 H2O2안정화제를 포함하여 구성한다.
이때, 구리와의 반응은 아래 식 (7)과 같다.
중성염 중 황화물을 포함한 식각용액일 경우를 예를 들어 설명한다.
Cu+H2O2=CuO+H2O
→CuO+2KHSO4=CuSO4+K2SO4+H2O ----(7)
전술한 바와 같은 방법으로 본 명에 따른 식각용액을 제조할 수 있다.
이때, 상기 무기산, 중성염, 유기산을 최소한 하나 이상 서로 혼합하여 사용할 수 도 있다.
또한, 무기산, 중성염, 유기산에 포함되는 각 화학물질들도 최소한 하나 이상 서로 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 과산화 수소의 몰 비에 따른 구리막의 식각시간과, 과산화 수소수의 농도에 따른 Mo막의 식각비의 관계를 이하, 도 3과 도 4를 통해 알아본다.
도 3은 상기 무기산 중 황산과 상기 과산화 수소수의 몰 비에 따른 구리 단층막의 식각시간을 나타낸 그래프이다. (이때, 실험조건으로 구리막은 1000Å의 두께를 가지며, 상기 황산의 농도는 5wt%로 한다.)
도시한 바와 같이, 과산화 수소수(H2O2)의 양이 커질수록 식각시간이 길어진다는 것을 알 수 있다. 즉, 과산화 수소수의 양이 많아질수록 산화구리의 발생이 커져, 상기 산화구리가 황산과 반응하는 시간이 길어지므로 결국엔 식각시간이 길어진다는 것을 그래프(A)를 통해 알 수 있다.
도 4는 과산화 수소수의 농도에 따른 몰리브덴 단층막의 식각시간을 나타낸 그래프이다.
도시한 바와 같이, 상기 과산화 수소수의 농도가 커지면 커질수록 식각율이 빨라지다가 어느 순간 식각정도가 더 이상 늘지 않고 포화된다는 것을 그래프(B)를 통해 알 수 있다.
도 3과 4를 통해 상기 과산화 수소수의 양을 적당히 제어하면, 구리막과 몰리브덴 막을 동시에 일괄식각 하기 위한 최적화된 식각용액을 만들 수 있다는 결론을 얻을 수 있다,
이때, 상기 몰리브덴의 산화막은 과산화 수소수에 식각되므로, 무기산이나 중성염 등 다른 성분을 첨가하더라도 식각비율의 변화가 거의 없다.
이와 같은 구리배선을 포함한 적층막의 일괄식각 방법은 액정표시장치용 어레이기판을 포함하는 반도체 등 전자기기의 배선 재료로 사용 가능하다.
이하, 본 발명에 따른 에칭용액을 이용하여 구리배선을 데이터배선으로 사용하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 알아본다.
도 5a 내지 도 5c는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ`를 따라 절단하여 공정순서에 따라 도시한공정 단면도이다.(편의상 도 1의 평면도를 함께 사용하며, 도 1의 번호에 100번을 더하여 사용한다.)
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu)등이 포함된 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 일 방향으로 구성된 다수개의 게이트 배선(미도시)과, 상기 게이트배선에서 돌출 형성된 다수개의 게이트전극(132)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트배선 등이 구성된 기판(100)의 전면에 실리콘 산화막(SiO2)과 실리콘 질화막(SiNx)이 구성된 무기절연 물질그룹과 경우에 따라서는 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)로 구성된 유기절연 물질그룹에서 선택된 하나를 증착 또는 도포하여, 제 1 절연막인 게이트 절연막(124)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 배선(도 1의 13)상부의 게이트 절연막(124)상에 비정질 실리콘(a-Si:H)(138a)과 불순물 비정질 실리콘(n+a-Si:H)(138b)을 적층하여 반도체층(138)을 형성한다.
상기 적층 구조에서, 하부 순수 비정질 실리콘층(138a)은 이후에 액티브채널(active channel)이 되고, 상기 불순물 비정질 실리콘층(138b)은 상기 액티브층과 이후 금속배선과의 저항을 낯추기 위한 오믹콘택층(ohmic contact layer)이다.
다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 반도체층(138)이 형성된 기판(100)의 전면에 몰리브덴(Mo)과 구리(Cu)(구리합금)를 연속하여 증착한다.
이때, 상기 구리층의 하부에 별도의 금속층을 더욱 구성하는 이유는 상기 구리와 그 하부의 액티브층의 실리콘 성분이 반응하는 것을 방지하기 위함이다.
만약, 상기 구리와 실리콘 층이 반응하게 되면 상기 구리금속층과 액티브층의 계면에 두 물질의 반응층이 생겨나 스위칭 소자의 동작특성이 좋지 않기 때문이다.
전술한 바와 같이, 유기산과 중성 염과 무기산중 하나를 선택하고, 상기 선택된 하나에 과산화수소수(H2O2)와 과산화 수소수 안정화제를 혼합한 식각용액으로 상기 구리를 포함한 이중층의 금속층을 일괄 식각한다.
상기 구리배선을 포함하는 이중 금속층을 일괄 식각하여, 상기 게이트배선(도 1의 13)과 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(115)과, 상기 데이터배선(115)에서 상기 게이트전극(132)의 일측 상부로 돌출 형성된 소스전극(134)과, 상기 소스전극(134)과 소정간격 이격된 드레인전극(136)을 형성한다.
다음으로, 도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터배선(115) 등이 형성된 기판(100)의 전면에 전술한 바와 같은 유기절연물질 그룹과 경우에 따라서는 무기 절연물질 그룹중 하나를 선택하고 이를 도포 또는 증착하여, 제 2 절연막인 보호층(139)을 형성한다.
다음으로, 상기 보호층(139)을 패턴하여, 상기 드레인전극(136)상부에 위치하고, 상기 드레인전극(136)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(140)을 형성한다.
다음으로, 상기 패턴된 보호층(123)이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 구성된 투명 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극(136)과 접촉하는 화소전극(142)을 형성한다.
전술한 공정에서, 상기 데이터배선(115)을 구성하는 구리/몰리브덴 금속은 상기 게이트배선과 게이트전극을 형성하는 물질로도 사용 가능하다.
이와 같은 방법으로, 본 발명에 따른 식각용액을 이용하여 패턴된 구리배선(데이터배선)을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
본 발명에 따른 식각용액으로 인해 전술한 실시예를 비롯하여, 구리배선을 사용하려는 모든 전자기기용 어레이기판에 그 응용이 가능하다.
따라서, 본 발명에 따른 식각용액은 구리를 포함한 이중층의 금속층을 일괄식각 할 수 있기 때문에, 공정스텝을 줄일 수 있다.
또한, 구리를 포함한 이중층의 금속층을 일괄 식각할 수 있기 때문에 실리콘 재질의 전자기기용 어레이기판에 값싸고 저항이 낮은 고품질의 구리배선을 사용할 수 있으므로, 제작비용을 낮추어 경쟁력을 높이는 동시에 동작특성이 개선된 전자기기용 대면적 어레이기판을 생산할 수 있다.

Claims (10)

  1. 무기산과 중성 염과 유기산 중 선택된 최소한 하나와 과산화 수소수를 포함하고, 구리(구리합금)/ 몰리브덴 이중 금속층을 패턴하기 위한 식각용액.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 중성염은 염화물과 황화물과 요오드화물로 구성된 그룹 중 선택된 최소한 하나인 선택인 식각용액.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기산은 염산(HCl), 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4)으로 구성된 그룹 중 선택된 최소한 하나인 식각용액.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기산은 초산(CH3COOH)인 식각용액.
  5. 제 1 항에 있어서,
    과산화 수소수 안정화제를 더욱 포함한 식각용액.
  6. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에 게이트배선과 게이트전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 개재하여 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선과의 사이에 상기 게이트 절연막을 개재(介在)하여 교차 형성되고, 중성염과 무기산과 유기산 중 선택된 하나와 과산화 수소수(H2O2)와 과산화수소수 안정화제를 혼합한 에칭용액에 의해 일괄 식각된 구리(구리합금)/몰리브덴의 이중 금속층으로 형성된 데이터배선과, 상기 데이터배선에 연결된 소스전극과 이와는 소정간격 이격된 드레인전극을 형성하는 단계와;
    상기 드레인전극과 접촉한 투명 화소전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 TFT-LCD용 어레이기판 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 중성 염은 염화물과 황화물과 요오드화물로 구성된 그룹 중 선택된 최소한 하나인 TFT-LCD용 어레이기판 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 무기산은 염산(HCl), 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4)으로 구성된 그룹 중 선택된 최소한 하나인 TFT-LCD용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기산은 초산(CH3COOH)인 TFT-LCD용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트배선과 게이트전극은 구리/몰리브덴 이중금속층으로 형성된 TFT-LCD용 어레이기판 제조방법.
KR10-2000-0079355A 2000-12-20 2000-12-20 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 KR100379824B1 (ko)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0079355A KR100379824B1 (ko) 2000-12-20 2000-12-20 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판
US10/015,650 US6780784B2 (en) 2000-12-20 2001-12-17 Etchant and array substrate having copper lines etched by the etchant
GB0314719A GB2386865B (en) 2000-12-20 2001-12-18 Etchant and array substrate having copper lines etched by the etchant
GB0130263A GB2370251B (en) 2000-12-20 2001-12-18 Etchant and array substrate having copper lines etched by the etchant
DE10162576.6A DE10162576B4 (de) 2000-12-20 2001-12-19 Ätzmittel und Verfahren zum Bilden eines Matrixsubstrats für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
CNB011444959A CN1257313C (zh) 2000-12-20 2001-12-19 腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片
JP2001387785A JP4282927B2 (ja) 2000-12-20 2001-12-20 エッチング溶液及びエッチング溶液でパターン形成された銅配線を有する電子機器用アレー基板
US10/889,052 US7850866B2 (en) 2000-12-20 2004-07-13 Etchant and array substrate having copper lines etched by the etchant
US12/654,494 US8236704B2 (en) 2000-12-20 2009-12-22 Etchant and array substrate having copper lines etched by the etchant

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0079355A KR100379824B1 (ko) 2000-12-20 2000-12-20 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020050020A KR20020050020A (ko) 2002-06-26
KR100379824B1 true KR100379824B1 (ko) 2003-04-11

Family

ID=19703341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0079355A KR100379824B1 (ko) 2000-12-20 2000-12-20 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판

Country Status (6)

Country Link
US (3) US6780784B2 (ko)
JP (1) JP4282927B2 (ko)
KR (1) KR100379824B1 (ko)
CN (1) CN1257313C (ko)
DE (1) DE10162576B4 (ko)
GB (1) GB2370251B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459271B1 (ko) * 2002-04-26 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002266087A (ja) * 2001-03-07 2002-09-18 Hitachi Chem Co Ltd 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
KR100853216B1 (ko) * 2002-06-25 2008-08-20 삼성전자주식회사 배선용 식각액, 이를 이용한 배선의 제조 방법, 그 배선을포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100866976B1 (ko) * 2002-09-03 2008-11-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
KR100883769B1 (ko) * 2002-11-08 2009-02-18 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100536593B1 (ko) * 2002-12-05 2005-12-14 삼성전자주식회사 선택적인 막 제거를 위한 세정 용액 및 그 세정 용액을사용하여 실리사이드 공정에서 막을 선택적으로 제거하는방법
KR100505328B1 (ko) * 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
KR100905053B1 (ko) * 2003-02-05 2009-06-30 엘지디스플레이 주식회사 구리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100905052B1 (ko) * 2003-02-26 2009-06-30 엘지디스플레이 주식회사 몰리브덴/구리 배선의 제조 방법
KR100938885B1 (ko) * 2003-06-30 2010-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
KR100971950B1 (ko) * 2003-06-30 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
US7455787B2 (en) * 2003-08-01 2008-11-25 Sunpower Corporation Etching of solar cell materials
US7063800B2 (en) * 2003-11-10 2006-06-20 Ying Ding Methods of cleaning copper surfaces in the manufacture of printed circuit boards
KR100635065B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US7276453B2 (en) * 2004-08-10 2007-10-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same
KR101171175B1 (ko) * 2004-11-03 2012-08-06 삼성전자주식회사 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
KR101191405B1 (ko) 2005-07-13 2012-10-16 삼성디스플레이 주식회사 식각액 및 이를 이용한 액정 표시 장치의 제조 방법
KR20070017762A (ko) * 2005-08-08 2007-02-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법
KR101152139B1 (ko) 2005-12-06 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
SG133443A1 (en) * 2005-12-27 2007-07-30 3M Innovative Properties Co Etchant formulations and uses thereof
KR101266077B1 (ko) * 2006-05-08 2013-06-04 주식회사 동진쎄미켐 알루미늄, 몰리브덴, 인듐 틴 옥사이드를 식각하기 위한식각액
KR101347446B1 (ko) * 2006-05-25 2014-01-16 동우 화인켐 주식회사 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
KR101473964B1 (ko) * 2006-05-29 2014-12-17 엘지디스플레이 주식회사 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액
US20080041813A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Atmel Corporation Methods and compositions for wet etching
US8012883B2 (en) * 2006-08-29 2011-09-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Stripping method
TWI378989B (en) * 2006-09-01 2012-12-11 Taiwan Tft Lcd Ass Etchant for patterning composite layer and method of fabricating thin film transistor using the same
CN101139713B (zh) * 2006-09-07 2010-06-09 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法
CN100466182C (zh) * 2007-01-04 2009-03-04 北京京东方光电科技有限公司 金属导线、电极及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
TWI348766B (en) * 2007-10-04 2011-09-11 Taiwan Tft Lcd Ass Method of fabricating thin film transistor
KR101345171B1 (ko) * 2007-11-14 2013-12-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20100098409A (ko) * 2007-11-22 2010-09-06 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 에칭액 조성물
KR101294694B1 (ko) * 2007-12-04 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101495683B1 (ko) * 2008-09-26 2015-02-26 솔브레인 주식회사 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
JP2009041112A (ja) * 2008-10-16 2009-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
CN102227761A (zh) * 2008-12-26 2011-10-26 夏普株式会社 显示面板用的基板和具有它的显示面板
JP5604056B2 (ja) * 2009-05-15 2014-10-08 関東化学株式会社 銅含有積層膜用エッチング液
CN102471688A (zh) * 2009-08-13 2012-05-23 东友Fine-Chem股份有限公司 用于形成铜互连的蚀刻组合物
WO2011093445A1 (ja) 2010-01-28 2011-08-04 三菱瓦斯化学株式会社 銅／チタン系多層薄膜用エッチング液
CN102762770B (zh) * 2010-02-15 2014-07-16 三菱瓦斯化学株式会社 包含铜层及钼层的多层薄膜用蚀刻液
CN106340542A (zh) 2010-02-26 2017-01-18 株式会社半导体能源研究所 制造半导体装置的方法
US8270178B2 (en) * 2010-03-22 2012-09-18 Au Optronics Corporation Active device array substrate
KR101825493B1 (ko) * 2010-04-20 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
WO2011158634A1 (ja) 2010-06-18 2011-12-22 三菱瓦斯化学株式会社 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液
TWI416498B (zh) 2010-12-30 2013-11-21 Au Optronics Corp 液晶顯示裝置與其驅動方法
JP5735811B2 (ja) 2011-01-25 2015-06-17 関東化学株式会社 銅を主成分とする金属薄膜のエッチング液組成物
CN102286288B (zh) * 2011-05-23 2014-06-11 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种醋酸系ito蚀刻液和制备工艺
JP6036691B2 (ja) * 2011-07-26 2016-11-30 三菱瓦斯化学株式会社 半導体装置の製造方法
KR101776923B1 (ko) 2011-08-05 2017-09-11 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법
US8858755B2 (en) 2011-08-26 2014-10-14 Tel Nexx, Inc. Edge bevel removal apparatus and method
CN103014708A (zh) * 2011-09-21 2013-04-03 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种单晶叶片表面晶粒腐蚀方法
CN102629591B (zh) 2012-02-28 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法及阵列基板、显示器
CN102703902B (zh) * 2012-06-26 2014-01-01 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列基板铜导线的蚀刻液
CN102891108B (zh) * 2012-10-24 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制造方法
CN103000627A (zh) * 2012-12-06 2013-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102000726B1 (ko) 2013-07-09 2019-07-16 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 인듐, 갈륨, 아연, 및 산소로 이루어진 산화물(ｉｇｚｏ)의 표면으로부터 구리를 포함하는 부착물을 세정·제거하는 액체 조성물, 및 그 액체 조성물을 이용한 ｉｇｚｏ표면의 세정방법, 그리고 그 세정방법에 의해 세정되는 기판
TWI510676B (zh) * 2013-07-10 2015-12-01 Daxin Materials Corp Metal etchant compositions for etching copper and molybdenum and their use for etching Metal etching method for copper and molybdenum
US9276128B2 (en) 2013-10-22 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
WO2015075765A1 (ja) * 2013-11-25 2015-05-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法
TWI536464B (zh) * 2014-01-15 2016-06-01 友達光電股份有限公司 電晶體及其製造方法
CN104109908B (zh) * 2014-07-23 2016-08-24 深圳市宇顺电子股份有限公司 蓝宝石玻璃蚀刻液及蓝宝石玻璃蚀刻方法
CN104152902A (zh) * 2014-08-01 2014-11-19 东莞劲胜精密组件股份有限公司 一种多孔金属处理液及复合体材料的制备方法
KR102255577B1 (ko) * 2014-08-25 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 식각액 조성물
JP6494254B2 (ja) 2014-11-18 2019-04-03 関東化學株式会社 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法
KR102293675B1 (ko) * 2015-03-24 2021-08-25 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
CN104934330A (zh) * 2015-05-08 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板
JP6454605B2 (ja) 2015-06-01 2019-01-16 東芝メモリ株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP6337922B2 (ja) 2015-08-03 2018-06-06 三菱瓦斯化学株式会社 銅層およびチタン層を含む多層薄膜をエッチングするためのエッチング液およびこれを用いたエッチング方法、並びに該エッチング方法を用いて得られた基板
JP2017139295A (ja) 2016-02-02 2017-08-10 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理液
CN106498398A (zh) * 2016-12-01 2017-03-15 深圳市华星光电技术有限公司 用于铜/钼膜层的金属蚀刻液及其蚀刻方法
CN108754497A (zh) * 2018-07-02 2018-11-06 景瓷精密零部件（桐乡）有限公司 一种钼栅极产品的刻蚀液配方及生产方法
KR102577915B1 (ko) 2021-02-23 2023-09-14 주식회사 이엔에프테크놀로지 금속막 식각액 조성물

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300172A (en) * 1991-11-01 1994-04-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. Surface-protection method during etching
KR980012067A (ko) * 1996-07-29 1998-04-30 가이또 고이찌로오 에칭액, 구리표면의 조화처리 방법, 및 인쇄 배선 기판의 제조 방법
KR19990032402A (ko) * 1997-10-17 1999-05-15 구자홍 액정표시장치 금속막의 에칭방법
KR19990036631A (ko) * 1997-10-30 1999-05-25 포만 제프리 엘 전기도금된 제어된 붕괴 칩 접속부의 존재하에서 티탄-텅스텐을에칭시키는 개선된 방법

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE425007B (sv) * 1976-01-05 1982-08-23 Shipley Co Stabil etslosning omfattande svavelsyra och veteperoxid samt anvendning av densamma
US4140772A (en) * 1978-02-21 1979-02-20 Dart Industries Inc. Stabilized hydrogen peroxide solutions
US4220706A (en) * 1978-05-10 1980-09-02 Rca Corporation Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2
US4306933A (en) * 1980-02-11 1981-12-22 Chemline Industries Tin/tin-lead stripping solutions
US4410772A (en) * 1981-04-23 1983-10-18 Olympus Optical Company Limited Superminiature microphone device
US4378270A (en) * 1981-10-29 1983-03-29 Learonal, Inc. Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions
JPS58197277A (ja) * 1982-05-08 1983-11-16 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 金属の化学的溶解処理液
US4401509A (en) * 1982-09-07 1983-08-30 Fmc Corporation Composition and process for printed circuit etching using a sulfuric acid solution containing hydrogen peroxide
US4462861A (en) * 1983-11-14 1984-07-31 Shipley Company Inc. Etchant with increased etch rate
JPS61591A (ja) * 1984-06-13 1986-01-06 Fujitsu Ltd 銅のエツチング方法
NL8701184A (nl) * 1987-05-18 1988-12-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
SU1458430A1 (ru) 1987-07-30 1989-02-15 Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" Раствор дл фотохимического фрезеровани меди и медных сплавов
US5250471A (en) * 1988-12-26 1993-10-05 The Furukawa Electric Co. Method for manufacturing compound semiconductor devices including a step where the semiconductor is etched without exposure to light
GB8922504D0 (en) * 1989-10-05 1989-11-22 Interox Chemicals Ltd Hydrogen peroxide solutions
JP2869893B2 (ja) * 1989-11-07 1999-03-10 カシオ計算機株式会社 半導体パネル
DE4100839A1 (de) 1991-01-14 1992-07-16 Basf Ag Waessriges saures bad zur entfernung von zinn- und zinn/blei-schichten von kupferoberflaechen
US5248386A (en) * 1991-02-08 1993-09-28 Aluminum Company Of America Milling solution and method
JP2585936B2 (ja) * 1991-11-15 1997-02-26 住友電気工業株式会社 弗素樹脂被覆物の製造方法
JPH0613608A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Sharp Corp 薄膜アクテイブ素子
GB9425090D0 (en) * 1994-12-12 1995-02-08 Alpha Metals Ltd Copper coating
JP2793515B2 (ja) 1995-01-30 1998-09-03 富山日本電気株式会社 銅及び銅合金の表面処理剤
US5667853A (en) * 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
US5800726A (en) * 1995-07-26 1998-09-01 International Business Machines Corporation Selective chemical etching in microelectronics fabrication
JP2923524B2 (ja) * 1995-08-01 1999-07-26 メック株式会社 銅および銅合金のマイクロエッチング剤並びにマイクロエッチング方法
JP2809153B2 (ja) * 1995-09-28 1998-10-08 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100219118B1 (ko) * 1996-08-30 1999-09-01 구자홍 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법
US5731216A (en) * 1996-03-27 1998-03-24 Image Quest Technologies, Inc. Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT
GB9620877D0 (en) * 1996-10-07 1996-11-27 Solvay Interox Ltd Metal surface treatment
US5954997A (en) * 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6157430A (en) * 1997-03-24 2000-12-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal device including brush-clearable multiple layer electrodes and a method of manufacturing the same
JP2002505037A (ja) * 1997-06-13 2002-02-12 シーエフエムテイ・インコーポレーテツド 半導体ウェーハ処理方法
JPH1129883A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Mec Kk 銅および銅合金のマイクロエッチング剤
JP2000082588A (ja) * 1997-09-22 2000-03-21 Fuji Electric Co Ltd 有機発光素子およびその製造方法
KR100476622B1 (ko) * 1997-10-13 2005-08-23 삼성전자주식회사 몰리브덴-텅스턴합금을사용한배선을이용한액정표시장치및그제조방법
JP3654485B2 (ja) * 1997-12-26 2005-06-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3107055B2 (ja) * 1998-09-03 2000-11-06 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板
KR100356452B1 (ko) * 1998-10-02 2002-10-18 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3974305B2 (ja) * 1999-06-18 2007-09-12 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
CA2300492A1 (en) 2000-03-13 2001-09-13 Henkel Corporation Removal of "copper kiss" from pickling high copper alloys
KR100396696B1 (ko) * 2000-11-13 2003-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 저저항 배선을 갖는 액정 디스플레이 패널

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300172A (en) * 1991-11-01 1994-04-05 The Furukawa Electric Co., Ltd. Surface-protection method during etching
KR980012067A (ko) * 1996-07-29 1998-04-30 가이또 고이찌로오 에칭액, 구리표면의 조화처리 방법, 및 인쇄 배선 기판의 제조 방법
KR19990032402A (ko) * 1997-10-17 1999-05-15 구자홍 액정표시장치 금속막의 에칭방법
KR19990036631A (ko) * 1997-10-30 1999-05-25 포만 제프리 엘 전기도금된 제어된 붕괴 칩 접속부의 존재하에서 티탄-텅스텐을에칭시키는 개선된 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459271B1 (ko) * 2002-04-26 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20040242000A1 (en) 2004-12-02
US20020081847A1 (en) 2002-06-27
JP2002302780A (ja) 2002-10-18
GB0130263D0 (en) 2002-02-06
DE10162576A1 (de) 2002-07-04
KR20020050020A (ko) 2002-06-26
CN1257313C (zh) 2006-05-24
JP4282927B2 (ja) 2009-06-24
DE10162576B4 (de) 2014-09-04
US8236704B2 (en) 2012-08-07
CN1417383A (zh) 2003-05-14
GB2370251B (en) 2003-12-03
US6780784B2 (en) 2004-08-24
US20100116781A1 (en) 2010-05-13
US7850866B2 (en) 2010-12-14
GB2370251A (en) 2002-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100379824B1 (ko) 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판
US7977128B2 (en) Etchant for etching double-layered copper structure and method of forming array substrate having double-layered copper structures
KR101199533B1 (ko) 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR101160829B1 (ko) 식각액 조성물 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
JP6124668B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法
US7833813B2 (en) Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same
US9553158B2 (en) Thin film transistor array substrate and a thin film transistor which comprise a conductive structure comprising a blocking layer and a diffusion prevention layer
JP2001223365A (ja) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2008123002A (ja) 低抵抗配線を有する液晶ディスプレイパネル
KR20110087582A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
KR20230037016A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
KR102531650B1 (ko) 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
KR20100019233A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20070088886A (ko) 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR101374535B1 (ko) 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
KR20140091401A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20060028519A (ko) 박막트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20080047179A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR102068964B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
GB2386865A (en) Etchant for array substrate having copper lines
JP2005317579A (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示装置
KR100796483B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR100767379B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20080062198A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR20060070334A (ko) 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121228

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131227

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160226

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180213

Year of fee payment: 16