KR100635065B1 - 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 88
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- YVQSLGWKPOKHFJ-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trien-7-yne Chemical compound C1=CC=C2C#CC2=C1 YVQSLGWKPOKHFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- E04B—GENERAL BUILDING CONSTRUCTIONS; WALLS, e.g. PARTITIONS; ROOFS; FLOORS; CEILINGS; INSULATION OR OTHER PROTECTION OF BUILDINGS
- E04B2/00—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls
- E04B2/02—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls built-up from layers of building elements
- E04B2/04—Walls having neither cavities between, nor in, the solid elements
- E04B2/06—Walls having neither cavities between, nor in, the solid elements using elements having specially-designed means for stabilising the position
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- E04B2/00—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls
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- E04B2/14—Walls having cavities in, but not between, the elements, i.e. each cavity being enclosed by at least four sides forming part of one single element
- E04B2/16—Walls having cavities in, but not between, the elements, i.e. each cavity being enclosed by at least four sides forming part of one single element using elements having specially-designed means for stabilising the position
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- E04B2/00—Walls, e.g. partitions, for buildings; Wall construction with regard to insulation; Connections specially adapted to walls
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- E04B2002/0202—Details of connections
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- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Architecture (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명절연기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 구비하는 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 구조 상부에 보호막을 형성한 다음, 상기 보호막을 사진식각공정으로 식각하여 상기 소오스/드레인전극을 노출시키는 제1비아콘택홀을 형성한 후 상기 구조 상부에 평탄화막과 반사막을 순차적으로 형성하고, 사진식각공정으로 상기 반사막을 식각하여 반사막패턴을 형성한 다음, 상기 반사막패턴을 식각마스크로 상기 평탄화막을 식각하여 상기 제1비아콘택홀을 노출시키는 제2비아콘택홀을 형성함으로써 별도의 사진식각공정을 추가 없이 비아콘택홀을 형성할 수 있으므로 사진식각공정의 회수를 감소시켜 공정을 단순하게 하고 그에 따른 공정 비용 절감 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
비아콘택홀, 반사막패턴
Description
도 1a 내지 도 1c 는 종래기술에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법을 도시한 타내는 단면도.
도 2a 내지 도 2c 는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 의해 형성된 유기 전계 발광 표시 장치의 단면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100, 200 : 투명기판 110, 210 : 완충막
120, 220 : 소오스/드레인영역 122, 222 : 다결정실리콘패턴
130, 230 : 게이트절연막 132, 232 : 게이트전극
140, 240 : 층간절연막 150, 250 : 소오스전극
152, 252 : 드레인전극 160, 260 : 보호막
170, 270 : 평탄화막 180, 280 : 반사막패턴
182, 182 : 화소전극 190, 290 : 절연막패턴
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반사막패턴을 식각마스크로 평탄화막을 식각하여 비아콘택홀을 형성함으로써 공정의 단순화를 기할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 전계 발광 표시 장치는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시 장치이다. 이는 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 N×M 개의 화소(pixel)들을 구동하는 방식에 따라 수동 매트릭스(passive matrix)방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 상기 능동 매트릭스 방식의 유기 전계 발광 표시 장치는 수동 매트릭스 방식에 비해 전력 소모가 적어 대면적 구현에 적합하며 고해상도를 갖는 장점이 있다. 또한, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 유기 화합물로부터 발광된 빛의 방출 방향에 따라 전면발광형, 배면발광형 또는 양면발광형으로 나뉘어진다. 상기 전면발광형 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 배면발광형과는 달리 상기 단위화소들이 위치한 기판 반대 방향으로 빛을 방출시키는 장치로서 개구율이 큰 장점이 있다. 위에서 언급한 바와 같이 유기 전계 발광 표시 장치는 자발광형으로 별도의 광원을 필요로 하지 않지만, 발광효율을 증가시키기 위해 광반사 특성이 우수한 금속으로 반사막을 형성하여 외부로부터 들어오는 빛을 반사시켜 광원으로 사용하기도 한다.
도 1a 내지 도 1c 는 종래기술에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법 을 도시한 단면도로서, 종래기술과 연관지어 상세히 설명한다.
먼저, 투명절연기판(100) 상부에 소정 두께의 완충막(110)을 형성하고, 다결정실리콘패턴(122), 게이트전극(132) 및 소오스/드레인전극(150,152)을 구비하는 박막트랜지스터를 형성한다. 이때, 상기 다결정실리콘패턴(122)의 양측에 불순물이 이온주입된 소오스/드레인영역(120)이 구비되고, 상기 다결정실리콘패턴(122)을 포함한 전체표면 상부에는 게이트절연막(130)이 구비되어 있다.
그 다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 보호막(160)을 형성하고, 사진식각공정으로 상기 보호막(160)을 식각하여 상기 소오스/드레인전극(150, 152) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(152)을 노출시키는 제1비아콘택홀(162)을 형성한다. 상기 보호막(160)으로는 주로 실리콘질화물 또는 실리콘산화물 또는 이들의 적층막이 사용된다. (도 1a 참조)
전체표면 상부에 평탄화막(170)을 형성한다. 상기 평탄화막(170)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다.
이어서, 사진식각공정으로 상기 평탄화막(170)을 식각하여 상기 제1비아콘택홀(162)을 노출시키는 제2비아콘택홀(172)을 형성한다. (도 1b 참조)
다음, 전체표면 상부에 반사막(도시안됨)을 형성한다. 상기 반사막은 광반사율이 높은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 그 합금물질을 이용하여 형성할 수 있다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 반사막을 식각하여 반사막패턴(180)을 형성 한다. 이때, 상기 반사막패턴(180)은 후속 화소전극이 형성될 부분에 형성되며, 상기 제1비아콘택홀(162) 및 제2비아콘택홀(172)을 제외한 부분에 형성된다.
전체표면 상부에 화소전극용 박막(도시안됨)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극용 박막은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같이 투명한 도전물질이 사용된다.
이어서, 사진식각공정으로 상기 화소전극용 박막을 식각하여 화소전극(182)을 형성한다.
그 후, 전체표면 상부에 화소영역을 정의하는 절연막패턴(190)을 형성한다. 상기 절연막패턴(190)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 페놀계 수지(phenol resin) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다. (도 1c 참조)
상기한 바와 같은 종래기술에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법은 반사막, 제1비아콘택홀 및 제2비아콘택홀을 각각의 사진식각공정으로 형성해야하는 번거로움이 있다. 사진식각공정은 비용이 많이 들고 오차가 발생할 확률이 높아 생산성을 저하시킬 수 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 반사막패턴을 식각마스크로 하부에 구비되는 절연막을 식각하여 비아콘택홀을 형성함으로써 사진식각공정의 회수를 감소시키고 그로 인하여 제조 비용을 절감할 수 있는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는,
게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 형성된 투명절연기판 상부에 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 제1비아콘택홀을 구비하는 보호막과,
상기 보호막 상부에 상기 제1비아콘택홀을 노출시키는 제2비아콘택홀을 구비하고 있으며, 박막트랜지스터영역에서 식각면을 공유하는 평탄화층패턴과 반사막패턴의 적층구조와,
상기 반사막패턴 상부에 구비되며, 상기 제2비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극과,
상기 보호막 및 화소전극 상부의 일부에 구비되며, 상기 제2비아콘택홀을 매립하는 동시에 화소영역을 노출시키는 절연막패턴을 포함하고,
상기 평탄화막패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성되고,
상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성된 것을 제1특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는,
게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 형성된 투명절연기판 상부에 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아콘택홀을 구비하고 있으며 박막트랜지스터영역에서 식각면을 공유하는 제1절연막패턴과 반사막패턴의 적층구조와,
상기 반사막패턴 상부에 구비되며, 상기 비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극과,
상기 박막트랜지스터 및 화소전극 상부의 일부에 구비되며, 상기 비아콘택홀을 매립하는 동시에 화소영역을 노출시키는 제2절연막패턴을 포함하고,
상기 제1절연막패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성된 평탄화막인 것과,
상기 제1절연막패턴은 평탄화막과 보호막의 적층구조인 것과,
상기 보호막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 적층구조인 것과,
상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성된 것을 제2특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법은,
투명절연기판 상부에 소정 두께의 완충막을 형성하고, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과,
상기 박막트랜지스터 상부에 보호막을 형성하는 공정과,
상기 보호막을 사진식각공정으로 식각하여 상기 소오스/드레인전극을 노출시키는 제1비아콘택홀을 형성하는 공정과,
상기 보호막 상부에 평탄화막과 반사막을 순차적으로 형성하는 공정과,
상기 반사막을 사진식각공정으로 식각하여 반사막패턴을 형성하는 공정과,
상기 반사막패턴을 식각마스크로 상기 평탄화막을 식각하여 상기 제1비아콘택홀을 노출시키는 제2비아콘택홀을 형성하는 공정과,
상기 제2비아콘택홀 및 제1비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정과,
상기 화소전극 상부에 화소영역을 정의하는 절연막패턴을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 평탄화막은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성되고,
상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성되고,
상기 반사막은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하고,
상기 평탄화막은 산소플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하고,
상기 평탄화막이 SOG막과 벤조사이클로부틴계 수지와 같이 실리콘을 함유하 는 경우 산소에 불소를 함유하는 CF4 또는 SF6가스를 첨가한 플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하는 것을 제1특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법은,
투명절연기판 상부에 소정 두께의 완충막을 형성하고, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과,
상기 박막트랜지스터 상부에 제1절연막과 반사막을 순차적으로 형성하는 공정과,
상기 반사막을 사진식각공정으로 식각하여 반사막패턴을 형성하는 공정과,
상기 반사막패턴을 식각마스크로 상기 제1절연막을 식각하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아콘택홀을 형성하는 공정과,
상기 비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정과,
상기 화소전극 상부에 화소영역을 정의하는 제2절연막패턴을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 제1절연막은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성된 평탄화막인 것과,
상기 제1절연막은 보호막과 평탄화막의 적층구조인 것과,
상기 보호막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 적층구조이고,
상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성되고,
상기 반사막은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하고,
상기 제1절연막은 산소플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하고,
상기 제1절연막이 SOG막과 벤조사이클로부틴계 수지와 같이 실리콘을 함유하는 경우 산소에 불소를 함유하는 CF4 또는 SF6가스를 첨가한 플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하는 것을 제2특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2c 는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 유리, 석영, 사파이어 등의 투명절연기판(200)의 전면에 실리콘산화물을 플라즈마-강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)방법으로 소정 두께의 완충막(210)을 형성한다. 이때, 상기 완충막(210)은 후속 공정으로 형성되는 비정질실리콘층의 결정화 공정 시 상기 투명절연기판(200) 내의 불순물이 확산되는 것을 방지한다.
다음, 상기 완충막(210) 상부에 소정 두께의 비정질실리콘층(도시안됨)을 증착하고, 상기 비정질실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법을 사용하여 결정화하고, 사진식각공정으로 패터닝하여 단위 화소 내의 박막 트랜지스터 영역에 다결정실리콘패턴(222)을 형성한다. 상기 다결정실리콘패턴(222)의 영역은 후속공정으로 형성된 소오스/드레인영역(220)까지 포함된다.
그 다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 게이트절연막(230)을 형성한다. 상기 게이트절연막(230)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물로 형성될 수 있다.
상기 게이트절연막(230) 상부에 게이트전극물질로 사용되는 금속막(도시안됨)을 형성한다. 이때, 상기 금속막은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중층으로 형성될 수 있다. 이어서, 사진식각공정으로 상기 금속막을 식각하여 게이트전극(232)을 형성한다. 그 후, 상기 게이트전극(232) 양측 하부의 다결정실리콘패턴(222)에 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인영역(220)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 층간절연막(240)을 형성한다. 일반적으 로 상기 층간절연막(240)은 실리콘질화막이 사용된다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 층간절연막(240) 및 게이트절연막(230)을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)을 노출시키는 콘택홀(도시안됨)을 형성한다. 상기 콘택홀을 포함한 전체표면 상부에 전극물질을 형성하고, 사진식각공정으로 상기 전극물질을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)에 접속되는 소오스/드레인전극(250, 252)을 형성한다. 이때, 상기 전극물질로는 몰리텅스텐(MoW) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)이 사용될 수 있다.
그런 다음, 전체표면 상부에 실리콘질화막을 소정 두께 증착하여 보호막(260)을 형성한다.
이어서, 사진식각공정으로 상기 보호막(260)을 식각하여 상기 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)을 노출시키는 제1비아콘택홀(262)을 형성한다. (도 2a 참조)
전체표면 상부에 평탄화막(270)을 형성한다. 상기 평탄화막(270)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다. 이어서, 상기 평탄화막(270) 상부에 알루미늄, 은 또는 그 합금물질을 사용하여 반사막(도시안됨)을 형성한다. 상기 반사막은 광반사 특성이 우수한 금속을 이용하여 외부로부터 들어오는 빛을 반사시켜 광원으로 사용하는 역할을 한다. 그 후 사진식각공정으로 상기 반사막을 식각하여 반사막패턴(280)을 형성한다. 상기 사진식각공정 시 사용되는 식각마스크는 종래기술에서 사용하던 식각 마스크보다는 두껍게 형성되며, 후속으로 실시되는 평탄화막(270)의 두께 및 물질의 종류를 고려하여 두께가 변동될 수 있다. 또한, 상기 반사막은 습식식각 또는 건식식각방법으로 식각할 수 있다. 상기 반사막패턴(280)은 발광영역이외의 부분에는 최소한의 크기가 남아있도록 형성한다.
계속해서, 상기 반사막패턴(280)을 식각마스크로 사용하여 상기 평탄화막(270)을 식각하여 상기 제1비아콘택홀(262)을 통해 상기 드레인전극(252)을 노출시키는 제2비아콘택홀(272)을 형성한다. 상기 식각공정으로 박막트랜지스터영역 상에 반사막패턴(280)과 평탄화막(270)이 같은 식각면을 공유하는 적층구조로 형성되고, 상기 적층구조는 식각공정 시 무너지지 않을 정도의 폭을 갖도록 형성된다. 이때, 상기 평탄화막(270)은 산소 플라즈마(O2 plasma)를 이용한 건식식각방법으로 식각하고, 상기 평탄화막(270)이 SOG막과 벤조사이클로부틴계 수지와 같이 실리콘을 함유하는 경우 산소에 불소를 함유하는 CF4 또는 SF6가스를 첨가한 플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각한다. (도 2b 참조)
전체표면 상부에 화소전극용 박막을 형성한다. 상기 화소전극용 박막으로는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명도전막이 사용된다. 사진식각공정으로 상기 화소전극용 박막을 식각하여 화소전극(282)을 형성한다.
그 후, 전체표면 상부에 화소영역을 정의하기 위한 절연막을 형성한다. 상기 절연막은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 페놀계 수지(phenol resin) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다. 사진식각공정으로 상기 절연막을 식각하여 화소영역을 정의하는 절연막패턴(290)을 형성한다. (도 2c 참조)
한편, 도시되지는 않았지만 본 발명의 다른 실시예로서 소오스/드레인전극 형성 후 보호막, 평탄화막 및 반사막을 순차적으로 형성하고, 상기 반사막을 사진식각공정으로 식각하여 형성된 반사막패턴을 식각마스크로 상기 평탄화막 및 보호막을 동시에 식각하여 비아콘택홀을 형성할 수도 있다. 이 경우 제1비아콘택홀 형성 공정이 생략될 수 있다.
한편, 도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 의해 형성된 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도로서, 투명절연기판 상부에 박막트랜지스터를 형성하고 나서 바로 평탄화막 및 반사막을 형성한 후 위와 동일한 공정을 진행한 것을 나타낸다. 박막트랜지스터 형성 후 보호막(260) 형성 및 제1비아콘택홀 형성 공정이 생략될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 특허청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 사진식각공정으로 평탄화막을 식각하지 않고 상기 평탄화막 상부에 형성되는 반사막패턴을 식각마스크로 이용하여 식각함으로써 비용이 많이 들고 오차 발생 확률이 높은 사진식각공정을 1 내지 2회 감소시킬 수 있으므로 생산성 향상 및 비용 절감 효과를 얻을 수 있는 이점이 있다.
Claims (22)
- 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 형성된 투명절연기판 상부에 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 제1비아콘택홀을 구비하는 보호막과,상기 보호막 상부에 상기 제1비아콘택홀을 노출시키는 제2비아콘택홀을 구비하고 있으며, 박막트랜지스터영역에서 식각면을 공유하는 평탄화층패턴과 반사막패턴의 적층구조와,상기 반사막패턴 상부에 구비되며, 상기 제2비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극과,상기 보호막 및 화소전극 상부의 일부에 구비되며, 상기 제2비아콘택홀을 매립하는 동시에 화소영역을 노출시키는 절연막패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 평탄화층패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 형성된 투명절연기판 상부에 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아콘택홀을 구비하고 있으며 박막트랜지스터영역에서 식각면을 공유하는 제1절연막패턴과 반사막패턴의 적층구조와,상기 반사막패턴 상부에 구비되며, 상기 비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극과,상기 박막트랜지스터 및 화소전극 상부의 일부에 구비되며, 상기 비아콘택홀을 매립하는 동시에 화소영역을 노출시키는 제2절연막패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 제1절연막패턴은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성된 평탄화막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제1절연막패턴은 평탄화막과 보호막의 적층구조인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 보호막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 적층구조인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치.
- 투명절연기판 상부에 소정 두께의 완충막을 형성하고, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과,상기 박막트랜지스터 상부에 보호막을 형성하는 공정과,상기 보호막을 사진식각공정으로 식각하여 상기 소오스/드레인전극을 노출시키는 제1비아콘택홀을 형성하는 공정과,상기 보호막 상부에 평탄화막과 반사막을 순차적으로 형성하는 공정과,상기 반사막을 사진식각공정으로 식각하여 반사막패턴을 형성하는 공정과,상기 반사막패턴을 식각마스크로 상기 평탄화막을 식각하여 상기 제1비아콘택홀을 노출시키는 제2비아콘택홀을 형성하는 공정과,상기 제2비아콘택홀 및 제1비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정과,상기 화소전극 상부에 화소영역을 정의하는 절연막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 평탄화막은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 반사막은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 평탄화막은 산소플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 평탄화막이 SOG막과 벤조사이클로부틴계 수지와 같이 실리콘을 함유하는 경우 산소에 불소를 함유하는 CF4 또는 SF6가스를 첨가한 플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 투명절연기판 상부에 소정 두께의 완충막을 형성하고, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과,상기 박막트랜지스터 상부에 제1절연막과 반사막을 순차적으로 형성하는 공정과,상기 반사막을 사진식각공정으로 식각하여 반사막패턴을 형성하는 공정과,상기 반사막패턴을 식각마스크로 상기 제1절연막을 식각하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아콘택홀을 형성하는 공정과,상기 비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정과,상기 화소전극 상부에 화소영역을 정의하는 제2절연막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제1절연막은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성된 평탄화막인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 제1절연막은 보호막과 평탄화막의 적층구조인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 보호막은 실리콘산화막, 실리콘질화막 또는 이들의 적층구조인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 반사막패턴은 알루미늄, 은 및 그 합금물질로 이루어진 군에서 선택된 1종의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 반사막은 건식 또는 습식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 제1절연막은 산소플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 제1절연막이 SOG막과 벤조사이클로부틴계 수지와 같이 실리콘을 함유하는 경우 산소에 불소를 함유하는 CF4 또는 SF6가스를 첨가한 플라즈마를 이용한 건식식각방법으로 식각하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040034911A KR100635065B1 (ko) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| US11/123,012 US20050253171A1 (en) | 2004-05-17 | 2005-05-06 | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040034911A KR100635065B1 (ko) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050110089A KR20050110089A (ko) | 2005-11-22 |
| KR100635065B1 true KR100635065B1 (ko) | 2006-10-16 |
Family
ID=35308581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040034911A KR100635065B1 (ko) | 2004-05-17 | 2004-05-17 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050253171A1 (ko) |
| KR (1) | KR100635065B1 (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8148895B2 (en) * | 2004-10-01 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| JP4692314B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| KR100848342B1 (ko) * | 2007-08-22 | 2008-07-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 제조방법 |
| EP2256814B1 (en) * | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
| KR102059167B1 (ko) * | 2013-07-30 | 2020-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN105070687A (zh) * | 2015-09-18 | 2015-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| KR101859484B1 (ko) | 2016-05-30 | 2018-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101992914B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107068613A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-08-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示装置的阵列基板及其制作方法 |
| CN107731854B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-05-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置 |
| CN107808886B (zh) * | 2017-11-01 | 2020-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 过孔连接结构及制造方法、阵列基板及制造方法、显示装置 |
| KR102423865B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2022-07-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 표시 장치 |
| WO2021007769A1 (zh) * | 2019-07-16 | 2021-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN113497090B (zh) * | 2020-03-20 | 2023-09-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
| US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246185A (ja) | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3203227B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2001-08-27 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| TW483287B (en) * | 1999-06-21 | 2002-04-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device |
| KR100379824B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-04-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 식각용액 및 식각용액으로 패턴된 구리배선을 가지는전자기기용 어레이기판 |
| KR100437475B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2004-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치용 표시 소자 제조 방법 |
| US7071613B2 (en) * | 2001-10-10 | 2006-07-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| KR100834344B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2004006313A (ja) * | 2002-04-18 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
| JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
-
2004
- 2004-05-17 KR KR1020040034911A patent/KR100635065B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-05-06 US US11/123,012 patent/US20050253171A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246185A (ja) | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050253171A1 (en) | 2005-11-17 |
| KR20050110089A (ko) | 2005-11-22 |
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Legal Events
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