KR100712099B1 - 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100712099B1
KR100712099B1 KR1020040049165A KR20040049165A KR100712099B1 KR 100712099 B1 KR100712099 B1 KR 100712099B1 KR 1020040049165 A KR1020040049165 A KR 1020040049165A KR 20040049165 A KR20040049165 A KR 20040049165A KR 100712099 B1 KR100712099 B1 KR 100712099B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
reflective film
light emitting
organic electroluminescent
forming
Prior art date
Application number
KR1020040049165A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060000355A (ko
Inventor
서창수
박문희
강태욱
조유성
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040049165A priority Critical patent/KR100712099B1/ko
Publication of KR20060000355A publication Critical patent/KR20060000355A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100712099B1 publication Critical patent/KR100712099B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 알루미늄 합금인 ACX를 반사막으로 사용하는 경우 상기 ACX로 반사막을 형성한 후 세정공정을 실시하여 상기 반사막의 표면에 보호피막을 형성함으로써 상기 ACX가 후속 화소정의막의 현상용액에 의해 손상되는 것을 방지하고, 그로 인한 광특성의 저하를 방지할 수 있는 기술이다.
반사막, 보호피막, 세정.

Description

유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법{Organic electro-luminescence display device and fabricating method of the same}
도 1 은 종래기술에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도.
도 2 는 현상액의 침투로 반사막이 손상된 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도.
도 3 은 종래기술에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 사진.
도 4 는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도.
도 5 는 본 발명에 따른 보호피막이 형성된 반사막을 구비하는 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도.
도 6 은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 사진.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200 : 투명절연기판 110, 210 : 완충막
120, 220 : 다결정실리콘층패턴 122, 222 : 소오스/드레인영역
130, 230 : 게이트절연막 132, 232 : 게이트전극
140, 240 : 층간절연막 150, 250 : 소오스전극
152, 252 : 드레인전극 160, 260 : 보호막
170, 270 : 평탄화막 180, 280 : 반사막
182, 282 : 화소전극 281 : 보호피막
190, 290 : 화소정의막패턴 192, 292 : 발광층
194 : 결점
본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반사막의 표면에 보호피막을 형성하여 화소정의막의 패터닝 시 사용되는 현상액에 의한 반사막의 손상을 방지하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 전계 발광 표시 장치는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시 장치이다. 이는 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 N×M 개의 화소(pixel)들을 구동하는 방식에 따라 수동 매트릭스(passive matrix)방식과 능동 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 상기 능동 매트릭스 방식의 유기 전계 발광 표시 장치는 수동 매트릭스 방식에 비해 전력 소모가 적어 대면적 구현에 적합하며 고해상도를 갖는 장점이 있다. 또한, 상기 유기 전계 발광 표시 장치는 유기 화합물로부터 발광된 빛의 방출 방향에 따라 전면발광형 또는 배면발광형으로 나뉘어진다. 상기 전면발광형 유기 전계 발광 표시 장치는 상기 배면발광형과는 달리 상기 단위화소들이 위치한 기판 반대 방향으로 빛을 방출시키는 장치로서 개구율이 큰 장점이 있다. 위에서 언급한 바와 같이 유기 전계 발광 표시 장치는 자발광형으로 별도의 광원을 필요로 하지 않지만, 발광효율을 증가시키기 위해 광 반사 특성이 우수한 금속으로 반사막을 형성하여 외부로부터 들어오는 빛을 반사시켜 광원으로 사용하기도 한다.
도 1 은 종래의 유기 전계 발광표시소자의 단면도이다.
먼저, 투명절연기판(100)의 전면에 실리콘산화물을 플라즈마-강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)방법으로 소정 두께의 완충막(110)을 형성한다. 이때, 상기 완충막(110)은 후속 공정으로 형성되는 비정질실리콘층의 결정화 공정 시 상기 투명절연기판(100) 내의 불순물이 확산되는 것을 방지한다.
다음, 상기 완충막(110) 상부에 소정 두께의 비정질실리콘층(도시안됨)을 증착한다. 이어서, 상기 비정질실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법을 사용하여 결정화하고, 사진식각공정으로 패터닝하여 다결정실리콘층패턴(120)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 게이트절연막(130)을 형성한다. 이때, 상기 게이트절연막(130)은 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiNx) 또는 그 적층구조를 사용하여 형성할 수 있다.
그 다음, 상기 게이트절연막(130) 상부에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄- 네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합 금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중 층으로 게이트전극용 금속층(도시안됨)을 형성한다. 이어서, 사진식각공정으로 상기 게이트전극용 금속층을 식각하여 게이트전극(132)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트전극(132)의 양측 다결정실리콘층패턴(120)에 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인영역(122)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 층간절연막(140)을 형성한다. 여기서, 상기 층간절연막(140)은 실리콘산화막을 사용하여 형성된다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 층간절연막(140) 및 게이트절연막(130)을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(122)을 노출시키는 콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
그 다음, 상기 콘택홀을 포함한 전체표면 상부에 전극물질을 형성하고, 사진식각공정으로 상기 전극물질을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(122)에 접속되는 소오스/드레인전극(150, 152)을 형성한다. 이때, 상기 전극물질로는 몰리텅스텐(MoW) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)이 사용될 수 있다.
그 후, 전체표면 상부에 소정 두께의 실리콘질화막 등의 무기절연막을 사용하여 보호막(160)을 형성한다.
다음, 사진식각공정으로 상기 소오스/드레인전극(150, 152) 중 어느 하나를 노출시키는 제1비아콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
그 다음, 전체표면 상부에 평탄화막(170)을 형성한다.
이어서, 사진식각공정으로 상기 제1비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극(150, 152) 중 어느 하나를 노출시키는 제2비아콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 반사막(도시안됨)을 형성한다. 이때, 상기 반사막은 반사효율이 우수한 금속층을 이용하여 형성하며, 알루미늄(Al), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 그 합금물질 등이 사용될 수도 있다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 반사막을 식각하여 발광영역에 반사막패턴(180)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 화소전극용 금속층을 형성한다. 이때, 상기 화소전극용 금속층은 ITO 등의 투명금속층이 사용된다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 화소전극용 금속층을 식각하여 상기 제2비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극(150, 152) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(152)에 접속되는 화소전극(182)을 형성한다.
이어서, 전체표면 상부에 화소정의막(도시안됨)을 형성한다. 이때, 상기 화소정의막은 유기절연막이며, 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 페놀계 수지(phenol resin) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다. 상기와 가은 박막은 노광 및 현상공정으로 실시되는 사진공정에 의해 패터닝이 가능하다.
그 다음, 사진공정으로 상기 화소정의막을 패터닝하여 발광영역을 노출시키는 화소정의막패턴(190)을 형성한다.
다음, 상기 화소정의막패턴(190)에 의해 노출되는 화소전극(182)의 표면에 적어도 발광층(192)을 포함하는 유기막을 형성한다.
그 후, 전체표면 상부에 대향전극(도시안됨)을 형성한다. 상기 대향전극은 투명금속층을 이용하여 형성한다.
상기한 바와 같이 종래기술에 따른 유기 전계 발광 표시 소자는 전면발광형 유기 전계 발광 표시 소자로서 발광효율을 증가시키기 위하여 발광영역에 반사막을 형성한다. 상기 반사막은 광 반사도가 우수한 여러 가지 금속층이 사용될 수 있으나, 반사막으로 알루미늄 합금을 사용한다. 상기 전면발광형 유기 전계 발광 표시 소자는 빛의 공진 현상을 이용하기 때문에 화소전극의 두께를 얇게 형성하는 것이 발광효율에 유리하다. 그러나, 상기 화소전극의 두께를 얇게 형성하는 경우 도 2 에 도시된 바와 같이 화소전극에 존재하는 핀홀을 통해 후속 화소정의막의 패터닝 시 사용되는 현상액이 침투하여 반사막패턴을 부식시켜 결점(194)을 형성시키는 문제점이 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 현상액에 의해 부식된 반사막패턴이 발광영역 내에서 결점으로 나타나 광 특성을 저해하고, 그에 따른 공정 수율을 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 반사막을 형성하고, 상기 반사막을 탈이온수로 세정하여 상기 반사막 표면에 보호피막을 형성함으로써 현상액에 의한 반사막의 부식을 방지하여 광 특성을 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자는,
투명절연기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와,
상기 투명절연기판 상부의 비아콘택홀을 포함한 절연막 상부 발광영역에 구비되며, 상측에 보호피막을 포함하는 반사막패턴과,
상기 투명절연기판의 발광영역 상부에 상기 비아콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극과,
상기 화소전극 상부의 발광영역에 구비되며 최소한 발광층을 구비하는 유기막층과,
상기 유기막층 상부에 구비되는 대향전극을 포함하고,
상기 반사막은 알루미늄과 니켈 합금인 것과,
상기 니켈의 함유량은 3% 미만인 것과,
상기 반사막의 두께는 500 ∼ 3000Å인 것과,
상기 보호피막은 상기 반사막의 산화물인 것과,
상기 보호피막의 두께는 10 ∼ 100 Å
상기 화소전극의 두께는 50 ∼ 200Å인 것을 특징으로 한다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법은,
게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 구비되는 투 명절연기판 상부에 절연막을 형성하는 공정과,
사진식각공정으로 상기 절연막을 식각하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아콘택홀을 형성하는 공정과,
전체표면 상부에 반사막을 형성하는 공정과,
상기 반사막을 세정하여 상기 반사막 표면에 보호피막을 형성하는 공정과,
사진식각공정으로 상기 보호피막 및 반사막을 식각하여 상기 투명절연기판의 절연막의 발광영역 상부에 반사막패턴을 형성하는 공정과,
상기 비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정과,
전체표면 상부에 발광영역을 노출시키는 화소정의막패턴을 형성하는 공정과,
상기 화소전극의 발광영역에 적어도 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 공정과,
전체표면 상부에 대향전극을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 반사막은 알루미늄과 니켈 합금으로 형성하는 것과,
상기 니켈의 함유량은 3% 미만인 것과,
상기 반사막의 두께는 500 ∼ 3000Å으로 형성하는 것과,
상기 세정공정은 탈이온수를 이용하여 실시하는 것과,
상기 세정공정은 30 내지 120초간 실시하는 것과,
상기 보호피막은 상기 반사막의 산화물인 것과,
상기 보호피막의 두께는 10 ∼ 100 Å으로 형성하는 것과,
상기 화소전극의 두께는 50 ∼ 200Å으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 4 는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 단면도이다.
먼저, 투명절연기판(200)의 전면에 실리콘산화물을 플라즈마-강화 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)방법으로 소정 두께의 완충막(210)을 형성한다. 이때, 상기 완충막(210)은 후속 공정으로 형성되는 비정질실리콘층의 결정화 공정 시 상기 투명절연기판(200) 내의 불순물이 확산되는 것을 방지한다.
다음, 상기 완충막(210) 상부에 소정 두께의 비정질실리콘층(도시안됨)을 증착한다. 이어서, 상기 비정질실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법을 사용하여 결정화하고, 사진식각공정으로 패터닝하여 다결정실리콘층패턴(220)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 게이트절연막(230)을 형성한다. 이때, 상기 게이트절연막(230)은 실리콘산화막(SiO2), 실리콘질화막(SiNx) 또는 그 적층구조를 사용하여 형성할 수 있다.
그 다음, 상기 게이트절연막(230) 상부에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄- 네오디뮴(Al-Nd)과 같은 알루미늄 합금의 단일층이나, 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 합금 위에 알루미늄 합금이 적층된 다중 층으로 게이트전극용 금속층(도시안됨)을 형 성한다. 이어서, 사진식각공정으로 상기 게이트전극용 금속층을 식각하여 게이트전극(232)을 형성한다. 이어서, 상기 게이트전극(232)의 양측 다결정실리콘층패턴(220)에 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인영역(222)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 층간절연막(240)을 형성한다. 여기서, 상기 층간절연막(240)은 실리콘산화막을 사용하여 형성된다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 층간절연막(240) 및 게이트절연막(230)을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(222)을 노출시키는 콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
그 다음, 상기 콘택홀을 포함한 전체표면 상부에 전극물질을 형성하고, 사진식각공정으로 상기 전극물질을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(222)에 접속되는 소오스/드레인전극(250, 252)을 형성한다. 이때, 상기 전극물질로는 몰리텅스텐(MoW) 또는 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)이 사용될 수 있다.
그 후, 전체표면 상부에 소정 두께의 실리콘질화막 등의 무기절연막을 사용하여 보호막(260)을 형성한다.
다음, 사진식각공정으로 상기 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나를 노출시키는 제1비아콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
그 다음, 전체표면 상부에 평탄화막(270)을 형성한다.
이어서, 사진식각공정으로 상기 제1비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나를 노출시키는 제2비아콘택홀(도시안됨)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 반사막(도시안됨)을 형성한다. 이때, 상기 반사막은 알루미늄과 니켈의 합금물질인 ACX막을 이용하여 형성한다. 이때, 상기 반사막은 3% 미만의 니켈을 함유하며 두께가 500Å이하면 광이 반사막을 투과할 수 있고 너무 두꺼우면 공정상 시간이 오래 걸리므로 500 ∼ 3000Å 두께로 형성한다
그 다음, 상기 반사막의 표면을 세정한다. 이때, 상기 세정공정은 탈이온수를 이용하여 세정공정을 실시한다. 이때, 상기 세정공정은 탈이온수를 이용하여 30 내지 120초간 실시한다. 상기 세정공정 시 상기 반사막인 ACX막의 표면은 탈이온수에 의해 산화되어 상기 반사막 표면에 보호피막(281)이 형성된다. 상기 보호피막(281)은 상기 반사막의 산화물이며, 발광효율이 저하되지 않을 정도의 두께인 10 ∼ 100 Å으로 형성된다. 상기 세정공정은 스핀방법을 포함한 모든 방법이 사용될 수 있다.
그 후, 사진식각공정으로 상기 반사막을 식각하여 발광영역에 반사막패턴(280)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 화소전극용 금속층(도시 안됨)을 형성한다. 이때, 상기 화소전극용 금속층은 ITO 등의 투명금속층을 사용하여 50 ∼ 200Å의 두께로 형성한다. 상기한 구조는 빛의 공진 현상을 이용하는 전면발광형 유기 전계 발광 소자로서 화소전극용 금속층을 되도록 얇게 형성하는 것이 좋다.
그 다음, 사진식각공정으로 상기 화소전극용 금속층을 식각하여 상기 제2비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인전극(252)에 접속되는 화소전극(282)을 형성한다.
이어서, 전체표면 상부에 화소정의막(도시안됨)을 형성한다. 이때, 상기 화소정의막은 유기절연막이며, 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 페놀계 수지(phenol resin) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다. 상기와 같은 박막은 노광 및 현상공정으로 실시되는 사진공정에 의해 패터닝이 가능하다.
그 다음, 사진공정으로 상기 화소정의막을 패터닝하여 발광영역을 노출시키는 화소정의막패턴(290)을 형성한다. 여기서, 도 5를 참조하면, 반사막패턴(280) 상측에 형성된 보호피막(281)에 의해 상기 사진공정 중 상기 화소정의막의 현상공정 시 사용되는 현상액이 침투하지 못하는 것을 나타낸다. 이는 상기 보호피막(281)이 상기 화소전극(280)에 비하여 막질이 치밀하기 때문이다.
다음, 상기 화소정의막패턴(290)에 의해 노출되는 화소전극(282)의 표면에 적어도 발광층(292)을 포함하는 유기막을 형성한다.
그 후, 전체표면 상부에 대향전극(도시안됨)을 형성한다. 상기 대향전극은 투명금속층을 이용하여 형성한다.
도 6 은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 사진으로서, 반사막의 표면에 보호피막을 형성하여 현상액이 반사막에 영향을 미치지 못함을 나타낸다. 즉, 상기 보호피막이 현상액의 침투를 방지하여 반사막의 부식을 방지하는 것을 증명한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 알루미늄 합금인 ACX를 반사 막으로 사용하는 경우 상기 ACX로 반사막을 형성한 후 탈이온수를 이용하여 세정공정을 실시하여 상기 반사막의 표면에 보호피막을 형성함으로써 상기 ACX가 후속 화소정의막의 현상용액에 의해 손상되는 것을 방지하고, 그로 인하여 광 특성이 저하되는 것을 방지하며 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (16)

  1. 투명절연기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와,
    상기 투명절연기판 상부의 비아콘택홀을 포함한 절연막 상부 발광영역에 구비되는 반사막 패턴과,
    상기 반사막 패턴의 상부에 구비된 보호피막과,
    상기 투명절연기판의 발광영역 상부에 상기 비아콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극과,
    상기 화소전극 상부의 발광영역에 구비되며 최소한 발광층을 구비하는 유기막층과,
    상기 유기막층 상부에 구비되는 대향전극을 포함하고,
    상기 보호피막은 상기 반사막의 산화물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사막패턴은 알루미늄과 니켈 합금인 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 니켈의 함유량은 3% 미만인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사막의 두께는 500 ∼ 3000Å인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호피막의 두께는 10 ∼ 100 Å것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극의 두께는 50 ∼ 200Å인 것을 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터가 구비되는 투명절연기판 상부에 절연막을 형성하는 공정과,
    사진식각공정으로 상기 절연막을 식각하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아콘택홀을 형성하는 공정과,
    전체표면 상부에 반사막을 형성하는 공정과,
    상기 반사막을 세정하여 상기 반사막 표면에 보호피막을 형성하는 공정과,
    사진식각공정으로 상기 보호피막 및 반사막을 식각하여 상기 투명절연기판의 절연막의 발광영역 상부에 반사막패턴을 형성하는 공정과,
    상기 비아콘택홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되는 화소전극을 형성하는 공정과,
    전체표면 상부에 발광영역을 노출시키는 화소정의막패턴을 형성하는 공정과,
    상기 화소전극의 발광영역에 적어도 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 공정과,
    전체표면 상부에 대향전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 반사막은 알루미늄과 니켈 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 니켈의 함유량은 3% 미만인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 반사막의 두께는 500 ∼ 3000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 세정공정은 탈이온수를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 세정공정은 30 내지 120초간 실시하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 보호피막은 상기 반사막의 산화물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 보호피막의 두께는 10 ∼ 100 Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 화소전극의 두께는 50 ∼ 200Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
KR1020040049165A 2004-06-28 2004-06-28 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 KR100712099B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040049165A KR100712099B1 (ko) 2004-06-28 2004-06-28 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040049165A KR100712099B1 (ko) 2004-06-28 2004-06-28 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060000355A KR20060000355A (ko) 2006-01-06
KR100712099B1 true KR100712099B1 (ko) 2007-05-02

Family

ID=37103659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040049165A KR100712099B1 (ko) 2004-06-28 2004-06-28 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100712099B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102025836B1 (ko) 2011-11-07 2019-09-27 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010013384A (ko) * 1998-04-08 2001-02-26 야스카와 히데아키 액정 장치 및 전자 기기
KR20040000630A (ko) * 2002-06-22 2004-01-07 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010013384A (ko) * 1998-04-08 2001-02-26 야스카와 히데아키 액정 장치 및 전자 기기
KR20040000630A (ko) * 2002-06-22 2004-01-07 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020010013384
1020040000630

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060000355A (ko) 2006-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100579198B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
JP4308167B2 (ja) 有機電界発光表示素子及びその製造方法
KR100700642B1 (ko) 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법
JP4521295B2 (ja) 有機電界発光表示素子及びその製造方法
KR100667082B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100782458B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN1703126B (zh) 有机发光显示器件及其制造方法
US20050230684A1 (en) Top-emission organic light-emitting display device and method of fabricating the same
KR100731753B1 (ko) 양면 발광 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
US20050253171A1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100611657B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100712099B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100590238B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR100700499B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100600872B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100685424B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100685423B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100685397B1 (ko) 평판 표시 소자 및 그 제조방법
KR100611757B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100584263B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법
KR100742377B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20080109383A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 13