JP4282927B2 - エッチング溶液及びエッチング溶液でパターン形成された銅配線を有する電子機器用アレー基板 - Google Patents

エッチング溶液及びエッチング溶液でパターン形成された銅配線を有する電子機器用アレー基板 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子機器用アレー基板の製造に関し、特に液晶表示装置用アレー基板を構成する銅配線形成用のエッチング溶液と、そのエッチング溶液を用いた銅配線のパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、金属配線は素子に信号を伝達する働きをする。
【０００３】
そのように信号を伝達する金属配線は、値段が安くて低抵抗値を有し、耐食性が強い金属であるほど、製品の信頼性と価格競争力を高めることに寄与できる。
【０００４】
液晶表示装置を例を挙げて説明すると、液晶表示装置の第１基板であるアレー基板は、そこに作ろうとする各素子にどんな物質を用いるのか、或いはどんな仕様に合わせて設計するのか、によって製品の品質が決定される場合が多い。
【０００５】
例えば、過去の小型液晶表示装置の場合は別に問題視されなかったが、１８インチ以上の大面積かつ高解像度（例えばＳＸＧＡ、ＵＸＧＡ等）の液晶表示装置の場合にはゲート配線及びデータ配線に用いられる材料の固有抵抗値が画質の優劣を決定する重要な要素になる。
【０００６】
したがって、大面積／高解像度の液晶表示素子の場合には、ゲート配線及びデータ配線の材料としてアルミニウムまたはアルミニウム合金のような抵抗が低い金属を用いることが望ましい。
【０００７】
しかし、純粹なアルミニウムは、化学的に耐食性が弱く、後続の高温工程でゲート配線及びゲート電極の表面にヒロック（Ｈｉｌｌｏｃｋ）を生じ、そうしたヒロックがゲート配線及びゲート電極の上面を覆うゲート絶縁膜の異常成長をもたらして、アクティブ層と前記ゲート電極との間の絶縁破壊による短絡を発生することにより、スイッチング素子としての機能を損なうおそれがある。
【０００８】
したがって、アルミニウム配線の場合は、合金の形態で使われたり積層構造を用いることもある。しかし、ゲート配線を積層構造で形成する場合には工程数が増えるという問題がある。
【０００９】
最近では、このような問題を解決するために、単純な工程で配線形成が可能であり、抵抗が低くて値段が安い金属である銅（Ｃｕ）の使用が提案されている。
【００１０】
図１の平面図と図２の断面図を参照して、液晶表示装置用アレー基板の構成と積層構造を説明する。図１は一般的な液晶表示装置用アレー基板を図示した概略的な平面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【００１１】
図示したように、液晶表示装置用アレー基板１０は、一方向に延びて形成されるゲート配線１３と、前記ゲート配線１３とゲート絶縁膜２４をはさんで垂直に交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線１５で形成される。
【００１２】
この時、前記ゲート配線１３とデータ配線１５の交差領域にスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔが構成される。前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔは、ゲート電極３２とソース電極３４及びドレーン電極３６と半導体層３８とで構成される。
【００１３】
前記半導体層３８は、前記ゲート電極３２上のゲート絶縁膜２４上に形成され、純粹な非晶質シリコン層であるアクティブ層３８ａと不純物を含む非晶質シリコン層であるオーミックコンタクト層３８ｂとで構成される。
【００１４】
前記オーミックコンタクト層３８ｂは、前記ソース電極３４及びドレーン電極３６の下部に形成されて、それら２つの電極と前記アクティブ層３８ａとの間の接触抵抗を下げる役割をする。
【００１５】
前記アレー基板１０の上部には、前記薄膜トランジスタＴと前記ゲート配線１３及びデータ配線１５を保護する保護層３９が形成され、前記画素領域Ｐの保護層３９の上には、前記保護層をエッチングして形成したコンタクトホール４０を通して前記ドレーン電極３６と電気的に接触する画素電極４２が形成される。
【００１６】
このような構成で、アクティブマトリクス型液晶表示装置の動作に重要であるゲート配線１３に用いられる金属としては、ＲＣ遅延（ｄｅｌａｙ）を小さくするため、前述したように抵抗が小さなアルミニウム（Ａｌ）が主流をなしている。
【００１７】
図３は一般に用いられる各種配線材料の特性を整理した表であって、表に示された金属中現在一般的に液晶表示装置の配線に用いられる金属は主にアルミニウム（Ａｌ）またはクロム（Ｃｒ）等である。
【００１８】
図３の表に示したように、前記アルミニウムは低抵抗で接着性（Ａｄhｅｓｉｏｎ）にすぐれているが熱には弱い面がある。したがって、抵抗が非常に低くて値段の安い銅を用いてアレー基板を構成する方法が提案されている。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、銅で前記ゲート配線を形成する場合には、一般にペルオクソ二硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８）からなるエッチング溶液を用いてパターン形成することが可能であるが、銅を前記データ配線に用いる場合には下のような問題がある。
【００２０】
第一に、前記データ配線を銅単層膜で形成する場合には、前記銅で構成されたソース電極及びドレーン電極と接触する半導体層のシリコン成分が銅と反応し、前記銅層と半導体層（非晶質シリコン層）の間に反応層が形成されて電気的によくない影響を及ぼすようになる。
【００２１】
第二に、もしも前述した銅層と半導体層との反応を避けるために、前記銅配線の下部に他の金属、例えばチタン（Ｔｉ）またはモリブデン（Ｍｏ）で形成された配線を設けるとすれば、積層された２種の金属を同時にエッチングするためのエッチング溶液を使用しなければならない。
【００２２】
積層された二重金属層を同時にエッチングするためのエッチング溶液としてはフッ化水素系溶液と酸素系溶液が知られている。
【００２３】
しかし、フッ化水素系エッチング溶液は、前記アレー基板に用いるガラス基板と、ガラス基板上に絶縁膜として蒸着したシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）とを同時にエッチングする結果を生ずる。
【００２４】
結果的に、絶縁膜に深刻なダメージを負わせることから、前記絶縁膜上に構成された下部構成要素の不良を誘発する原因になる。
【００２５】
したがって、前記銅でなされた配線は、前記データ配線に用いることが非常にむずかしい。
【００２６】
このような問題点を解決するための本発明は、有機酸、無機酸または水溶性中性塩と、過酸化水素とを含むエッチング溶液を用いて、銅を含んだ二重金属層の一括エッチングを可能にし、低コストで低抵抗配線を形成することができるようにして、これにより製品の特性と製品の収率を改善することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するための本発明によるエッチング溶液は、中性塩と無機酸と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素とを含み、二重金属層をパターン形成することができる。好ましくは、前記エッチング溶液は過酸化水素安定化剤をさらに含み、前記二重金属層は銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層または銅合金層とモリブデン層からなる。
【００２８】
前記中性塩としては、塩化物と硫酸塩と過ヨウ素酸塩からなる群より選択された少なくとも一つを用いることが好ましく、塩化物はＫＣｌとＮａＣｌからなる群より選択された一つであり、硫酸塩はＫＨＳＯ４であり、過ヨウ素酸塩はＫＩＯ４であることが特に好ましい。
【００２９】
前記無機酸としては、塩酸（ＨＣｌ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群より選択された少なくとも一つを用いることが好ましく、前記有機酸としては、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）を用いることが好ましい。
【００３０】
前記エッチング溶液は、モリブデン（Ｍｏ）層／銅（Ｃｕ）層なる構成の二重金属層を一括エッチングすることができる。
【００３１】
本発明によるエッチング溶液を用いた液晶表示装置用アレー基板の製造方法は、基板を用意する工程と；前記基板上に第１金属層を形成する工程と；前記第１金属層をパターン形成してゲート配線とゲート電極を形成する工程と；前記ゲート配線及びゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と；前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層とオーミックコンタクト層からなる半導体層を形成する工程と；前記半導体層上に第２金属層を形成する工程と；前記第２金属層上に第３金属層を形成する工程と；中性塩と無機酸と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と過酸化水素安定化剤とを含むエッチング溶液によって前記第２金属層と第３金属層を同時にエッチングして、二重金属層で形成されたデータ配線と、このデータ配線につながったソース電極と、これとは所定間隔だけ離れたドレーン電極とを形成する工程と；前記ドレーン電極と接触した透明画素電極を形成する工程を含む。
【００３２】
この時、前記第１金属層が銅（Ｃｕ）層であり、前記第２金属層がモリブデン（Ｍｏ）層であり、前記第３金属層が銅（Ｃｕ）層または銅合金層であることが好ましい。
【００３３】
前記データ配線、ソース電極及びドレーン電極を形成する二重金属層が銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層または銅合金層とモリブデン（Ｍｏ）層からなることが好ましい。また、前記ゲート配線とゲート電極が銅層とモリブデン層からなる二重金属層で形成されることが好ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付された図面を参照して説明する。
【００３５】
以下では、前記薄膜トランジスタを構成するデータ配線を銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層からなる二重配線で形成する場合に銅層とモリブデン層を一括エッチングすることができるエッチング溶液と、前記エッチング溶液を用いてパターン形成された銅配線を含むアレー基板の製造方法について説明する。
【００３６】
本発明の特徴は、前記銅／モリブデン（Ｃｕ／Ｍｏ）の二重層を一括エッチングできるエッチング溶液として、有機酸と無機酸と水溶性中性塩の中の一つと過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と過酸化水素安定化剤を含むエッチング溶液を用いることである。
【００３７】
本発明によるエッチング溶液による前記モリブデン膜のエッチングメカニズムは下式（１）で示される。
Ｍｏ＋３Ｈ２Ｏ２＝ＭｏＯ３＋３Ｈ２Ｏ−−−（１）
式（１）から分かるように、ＭｏＯ３がＨ２Ｏに溶ける形で前記モリブデン膜がエッチングされる。したがって、前記モリブデン膜はＨ２Ｏ２のみを用いてもエッチングが可能である。
【００３８】
一方、銅のエッチングメカニズムは下式（２）で示される。
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ−−−（２）
式（２）の反応生成物である酸化銅と有機酸、無機酸または中性塩の陰イオンとが反応して、銅化合物とＨ２Ｏまたは金属酸化物または金属イオンを生成しながら銅膜がエッチングされる。
【００３９】
したがって、前記銅膜をエッチングするためにはＨ２Ｏ２と水溶性中性塩や無機酸または有機酸が必要である。この時、反応中のＨ２Ｏ２の自己分解を防止するためにＨ２Ｏ２安定化剤を添加することが好ましい。
【００４０】
したがって、有機酸を用いる第１の実施形態では、エッチング溶液は有機酸である酢酸とＨ２Ｏ２とＨ２Ｏ２安定化剤とを含んで構成する。
【００４１】
この時、銅との反応は下式（３）に示される。
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ
→ＣｕＯ＋２ＣＨ３ＣＯＯＨ＝Ｃｕ（ＣＨ３ＣＯＯ）２＋Ｈ２Ｏ−−−（３）
また、無機酸を用いる第２の実施形態では、エッチング溶液は無機酸である硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）、塩酸（ＨＣｌ）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）から選択された一つとＨ２Ｏ２とＨ２Ｏ２安定化剤とを含んで構成する。
【００４２】
この時、銅との反応は下式（４）、（５）、（６）及び（７）に示される。
硫酸を含んだエッチング溶液の場合、
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ
→ＣｕＯ＋Ｈ２ＳＯ４＝ＣｕＳＯ４＋Ｈ２Ｏ−−−（４）
塩酸を含んだエッチング溶液の場合、
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ
→ＣｕＯ＋２ＨＣｌ＝ＣｕＣｌ２＋Ｈ２Ｏ−−−（５）
硝酸を含んだエッチング溶液の場合、
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ
→ＣｕＯ＋２ＨＮＯ３＝Ｃｕ（ＮＯ３）２＋Ｈ２Ｏ−−−（６）
リン酸を含んだエッチング溶液の場合、
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ
→３ＣｕＯ＋２（Ｈ３ＰＯ４）＝Ｃｕ３（ＰＯ４）２＋３Ｈ２Ｏ−−−（７）
他の例として、中性塩を用いる第３の実施形態では、エッチング溶液は塩化物（ＫＣｌ、ＮａＣｌ）、硫酸塩（ＫＨＳＯ４）及び過ヨウ素酸塩（ＫＩＯ４）の中から選択された一つとＨ２Ｏ２とＨ２Ｏ２安定化剤とを含んで構成する。
【００４３】
この時、銅との反応は下式（８）に示される。
中性塩の中で硫酸塩を含んだエッチング溶液の場合を例として説明する。
Ｃｕ＋Ｈ２Ｏ２＝ＣｕＯ＋Ｈ２Ｏ
→ＣｕＯ＋２ＫＨＳＯ４＝ＣｕＳＯ４＋Ｋ２ＳＯ４＋Ｈ２Ｏ−−−（８）
前述したような方法で本発明によるエッチング溶液を製造できる。
【００４４】
この時、前記無機酸、中性塩及び有機酸の二以上を相互に混合して用いることができる。
【００４５】
また、無機酸、中性塩又は有機酸に該当する各化学物質を二種以上相互に混合して用いることもできる。
【００４６】
過酸化水素のモル比と銅膜のエッチング時間の関係と、過酸化水素の濃度とＭｏ膜のエッチング速度の関係を、以下に図４と図５により説明する。
【００４７】
図４は、無機酸である硫酸と過酸化水素のモル比による銅単層膜のエッチング時間の変化を示したグラフである。（この時、実験条件として、銅膜は１０００Åの厚さを有し、前記硫酸の濃度は５ｗｔ％とした。）
【００４８】
図示したように、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）の割合が大きくなるほどエッチング時間が長くなるということがわかる。すなわち、過酸化水素の割合が大きくなるほど酸化銅の発生量が大きくなり、酸化銅が硫酸と反応する時間が長くなるので、結局にはエッチング時間が長くなるということがグラフを通して分かる。
【００４９】
図５は、過酸化水素の濃度によるモリブデン単層膜のエッチング時間の変化を示したグラフである。
【００５０】
図示したように、過酸化水素の濃度が大きくなれば大きくなるほどエッチング速度も大きくなっていくが、やがてエッチング程度がそれ以上大きくならずに飽和するということがグラフを通して分かる。
【００５１】
図４と図５を参照して過酸化水素の量を適当に制御すると、銅膜とモリブデン膜を同時に一括エッチングするための最適化されたエッチング溶液を作ることができる。
【００５２】
この時、モリブデンの酸化膜は、Ｈ２Ｏに溶解するので、無機酸や中性塩等他の成分を添加してもエッチング速度の変化がほとんどない。
【００５３】
このような銅配線を含んだ積層膜の一括エッチング方法は、液晶表示装置用アレー基板を含む半導体等電子機器の配線材料に使用可能である。
【００５４】
以下、本発明によるエッチング溶液を利用して銅配線をデータ配線に用いる液晶表示装置用アレー基板の製造方法を説明する。
【００５５】
図６Ａないし図６Ｃは、図１のＶＩ−ＶＩに沿った切断面を工程順序に従って図示した工程断面図である。（便宜上、図１の平面図を一緒に用い、図１の番号に１００番を加えて用いる。）
【００５６】
まず、図６Ａに図示したように、透明な基板１００上にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）等の導電性金属の中から選択された一つを蒸着してパターン形成して、一方向に延びた多数個のゲート配線（図示せず）と、前記ゲート配線から突出形成された多数個のゲート電極１３２を形成する。
【００５７】
次に、前記ゲート配線などが構成された基板１００の全面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）とシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）からなる無機絶縁物質の群と場合によってはベンゾシクロブテンとアクリル系樹脂からなる有機絶縁物質の群より選択された一つを蒸着または塗布して、第１絶縁膜であるゲート絶縁膜１２４を形成する。
【００５８】
次に、前記ゲート配線（図１の１３）上のゲート絶縁膜１２４上に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１３８ａと不純物を含む非晶質シリコン（ｎ＋形ａ−Ｓｉ：Ｈ）１３８ｂを積層して半導体層１３８を形成する。
【００５９】
前記積層構造のうち、下部の純粹な非晶質シリコン層１３８ａは、後にアクティブチャネルを形成するアクティブ層となり、不純物を含む非晶質シリコン層１３８ｂはアクティブ層とソース電極及びドレーン電極との接触抵抗を下げるためのオーミックコンタクト層となる。
【００６０】
次に、図６Ｂに図示したように、前記半導体層１３８が形成された基板１００の全面にモリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）または銅合金を連続して蒸着する。
【００６１】
この時、前記銅層の下部に別途の金属層（ここではモリブデン層）をさらに設ける理由は、銅とその下部のアクティブ層のシリコン成分とが反応することを防止するためである。
【００６２】
もしも、前記銅層とシリコン層が反応するようになれば前記銅金属層と半導体層の界面にこれら２つの物質の反応層が生まれてスイッチング素子の作動特性が損なわれる。
【００６３】
Ｍｏ−Ｃｕ二重金属層を形成後、前述したように有機酸と中性塩と無機酸の中の一つを選択して、その選択された一つに過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と過酸化水素安定化剤を混合したエッチング溶液で前記銅を含んだ二重層の金属層を一括エッチングする。
【００６４】
前記銅配線を含む二重金属層を一括エッチングして、前記ゲート配線（図１の１３）と垂直に交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線１１５と、前記データ配線１１５から前記ゲート電極１３２の一方の側の上に突出形成されたソース電極１３４と、前記ソース電極１３４と所定間隔だけ離れたドレーン電極１３６を形成する。また、ソース電極１３４とドレーン電極１３６間に位置したオーミックコンタクト層１３８ｂの一部は、ソース電極１３４とドレーン電極１３６をマスクとして利用してエッチングされる。こうして、アクティブ層１３８ａ上にチャネル領域を形成する。このような工程によって薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が完成する。
【００６５】
次に、図６Ｃに図示したように、前記データ配線１１５などが形成された基板１００の全面に前述したような有機絶縁物質の群と場合によっては無機絶縁物質の群の中の一つを選択してこれを塗布または蒸着することにより、第２絶縁膜である保護層１３９を形成する。
【００６６】
次に、前記保護層１３９をパターン形成して、前記ドレーン電極１３６の上に、前記ドレーン電極１３６の一部を露出するドレーンコンタクトホール１４０を形成する。
【００６７】
次に、前記パターン形成された保護層１３９が形成された基板１００の全面に、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）とインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなる透明導電性金属の群より選択された一つを蒸着してパターン形成することにより、前記露出されたドレーン電極１３６と接触する画素電極１４２を形成する。
【００６８】
前述した工程で、前記データ配線１１５を構成する銅／モリブデン金属は、前記ゲート配線とゲート電極を形成する材料としても使用可能である。
【００６９】
このような方法で、本発明によるエッチング溶液を用いてパターン形成された銅配線（データ配線）を含む液晶表示装置用アレー基板が製作できる。
【００７０】
本発明によるエッチング溶液により前述した実施例をはじめとして、銅配線を用いようとするすべての電子機器用アレー基板にその応用が可能である。
【００７１】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によるエッチング溶液は、銅を含んだ二重層の金属層を一括エッチングできるために、工程数を減らすことができる。
【００７２】
また、銅を含んだ二重層の金属層を一括エッチングすることができるために、シリコン系の電子機器用アレー基板に値段が安くて抵抗が低い高品質の銅配線を用いることができるので、製作費用を低めて競争力を高めると同時に動作特性が改善された電子機器用大面積アレー基板を生産できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な液晶表示装置用アレー基板を示す模式的な平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩに沿って切断した断面図である。
【図３】一般に用いられる各種配線材料の特性を整理した表である。
【図４】本発明によるエッチング溶液を構成する無機酸としての硫酸と過酸化水素のモル比による銅単層膜のエッチング時間の変化を示したグラフである。
【図５】本発明による過酸化水素水の濃度によるモリブデン単層膜のエッチング速度の変化を示したグラフである。
【図６Ａ】図１のＶＩ−ＶＩに沿って切断した断面図であって、本発明によるエッチング溶液を利用した銅配線のパターン形成工程を含む液晶表示装置用アレー基板の工程を示す。
【図６Ｂ】図１のＶＩ−ＶＩに沿って切断した断面図であって、本発明によるエッチング溶液を利用した銅配線のパターン形成工程を含む液晶表示装置用アレー基板の工程を示す。
【図６Ｃ】図１のＶＩ−ＶＩに沿って切断した断面図であって、本発明によるエッチング溶液を利用した銅配線のパターン形成工程を含む液晶表示装置用アレー基板の工程を示す。
【符号の説明】
１０ アレー基板
１３ ゲート配線
１５ データ配線
２４ ゲート絶縁膜
３２ ゲート電極
３４ ソース電極
３６ ドレーン電極
３８ 半導体層
３８ａ アクティブ層
３８ｂ オーミックコンタクト層
３９ 保護層
４０ コンタクトホール
４２ 画素電極
１００ アレー基板
１１５ データ配線
１２４ ゲート絶縁膜
１３２ ゲート電極
１３４ ソース電極
１３６ ドレーン電極
１３８ 半導体層
１３８ａ アクティブ層
１３８ｂ オーミックコンタクト層
１３９ 保護層
１４０ コンタクトホール
１４２ 画素電極

Claims (18)

  1. 中性塩と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素とを含むエッチング溶液であって、
    該エッチング溶液が、銅（Ｃｕ）層とモリブデン（Ｍｏ）層からなる二重金属層を同時にエッチングすることを特徴とするエッチング溶液。
  2. 過酸化水素安定化剤をさらに含む請求項１に記載のエッチング溶液。
  3. 中性塩と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素とを含むエッチング溶液であって、
    該エッチング溶液が、銅合金層とモリブデン層からなる二重金属層を同時にエッチングすることを特徴とするエッチング溶液。
  4. 前記中性塩が、塩化物と硫酸塩と過ヨウ素酸塩からなる群より選択された少なくとも一つである請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング溶液。
  5. 前記塩化物が、ＫＣｌとＮａＣｌからなる群より選択された一つである請求項４に記載のエッチング溶液。
  6. 前記硫酸塩が、ＫＨＳＯ４である請求項４に記載のエッチング溶液。
  7. 前記過ヨウ素酸塩が、ＫＩＯ４である請求項４に記載のエッチング溶液。
  8. 無機酸をさらに含む請求項１に記載のエッチング溶液であって、該無機酸が、塩酸（ＨＣｌ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群より選択された少なくとも一つであるエッチング溶液。
  9. 前記有機酸が、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）である請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング溶液。
  10. 基板を用意する工程と；
    前記基板上に第１金属層を形成する工程と；
    前記第１金属層をパターン形成してゲート配線とゲート電極を形成する工程と；
    前記ゲート配線及びゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と；
    前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層とオーミックコンタクト層からなる半導体層を形成する工程と；
    前記半導体層上にモリブデン（Ｍｏ）層からなる第２金属層を形成する工程と；
    前記第２金属層上に銅（Ｃｕ）層または銅合金層からなる第３金属層を形成する工程と；
    中性塩と有機酸の中から選択された少なくとも一つと過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と過酸化水素安定化剤とを含むエッチング溶液によって前記第２金属層と第３金属層を同時にエッチングして、二重金属層で形成されたデータ配線と、このデータ配線につながったソース電極と、これとは所定間隔だけ離れたドレーン電極とを形成する工程と；
    前記ドレーン電極と接触した透明画素電極を形成する工程とを含むＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  11. 前記第１金属層が、銅（Ｃｕ）層である請求項１０に記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  12. 前記中性塩が、塩化物と硫酸塩と過ヨウ素酸塩からなる群より選択された少なくとも一つである請求項１０〜１１のいずれかに記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  13. 前記塩化物が、ＫＣｌとＮａＣｌからなる群より選択された一つである請求項１２に記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  14. 前記硫酸塩が、ＫＨＳＯ４である請求項１２に記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  15. 前記過ヨウ素酸塩が、ＫＩＯ４である請求項１２に記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  16. 無機酸をさらに含む請求項１０に記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法であって、該無機酸が、塩酸（ＨＣｌ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、硝酸（ＨＮＯ３）及びリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群より選択された少なくとも一つであるＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  17. 前記有機酸が、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）である請求項１０〜１１のいずれかに記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
  18. 前記ゲート配線とゲート電極が、銅層とモリブデン層からなる二重金属層で形成される請求項１０に記載のＴＦＴ−ＬＣＤ用アレー基板の製造方法。
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