CN117468003A - 蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层，包括过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水；所述屏蔽金属层抑制剂包括第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种，所述第二屏蔽金属层抑制剂选自乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种，该蚀刻剂组合物具有优异的选择性蚀刻效果，在有效蚀刻铜系膜层的基础上不会对钼系屏蔽金属层进行蚀刻，基于此也更不会对屏蔽金属层下侧所存在的膜层诸如有源层造成腐蚀而将其损伤。

Description

蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板。
背景技术
目前，大尺寸显示屏的栅极或源漏极金属布线通常使用的是电阻更低且环境友好的金属铜作为材料，但是铜与玻璃基板以及硅基有源层的附着力不好，且易向硅基有源层扩散，为解决前述问题，通常在铜膜层下增设屏蔽金属层，其中屏蔽金属层的材料主要是钼或其合金。具体来说，为了弥补铜布线的缺点，将铜是主要的金属膜层，增加材料为钼或其合金的屏蔽金属层作为缓冲膜层，形成多层结构的金属膜，对于该类金属膜的蚀刻，大韩民国专利公开公报第2003-0082375号，专利公开公报第2004-0051502号等，发表了以过氧化氢为基础的铜/钼系蚀刻剂。
但以往所使用的蚀刻剂中，无论是含氟或不含氟的蚀刻剂，其均会与源漏极金属层下层的有源层发生反应并造成损伤，严重时会造成薄膜晶体管器件失效进而引发显示不良的问题出现。
发明内容
本发明提供一种蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板，所述蚀刻剂组合物可解决蚀刻过程中造成有源层损伤的问题。
为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层，包括：过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水；
其中，所述屏蔽金属层抑制剂包括第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种，所述第二屏蔽金属层抑制剂选自乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种。
在本发明实施例提供的一实施例中，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤、腺嘌呤、鸟嘌呤、嘧啶、胞嘧啶、尿嘧啶、胸腺嘧啶、腺苷酸、鸟苷酸、胞苷酸、鸟苷酸、胞苷酸、鸟苷酸以及胸苷酸中的至少一种。
在本发明实施例提供的一实施例中，所述屏蔽金属层抑制剂中的所述第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂的质量比为(2～5):1。
在本发明实施例提供的一实施例中，在所述蚀刻剂组合物中所述屏蔽金属层抑制剂的质量百分含量为0.01％-2％。
在本发明实施例提供的一实施例中，所述蚀刻剂组合物还包括稳定剂，所述稳定剂选自磺酸类化合物中的至少一种。
在本发明实施例提供的一实施例中，在所述蚀刻剂组合物中所述稳定剂的质量百分含量为0.01％-5％。
在本发明实施例提供的一实施例中，所述蚀刻助剂包括螯合剂、腐蚀抑制剂以及蚀刻酸剂，其中，所述螯合剂为至少一种含有螯合基团的化合物，所述螯合基团选自羧基、磷酸基或硅酸基，所述腐蚀抑制剂选自唑类化合物中的至少一种，所述蚀刻酸剂选自羧酸类化合物中的至少一种。
在本发明实施例提供的一实施例中，在所述蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为5％-12％，所述螯合剂的质量百分含量为0.5％-3％，所述腐蚀抑制剂的质量百分含量为0.005％-1％，所述蚀刻酸剂的质量百分含量为0.1％-4％。
第二方面，本发明还提供了一种金属层的形成方法，所述金属层的形成方法包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上依次形成屏蔽金属膜与铜膜；
在所述铜膜上形成光阻；
在所述光阻的遮蔽下，使用上述的蚀刻剂组合物图案化所述铜膜；以及
在所述光阻的遮蔽下，使用干法蚀刻工艺图案化所述屏蔽金属膜。
第三方面，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括金属层，所述金属层由上述的金属层的形成方法得到。
有益效果：本发明实施例提供了一种蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板，所述蚀刻剂组合物包括过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水；在使用该蚀刻剂组合物对包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层进行蚀刻时，基于铜与钼的腐蚀电位差异，含杂氮基的第一以屏蔽金属层抑制剂会选择性地吸附于钼系屏蔽金属层表面，同时所述第二屏蔽金属层抑制剂作为表面活性剂作用于钼系屏蔽金属层表面实现协同吸附，如此使得在蚀刻过程中，所述屏蔽金属层中因铜系膜层被蚀刻去除而裸露的表面会被吸附的所述屏蔽金属层抑制剂所覆盖，相当于形成了一层屏蔽膜层而阻挡蚀刻剂组合物对所述钼系屏蔽金属层进行蚀刻，即，该蚀刻剂组合物具有优异的选择性蚀刻效果，在有效蚀刻铜系膜层的基础上不会对钼系屏蔽金属层进行蚀刻，基于此也更不会对屏蔽金属层下侧所存在的膜层诸如有源层造成腐蚀而将其损伤。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的试片1由蚀刻剂2蚀刻完成后在扫描电子显微镜下表征得到的微观形貌图；
图2是本发明实施例提供的试片1由蚀刻剂5蚀刻完成后在扫描电子显微镜下表征得到的微观形貌图；
图3是本发明实施例提供的一种金属层的形成方法的文字流程示意图；
图4a-4e是本发明实施例提供的一种金属层的形成方法的结构流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供了一种蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层，包括：过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水；
其中，所述屏蔽金属层抑制剂包括第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种，所述第二屏蔽金属层抑制剂选自乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种。
在本发明实施例提供的蚀刻剂组合物中，通过加入特定组成的屏蔽金属层抑制剂，该屏蔽金属层抑制剂具体包括由嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种所构成的第一屏蔽金属层抑制剂以及由乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种所构成的第二屏蔽金属层抑制剂，在使用该蚀刻剂组合物对包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层进行蚀刻时，基于铜与钼的腐蚀电位差异，含杂氮基的第一以屏蔽金属层抑制剂会选择性地吸附于钼系屏蔽金属层表面，同时所述第二屏蔽金属层抑制剂作为表面活性剂作用于钼系屏蔽金属层表面实现协同吸附，如此使得在蚀刻过程中，所述屏蔽金属层中因铜系膜层被蚀刻去除而裸露的表面会被吸附的所述屏蔽金属层抑制剂所覆盖，相当于形成了一层屏蔽膜层而阻挡蚀刻剂组合物对所述钼系屏蔽金属层进行蚀刻，即，该蚀刻剂组合物具有优异的选择性蚀刻效果，在有效蚀刻铜系膜层的基础上不会对钼系屏蔽金属层进行蚀刻，基于此也更不会对屏蔽金属层下侧所存在的膜层诸如有源层造成腐蚀而将其损伤。
补充说明的是，本发明实施例所述的铜系膜层的材料为铜或铜合金，所述钼系屏蔽金属层的材料为钼或钼合金。
在一些实施例中，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤、腺嘌呤、鸟嘌呤、嘧啶、胞嘧啶、尿嘧啶、胸腺嘧啶、腺苷酸、鸟苷酸、胞苷酸、鸟苷酸、胞苷酸、鸟苷酸以及胸苷酸中的至少一种。
在一些实施例中，所述屏蔽金属层抑制剂中的所述第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂的质量比为(2～5):1，示例性地，所述屏蔽金属层抑制剂中的所述第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂的质量比为2:1、2.5:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1或5:1，在上述比例内，所述第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂协同对所述屏蔽金属层表现出优异的抑制作用。
在一些实施例中，在所述蚀刻剂组合物中所述屏蔽金属层抑制剂的质量百分含量为0.01％-2％，进一步地，所述屏蔽金属层抑制剂的质量百分含量为0.1％-1％，示例性地，所述屏蔽金属层抑制剂的质量百分含量为0.2％、0.3％、0.4％、0.5％、0.6％、0.7％、0.8％或0.9％，在上述比例内，所述屏蔽金属层抑制剂对所述屏蔽金属层表现出优异的抑制作用。
在一些实施例中，所述蚀刻剂组合物还包括稳定剂，所述稳定剂选自磺酸类化合物中的至少一种，所述稳定剂用于解决所述屏蔽层金属抑制剂与过氧化氢反应导致过氧化氢分解的问题，示例性地，所述稳定剂选自甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、氨基甲磺酸或磺酸中的至少一种，进一步地，所述稳定剂为甲磺酸。
在一些实施例中，在所述蚀刻剂组合物中所述稳定剂的质量百分含量为0.01％-5％，进一步地，所述稳定剂的质量百分含量为0.5％-3％，示例性地，所述稳定剂的质量百分含量为0.6％、0.7％、0.8％、0.9％、1.0％、1.2％、1.4％、1.6％、1.8％、2.0％、2.2％、2.4％、2.6％或2.8％。
在一些实施例中，所述蚀刻助剂包括螯合剂、腐蚀抑制剂以及蚀刻酸剂。
其中，所述螯合剂为至少一种含有螯合基团的化合物，所述螯合基团选自羧基、磷酸基或硅酸基，所述螯合剂将蚀刻过程中氧化的金属离子螯合以将其钝化，减缓过氧化氢分解速率，从而确保蚀刻剂组合物的稳定性，维持较高的蚀刻效率以延长所述蚀刻剂组合物的使用寿命；
进一步地，所述螯合剂选自亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚(甲基磷酸)、(1-羟基乙烷-1,1-二烯化合物)双(磷酸)、乙基二胺四(甲基磷酸)、二亚乙基三胺五(甲基磷酸)、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸以及甘氨酸中的至少一种，示例性地，所述螯合剂为亚氨基二乙酸。
所述腐蚀抑制剂选自唑类化合物中的至少一种，所述腐蚀抑制剂用于与铜系膜表面的铜离子相结合，防止蚀刻剂组合物导致的过度腐蚀，可以减少蚀刻得到图案的关键尺寸偏差值，提高蚀刻精度；
进一步地，所述腐蚀抑制剂选自3-氨基-1,2,3-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-1,2,3-三唑、4-氨基-1,2,4-三唑、5-甲基四唑、5-氨基四唑、咪唑及吡唑中的至少一种，示例性地，所述腐蚀抑制剂为5-氨基四唑。
所述蚀刻酸剂选自羧酸类化合物中的至少一种，具体为不含氮原子的羧酸类化合物，用于调节所述蚀刻剂组合物的pH值；
所述蚀刻酸剂选自乙酸、甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸以及丁二酸中的至少一种，进一步地，所述蚀刻酸剂为柠檬酸。
在一些实施例中，在所述蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为5％-12％，进一步地，所述过氧化氢的质量百分含量为7％-10％，示例性地，所述过氧化氢的质量百分含量为7.5％、8％、8.5％、9％或9.5％，在上述范围内，所含的过氧化氢时具有良好的氧化能力和蚀刻效率，蚀刻速度适当；
所述螯合剂的质量百分含量为0.5％-3％，进一步地，所述螯合剂的质量百分含量为1.5％-2.5％，示例性地，所述螯合剂的质量百分含量为1.6％、1.7％、1.8％、1.9％、2.0％、2.1％、2.2％、2.3％或2.4％，在上述范围内，可以维持较高的蚀刻效率，确保蚀刻剂组合物的稳定性，以延长蚀刻剂使用寿命；
所述腐蚀抑制剂的质量百分含量为0.005％-1％，进一步地，所述腐蚀抑制剂的质量百分含量为0.05％-0.5％，示例性地，所述腐蚀抑制剂的质量百分含量为0.06％、0.07％、0.08％、0.09％、0.1％、0.2％、0.3％或0.4％，在上述范围内，可保持较好的蚀刻效率并抑制过度腐蚀；
所述蚀刻酸剂的质量百分含量为0.1％-4％，进一步地，所述蚀刻酸剂的质量百分含量为0.5％-2％，示例性地，所述蚀刻酸剂的质量百分含量为0.6％、0.7％、0.8％、0.9％、1.0％、1.1％、1.2％、1.3％、1.4％、1.5％、1.6％、1.7％、1.8％或1.9％，在上述范围内，蚀刻速率适中，蚀刻获得的结构的锥形角形貌良好。
在一些实施例中，所述蚀刻剂组合物不含有氟化物。
在一些实施例中，所述蚀刻剂组合物中的水为去离子水，进一步地，为非电阻值在18MΩ·cm以上的去离子水。
如下结合具体的实施例进行进一步说明：
实施例1
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂1，其中，亚氨基二乙酸(IDA，Iminodiacetic acid)作为螯合剂，5-甲基四唑(MTZ，5-methyltetrazole)作为抑制剂，柠檬酸作为蚀刻酸剂，腺苷酸作为第一屏蔽金属层抑制剂，聚乙烯亚胺(PEI，Polyethyleneimine)作为第二屏蔽金属层抑制剂，甲磺酸(MSA，Methansulfonic acid)作为稳定剂，且不含氟化氢。
实施例2
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂2。
实施例3
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂3。
对比例1
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂4，与实施例1不同之处在于过氧化氢含量不同。
对比例2
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂4，与实施例1不同之处在于亚氨基二乙酸含量不同。
对比例3
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂5，与实施例1不同之处在于不含作为第一屏蔽金属层抑制剂的腺苷酸。
对比例4
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂6，与实施例1不同之处在于作为第二屏蔽金属层抑制剂的聚乙烯亚胺。
对比例5
按照如下表1所示的成分及组成制备得到蚀刻剂7，与实施例1不同之处在于还添加有氟化氢。
表1
蚀刻剂组成 H2O2 IDA MTZ 柠檬酸 腺苷酸 PEI MSA HF
蚀刻剂1 10.0 1.8 0.2 1.5 0.5 0.1 0.8 0
蚀刻剂2 10.0 1.8 0.1 1.0 0.5 0.1 0.8 0
蚀刻剂3 8.0 1.8 0.1 1.5 0.3 0.15 0.8 0
蚀刻剂4 20.0 1.8 0.2 1.5 0.5 0.1 0.8 0
蚀刻剂5 10.0 4.0 0.2 1.5 0.5 0.1 0.8 0
蚀刻剂6 10.0 1.8 0.2 1.5 0 0.1 0.8 0
蚀刻剂7 10.0 1.8 0.2 1.5 0.5 0 0.8 0
蚀刻剂8 10.0 1.8 0.2 1.5 0.5 0.1 0.8 0.05
在玻璃基板上蒸镀有机绝缘膜以及材料为铟镓锌氧化物的氧化物半导体膜后，再在用氧化物半导体膜上蒸镀形成厚度为300埃的屏蔽金属膜与厚度为5500埃的铜膜，屏蔽金属膜的材料为钼，并在此上面形成具有一定的图案的光阻层，最后用金刚石刀切割得到多个尺寸为4cm×3cm的试片1；
按照述步骤，将屏蔽金属膜的材料替换为MoTi，制备得到多个试片2；
按照述步骤，将屏蔽金属膜的材料替换为MoNb，制备得到多个试片3；
按照述步骤，将屏蔽金属膜的材料替换为MoNbTi，制备得到多个试片4。
分别取1kg如上表所示蚀刻剂1放在烧杯中，进行水浴加热，当达到所设定的温度(32℃)时加入上述制备的试片1进行蚀刻，总蚀刻时间以末点检出(End Point Detection,EPD)为基准，过刻30％，将已完成蚀刻的基板清洗后干燥，再用扫描电子显微镜确认屏蔽层金属膜是否有损伤；
分别对试片2-试片4按照上述步骤进行验证。
分别对蚀刻剂2-蚀刻剂7按照上述步骤进行验证，结果汇总如下表2，其中，◎代表屏蔽层金属膜无损伤，○代表屏蔽层金属膜部分被蚀刻，×代表屏蔽层金属膜完全被蚀刻：
表2
根据上述实验结构可知，由本发明实施例所提供的蚀刻剂进行蚀刻，无论蚀刻屏蔽层金属膜的材料为钼、钼钛、钼铌或是钼铌钛，该蚀刻屏蔽层金属膜均不会被蚀刻，其中，试片1由蚀刻剂2蚀刻完成后在扫描电子显微镜下的微观形貌见图1，可明显看出材料为钼的屏蔽层金属膜未被蚀刻，仍完整的保留于基板上；
进一步地，蚀刻剂4由于其过氧化氢含量过高，导致其将材料为钼的屏蔽层金属膜蚀刻去除，将材料为钼钛、钼铌或是钼铌钛的屏蔽层金属膜部分蚀刻去除，由此可确认，当过量添加过氧化氢时，屏蔽金属层抑制剂对屏蔽层金属膜的屏蔽作用减弱，导致屏蔽层金属膜仍被部分蚀刻去除或完全蚀刻去除；
蚀刻剂5由于其螯合剂含量过高，导致其将材料为钼的屏蔽层金属膜蚀刻去除，将材料为钼铌或是钼铌钛的屏蔽层金属膜部分蚀刻去除，由此可确认，当过量添加螯合剂时，屏蔽金属层抑制剂对屏蔽层金属膜的屏蔽作用减弱，导致屏蔽层金属膜仍被部分蚀刻去除或完全蚀刻去除，其中，试片1由蚀刻剂5蚀刻完成后在扫描电子显微镜下的微观形貌见图2，可明显看出材料为钼的屏蔽层金属膜基本被蚀刻去除，具体为其仅在铜膜下的部分得以保留，而裸露于铜膜以外的部分基本被蚀刻去除，仅存在微小的絮状残留；
蚀刻剂6由于其未包含作为第一屏蔽金属层抑制剂的腺苷酸，导致其将材料为钼、钼钛、钼铌或是钼铌钛的屏蔽层金属膜蚀刻去除，由此可确认，当仅设置所述第二屏蔽金属层抑制剂，未添加所述第一屏蔽金属层抑制剂时，屏蔽金属层抑制剂无法起到有效的屏蔽作用导致屏蔽层金属膜仍被蚀刻去除；
蚀刻剂7由于其未包含作为第二屏蔽金属层抑制剂的聚乙烯亚胺，导致其将材料为钼、钼铌或是钼铌钛的屏蔽层金属膜蚀刻去除，将材料为钼钛的屏蔽层金属膜部分蚀刻去除，由此可确认，当仅设置所述第一屏蔽金属层抑制剂，未添加所述第二屏蔽金属层抑制剂时，屏蔽金属层抑制剂无法起到有效的屏蔽作用导致屏蔽层金属膜仍被蚀刻去除；
蚀刻剂8由于其包含氟化氢，导致其将材料为钼、钼钛、钼铌或是钼铌钛的屏蔽层金属膜蚀刻去除，由此可确认，即使当存在氟化氢时，屏蔽金属层抑制剂无法起到有效的屏蔽作用导致屏蔽层金属膜仍被蚀刻去除。
根据上述可知，本发明实施例所提供的蚀刻剂，由于其包含有具有两种成分的所述屏蔽金属层抑制剂，各成分的含量均处于合适的范围内，且不含有氟化物，使得其在蚀刻过程中仅蚀刻去除铜膜，对屏蔽金属膜起到较好的屏蔽作用而使其得以完成的保留，即本发明实施例所提供的蚀刻剂具有优异的选择性蚀刻效果，在有效蚀刻铜膜的基础上不会对材料为钼或钼合金的屏蔽金属膜进行蚀刻。
本发明的另一实施例还提供了一种金属层的形成方法，参阅图3，具体包括如下步骤：
S10：提供一基板，在所述基板上依次形成钼系屏蔽金属膜与铜系膜；
S20：在所述铜系膜上形成光阻；
S30：在所述光阻的遮蔽下，使用上述的蚀刻剂组合物图案化所述铜系膜；
S40：在所述光阻的遮蔽下，使用干法蚀刻工艺图案化所述钼系屏蔽金属膜。
如下结合图4a-4e进行详述：
请参阅图4a，提供一基板100，在所述基板100上依次形成钼系屏蔽金属膜200与铜系膜300；
请参阅图4b，在所述铜系膜300上形成具有特定图案的光阻400；
请参阅图4c，在所述光阻400的遮蔽下，使用上述的蚀刻剂组合物图案化所述铜系膜300形成第一金属子层300a；
请参阅图4d，在所述光阻400的遮蔽下，使用干法蚀刻工艺图案化所述钼系屏蔽金属膜200形成第二金属子层210，所述第一金属子层300a与所述第二金属子层210即为形成的所述金属层；
请参阅图4e，去除所述光阻400。
在本发明实施例所提供的金属层的形成方法中，使用上述实施例所提供的蚀刻剂组合物，选择性地仅蚀刻所述铜系膜300以将其图案化形成第一金属子层300a，而不对所述钼系屏蔽金属膜200进行蚀刻，因此，在图案化所述铜系膜300的过程中，所述钼系屏蔽金属膜200可对下层的膜层起屏蔽保护作用，避免因所述蚀刻剂组合物接触位于所述钼系屏蔽金属膜200下层的其他膜层而将其腐蚀损伤的问题出现；接着，在将所述铜系膜300图案化后，再使用干法蚀刻对所述钼系屏蔽金属膜200图案化即完成所述金属层的形成。
本发明另一实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括金属层，所述金属层通过上述实施例所提供的金属层的形成方法得到。
在一些实施例中，所述金属层可为显示面板中任意的金属膜层，示例性地，所述金属层为栅极金属层，或所述金属层为源漏极金属层。
需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本发明实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如基板，缓冲层，层间介质层等，具体此处不作限定。
本发明另一实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所提供的显示面板，所述显示装置包括但不限于为手机、智能手表、平板电脑、笔记本电脑、电视机等。
以上对本发明实施例所提供的一种蚀刻剂组合物、金属层的形成方法与显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻包含铜系膜层与钼系屏蔽金属层的金属膜层，包括：过氧化氢、蚀刻助剂、屏蔽金属层抑制剂以及水；
其中，所述屏蔽金属层抑制剂包括第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤类化合物、嘧啶类化合物以及苷酸类化合物中的至少一种，所述第二屏蔽金属层抑制剂选自乙烯亚胺与聚乙烯亚胺中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述第一屏蔽金属层抑制剂选自嘌呤、腺嘌呤、鸟嘌呤、嘧啶、胞嘧啶、尿嘧啶、胸腺嘧啶、腺苷酸、鸟苷酸、胞苷酸、鸟苷酸、胞苷酸、鸟苷酸以及胸苷酸中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述屏蔽金属层抑制剂中的所述第一屏蔽金属层抑制剂与第二屏蔽金属层抑制剂的质量比为(2～5):1。
4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，在所述蚀刻剂组合物中所述屏蔽金属层抑制剂的质量百分含量为0.01％-2％。
5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻剂组合物还包括稳定剂，所述稳定剂选自磺酸类化合物中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，在所述蚀刻剂组合物中所述稳定剂的质量百分含量为0.01％-5％。
7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻助剂包括螯合剂、腐蚀抑制剂以及蚀刻酸剂，其中，所述螯合剂为至少一种含有螯合基团的化合物，所述螯合基团选自羧基、磷酸基或硅酸基，所述腐蚀抑制剂选自唑类化合物中的至少一种，所述蚀刻酸剂选自羧酸类化合物中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，在所述蚀刻剂组合物中，所述过氧化氢的质量百分含量为5％-12％，所述螯合剂的质量百分含量为0.5％-3％，所述腐蚀抑制剂的质量百分含量为0.005％-1％，所述蚀刻酸剂的质量百分含量为0.1％-4％。
9.一种金属层的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成方法包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上依次形成钼系屏蔽金属膜与铜系膜；
在所述铜系膜上形成光阻；
在所述光阻的遮蔽下，使用权利要求1-8任意一项所述的蚀刻剂组合物图案化所述铜系膜；以及
在所述光阻的遮蔽下，使用干法蚀刻工艺图案化所述钼系屏蔽金属膜。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括金属层，所述金属层由权利要求9所述的金属层的形成方法得到。
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