KR20080017576A - 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액 - Google Patents

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Abstract

금속 실리사이드막의 식각을 억제하면서, 실리콘 산화막의 식각을 증가시키는, 금속 실리사이드와 실리콘 산화막간의 선택비가 매우 높은 습식 식각용액이 제공된다. 본 발명에 제1 실시예에 따른 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 3 중량%, 질산, 황산, 염산 중 하나 이상 선택되는 무기산 10 내지 40 중량%, 비이온성 계면활성제 0.0001 내지 5 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
금속 실리사이드, 실리콘 산화막, 습식, 식각용액, 불화수소, 비이온 계면활성제, 무기산

Description

실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액{Wet etching solution having high selectivity for silicon oxide}
본 발명은 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 습식 식각 선택비(selectivity)가 높은 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 LCD, OLED, PDP 등과 같은 디스플레이 소자는 대부분 사진식각(photolithography) 공정을 통하여 제조되며, 이러한 사진식각 공정에 있어서 가장 중요한 공정 중의 하나가 바로 식각공정(etching)이다.
식각(etching)은 크게 화학용액을 이용한 습식식각(wet etching)과, 플라즈마를 이용한 건식식각(dry etching) 공정으로 나눌 수 있는데, 이중 전자는 식각 선택비(selectivity)가 높고 등방성(isotropy) 식각이 이루어진다는 특징이 있으며, 후자는 선택비는 높지 않으나 비등방성(anisotropy) 식각이 이루어 진다는 특징이 있다.
따라서, 소자의 구조가 일직선 상으로 적층되는 구조일 경우엔 건식식각, 소자의 구조가 3차원의 입체구조인 경우엔 습식식각이 이용된다.
특히, 반도체 소자의 제조공정에 있어서 금속간 배선 또는 소자 콘택홀의 형성시 절연물질인 실리콘 산화막으로 되어 있는 막간분리막(Inter-layer dielectric)을 식각을 통해 제거하고 소오스/드레인 영역과 같은 반도체 기판 상의 활성영역이나 게이트영역을 노출시켜주는데, 이때 막간분리막을 제거함에 있어서 게이트 스택(폴리실리콘-금속실리사이드 막 재질)의 손상이 필연적이다.
최근 메모리 소자 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 게이트 스택상에 하드마스크 막을 형성시킨 후 건식식각법으로 상기 막을 선택적으로 제거하여 콘택홀의 형성시키는 기술이 개발되고 있으나, 비교적 집적도가 낮거나 소자가 입체구조로 되어 있는 아이씨(IC), 엘에스아이(LSI) 분야에서는 여전히 습식식각을 통해 콘택홀을 형성시키고 있다.
이와 같이 습식식각을 이용할 경우, 막간절연막 또는 기타 절연막으로 사용되는 실리콘 산화막(SiOx)과 금속 실리사이드막(Metal silicide; MSix) 사이의 식각 선택비(selectivity)를 조절하는 것이 매우 중요하다.
종래에는 이러한 습식 식각공정에 사용되는 습식 식각용액으로서 완충 산화막 식각제 또는 희석된 불화수소 등을 사용하였다.
완충 산화막 식각제로는 불화암모늄과 계면활성제를 함유한 불화수소용액이 사용되고 있으며, 이러한 완충 산화막 식각제는 식각특성이 균일한 장점이 있으므로 특히 실리콘 산화막의 식각 공정에 가장 널리 이용되고 있다.
그러나, 종래의 이와 같은 식각용액들은 실리콘 산화막 대비 금속 실리사이드막에 대한 식각비가 1:5 내지 1:10 정도의 식각비를 가져 금속 실리사이드 막의 상대적인 식각률(etch rate)이 매우 높은 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 금속 실리사이드 막의 식각을 억제하고 실리콘 산화막의 식각 선택비를 향상시켜 BPSG(실리콘) 산화막을 효과적으로 제거할 수 있는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각 용액을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 실시예에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 3 중량%, 질산, 황산, 염산 중에서 선택되는 하나 이상의 무기산 10 내지 40 중량%, 비이온성 계면활성제 0.0001 내지 5 중량% 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제2 실시예에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액은 불화암모늄 0.1 내지 10 중량%, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 60 내지 98 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 제3 실시예에 따른 실리콘 산 화막 선택성 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 10 중량부, 불화암모늄 0.1 내지 10 중량부, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 30 내지 50 중량부, 알콜류 30 내지 50 중량부, 및 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 3 중량%, 질산, 황산, 염산 중 하나 이상 선택되는 무기산 10 내지 40 중량%, 비이온성 계면활성제 0.0001 내지 5 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함한다.
전체 습식 식각용액 중 불화수소의 첨가량이 0.1 내지 3중량%인 경우가 바람직한데, 그러한 경우 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비가 향상되고 금속 실리사이드의 식각을 억제할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 습식 식각용액에 사용되는 무기산(inorganic acid)으로는 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 염산(HCl), 인산(H3PO4) 또는 이들의 혼합 물이 사용될 수 있으나, 금속 실리사이드에 대한 식각 선택비를 높이기 위해 질산을 사용하는 것이 바람직하다.
무기산의 첨가비율은 전체 습식 식각용액 중에 10~40 중량%인 것이 바람직한데, 그 농도가 10 내지 40중량%인 경우 실리콘 산화막의 식각을 효과적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 습식 식각용액에 사용되는 비이온성 계면활성제는 이온성 계면활성제에 비해 여러 가지 성분과 잘 어울릴 수 있다는 이점이 있다. 즉, 비이온성 계면활성제는 분자의 친수성(Hydrophilic)과 친유성(Lipophilic 또는 Hydrophobic)을 가진 작용기가 모두 존재하여 전체 용액 중의 다른 성분들과 비교적 잘 어울릴 수 있다는 장점이 있다.
비이온성 계면활성제로는 통상적으로 화합물의 제조에 사용되는 비이온성 계면활성제가 사용될 수 있으나, 알킬페놀에톡실레이트(alkylphenol ethoxy-late), ALS(ammonium lauryl sulfate solution) 중 하나를 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 ALS(ammonium lauryl sulfate solution)을 사용한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 습식 식각용액에는 물(H2O)이 포함될 수 있는데, 이때 포함되는 물은 전체 중량%의 균형을 맞추기 위해 인위적으로 첨가되는 것일 수도 있으나, 상기에서 설명한 불화수소, 무기산, 비이온성 계면활성제 원료 자체에 부수적으로 포함되어 있는 물일 수도 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액은 불화암모늄 0.1 내지 10 중량%, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 60 내지 98 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함한다.
전체 습식 식각용액 중 불화암모늄이 0.1 내지 10중량%인 것이 바람직한데, 그러한 경우 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비가 향상되고 금속 실리사이드의 식각을 최적의 조건으로 억제할 수 있다.
본 발명의 제2 실시에에 따른 습식 식각용액에 사용되는 적어도 1개 이상의 카르복실기(COO-)를 포함하는 유기산(organic acid)으로는 초산(acetic acid; CH3COOH), 시트르산(citric acid; C6H8O7), 글루타르산(glutaric acid; HOOCCH2CH2CH2COOH), 포름산(formic acid; HCOOH), 락트산(lactic acid), 말산(malic acid; C4H6O5), 말레산(maleic acid; C4H4O4), 옥살산(oxalic acid; C2H2O4), 프탈산(phthalic acid; C8H6O4), 숙신산(succinic acid; HOOCCH2CH2COOH), 타르타르산(tartaric acid; C4H6O6), 및 프로피온산(propionic acid; CH3CH2COOH)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 유기산 화합물을 사용할 수 있으나, 금속 실리사이드에 대한 식각 선택비를 높이기 위해서는 초산을 사용하는 것이 바람직하다.
유기산의 첨가비율은 전체 습식 식각용액 중 60~98 중량%인 것이 바람직한데, 그러한 농도로 사용할 경우 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비가 향상되고 금속 실리사이드의 식각을 최적의 조건으로 억제할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 습식 식각용액에는 물(H2O)이 포함될 수 있는 데, 이때 포함되는 물은 전체 중량%의 균형을 맞추기 위해 인위적으로 첨가되는 것일 수도 있으나, 상기에서 설명한 불화암모늄, 유기산 자체에 부수적으로 포함되어 있는 물일 수도 있다.
본 발명의 제 3실시예에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액은 불화수소 0.1 내지 10 중량부, 불화암모늄 0.1 내지 10 중량부, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 30 내지 50 중량부, 알콜류 30 내지 50 중량부, 및 물을 포함한다.
전체 습식 식각용액 중 첨가되는 불화수소의 첨가량이 0.1 내지 10중량부 범위인 것이 바람직한데, 그러한 경우에 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비가 향상되고 금속 실리사이드의 식각을 최적의 조건으로 억제할 수 있다.
전체 습식 식각용액 중 불화암모늄은 0.1 내지 10 중량부 첨가하는 것이 바람직하고, 0.1 내지 5.0 중량부 첨가하는 것이 더욱 바람직하다. 그러한 경우에 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비가 향상되고 금속 실리사이드의 식각을 최적의 조건으로 억제할 수 있다.
전체 습식 식각용액 중 유기산의 첨가량은 30 내지 50 중량부인 것이 바람직하고, 40 내지 50 중량부인 것이 더욱 바람직한데, 그러한 범위에서 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비가 향상되고 금속 실리사이드의 식각을 최적의 조건으로 억제할 수 있으며, 기판(wafer)의 표면에 파티클(particle)이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 습식 식각용액에 알콜류, 구체적으로 메탄올, 에탄올, 부탄올 및 이소프로필알콜로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 알콜류를 30 내지 50 중량부 첨가하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 30 내지 40 중량부 첨가하는 것이 좋다. 그러한 경우 기판 표면에 젖음(wetting) 현상을 방지하여 식각률 저하를 막을 수 있고, 기판 표면의 파티클 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 습식 식각용액에는 물(H2O)이 포함될 수 있는데, 이때 포함되는 물은 전체 중량%의 균형을 맞추기 위해 인위적으로 첨가되는 것일 수도 있으나, 상기에서 설명한 불화수소, 불화암모늄, 유기산, 알콜류 자체에 부수적으로 포함되어 있는 물일 수도 있다.
상기 본 발명의 제1 실시예 내지 제3 실시예에 따른 습식 식각용액은 금속 실리사이드막 대비 실리콘 산화막의 식각 선택비가 우수한 것을 특징으로 하는데, 이러한 금속실리사이드막으로서 WSix, TiSix, MoSix, NiSix, TaSix, CuSix막 등이 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예들에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액에 의할 경우 금속 실리사이드 대비 실리콘 산화막의 식각 선택비가 매우 우수하다는 것을 구체적인 실험예들 및 비교예들을 들어 설명한다. 다만, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
1. 제1 실시예에 따른 습식 식각용액에 대한 실험예 및 비교예
(1) 실험예 1-1
불화수소 0.2중량%, 질산 25 중량%, ALS(ammonium lauryl sulfate solution; Fluka) 0.1 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 식각 용액을 사용하여, BPSG 산화막과 금속 실리사이드의 식각율(etching rate; Å/min)을 측정하여 표 1에 나타내었다.
이때, 사용된 막질은 Blanket 막질로서, BPSG(실리콘) 산화막이 9000Å, 금속 실리사이드 (TiSix) 막이 1000Å인 것이었으며, 각각의 막질을 식각용액에 4분간 담구어 그 식각량을 측정하였다.
(2) 실험예 1-2
불화수소 1 중량%, 질산 10 중량%, ALS(ammonium lauryl sulfate solution; Fluka제품) 1 중량%, 및 나머지 중량 %는 물을 사용하는 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일하게 실시하였다.
(3) 실험예 1-3
불화수소 1 중량%, 질산 10 중량%, ALS(ammonium lauryl sulfate solution; Fluka) 5 중량%, 및 나머지 중량 %는 물을 사용하는 것을 제외하고는 실험예 1-1과 동일하게 실시하였다.
(4) 비교예 1-1
현재 실리콘 산화막 식각 공정에 주로 사용되는 완충 산화막 식각제인 불화암모늄과 계면활성제를 함유한 불화수소용액을 이용하여, 실리콘 산화막의 식각량과 금속 실리사이드의 식각량을 측정하여 표 1에 나타내었다.
(5) 비교예 1-2
상기 실험예 1-2에서 질산을 포함하지 않는 습식 식각용액을 제조하였으며, 나머지는 실험예 1-2와 동일하였다.
(6) 비교예 1-3
상기 실험예 1-2에서 잔여용매로 물 대신 에틸렌 글리콜(EG)을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1-2와 동일하게 실시하였다. 에틸렌 글리콜의 농도는 전체 식각제의 80 중량 % 이상이었다. 즉, 식각액에 사용된 원료 자체에 포함된 불순물로서의 물을 제외하고는 물을 넣지 않았다.
(7) 비교예 1-4
상기 실험예 1-2에서 비이온 계면활성제로 ALS 대신 Synperonic PE/L64를 사 용한 것을 제외하고는 실험예 1-2와 동일하게 실시하였다.
표 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 습식 식각용액에 대한 실험예들과 비교예들에 대한 식각율 측정결과를 나타내었다.
Figure 112006059329312-PAT00001
표 1을 참고하면, 비교예 1-1의 종래의 실리콘 산화막 식각용액의 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 1:0.2의 값을 보이고 있고, 비교예 1-2의 경우처럼 식각 용액에 질산을 포함하지 않는 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 1:0.06 의 값을 보이고 있으며, 비교예 1-3과 비교예 1-4의 경우에는 1:0.8 과 1:0.2 의 식각비를 보이고 있음을 알 수 있다.
이에 비해 본 발명의 실시예에 따른 실험예들에 의한 습식 식각용액을 사용한 경우, 전체적으로 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 거의 모두 약 1:4의 비로 나타났으며 실리콘 산화막의 식각율이 매우 향상되었음을 알 수 있다.
2. 제2 실시예에 따른 습식 식각용액에 대한 실험예 및 비교예
(1) 실험예 2-1
불화암모늄 2중량%, 초산 90 중량%, 및 물 8 중량%를 포함하는 식각 용액을 사용하여, 금속 실리사이드의 식각율(etching rate; Å/min) 및 BPSG(Boron phosphor silicate glass) 산화막의 식각율을 측정하여 표 2에 나타내었다. 이때, 사용된 막질은 Blanket 막질로서, BPSG 산화막 9000Å이, 금속 실리사이드 (TiSix) 막 1000Å인 것이었고, 각각의 막질을 식각용액에 4분간 담구어 그 식각량을 측정하였다.
(2) 실험예 2-2
불화암모늄 1 중량%, 초산 98 중량%, 및 물 1 중량%를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2-1과 동일하게 실시하였다.
(3) 실험예 2-3
불화암모늄 1 중량%, 포름산(개미산) 98 중량%, 및 물 1 중량%를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2-1과 동일하게 실시하였다.
(4) 실험예 2-4
불화암모늄 1 중량%, 프로피온산 98 중량% 및 물 1 중량%를 사용하는 것을 제외하고는 실험예 2-1과 동일하게 실시하였다.
(5) 비교예 2-1
현재 실리콘 산화막 식각 공정에 주로 사용되는 완충 산화막 식각제인 불화암모늄과 계면활성제를 함유한 불화수소 용액을 이용하여, BPSG 산화막의 식각량과 금속 실리사이드의 식각량을 측정하였다.
(6) 비교예 2-2
상기 실험예 2-1에서 초산을 첨가하지 않는 것을 제외하고는 실험예 2-1과 동일하게 실시하였다.
(7) 비교예 2-3
상기 실험예 2-1에서 초산 대신 염산(HCl)을 사용하는 것을 제외하고는 실험예 2-1과 동일하게 실시하였다.
표 2은 본 발명의 제2 실시예들에 따른 실험예들과 비교예들에 대한 식각율 측정결과를 나타낸 것이다.
Figure 112006059329312-PAT00002
표 2을 참고하면, 비교예 2-1의 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 약 1:0.2의 값을 보이고 있고, 비교예 2-2의 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 약 1:0.07의 값을 보이고 있으며, 비교예 2-3의 경우에는 약 1:0.8의 식각비를 보이고 있음을 알 수 있다.
이에 비해 본 발명의 실시예에 따라 제조된 실험예의 습식 식각용액을 사용한 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 1:5 내지 1:11의 값으로 비교예들에 비해 실리콘 산화막의 식각율이 매우 향상되었음을 알 수 있다.
3. 제3 실시예에 따른 습식 식각용액에 대한 실험예 및 비교예
(1) 실험예 3-1
불화수소 0.3 중량%, 불화암모늄 2중량%, 초산 48중량%, 이소프로필 알콜 48중량% 및 잔여 용매는 물을 사용한 식각용액을 이용하여, BPSG 산화막의 식각량과 금속 실리사이드의 식각량을 측정하고, 그에 따른 결과를 표 3에 나타내었다.
(2) 실험예 3-2
알콜류로서 이소프로필 알콜 대신에 메탄올을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 3-1과 동일하게 실시하였다.
(3) 비교예 3-1
현재 실리콘 산화막 식각공정에 사용되고 있는 완충 산화막 식각제인 불화암모늄과 계면활성제를 함유한 불화수소용액을 이용하여, 고밀도 플라즈마 산화막과 BPSG 산화막의 식각량과 금속 실리사이드의 식각량을 측정하고 그에 따른 결과를 표 3에 나타내었다.
(4) 비교예 3-2
상기 실험예 3-1에서 초산을 사용한 것을 제외하고는(즉, 초산의 해당량만큼 물을 첨가하였음) 실험예 3-1과 동일하게 실시하였다.
(5) 비교예 3-3
상기 실험예 3-1에서 초산 대신 염산을 사용한 것을 제외하고는 실험예 3-1과 동일하게 실시하였다.
표 3은 본 발명의 제3 실시예들에 따른 실험예들과 비교예들에 대한 식각율 측정결과를 나타낸 것이다.
Figure 112006059329312-PAT00003
표 3을 참고하면, 비교예 3-1의 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 약 1:0.2의 값을 보이고 있고, 비교예 3-2의 경우엔 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 약 1:0.06의 값을 보이고 있으며, 비교예 3-3의 경우에는 약 1:0.6의 식각비를 보이고 있음을 알 수 있다.
이에 비해 본 발명의 실시예에 따라 제조된 실험예의 습식 식각용액을 사용한 경우 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막식각율이 1:4 정도의 값을 나타내었으며, 비교예들에 비해 실리콘 산화막의 식각율이 매우 향상되었음을 알 수 있다.
이상 첨부된 표를 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액에 의하면 종래의 습식용액에 비해 금속실리사이드에 대한 실리콘 산화막 습식 식각 선택비(selectivity)가 매우 커 금속실리사이드 막의 큰 손상 없이 실리콘 산화막을 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다.

Claims (13)

  1. 불화수소 0.1 내지 3 중량%, 질산, 황산, 염산 중 하나 이상 선택되는 무기산 10 내지 40 중량% 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  2. 제 1 항에 있어서
    상기 습식 식각용액 100중량부를 기준으로 비이온성 계면활성제가 0.0001 내지 5 중량부를 더 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 비이온성 계면활성제는 알킬페놀에톡실레이트(alkylphenol ethoxy-late), ALS(ammonium lauryl sulfate solution) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  4. 불화암모늄 0.1 내지 10 중량%, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화 합물 60 내지 98 중량%, 및 잔여 중량%로 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  5. 불화수소 0.1 내지 10 중량부, 불화암모늄 0.1 내지 10 중량부, 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 30 내지 50 중량부, 알콜류 30 내지 50 중량부, 및 물을 포함하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 습식 식각용액은 실리콘 산화막과 금속 실리사이드막의 식각 선택비가 1:1 내지 1:10의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 습식 식각용액은 실리콘 산화막과 금속 실리사이드막의 식각 선택비가 1:1 내지 1:15 의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 습식 식각용액은 실리콘 산화막과 금속 실리사이드막의 식각 선택비가 1:1 내지 1:10이상의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  9. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 유기산 화합물은 초산, 시트르산, 글루타르산, 글리콜산, 포름산, 락트산, 말산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산, 및 프로피온산으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 알콜류는 메탄올, 에탄올, 부탄올, 이소프로필 알콜로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  11. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드 막은 WSix, TiSix, MoSix, NiSix, TaSix, CuSix 막 중 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  12. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 실리콘 산화막은 BPSG(Boron phosphor silicate glass) 산화막인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액.
  13. 제 1 항, 제 4 항, 제 5 항 중 어느 한 항의 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액을 이용하여 실리콘 산화막을 상대적으로 선택 식각하는 방법.
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