CN106587649B - Tft玻璃基板薄化工艺预处理剂 - Google Patents

Abstract

TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂，由以下组分组成：质量百分比含量8～12％的盐酸(HCl)，质量百分比含量3‑5％的硝酸，质量百分比含量2％～5％的氢氟酸(HF)，质量百分比含量5～6％的羟丙基甲基纤维素(HPMC)，质量百分比含量2～3％的结冷胶，及余量的水。

Description

TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂

技术领域

本发明涉及用于TFT玻璃基板蚀刻预处理的组合物。

背景技术

在因制作超薄TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)显示屏需要对TFT显示屏玻璃基板进行薄化处理时，需要对现有规格玻璃基板进行薄化处理，而当前普遍采用的氢氟酸蚀刻薄化方法在薄化处理后玻璃基板表明往往会出现局部过蚀产生的凹坑，需要再对基板表明进行长时间的抛光处理，严重影响了生产效率，提高了加工成本。为了减少薄化处理出现的凹坑，需要在薄化处理前对TFT液晶屏的玻璃基板(简称TFT玻璃)进行预处理，中国专利CN 103951270B公开了一种对TFT玻璃进行薄化预处理的方法，采用90-95％、3-5％、2-5％的浓硫酸、浓盐酸以及氢氟酸的混合酸液；对TFT玻璃基板进行预处理。该方法虽然可以实现一定的减少薄化后玻璃基板凹坑的效果，但预处理的混合酸中加入了大量的浓硫酸，预处理工序后产生的废液难于进行处理。因此提供一种新的TFT玻璃薄化预处理用产品，在提高处理效果的基础上降低污染排放，成为现有技术中亟待解决的问题。

发明内容

为解决前述技术问题，本发明提供了TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂及其处理工艺，通过优化预处理剂的处方和处理工艺，成功的实现了避免了浓硫酸等造成严重污染且难于处理的原材料的使用。

本发明提供了TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂，其特征在于所述预处理剂由以下组分组成：

质量百分比含量8～12％的盐酸(HCl)，质量百分比含量3-5％的硝酸，质量百分比含量2％～5％的氢氟酸(HF)，质量百分含量0.1～0.2％的氯化钙，质量百分比含量1～2％的羟丙基甲基纤维素(HPMC)，质量百分比含量0.5～1％的结冷胶，及余量的水。

所述的TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂，其特征在于以如下方法配制，

1)将处方量盐酸、硝酸与氢氟酸混合，并加入适量水稀释后，加入处方量的氯化钙溶解，

2)将处方量的羟丙基甲基纤维素、结冷胶溶于适量水中至完全溶解；

3)将步骤1)得到的混合液缓慢加入步骤2)的混合液中，补足余量的水后搅拌至混合均匀。

在研究中我们发现，采用本发明提供的TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂对TFT玻璃基板进行预处理能够显著降低薄化工艺后基板表面的凹坑，大大减少再研磨工序的时间，从而在保证了预处理效果的同时，避免了现有技术中采用浓硫酸为主要成分的预处理剂在使用时的不安全性和废液难于处理的问题。在处方筛选时我们发现，只有选用的优选的组分加入量才能产生较好的预处理效果，尤其是HPMC、结冷胶与氯化钙的配比，且本发明提供的预处理剂只有在优选的40-45℃条件下，才能产生最佳的处理效果。更进一步的本发明提供的预处理剂，对TFT玻璃基板的CF面和TFT面具有同样良好的处理效果，可以降低对薄化后玻璃基板的整体研磨时间，进一步提高了预处理效果。

具体实施方式

本发明提供的TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂，以如下方法配制，

1)将处方量盐酸、硝酸与氢氟酸混合，并加入适量水稀释后，加入处方量的氯化钙溶解，

2)将处方量的羟丙基甲基纤维素、结冷胶溶于适量水中至完全溶解；

3)将步骤1)得到的混合液缓慢加入步骤2)的混合液中，补足余量的水，后搅拌至混合均匀。

实施例1～4的配方见下表(质量百分比wt％)

本发明中采用的结冷胶符合GB 25535-2010标准

本发明中采用的羟丙基甲基纤维素为安徽山河药用辅料股份有限公司生产，规格为SHE50。

对实施例1～4得到的预处理剂进行薄化预处理的方法如下

取用原材料为板硝子AN100相同厂家同批次的玻璃基板进行，其厚度为1.000mm，尺寸为730mm×920mm。所采用的蚀刻及抛光设备分别为东莞鸿村蚀刻机和湖南永创抛光机。先在CF面玻璃基板和TFT面玻璃基板四周间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化完成封装，将封装完成的玻璃基板用于后续的预处理及薄化工序

预处理方法为

1)配制TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂1000L(以下简称预处理剂)

2)将预处理剂打入蚀刻机酸槽并将预处理剂温度控制在40℃～45℃，把作为实验组样品的5片完成封装的玻璃基板(编号为I～V)浸泡在预处理剂中，去除玻璃表面双层60微米；

3)：用清水洗净玻璃表面，在表面湿润的条件下再进入氢氟酸蚀刻液中，浓度为9mol/L，温度控制在30℃条件，薄化至0.5mm厚度。

另取5片完成封装的玻璃基板(编号i～v)清水清洗后直接进入氢氟酸蚀刻液中浓度为9mol/L，温度控制在30℃条件，薄化至0.5mm厚度，并作为对照组

在同一台永创抛光机1300-3#上，压力60g/cm²，下盘转速50，上盘转速40，研磨垫为环球LP-66型号，抛光粉为德乐士101型号，吸附垫为FUJIBO BPE211型号，实验组每研磨2分钟检验一次表面效果，对照组每研磨5分钟检验一次表明效果，记录研磨后检验没有凹坑的累计研磨时间如表1所示

实验结果表明，采用本发明提供的预处理剂进行预处理后的玻璃基板在进行薄化工艺处理后可以显著减少面板上的凹坑。

Claims (2)

1.TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂，其特征在于所述预处理剂的质量百分比配方如下：

盐酸8％，氢氟酸2％，硝酸3％，HPMC1％，结冷胶0.5％，氯化钙0.1％以及余量的水；或盐酸12％，氢氟酸5％，硝酸3％，HPMC2％，结冷胶1％，氯化钙0.2％以及余量的水；或盐酸10％，氢氟酸3％，硝酸3％，HPMC2％，结冷胶0.5％，氯化钙0.2％以及余量的水；或盐酸10％，氢氟酸3％，硝酸5％，HPMC1％，结冷胶1％，氯化钙0.1％以及余量的水。

2.如权利要求1所述的TFT玻璃基板薄化工艺预处理剂，其特征在于以如下方法配制，

1)将处方量盐酸、硝酸与氢氟酸混合，并加入适量水稀释后，加入处方量的氯化钙溶解，

2)将处方量的羟丙基甲基纤维素、结冷胶溶于适量水中至完全溶解；

3)将步骤1)得到的混合液缓慢加入步骤2)的混合液中，补足余量的水后搅拌至混合均匀。