KR20090012953A - 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- -1 organic acid compound Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 24
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical group COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910016344 CuSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 claims description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N propyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)O ILVGAIQLOCKNQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 2
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 6
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
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Abstract
본 발명은 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각액은 유기 용매 70 내지 99중량부; 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 0.1 내지 30중량부; 불소화합물 0.1 내지 15중량부; 및 무기산 0.001 내지 15중량부를 포함한다.
상기 반도체 소자용 식각액은 금속 실리사이드 막의 식각을 억제하면서, 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 선택비가 현저히 높아 금속 실리사이드 막을 손상시키지 않으면서도 실리콘 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.
금속 실리사이드, 실리콘 산화막, 습식, 식각액, 불화수소, 무기산, 반도체소자, 선택비
Description
본 발명은 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 식각 선택비(selectivity)가 높은 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 LCD, OLED, PDP 등과 같은 디스플레이 소자는 대부분 사진식각(photolithography) 공정을 통하여 제조되며, 이러한 사진식각 공정에 있어서 가장 중요한 공정 중의 하나가 바로 식각(etching) 공정이다.
식각 공정은 크게 화학용액을 이용한 습식 식각(wet etching)과, 플라즈마를 이용한 건식 식각(dry etching) 공정으로 나눌 수 있는데, 이중 전자는 식각 선택비가 높고 등방성(isotropy) 식각이 이루어진다는 특징이 있으며, 후자는 식각 선택비는 높지 않으나 비등방성(anisotropy) 식각이 이루어진다는 특징이 있다.
따라서, 반도체 소자의 구조가 일직선 상으로 적층되는 구조일 경우에는 건 식 식각이 주로 이용되고, 소자의 구조가 3차원의 입체구조인 경우에는 습식 식각이 주로 이용된다.
특히, 반도체 소자의 제조공정에 있어서 금속간 배선 또는 소자 콘택홀의 형성시 절연물질인 실리콘 산화막으로 되어 있는 막간분리막(Inter-layer dielectric)을 식각을 통해 제거하고 소오스/드레인 영역과 같은 반도체 기판 상의 활성영역이나 게이트 영역을 노출시켜주는데, 이때 막간분리막을 제거함에 있어서 게이트 스택(폴리실리콘-금속실리사이드 막 재질)의 손상이 필연적으로 발생한다.
최근 메모리 소자 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 게이트 스택상에 하드마스크 막을 형성시킨 후 건식 식각법으로 상기 막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성시키는 기술이 개발되고 있다. 그러나 비교적 집적도가 낮거나 소자가 입체구조로 되어 있는 아이씨(IC), 엘에스아이(LSI) 분야에서는 여전히 습식 식각을 통해 콘택홀을 형성시키고 있다.
이와 같이 습식 식각을 이용할 경우, 막간절연막 또는 기타 절연막으로 사용되는 실리콘 산화막(SiOx)과 금속 실리사이드막(metal silicide; MSix) 사이의 식각 선택비를 조절하는 것이 매우 중요하다.
종래에는 이러한 습식 식각공정에 사용되는 습식 식각용액으로서 완충 산화막 식각제 또는 희석된 불화수소 등을 사용하였다.
상기 완충 산화막 식각제로는 불화암모늄과 계면활성제를 함유한 불화수소용액이 사용되고 있으며, 이러한 완충 산화막 식각제는 식각특성이 균일한 장점이 있 으므로 특히 실리콘 산화막의 식각 공정에 가장 널리 이용되고 있다.
그러나, 종래의 이와 같은 식각액들은 실리콘 산화막 대비 금속 실리사이드막에 대한 식각비가 1:5 내지 1:10 정도의 식각비를 가져 금속 실리사이드 막의 상대적인 식각율(etch rate)이 매우 높은 문제가 있다.
본 발명의 목적은 금속 실리사이드 막의 식각을 억제하고 실리콘 산화막의 식각 선택비를 향상시켜 실리콘 산화막을 효과적으로 제거할 수 있는 반도체 소자용 식각액을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 반도체 소자용 식각액을 사용한 반소체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 평균적 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 유기 용매 70 내지 99중량부; 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 0.1 내지 30중량부; 불소화합물 0.1 내지 15중량부; 및 무기산 0.001 내지 15중량부를 포함하는 반도체 소자용 식각액을 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체 기판 상에 금속 산화물 막과 금속 실리사이드 막을 포함하는 패터닝 대상막을 형성하는 단계; 상기 패터닝 대상막 상에 건식 식각 공정에 의하여 홀을 형성하는 단계; 상기 식각액으로 상기 홀이 형성된 패터닝 대상막을 식각하는 단계; 및 상기 패터닝 대상막이 식각된 반도체 기판을 세정하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 식각액은 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막 습식 식각 선택비를 향상시키고 금속 실리사이드 막의 손상 없이 실리콘 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명은 유기 용매 70 내지 99중량부; 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 0.1 내지 30중량부; 불소화합물 0.1 내지 15중량부; 및 무기산 0.001 내지 15중량부를 포함하는 반도체 소자용 식각액을 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체 기판 상에 금속 산화물 막과 금속 실리사이드 막을 포함하는 패터닝 대상막을 형성하는 단계; 상기 패터닝 대상막 상에 건식 식각 공정에 의하여 홀을 형성하는 단계; 상기 식각액으로 상기 홀이 형성된 패터닝 대상막을 식각하는 단계; 및 상기 패터닝 대상막이 식각된 반도체 기판을 세정하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 식각액은 유기 용매 70 내지 99중량부; 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 0.1 내지 30중량부; 불소화합물 0.1 내 지 15중량부; 및 무기산 0.001 내지 15중량부를 포함한다. 이러한 식각액은 유기 용매를 포함하여 금속 실리사이드 막의 손상을 최소화하면서 금속 실리사이드 막에 대한 실리콘 산화막의 습식 식각 선택비를 향상시킬 수 있다.
상기 유기 용매는 70 내지 99중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 유기 용매를 상기 함량 범위에서 사용할 경우, 기판 표면에 젖음(wetting) 현상을 방지하여 식각율 저하를 막을 수 있고, 기판 표면의 파티클 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 유기 용매로는 극성 유기 용매가 바람직하게 사용될 수 있다. 본 발명에서 유기 용매란 다른 식각액 성분이 분산될 수 있는 분산매 역할을 하며, 하기 유기산 화합물을 제외한 용매를 의미한다. 이러한 극성 유기 용매의 예로는 알킬렌 글리콜 알킬 에테르(여기서 알킬렌 및 알킬의 탄소수는 1 내지 7임) 등의 에테르계 용매, 알킬렌 글리콜 알킬 에테르 에스테르(여기서 알킬렌 및 알킬의 탄소수는 1 내지 7임) 등의 에스테르계 용매, 환형(여기서 환형은 4-원 내지 12-원 링을 의미함) 또는 사슬형(여기서 사슬형은 탄소수 3 내지 12를 의미함) 아미드계 용매, 술폭사이드계 용매, 니트릴계 용매, 술포란계 용매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 용매를 들 수 있다.
보다 구체적으로는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(propylene glycol methyl ether), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate), 에틸렌 글리콜 메틸 에테르(ethylene glycol methyl ether), 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(ethylene glycol methyl ether acetate), 에틸 락테 이트(ethyllactate), 메틸 락테이트(methyl lactate), 프로필 락테이트(propyl lactate), 감마-부티로락톤(γ-butyractone), N-메틸-2-피롤리디논(N-methyl-2-pyrrolidinone), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 디메틸 아세트아마이드(Dimethylacetamide), 디메틸술폭사이드(dimethylsulfoxide), 아세토니트릴(acetonitrile), 및 술포란(sulfolane)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이 사용될 수 있다.
종래의 초순수(DI)를 포함하는 습식 식각액은 패턴화된 반도체 기판을 침지(dip)하여 식각하는 방법에 주로 이용되었다. 이러한 침지 방법은 실리콘 산화막을 식각시키면서 금속 실리사이드 막에도 손상을 주고, 식각율도 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 금속 실리사이드 막에 대한 금속 산화물 막의 식각 선택비를 조절함에 있어서도 어려움이 있었다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 식각액은 초순수 대신 유기 용매를 사용함으로써, 스핀(spin) 방법으로 식각 공정을 실시할 수 있어 보다 향상된 식각율과 금속 실리사이드 막의 손상 없이 실리콘 산화막을 효과적으로 제거하여 식각 선택비를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자용 식각액은 상기 유기 용매 외에 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 0.1 내지 30중량부를 포함한다. 바람직하게는 상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물의 함량은 0.1 내지 15중량부이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 10중량부일 수 있다.
상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물을 본 발명에 따른 함량 으로 사용할 경우, 유기 용매에 대한 불소화합물의 용해도를 높일 수 있다. 즉, 상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물은 불소화합물을 녹여 유기 용매에 녹지 않은 불소화합물과 유기 용매를 잘 혼합시켜 이들의 매개 역할을 한다.
따라서 상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물을 상기 범위로 사용하는 경우 후술하는 식각제로 불소화합물과 유기 용매의 혼화성(miscibility)을 향상시킬 수 있다.
상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물로는 초산(acetic acid; CH3COOH), 시트르산(citric acid; C6H8O7), 글루타르산(glutaric acid; HOOCCH2CH2CH2COOH), 포름산(formic acid; HCOOH), 락트산(lactic acid), 말산(malic acid; C4H6O5), 말레산(maleic acid; C4H4O4), 옥살산(oxalic acid; C2H2O4), 프탈산(phthalic acid; C8H6O4), 숙신산(succinic acid; HOOCCH2CH2COOH), 타르타르산(tartaric acid; C4H6O6), 및 프로피온산(propionic acid; CH3CH2COOH)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 유기산 화합물을 들 수 있다. 상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물에서 초산을 사용하는 것이 보다 바람직하며, 초산을 사용할 경우 금속 실리사이드에 대한 식각 선택비를 높일 수 있다.
상기 불소화합물의 함량은 0.1 내지 15중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10중량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 5중량부이다. 상기 불소화합물을 본 발명에 따른 함량으로 사용할 경우, 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 상대적 식각비 가 향상되고 금속 실리사이드 막의 식각을 최적의 조건으로 억제할 수 있다.
상기 불소화합물로는 불화수소(hydrogen fluoride), 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화수소염(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethylammonium fluoride), 불화붕소산(fluoroboric acid), 불화벤젠(fluorobenzene) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 들 수 있다.
또한, 상기 무기산의 함량은 0.001 내지 15중량부, 바람직하게는 0.005 내지 10중량부, 보다 바람직하게는 0.01 내지 3중량부이다. 상기 무기산을 본 발명에 따른 함량으로 사용할 경우, 과도한 식각을 방지하여 실리콘 산화막과 금속 실리사이드 막의 식각율을 향상시킬 수 있다.
상기 무기산으로는 탄소를 제외하고 염소, 질소, 황 또는 인 등의 비금속을 함유하는 산기가 수소와 결합한 화합물을 의미한다. 구체적인 예로는 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 염산(HCl), 인산(H3PO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 들 수 있다. 이들중 질산을 사용하는 것이 보다 바람직하며, 질산을 사용할 경우 금속 실리사이드에 대한 식각 선택비를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 소자용 식각액은 물이 더 포함될 수 있다. 상기 물은 상기에서 설명한 불소화합물 또는 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물을 용액 상태로 혼합할 경우 부수적으로 포함되어 있는 물일 수 있다.
한편, 발명의 또 다른 구현예에 따라, 상술한 식각액을 이용한 반도체 소자 의 제조 방법이 제공된다. 이러한 반도체 소자의 제조 방법은 반도체 기판 상에 금속 산화물 막과 금속 실리사이드 막을 포함하는 패터닝 대상막을 형성하는 단계; 상기 패터닝 대상막 상에 건식 식각 공정에 의하여 홀을 형성하는 단계; 상기 식각액으로 상기 홀이 형성된 패터닝 대상막을 식각하는 단계; 및 상기 패터닝 대상막이 식각된 반도체 기판을 세정하는 단계를 포함한다.
상기 패터닝 대상막으로는 반도체 기판 상에 금속 실리사이드 막과 같은 절연막 및 금속 산화물막을 순차적으로 적층한 것을 의미한다. 이러한 금속 실리사이드 막으로는 WSix, TiSix, MoSix, NiSix, TaSix, CuSix (여기서 x는 화학양론비에 따라 결정됨)으로 이루어진 막 중 하나를 들 수 있다. 상기 박막은 이 분야에서 통상의 기술에 의하여 형성될 수 있다.
그런 다음 패터닝 대상막에 건식 식각 공정에 의하여 홀을 형성한다. 상기 건식 식각 공정은 CCl4, Cl2, BCl3, SiCl4, HCl, CCl2F2, CCl3F2, CCl3F 등의 Cl계 공정 가스 또는 SF6, CF4, CHF3 등의 F계 공정 가스에 의한 플라즈마 식각 공정으로 실시할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 식각액을 사용하여 상기 건식 식각 공정에 의하여 홀이 형성된 패터닝 대상막을 식각한다. 이러한 식각 공정은 습식 식각 공정이며, 상기 패터닝 대상막을 식각액에 침지하거나 패터닝 대상막을 스핀시키면서 일정 유량으로 식각액을 공급하여 실시할 수 있다. 이중에서 후자의 스핀 공정으로 식각 공정을 실시하여 식각율을 향상시킬 수 있으며 식각율과 금속 실리사이드 막의 손상 없이 실리콘 산화막을 효과적으로 제거하여 식각 선택비를 향상시킬 수 있다.
이후 실시하는 세정 공정은 이 분야에서 널리 알려져 있으므로 자세한 설명은 생략한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
아세토니트릴(acetonitrile) 92g, 불화암모늄 1g, 초산 5g, 및 질산 1g를 혼합하여 식각액을 제조하였다.
(실시예 2)
아세토니트릴 93g, 불화수소 1g, 포름산 5g, 및 질산 1g를 혼합하여 식각액을 제조하였다.
(실시예 3)
아세토니트릴 91g, 불화수소 2g, 포름산 6g, 및 질산 1g 를 혼합하여 식각액을 제조하였다.
(실시예 4)
아세토니트릴 91g, 중불화수소염 1g, 포름산 6g, 및 질산 1g 를 혼합하여 식각액을 제조하였다.
(비교예 1)
완충 산화막 식각제인 LAL200(FECT 社, 불화수소 0.7%, 불화암모늄 14%, 잔 부의 초순수)을 식각액으로 사용하였다.
(비교예 2)
상기 실시예 1에서 질산을 첨가하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 식각액을 제조하였다.
(비교예 3)
상기 실시예 1에서 아세토니트릴 대신 초순수를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 식각액을 제조하였다.
(비교예 4)
상기 실시예 1에서 아세토니트릴 대신 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; IPA)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 식각액을 제조하였다.
(비교예 5)
상기 실시예 1에서 초산을 첨가하지 않는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 식각액을 제조하였다.
(비교예 6)
상기 실시예 1에서 불화암모늄을 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 식각액을 제조하였다.
식각율
측정
실리콘 기판에 BPSG (boron phosphor silicate glass) 산화막을 9000Å의 두께로 형성하고, 이 위에 TiSix 금속 실리사이드 막을 1000Å의 두께로 형성하여 박 막을 제조하였다. 이 박막을 건식 식각하여 홀을 형성한 후 상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 2 내지 6의 식각액을 이용하여 스핀 방법으로 식각 공정을 실시하였다. NUPTUNE(SEMES 社) 설비를 사용하여 스피닝(spinning) 속도는 500rpm이며, 유량(flow rate)은 500ml/min의 조건으로 1분 동안 식각공정을 실시한 후, 30초 동안 초순수로 세척 후 건조시켰다. 비교예 1의 식각액에 상기 건식 식각된 박막을 1분간 침지하여 식각 공정을 실시한 후 30초 동안 초순수로 세척 후 건조시켰다.
금속 실리사이드의 식각율(etching rate; Å/min) 및 BPSG (boron phosphor silicate glass;) 산화막의 식각율을 측정하고 이들의 선택비를 계산하여 하기 표 1에 나타내었다.
| 구 분 | 실리콘 산화막(BPSG) 식각율(Å/min) | TiSix 식각율 (Å/min) | TiSix : BPSG |
| 실시예 1 | 100 | 80 | 1 : 1.25 |
| 실시예 2 | 180 | 150 | 1 : 1.2 |
| 실시예 3 | 380 | 200 | 1 :1.9 |
| 실시예 4 | 160 | 15 | 1 : 10.6 |
| 비교예 1 | 200 | 1000 | 1: 0.2 |
| 비교예 2 | 50 | 200 | 1 : 0.25 |
| 비교예 3 | 150 | 1200 | 1 : 0.125 |
| 비교예 4 | 110 | 1100 | 1 : 0.1 |
상기 표 1을 참조하면, 비교예 1에서는 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막 식각율이 1:0.2이고, 비교예 2에서는 1:0.25, 비교예 3에서는 1:0.125, 비교예 4에서는 1:0.1의 값을 각각 보이고 있음을 알 수 있다.
이에 비해 본 발명의 실시예에 따라 제조된 반도체 소자용 식각액을 사용한 경우에는 금속 실리사이드막 대비 BPSG 산화막 식각율이 1:1.25 내지 1:11의 값으로 비교예 1 내지 4에 비해 실리콘 산화막의 식각율이 매우 향상되었음을 알 수 있다.
식각된
패터닝
막의 표면 특성
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 식각액을 사용하여 식각된 패터닝 막을 주사전자현미경(SEM;scanning election microscope)을 통하여 측정한 사진(X70000)이고, 도 2는 비교예 1에 따른 식각액을 사용하여 식각된 패터닝 막을 SEM을 통하여 측정한 사진(X70000)이다.
도 1에서는 금속 실리사이드 막에는 손상이 없는 것을 알 수 있으며, 패터닝 막에서 금속 실리사이드 막이 거의 손상되지 않았음을 알 수 있다. 그러나 도 2에서는 금속 실리사이드 막이 일부 녹아 뭉개지는 손상이 있음을 알 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 식각액이 더 금속 실리사이드에 대한 실리콘 산화막의 식각 선택비를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분양의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 식각액을 사용하여 식각된 패터닝 막의 주사전자현미경(SEM; scanning election microscope) 사진이다.
도 2는 비교예 1에 따른 식각액을 사용하여 식각된 패터닝 막의 주사전자현미경 사진이다.
Claims (11)
- 유기 용매 70 내지 99중량부;1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물 0.1 내지 30중량부;불소화합물 0.1 내지 15중량부; 및무기산 0.001 내지 15중량부를 포함하는 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물의 함량은 0.1 내지 15중량부인 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 불소화합물의 함량은 0.1 내지 10중량부로 포함하는 것인 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 무기산의 함량은 0.005 내지 10중량부인 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 유기 용매는 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 아미드계 용매, 술폭사이드계 용매, 니트릴계 용매, 술포란계 용매, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 반도체 소자용 식각액.
- 제5항에 있어서,상기 유기 용매는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(propylene glycol methyl ether), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate), 에틸렌 글리콜 메틸 에테르(ethylene glycol methyl ether), 에틸렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(ethylene glycol methyl ether acetate), 에틸 락테이트(ethyllactate), 메틸 락테이트(methyl lactate), 프로필 락테이트(propyl lactate), 감마-부티로락톤(γ-butyractone), N-메틸-2-피롤리디논(N-methyl-2-pyrrolidinone), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 디메틸 아세트아마이드(Dimethylacetamide), 디메틸술폭사이드(dimethylsulfoxide), 아세토니트릴(acetonitrile), 술포란(sulfolane) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 1개 이상의 카르복실기를 가지는 유기산 화합물은 초산, 시트르산, 글루타르산, 글리콜산, 포름산, 락트산, 말산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산, 프로피온산, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 불소화합물은 불화수소(hydrogen fluoride), 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화수소염(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethylammonium fluoride), 불화붕소산(fluoroboric acid), 불화벤젠(fluorobenzene), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 반도체 소자용 식각액.
- 제1항에 있어서,상기 무기산은 질산(HNO3), 황산(H2SO4), 염산(HCl), 인산(H3PO4) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 반도체 소자용 식각액.
- 반도체 기판 상에 금속 산화물 막과 금속 실리사이드 막을 포함하는 패터닝 대상막을 형성하는 단계;상기 패터닝 대상막 상에 건식 식각 공정에 의하여 홀을 형성하는 단계;제1항 내지 제9항중 어느 하나의 항에 따른 식각액으로 상기 홀이 형성된 패터닝 대상막을 식각하는 단계; 및상기 패터닝 대상막이 식각된 반도체 기판을 세정하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 금속 실리사이드 막은 WSix, TiSix, MoSix, NiSix, TaSix, CuSix(여기서 x는 화학양론비에 따라 결정됨), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070077217A KR20090012953A (ko) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070077217A KR20090012953A (ko) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090012953A true KR20090012953A (ko) | 2009-02-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070077217A KR20090012953A (ko) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20090012953A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101274228B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2013-06-14 | 순천대학교 산학협력단 | 산화물 박막 식각 용액 및 이를 이용한 산화물 박막의 식각 방법 |
| WO2013170130A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for wet etching nipt during silicide fabrication |
| KR101535386B1 (ko) * | 2014-07-09 | 2015-07-08 | 노재호 | 잉크 또는 도료 식각용 식각용액 및 이를 이용한 잉크 또는 도료 패턴의 제조방법 |
| US11319513B2 (en) * | 2016-03-24 | 2022-05-03 | Avantor Performance Materials, Llc | Non-aqueous tungsten compatible metal nitride selective etchants and cleaners |
-
2007
- 2007-07-31 KR KR1020070077217A patent/KR20090012953A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101274228B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2013-06-14 | 순천대학교 산학협력단 | 산화물 박막 식각 용액 및 이를 이용한 산화물 박막의 식각 방법 |
| WO2013170130A1 (en) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Formulations for wet etching nipt during silicide fabrication |
| KR20150013268A (ko) * | 2012-05-11 | 2015-02-04 | 인티그리스, 인코포레이티드 | 규소화물 제작 중의 NiPt 습식 에칭을 위한 배합물 |
| KR101535386B1 (ko) * | 2014-07-09 | 2015-07-08 | 노재호 | 잉크 또는 도료 식각용 식각용액 및 이를 이용한 잉크 또는 도료 패턴의 제조방법 |
| US11319513B2 (en) * | 2016-03-24 | 2022-05-03 | Avantor Performance Materials, Llc | Non-aqueous tungsten compatible metal nitride selective etchants and cleaners |
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