JP2008053723A - シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液 - Google Patents
シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008053723A JP2008053723A JP2007215122A JP2007215122A JP2008053723A JP 2008053723 A JP2008053723 A JP 2008053723A JP 2007215122 A JP2007215122 A JP 2007215122A JP 2007215122 A JP2007215122 A JP 2007215122A JP 2008053723 A JP2008053723 A JP 2008053723A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- etching solution
- wet etching
- weight
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 66
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 50
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 95
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- -1 organic acid compound Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 14
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 claims description 5
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910016344 CuSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 11
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 6
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015861 MSix Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920001983 poloxamer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
【課題】金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシリコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることで、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供する。
【解決手段】本発明は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高い湿式エッチング溶液を構成する。本発明は、特定濃度の、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び水を含む湿式エッチング溶液、並びに、特定量の、フッ化水素、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、アルコール、及び水を含む湿式エッチング溶液をもそれぞれ構成する。
【選択図】なし
【解決手段】本発明は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高い湿式エッチング溶液を構成する。本発明は、特定濃度の、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び水を含む湿式エッチング溶液、並びに、特定量の、フッ化水素、フッ化アンモニウム、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、アルコール、及び水を含む湿式エッチング溶液をもそれぞれ構成する。
【選択図】なし
Description
本発明は、シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液に関するもので、より詳細には、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の湿式エッチング選択比が高いシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液に関するものである。
一般に、半導体素子またはＬＣＤ、ＯＬＥＤ、ＰＤＰなどのディスプレイ素子は、写真エッチング（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程を通して製造されるが、このような写真エッチング工程においては、エッチング工程が最も重要である。
エッチングは、化学溶液を用いた湿式エッチングと、プラズマを用いた乾式エッチングとに分けられるが、これらのうち湿式エッチングは、エッチング選択比が高く、等方性エッチングが行われるという特徴を有し、乾式エッチングは、エッチング選択比は高くないが、異方性エッチングが行われるという特徴を有する。
したがって、素子が一直線上に積層される構造である場合には乾式エッチングが用いられ、素子が３次元の立体構造である場合には湿式エッチングが用いられる。
特に、半導体素子の製造工程における金属間配線または素子コンタクトホールを形成するとき、絶縁物質であるシリコン酸化膜からなる膜間分離膜をエッチングにより除去し、ソース／ドレーン領域などの半導体基板上の活性領域やゲート領域を露出させるが、このとき、膜間分離膜を除去する際に、ゲートスタック（ポリシリコン−金属シリサイド膜材質）の損傷が必然的に生ずる。
特に、半導体素子の製造工程における金属間配線または素子コンタクトホールを形成するとき、絶縁物質であるシリコン酸化膜からなる膜間分離膜をエッチングにより除去し、ソース／ドレーン領域などの半導体基板上の活性領域やゲート領域を露出させるが、このとき、膜間分離膜を除去する際に、ゲートスタック（ポリシリコン−金属シリサイド膜材質）の損傷が必然的に生ずる。
最近、半導体素子の集積度が高くなるにつれて、ゲートスタック上にハードマスク膜を形成した後、乾式エッチング法で前記ハードマスク膜を選択的に除去してコンタクトホールを形成する技術が開発されているが、比較的低い集積度を有するか、素子が立体構造となっているＩＣ、ＬＳＩ分野では、依然として湿式エッチングを通してコンタクトホールを形成している。
上記のように湿式エッチングを用いる場合、膜間絶縁膜またはその他の絶縁膜として使われるシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）と金属シリサイド膜（Ｍｅｔａｌ ｓｉｌｉｃｉｄｅ；ＭＳｉｘ）との間のエッチング選択比を調節することが非常に重要である。
従来の湿式エッチング工程では、湿式エッチング溶液として、緩衝酸化膜エッチング剤または希釈されたフッ化水素などが使われている。
緩衝酸化膜エッチング剤としては、フッ化アンモニウムと界面活性剤とを含有したフッ化水素溶液が使われており、この緩衝酸化膜エッチング剤は、エッチング特性が均一であるという長所を有するので、特にシリコン酸化膜のエッチング工程で最も広く用いられている。
緩衝酸化膜エッチング剤としては、フッ化アンモニウムと界面活性剤とを含有したフッ化水素溶液が使われており、この緩衝酸化膜エッチング剤は、エッチング特性が均一であるという長所を有するので、特にシリコン酸化膜のエッチング工程で最も広く用いられている。
しかしながら、上記のような従来のエッチング溶液においては、シリコン酸化膜に対する金属シリサイド膜のエッチング比が１：５〜１：１０であり、金属シリサイド膜の相対的なエッチング率が非常に高いという問題があった。
本発明が解決しようとする技術的課題は、金属シリサイド膜のエッチングを抑制してシ
リコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることにより、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供することにある。
リコン酸化膜のエッチング選択比を向上させることにより、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜を効果的に除去できるシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液を提供することにある。
本発明が解決しようとする技術的課題は、上述した技術的課題に制限されるものでなく、言及されていない他の技術的課題は、下記の記載によって当業者が明確に理解できるだろう。
上記の技術的課題を解決するための本発明の第１実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸、及び塩酸から選択される一つ以上の無機酸、及び残余重量％の水を含むことを特徴とする。前記湿式エッチング溶液は、０．０００１〜５重量％の非イオン性界面活性剤をさらに含んでいてもよい。
上記の技術的課題を解決するための本発明の第２実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜１０重量％のフッ化アンモニウム、６０〜９８重量％の、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び残余重量％の水を含むことを特徴とする。
上記の技術的課題を解決するための本発明の第３実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜１０重量部のフッ化水素、０．１〜１０重量部のフッ化アンモニウム、３０〜５０重量部の、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、３０〜５０重量部のアルコール、及び水を含むことを特徴とする。
その他の実施態様の具体的な事項は、詳細な説明に含まれている。
本発明に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、従来の湿式エッチング溶液に比べて金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の湿式エッチング選択比が良好であるので、金属シリサイド膜の大きな損傷なしにシリコン酸化膜を効果的に除去することを可能とする。
本発明の利点、特徴及びそれらを達成する方法は、以下に開示する各実施態様を参照すれば明確になるだろう。しかし、本発明は、これらの各実施態様に限定されるものでなく、異なる多様な形態によって具現化することが可能である。本発明の各実施態様は、本発明の開示を完全にし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるに過ぎず、本発明は、特許請求の範囲の記載によって定義される。
本発明の第１実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸、及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％の水を含む。前記湿式エッチング溶液には、０．０００１〜５重量％の非イオン性界面活性剤をさらに含むことが好ましい。この第１実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸、及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％（各成分の合計量を１００重量％とする）の水を混合することにより製造できる。
前記湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素の添加量が０．１〜３重量％であると、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の相対的なエッチング比が向上し、金属シリサイドのエッチングを抑制することができることから好ましい。
本発明の第１実施態様に係る湿式エッチング溶液に使われる無機酸としては、硝酸（ＨＮＯ3）、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、塩酸（ＨＣｌ）、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）またはこれらの混合物が挙げられるが、金属シリサイドに対するエッチング選択比を高めるためには、該無機酸のうち、硝酸を使用することが好ましい。
前記無機酸の添加濃度が前記湿式エッチング溶液全体において１０〜４０重量％であると、シリコン酸化膜のエッチングを効果的に行うことができることから好ましい。なお、前記無機酸として２種以上を組み合わせて用いる場合、本発明の目的を達成できる限り当該２種以上の無機酸を任意の割合で組み合わせることができるが、当該２種以上の無機酸の濃度の合計が上記の範囲である。
本発明の第１実施態様に係る湿式エッチング溶液に使われる非イオン性界面活性剤は、イオン性界面活性剤に比べてより多様な成分との混和を可能とするという利点を有する。すなわち、非イオン性界面活性剤は、分子の親水性と親油性を有する作用基が全て存在するので、全体溶液中の他の成分との混和が比較的良好であるという長所を有する。
非イオン性界面活性剤としては、通常、化合物の製造に使われる非イオン性界面活性剤が挙げられるが、アルキルフェノールエトキシレート、ＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液）を使用することが好ましく、このうちＡＬＳを使用することが一層好ましい。前記アルキルフェノールエトキシレート及びＡＬＳは、１種単独で用いることができるが、これらを組み合わせて用いることもできる。前記湿式エッチング溶液には、当該溶液１００重量部を基準として、前記非イオン性界面活性剤が０．０００１〜５重量％含まれることが好ましい。なお、前記非イオン性界面活性剤として２種以上を組み合わせて用いる場合、本発明の目的を達成できる限り当該２種以上の非イオン性界面活性剤を任意の割合で組み合わせることができるが、前記湿式エッチング溶液中に含まれる当該２種以上の非イオン性界面活性剤の添加量の合計が上記の範囲である。
本発明の第１実施態様に係る湿式エッチング溶液には水（Ｈ2Ｏ）が含まれるが、この水は、全体重量％の均衡を合せるために人為的に添加された水、または、原料である上述したフッ化水素、無機酸、及び非イオン性界面活性剤自体に付随的に含まれた水である。
本発明の第２実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜１０重量％のフッ化アンモニウム、６０〜９８重量％の、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び残余重量％の水を含む。この第２実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜１０重量％のフッ化アンモニウム、６０〜９８重量％の、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び残余重量％（各成分の合計量を１００重量％とする）の水を混合することにより製造できる。
前記湿式エッチング溶液全体におけるフッ化アンモニウムの添加量が０．１〜１０重量％であると、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の相対的なエッチング比が向上し、金属シリサイドのエッチングを最適の条件で抑制することができることから好ましい。
本発明の第２実施態様に係る湿式エッチング溶液に使われる少なくとも１個以上のカルボキシル基（ＣＯＯ−）を含む有機酸としては、酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）、クエン酸（Ｃ6Ｈ8Ｏ7）、グルタル酸（ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ）、ギ酸（ＨＣＯＯＨ）、乳酸、リンゴ酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ5）、マレイン酸（Ｃ4Ｈ4Ｏ4）、シュウ酸（Ｃ2Ｈ2Ｏ4）、フタル酸（Ｃ8Ｈ6Ｏ4）、コハク酸（ＨＯＯＣＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＨ）、酒石酸（Ｃ4Ｈ6Ｏ6）、及びプロピオン酸（ＣＨ3ＣＨ2ＣＯＯＨ）からなる群から選択される少なくとも一つ以上
の有機酸化合物が挙げられるが、金属シリサイドに対するエッチング選択比を高めるためには、該有機酸のうち、酢酸を使用することが好ましい。
の有機酸化合物が挙げられるが、金属シリサイドに対するエッチング選択比を高めるためには、該有機酸のうち、酢酸を使用することが好ましい。
有機酸の添加濃度が前記湿式エッチング溶液において６０〜９８重量％であると、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の相対的なエッチング比が向上し、金属シリサイドのエッチングを最適の条件で抑制することができることから好ましい。前記有機酸として２種以上を組み合わせて用いる場合、本発明の目的を達成できる限り当該２種以上の有機酸を任意の割合で組み合わせることができるが、当該２種以上の有機酸の濃度の合計が上記の範囲である。
本発明の第２実施態様に係る湿式エッチング溶液には水（Ｈ2Ｏ）が含まれるが、この水は、全体重量％の均衡を合せるために人為的に添加される水、または、上述したフッ化アンモニウム、有機酸自体に付随的に含まれた水である。
本発明の第３実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜１０重量部のフッ化水素、０．１〜１０重量部のフッ化アンモニウム、３０〜５０重量部の１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、３０〜５０重量部のアルコール類、及び水を含む。この第３実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液は、０．１〜１０重量％のフッ化水素、０．１〜１０重量部のフッ化アンモニウム、３０〜５０重量部の１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、３０〜５０重量部のアルコール類、及び水を混合することにより製造できる。
前記湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素の添加量が０．１〜１０重量部の範囲であると、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の相対的なエッチング比が向上し、金属シリサイドのエッチングを最適の条件で抑制することができることから好ましい。
また、前記湿式エッチング溶液全体におけるフッ化アンモニウムの添加量は、０．１〜１０重量部の範囲であることが好ましく、０．１〜５．０重量部の範囲であることが一層好ましい。かかる場合、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の相対的なエッチング比が向上し、金属シリサイドのエッチングを最適の条件で抑制することができる。
前記湿式エッチング溶液全体における有機酸の添加量は、３０〜５０重量部であることが好ましく、４０〜５０重量部であることが一層好ましい。かかる範囲では、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜の相対的なエッチング比が向上し、金属シリサイドのエッチングを最適の条件で抑制することができ、基板表面のパーティクル発生を効果的に防止することができる。前記有機酸として２種以上を組み合わせて用いる場合、本発明の目的を達成できる限り当該２種以上の有機酸を任意の割合で組み合わせることができるが、当該２種以上の有機酸の添加量の合計が上記の添加量の範囲である。
本発明の第３実施態様に係る湿式エッチング溶液には、アルコール類、具体的には、メタノール、エタノール、ブタノール及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される一つ以上のアルコールを３０〜５０重量部の範囲で添加することが好ましく、３０〜４０重量部の範囲で添加することが一層好ましい。かかる場合、基板表面の濡れ（ｗｅｔｔｉｎｇ）現象を防止してエッチング率の低下を抑制することができ、基板表面のパーティクル発生を効果的に防止することができる。前記アルコ−ルとして２種以上を組み合わせて用いる場合、本発明の目的を達成できる限り当該２種以上のアルコールを任意の割合で組み合わせることができるが、当該２種以上のアルコールの添加量の合計が上記の添加量の範囲である。
本発明の第３実施態様に係る湿式エッチング溶液には水（Ｈ2Ｏ）が含まれるが、この
ときに含まれる水は、全体重量％の均衡を合せるために人為的に添加される水、または、上述したフッ化水素、フッ化アンモニウム、有機酸、アルコール類自体に付随的に含まれた水である。
ときに含まれる水は、全体重量％の均衡を合せるために人為的に添加される水、または、上述したフッ化水素、フッ化アンモニウム、有機酸、アルコール類自体に付随的に含まれた水である。
上述した本発明の第１実施態様から第３実施態様に係る湿式エッチング溶液は、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜のエッチング選択比が優秀であることを特徴とするが、このような金属シリサイド膜としては、ＷＳｉx、ＴｉＳｉx、ＭｏＳｉx、ＮｉＳｉx、ＴａＳｉx、ＣｕＳｉx膜などがある（ここで、ｘは任意の数）。シリコン酸化膜はその種類を問わないが、本発明のエッチング溶液は、特にＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）のエッチング選択比が優秀であることを特徴とする。
以下、本発明の各実施態様に係るシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液による場合、金属シリサイドに対するシリコン酸化膜のエッチング選択比が非常に優秀であることを、具体的な実施例及び比較例を挙げて説明する。ただし、ここに記載されていない内容は、この技術分野における通常の知識を有する者であれば充分に技術的に類推可能であるので、それに対する説明を省略する。
［実施例］
１．第１実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例
（１）実施例１−１
０．２重量％のフッ化水素、２５重量％の硝酸、０．１重量％のＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液；Ｆｌｕｋａ製品）、及び残余重量％の水を含むエッチング溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜と金属シリサイドとのエッチング率（Å／分）を測定して表１に示した。
［実施例］
１．第１実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例
（１）実施例１−１
０．２重量％のフッ化水素、２５重量％の硝酸、０．１重量％のＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液；Ｆｌｕｋａ製品）、及び残余重量％の水を含むエッチング溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜と金属シリサイドとのエッチング率（Å／分）を測定して表１に示した。
このときに使われた膜質は、Ｂｌａｎｋｅｔ膜質であり、ＢＰＳＧ（シリコン）酸化膜の厚さは９０００Å、金属シリサイド（ＴｉＳｉx）膜の厚さは１０００Åであり、それぞれの膜質をエッチング溶液に４分間浸した後、そのエッチング量を測定した。
（２）実施例１−２
１重量％のフッ化水素、１０重量％の硝酸、１重量％のＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液；Ｆｌｕｋａ製品）、及び残余重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例１−１と同様に実施した。
１重量％のフッ化水素、１０重量％の硝酸、１重量％のＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液；Ｆｌｕｋａ製品）、及び残余重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例１−１と同様に実施した。
（３）実施例１−３
１重量％のフッ化水素、１０重量％の硝酸、５重量％のＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液；Ｆｌｕｋａ製品）、及び残余重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例１−１と同様に実施した。
１重量％のフッ化水素、１０重量％の硝酸、５重量％のＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液；Ｆｌｕｋａ製品）、及び残余重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例１−１と同様に実施した。
（４）比較例１−１
現在、シリコン酸化膜のエッチング工程に主に使われる緩衝酸化膜エッチング剤であるフッ化アンモニウムと界面活性剤とを含有したフッ化水素溶液を用いて、シリコン酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定し、その結果を表１に示した。
現在、シリコン酸化膜のエッチング工程に主に使われる緩衝酸化膜エッチング剤であるフッ化アンモニウムと界面活性剤とを含有したフッ化水素溶液を用いて、シリコン酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定し、その結果を表１に示した。
（５）比較例１−２
硝酸を含まない湿式エッチング溶液を用いたことを除き、上記の実施例１−２と同様に実施した。
硝酸を含まない湿式エッチング溶液を用いたことを除き、上記の実施例１−２と同様に実施した。
（６）比較例１−３
残余溶媒として水の代わりにエチレングリコール（ＥＧ）を使用したことを除き、上記
の実施例１−２と同様に実施した。エチレングリコールの濃度は、全体エッチング剤の８０重量％以上であった。すなわち、エッチング液を構成する原料自体に含まれていた不純物としての水を除けば、水を含んでいない。
残余溶媒として水の代わりにエチレングリコール（ＥＧ）を使用したことを除き、上記
の実施例１−２と同様に実施した。エチレングリコールの濃度は、全体エッチング剤の８０重量％以上であった。すなわち、エッチング液を構成する原料自体に含まれていた不純物としての水を除けば、水を含んでいない。
（７）比較例１−４
非イオン界面活性剤としてＡＬＳの代わりにＳｙｎｐｅｒｏｎｉｃ ＰＥ／Ｌ６４を使用したことを除き、上記の実施例１−２と同様に実施した。
非イオン界面活性剤としてＡＬＳの代わりにＳｙｎｐｅｒｏｎｉｃ ＰＥ／Ｌ６４を使用したことを除き、上記の実施例１−２と同様に実施した。
表１には、本発明の第１実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例についてのエッチング率測定結果を示した。
これに比べると、本発明の実施態様に係る各実施例の湿式エッチング溶液を用いた場合、（金属シリサイド膜のエッチング率：ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング率）が、実施例１−１の場合には 2 : 1、実施例１−２の場合には 2.33 : 1、実施例１−３の場合には 2.8 : 1 の値をそれぞれ示しており、各比較例に比べると、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜のエッチング率が非常に向上したことが分かる。
２．第２実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例
（１）実施例２−１
２重量％のフッ化アンモニウム、９０重量％の酢酸、及び８重量％の水を含むエッチング溶液を用いて、金属シリサイドのエッチング率（Å／分）及びＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）酸化膜のエッチング率を測定し、その結果を表２に示した。このときに使われた膜質は、Ｂｌａｎｋｅｔ膜質であり、ＢＰＳＧ酸化膜の厚さは９０００Å、金属シリサイド（ＴｉＳｉx）膜の厚さは１０００Åであり、それぞれの膜質をエッチング溶液に４分間浸した後、そのエッチング量を測定した。
２．第２実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例
（１）実施例２−１
２重量％のフッ化アンモニウム、９０重量％の酢酸、及び８重量％の水を含むエッチング溶液を用いて、金属シリサイドのエッチング率（Å／分）及びＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）酸化膜のエッチング率を測定し、その結果を表２に示した。このときに使われた膜質は、Ｂｌａｎｋｅｔ膜質であり、ＢＰＳＧ酸化膜の厚さは９０００Å、金属シリサイド（ＴｉＳｉx）膜の厚さは１０００Åであり、それぞれの膜質をエッチング溶液に４分間浸した後、そのエッチング量を測定した。
（２）実施例２−２
１重量％のフッ化アンモニウム、９８重量％の酢酸、及び１重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
１重量％のフッ化アンモニウム、９８重量％の酢酸、及び１重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
（３）実施例２−３
１重量％のフッ化アンモニウム、９８重量％のギ酸、及び１重量％の水を使用したこと
を除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
１重量％のフッ化アンモニウム、９８重量％のギ酸、及び１重量％の水を使用したこと
を除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
（４）実施例２−４
１重量％のフッ化アンモニウム、９８重量％のプロピオン酸、及び１重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
１重量％のフッ化アンモニウム、９８重量％のプロピオン酸、及び１重量％の水を使用したことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
（５）比較例２−１
現在、シリコン酸化膜のエッチング工程に主に使われる緩衝酸化膜エッチング剤であるフッ化アンモニウムと界面活性剤を含有したフッ化水素溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定した。
現在、シリコン酸化膜のエッチング工程に主に使われる緩衝酸化膜エッチング剤であるフッ化アンモニウムと界面活性剤を含有したフッ化水素溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定した。
（６）比較例２−２
酢酸を添加しないことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
（７）比較例２−３
酢酸の代わりに塩酸（ＨＣｌ）を使用したことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
酢酸を添加しないことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
（７）比較例２−３
酢酸の代わりに塩酸（ＨＣｌ）を使用したことを除き、上記の実施例２−１と同様に実施した。
表２は、本発明の第２実施態様に係る実施例及び比較例についてのエッチング率測定結果を示したものである。
これに比べて、本発明の実施例によって製造された実施例の湿式エッチング溶液を用いた場合、（金属シリサイド膜のエッチング率：ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング率）が、実施例２−１の場合には 2.21 : 1、実施例２−２の場合には 0.76 : 1、実施例２−３の場合には2.33 : 1、実施例２−４の場合には 2.27 : 1 の値をそれぞれ示しており、各比較例に比べて金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜のエッチング率が非常に向上したことが分かる。
３．第３実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例
（１）実施例３−１
０．３重量％のフッ化水素、２重量％のフッ化アンモニウム、４８重量％の酢酸、４８重量％のイソプロピルアルコール及び残余溶媒としての水を含むエッチング溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定し、その結果を表３に示した。
３．第３実施態様に係る湿式エッチング溶液に対する実施例及び比較例
（１）実施例３−１
０．３重量％のフッ化水素、２重量％のフッ化アンモニウム、４８重量％の酢酸、４８重量％のイソプロピルアルコール及び残余溶媒としての水を含むエッチング溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定し、その結果を表３に示した。
（２）実施例３−２
アルコール類としてイソプロピルアルコールの代わりにメタノールを使用したことを除き、上記の実施例３−１と同様に実施した。
アルコール類としてイソプロピルアルコールの代わりにメタノールを使用したことを除き、上記の実施例３−１と同様に実施した。
（３）比較例３−１
現在、シリコン酸化膜のエッチング工程に使われる緩衝酸化膜エッチング剤であるフッ化アンモニウムと界面活性剤を含有したフッ化水素溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定し、その結果を表３に示した。
現在、シリコン酸化膜のエッチング工程に使われる緩衝酸化膜エッチング剤であるフッ化アンモニウムと界面活性剤を含有したフッ化水素溶液を用いて、ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング量と金属シリサイドのエッチング量を測定し、その結果を表３に示した。
（４）比較例３−２
酢酸を使用したことを除き（すなわち、酢酸の該当量だけの水を添加した）、上記の実施例３−１と同様に実施した。
酢酸を使用したことを除き（すなわち、酢酸の該当量だけの水を添加した）、上記の実施例３−１と同様に実施した。
（５）比較例３−３
酢酸の代わりに塩酸を使用したことを除き、上記の実施例３−１と同様に実施した。
表３は、本発明の第３実施態様に係る実施例及び比較例に対するエッチング率測定結果を示したものである。
酢酸の代わりに塩酸を使用したことを除き、上記の実施例３−１と同様に実施した。
表３は、本発明の第３実施態様に係る実施例及び比較例に対するエッチング率測定結果を示したものである。
これに比べて、本発明の実施例によって製造された実施例の湿式エッチング溶液を用いた場合、（金属シリサイド膜のエッチング率：ＢＰＳＧ酸化膜のエッチング率）が、実施例３−１の場合には 1.7 : 1、実施例３−２の場合には 3.81 : 1 の値をそれぞれ示しており、各比較例に比べると、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜のエッチング率が非常に向上したことが分かる。
以上、本発明の各実施態様を添付の表に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の各実施態様によって限定されるものでなく、異なる多様な形態で製造されうる。本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずに、他の具体的な形態で実施されることを理解できるだろう。したがって、上述した各実施態様は、全ての面で例示的なものに過ぎず、本発明の範囲を限定的するものではないことを理解すべきである。
Claims (10)
- ０．１〜３重量％のフッ化水素酸、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、並びに、残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高いことを特徴とする湿式エッチング溶液。
- 非イオン性界面活性剤が０．０００１〜５重量％の範囲でさらに含まれることを特徴とする請求項１に記載の湿式エッチング溶液。
- 前記非イオン性界面活性剤が、アルキルフェノールエトキシレート及びＡＬＳ（ラウリル硫酸アンモニウム溶液）のうち一つ以上であることを特徴とする請求項２に記載の湿式エッチング溶液。
- ０．１〜１０重量％のフッ化アンモニウム、６０〜９８重量％の、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、及び残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高いことを特徴とする湿式エッチング溶液。
- ０．１〜１０重量部のフッ化水素、０．１〜１０重量部のフッ化アンモニウム、３０〜５０重量部の、１個以上のカルボキシル基を有する有機酸化合物、３０〜５０重量部のアルコール、及び水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高いことを特徴とする湿式エッチング溶液。
- 前記有機酸化合物が、酢酸、クエン酸、グルタル酸、グリコール酸、ギ酸、乳酸、リンゴ酸、マレイン酸、シュウ酸、フタル酸、コハク酸、酒石酸、及びプロピオン酸からなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の湿式エッチング溶液。
- 前記アルコールが、メタノール、エタノール、ブタノール、及びイソプロピルアルコールからなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする請求項５に記載のシリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液。
- 前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉx、ＴｉＳｉx、ＭｏＳｉx、ＮｉＳｉx、ＴａＳｉx、ＣｕＳｉx膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の湿式エッチング溶液。
- 前記シリコン酸化膜が、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｓｉｌｉｃａｔｅ
ｇｌａｓｓ）酸化膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の湿式エッチング溶液。 - 請求項１、４及び５のうちいずれか１項に記載の湿式エッチング溶液を用いてシリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする、前記シリコン酸化膜を金属シリサイドに対して選択にエッチングする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0078818 | 2006-08-21 | ||
| KR1020060078818A KR100860367B1 (ko) | 2006-08-21 | 2006-08-21 | 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인 식각 선택성이 향상된 식각용액 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008053723A true JP2008053723A (ja) | 2008-03-06 |
| JP4815406B2 JP4815406B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=39100389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007215122A Expired - Fee Related JP4815406B2 (ja) | 2006-08-21 | 2007-08-21 | シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液及びエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8043525B2 (ja) |
| JP (1) | JP4815406B2 (ja) |
| KR (1) | KR100860367B1 (ja) |
| CN (2) | CN102225874B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011019015A1 (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| WO2013031554A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| JP2014001447A (ja) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属接着を向上させる活性化方法 |
| CN112280558A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种硅片打毛液 |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8211844B2 (en) * | 2005-10-21 | 2012-07-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for cleaning a semiconductor structure and chemistry thereof |
| JP4642001B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2011-03-02 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液組成物 |
| KR101316054B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2013-10-10 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 산화막의 식각 방법 |
| US8685272B2 (en) * | 2008-08-08 | 2014-04-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for etching silicon oxide layer, method for etching semiconductor device using the same, and composition for etching semiconductor device |
| US8940178B2 (en) * | 2009-03-18 | 2015-01-27 | E I Du Pont De Nemours And Company | Textured silicon substrate and method |
| WO2011032880A1 (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-24 | Basf Se | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
| JP2013516387A (ja) * | 2010-01-07 | 2013-05-13 | コーニング インコーポレイテッド | 耐衝撃損傷性ガラス板 |
| KR20130028059A (ko) * | 2010-03-05 | 2013-03-18 | 램 리써치 코포레이션 | 다마신 프로세스들의 측벽 폴리머에 대한 세정 용액 |
| CN101880129A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-11-10 | 合肥茂丰电子科技有限公司 | 玻璃基板减薄蚀刻液及其制备方法与应用 |
| TWI542260B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-07-11 | Ｌｇ伊諾特股份有限公司 | 印刷電路板及其製造方法 |
| TWI542264B (zh) * | 2010-12-24 | 2016-07-11 | Ｌｇ伊諾特股份有限公司 | 印刷電路板及其製造方法 |
| US9123840B2 (en) * | 2011-01-27 | 2015-09-01 | Kyocera Corporation | Solar cell element manufacturing method, solar cell element, and solar cell module |
| US9224645B2 (en) * | 2011-04-11 | 2015-12-29 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5971246B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2016-08-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅または銅を主成分とする化合物のエッチング液 |
| KR101822227B1 (ko) | 2011-11-10 | 2018-01-25 | 코닝 인코포레이티드 | 유리의 산 강화방법 |
| CN102774858A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-14 | 天津市风船化学试剂科技有限公司 | 一种超纯度氟化铵侵蚀剂的制备方法 |
| KR101394133B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-05-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 |
| CN103693855A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 杜邦公司 | 蚀刻切割玻璃基材的方法 |
| WO2014070546A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | Corning Incorporated | Foam etchant and methods for etching glass |
| KR102002765B1 (ko) | 2012-11-13 | 2019-07-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법 |
| KR102269921B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2021-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유리 강화용 조성물 및 이를 이용한 터치 스크린 글래스의 제조 방법 |
| CN103936289A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-07-23 | 惠州市清洋实业有限公司 | Ogs玻璃二次强化液及其制备方法、ogs玻璃二次强化工艺 |
| US10619097B2 (en) * | 2014-06-30 | 2020-04-14 | Specmat, Inc. | Low-[HF] room temperature wet chemical growth (RTWCG) chemical formulation |
| US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
| US20170233650A1 (en) | 2014-09-16 | 2017-08-17 | The Chemours Company Fc, Llc | Etch cutting solution for use on glass substrates |
| CN104445973A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-03-25 | 张家港市德力特新材料有限公司 | 一种用于电子设备屏幕上的玻璃的制备方法 |
| KR102456079B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
| KR101741707B1 (ko) * | 2015-02-27 | 2017-05-30 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 슬러리 및 이를 이용한 기판 연마 방법 |
| CN105152542B (zh) * | 2015-10-19 | 2017-06-09 | 上海光和光学制造股份有限公司 | 一种防眩玻璃的制备方法 |
| CN105330165B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-04-17 | 上海光和光学制造大丰有限公司 | 一种用于加工防眩玻璃的蚀刻液及其制备方法 |
| WO2017091482A1 (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Corning Incorporated | Removal of inorganic coatings from glass substrates |
| CN106277812A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-04 | 凯盛科技股份有限公司 | 一种曲面盖板玻璃蚀刻液 |
| KR101966808B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2019-04-08 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN106746701B (zh) * | 2016-12-31 | 2018-09-28 | 江苏建达恩电子科技有限公司 | Tft玻璃薄化工艺预处理液 |
| CN106587648B (zh) * | 2016-12-31 | 2018-12-21 | 江苏聚泰科技有限公司 | 一种tft玻璃基板表面预处理组合物 |
| CN106587649B (zh) * | 2016-12-31 | 2019-03-22 | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 | Tft玻璃基板薄化工艺预处理剂 |
| CN106587647B (zh) * | 2016-12-31 | 2018-08-31 | 新沂市棋盘工业集中区建设发展有限公司 | Tft玻璃表面预处理液 |
| CN106630658B (zh) * | 2016-12-31 | 2018-11-20 | 江苏来德福汽车部件有限公司 | 液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物 |
| CN106746703A (zh) * | 2017-01-09 | 2017-05-31 | 天津美泰真空技术有限公司 | 用于tft玻璃基板薄化工艺预处理的组合物 |
| CN106630659B (zh) * | 2017-01-09 | 2019-09-20 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种tft玻璃基板薄化工艺预处理液 |
| CN107043219B (zh) * | 2017-01-09 | 2019-10-22 | 天津美泰真空技术有限公司 | 一种tft玻璃蚀刻预处理液 |
| US10109524B2 (en) * | 2017-01-24 | 2018-10-23 | Globalfoundries Inc. | Recessing of liner and conductor for via formation |
| US10889757B2 (en) * | 2017-10-19 | 2021-01-12 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching compositions |
| CN108878262A (zh) * | 2018-06-12 | 2018-11-23 | 重庆中科渝芯电子有限公司 | 一种高掺杂Si衬底器件底层SI定量去除方法 |
| CN108727069B (zh) * | 2018-06-15 | 2020-07-24 | 上海英仕盾建材有限公司 | 一种瓷砖防滑剂及其生产方法 |
| CN109305758A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-02-05 | 邓惠玉 | 一种用于液晶显示屏玻璃基板薄化处理的蚀刻液 |
| CN109305759A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-02-05 | 邓惠玉 | 能够防眩的tft玻璃薄化蚀刻液 |
| CN109231844A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-18 | 邓惠玉 | 提高防眩性能的tft玻璃基板薄化用蚀刻液 |
| CN109250921A (zh) * | 2018-11-01 | 2019-01-22 | 邓惠玉 | 一种能够防眩光的液晶显示屏玻璃薄化处理蚀刻液 |
| CN109081601A (zh) * | 2018-11-01 | 2018-12-25 | 邓惠玉 | Tft玻璃薄化工艺蚀刻液 |
| CN109384395A (zh) * | 2018-11-26 | 2019-02-26 | 邓惠玉 | 用于tft玻璃基板表面薄化的组合物 |
| CN109913222A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-06-21 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种硅片打磨液 |
| CN109761503A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-17 | 惠州市清洋实业有限公司 | 手机镜片蚀刻液、制备及应用方法 |
| CN109987854B (zh) * | 2019-04-12 | 2022-05-03 | 东莞市嘉逸光电有限公司 | 一种钢化玻璃的二次强化方法 |
| CN110204358B (zh) * | 2019-06-26 | 2021-11-09 | 匡云叶 | 一种陶瓷预处理液及预处理方法 |
| CN110818273A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-02-21 | 惠州市清洋实业有限公司 | 一种用于手机保护片的二次强化液及其使用方法 |
| CN111876781B (zh) * | 2020-06-22 | 2023-02-17 | 成都虹波实业股份有限公司 | 一种厚钼板的蚀刻液及其制备方法 |
| CN112662401B (zh) * | 2020-11-25 | 2021-10-15 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种低电阻硅产品的蚀刻液及其蚀刻方法 |
| CN116170957A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-05-26 | 东莞市湃泊科技有限公司 | 一种减少图形化次数的pcb板加工方法及其系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189722A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006179513A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Stella Chemifa Corp | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| JP2009512195A (ja) * | 2005-10-05 | 2009-03-19 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | ゲートスペーサ酸化物材料を選択的にエッチするための組成物および方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59219472A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Toshiba Corp | 界面保護膜の腐食液 |
| TW434196B (en) * | 1997-06-25 | 2001-05-16 | Ibm | Selective etching of silicate |
| KR100271769B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2001-02-01 | 윤종용 | 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액조성물 및 반도체소자 |
| US6140233A (en) | 1998-06-25 | 2000-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices, etching compositions for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices thereby |
| JP3903215B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2007-04-11 | ダイキン工業株式会社 | エッチング液 |
| KR100319881B1 (ko) * | 1999-02-03 | 2002-01-10 | 윤종용 | 집적 회로 기판 표면의 불순물을 제거하기 위한 세정 수용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| JP3410403B2 (ja) * | 1999-09-10 | 2003-05-26 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
| AUPR977301A0 (en) * | 2001-12-28 | 2002-01-31 | Energy Storage Systems Pty Ltd | An electrode for an energy storage device |
| US7166419B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-01-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions substrate for removing etching residue and use thereof |
| CN1287011C (zh) * | 2004-03-26 | 2006-11-29 | 张秋声 | 铝合金制品阳极氧化预处理剂 |
| KR100604853B1 (ko) * | 2004-05-15 | 2006-07-26 | 삼성전자주식회사 | 산화막 제거용 식각액 및 그 제조 방법과 반도체 소자의제조 방법 |
| US20070228011A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Buehler Mark F | Novel chemical composition to reduce defects |
-
2006
- 2006-08-21 KR KR1020060078818A patent/KR100860367B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-08-20 US US11/892,076 patent/US8043525B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-20 CN CN2011101504346A patent/CN102225874B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-20 CN CN2007101420325A patent/CN101131546B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-21 JP JP2007215122A patent/JP4815406B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-20 US US13/236,880 patent/US20120007019A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189722A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006179513A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Stella Chemifa Corp | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| JP2009512195A (ja) * | 2005-10-05 | 2009-03-19 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | ゲートスペーサ酸化物材料を選択的にエッチするための組成物および方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011019015A1 (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| JP2011040576A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Stella Chemifa Corp | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 |
| WO2013031554A1 (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | 林純薬工業株式会社 | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| JP2013051371A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
| US9193904B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-11-24 | Hayashi Pure Chemical Ind., Ltd. | Etchant composition and etching method |
| JP2014001447A (ja) * | 2012-02-07 | 2014-01-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属接着を向上させる活性化方法 |
| CN112280558A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种硅片打毛液 |
| CN112280558B (zh) * | 2020-10-29 | 2021-12-28 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种硅片打毛液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101131546B (zh) | 2011-09-28 |
| CN102225874B (zh) | 2013-01-30 |
| JP4815406B2 (ja) | 2011-11-16 |
| US8043525B2 (en) | 2011-10-25 |
| KR20080017576A (ko) | 2008-02-27 |
| US20080041823A1 (en) | 2008-02-21 |
| CN102225874A (zh) | 2011-10-26 |
| US20120007019A1 (en) | 2012-01-12 |
| CN101131546A (zh) | 2008-02-27 |
| KR100860367B1 (ko) | 2008-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4815406B2 (ja) | シリコン酸化膜選択性湿式エッチング溶液及びエッチング方法 | |
| TWI659088B (zh) | 蝕刻組成物 | |
| EP2798669B1 (en) | Compositions and methods for selectively etching titanium nitride | |
| TWI416282B (zh) | 用以移除殘餘光阻及聚合物的組合物及使用該組合物的殘餘物移除製程 | |
| CN106226991A (zh) | TiN硬掩模和蚀刻残留物去除 | |
| KR20110035905A (ko) | 세정 조성물, 세정 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US7521407B2 (en) | Remover composition | |
| JP2011517328A (ja) | 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法 | |
| WO2012174518A2 (en) | Compositions and methods for selectively etching silicon nitride | |
| JP2010093126A (ja) | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 | |
| TWI721311B (zh) | 於製造一半導體裝置時用於相對氮化鈦選擇性移除氮化鉭的蝕刻組合物 | |
| EP1466963B1 (en) | Cleaning liquid composition for semiconductor substrate | |
| JP2017524249A (ja) | Ｃｍｐ後の洗浄組成物及びそれに関連する方法 | |
| CN100516305C (zh) | 半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法 | |
| TWI359866B (en) | Cleaning composition and method | |
| US7727415B2 (en) | Fine treatment agent and fine treatment method using same | |
| CN114273320B (zh) | 一种半导体晶圆干刻后清洗工艺 | |
| KR102205628B1 (ko) | 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물 | |
| JP4637010B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| JP2002020787A (ja) | 銅配線半導体基板洗浄剤 | |
| JP2004359937A (ja) | 半導体工程で使用される腐食防止剤を含む洗浄液 | |
| JP4758187B2 (ja) | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去液 | |
| KR20090012953A (ko) | 반도체 소자용 식각액 및 이를 이용한 제조 방법 | |
| KR102683222B1 (ko) | 플루오라이드를 기초로 한 세정 조성물 | |
| KR100906502B1 (ko) | 금속실리사이드막 대비 실리콘 산화막에 대한 상대적인식각 선택성이 향상된 식각용액 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080306 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080326 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080327 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100817 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100820 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110829 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4815406 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |