KR102205628B1 - 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 티오요소류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체 및 계면활성제를 포함하되, 식각액 조성물 전체 함량 중에서 상기 티오요소류 화합물은 0.1 내지 2 중량%, 상기 과황산염은 0.01 내지 0.1 중량%, 상기 아미노산은 0.005 내지 0.02 중량%, 상기 글리콜 유도체는 0.1 내지 0.3 중량% 및 상기 계면활성제는 0.005 내지 0.015 중량%가 포함된다.
상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 반도체나 통신을 포함한 다양한 마이크로 전자공학 분야에서 집적회로의 도선이나 나노 스케일의 패터닝에 사용될 수 있고, 기판의 표면에 형성된 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막을 선택적으로 식각함과 동시에 식각 특성을 향상시킴으로써, 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막으로 이루어지는 패터닝을 균일하게 형성할 수 있으며, 생산성을 향상시킬 수 있다.

Description

구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물{ETCHANT COMPOSITION FOR COPPER OR COPPER-CONTAINING METAL FILMS}
본 발명은 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체나 통신을 포함한 다양한 마이크로 전자공학 분야에서 집적회로의 도선이나 나노 스케일의 패터닝에 사용될 수 있는 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
반도체 장치, TFT-LCD, OLED 등의 미세 회로는 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리 및 구리 합금 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포한 다음, 패턴이 새겨진 마스크를 통하여 빛을 조사한 후 현상을 통하여 원하는 패턴의 포토레지스트를 형성시키고 건식 또는 습식 식각으로 포토레지스트 하부에 있는 금속막 또는 절연막에 패턴을 전사한 후, 필요없는 포토레지스트를 박리 공정에 의해 제거하는 일련의 리소그래피 공정을 거쳐 완성된다.
이러한 반도체 장치, TFT-LCD, OLED 등에서, 최근 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있는데. 이는 저항이 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자이므로, 특히 TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)의 경우 패널 크기 증가와 고해상도 실현이 기술 개발의 중요한 관건이 되고 있기 때문이다.
따라서, TFT-LCD의 대형화에 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는, 저저항의 물질개발이 필수적이다.
그러나 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr, 비저항: 12.7 ×10-8 Ωm), 몰리브덴(Mo, 비저항: 5×10-8 Ωm), 알루미늄(Al, 비저항: 2.65× 10-8 Ωm) 및 이들의 합금은 대형 TFT LCD 에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기 어려운 실정이다.
따라서, 이와 같은 상황하에서 새로운 저저항의 금속막으로서 구리막 및 구리 몰리브덴막 등의 구리계 금속막 및 이의 식각액 조성물에 대한 관심이 높아지고 있다.
이러한 구리계 금속막의 식각액 조성물로는 통상적으로 과산화수소 등을 포함하는 조성물이 사용되는데, 구리계 금속막은 이러한 식각액 조성물에 대한 습윤성이 떨어져, 국소 부위에 구리계 금속막의 식각 잔사가 발생할 수 있다. 또한, 이러한 식각 잔사 문제를 해결하기 위해 장시간 식각을 수행하는 경우 의도하지 않은 부위까지 식각되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 원하는 부위만을 식각 잔사의 발생 없이 충분히 식각할 수 있는 식각 방법이 요구되는데, 구체적으로는, 미세 패턴의 회로 배선을 형성하기 위해서는 식각된 부분에 잔막이 없고, 상부에서 본 회로 배선이 직선에 가깝고, 회로 배선의 종단면의 모양이 직사각형에 가까워 에칭 팩터가 큰 것이 바람직하다.
그러나 실제로는 전술한 특성이 나타나지 않아서, 회로 배선의 형상이 불량해지고, 이러한 회로 배선의 형상 불량으로 인하여, 이웃한 배선과 서로 간섭될 위험성이 높아지므로 미세 패턴의 회로 배선 구현이 어려워지는 경우가 많다.
또한, 미세 패턴의 회로 배선을 형성하는데 있어서, 포토에칭법으로 구리 배선 패턴을 형성하는 경우 에칭액으로서 염화철계 에칭액, 염화구리계 에칭액, 알칼리성 에칭액 등이 이용될 수 있는데, 이들 에칭액을 사용하면 언더컷이라 불리는 에칭 레지스트 아래의 구리가 배선 패턴의 측면으로부터 용해되는 경우가 있었다.
즉, 에칭 레지스트로 커버됨으로써, 본래 에칭으로 제거되지 않아야 되는 부분(즉, 배선 부분)까지 사이드 에칭에 의해 제거되어, 배선의 바텀(bottom)부로부터 톱(top)부가 됨에 따라서 폭이 가늘어지는 현상(언더컷)이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.
특히 배선 패턴이 미세한 경우, 이러한 언더컷은 가능한 억제되어야 하는데, 이러한 언더컷이나 회로 배선의 형상 불량을 억제하기 위해서, 다양한 에칭액이나 에칭 방법이 제안되고 있으나, 아직 만족할 만한 에칭액의 개발이 미비한 실정이다.
국내등록특허 제10-1107545호(2012년 01월 12일 등록) 국내공개특허 제10-2015-0043994호(2015년 04월 23일 공개) 국내공개특허 제10-2013-0028014호(2013년 03월 18일 공개)
본 발명은 반도체나 통신을 포함한 다양한 마이크로 전자공학 분야에서 집적회로의 도선이나 나노 스케일의 패터닝에 사용될 수 있는 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명은 기판의 표면에 형성된 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막을 선택적으로 식각함과 동시에 식각 특성을 향상시킴으로써, 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막으로 이루어지는 패터닝을 균일하게 형성할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있는 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물을 제공하는데 있다.
더불어, 본 발명은 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막을 선택적으로 식각함과 동시에 식각 특성을 향상시킴으로써 식각 경계면이 매끈하게 형성되도록 하는 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 티오요소류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체 및 계면활성제를 포함하되, 식각액 조성물 전체 함량 중에서 상기 티오요소류 화합물은 0.1 내지 2 중량%, 상기 과황산염은 0.01 내지 0.1 중량%, 상기 아미노산은 0.005 내지 0.02 중량%, 상기 글리콜 유도체는 0.1 내지 0.3 중량% 및 상기 계면활성제는 0.005 내지 0.015 중량%가 포함된다.
상기 티오요소류 화합물은 티오요소 (NH2)2CS 또는 일반식 (R1R2N)(R3R4N)C=S(여기서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 에틸기 또는 메틸기에서 선택되는 어느 하나임)로 표현되는 티오요소 유도체가 사용되고, 상기 과황산염은 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 또는 과황산칼륨(K2O2S8) 중에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되며, 상기 아미노산은 이소류신, 아르기닌, 프롤린, 티로신, 글루탐산, 글루타민 및 글리신으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되고, 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제 및 양이온성 계면활성제를 포함하되, 상기 양이온성 계면활성제는 상기 비이온성 계면활성제 100 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부의 중량 비율로 포함되며, 상기 비이온성 계면활성제는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노알릴에테르 및 폴리에틸렌글리콜 비스페놀-A 에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되고, 상기 양이온성 계면활성제는 세틸트리메틸암모늄 클로라이드, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 세틸암모늄 클로라이드 및 세틸암모늄 브로마이드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 식각액 조성물은 티오요소류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체 및 계면활성제 이외에 염산, 질산, 인산, 벤조트리아졸 및 탈이온수를 더 포함하되, 상기 티오요소류 화합물 0.1 내지 2 중량%, 상기 과황산염 0.01 내지 0.1 중량%, 상기 아미노산 0.005 내지 0.02 중량%, 상기 글리콜 유도체 0.1 내지 0.3 중량%, 상기 계면활성제 0.005 내지 0.015 중량%, 상기 염산 5 내지 20 중량%, 상기 질산 5 내지 10 중량%, 상기 인산 5 내지 15 중량%, 상기 벤조트리아졸 1 내지 3 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함할 수 있다.
상기 티오요소류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체, 계면활성제, 염산, 질산, 인산, 벤조트리아졸 및 탈이온수를 포함하는 조성물로 구리 또는 구리 함유 금속막을 식각하고 세척한 후, 상기 세척된 구리 또는 구리 함유 금속막을 다시 한번 식각하기 위한 제2 식각액 조성물을 더 포함하되, 상기 제2 식각액 조성물은 글리콜 에테르 화합물 1 내지 5 중량%, 인산 20 내지 45 중량%, 초산 1 내지 10 중량%, 인산염 화합물 1 내지 5 중량%, 킬레이트제 0.1 내지 2 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함할 수 있다.
상기 글리콜 에테르 화합물은 에틸렌 글리콜 에테르류, 디에틸렌 글리콜 에테르류 및 프로필렌 글리콜 에테르류로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용되되, 상기 에틸렌 글리콜 에테르류는 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸아세테이트 및 에틸 비닐에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되고, 상기 디에틸렌 글리콜 에테르류는 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되며, 상기 프로필렌 글리콜 에테르류는 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되고, 상기 인산염 화합물은 제1 인산나트륨(NaH2PO4), 제2 인산나트륨(Na2HPO4), 제3 인산나트륨(Na3PO4), 제1 인산칼륨(KH2PO4), 제2 인산칼륨(K2HPO4), 제1 인산암모늄((NH4)H2PO4), 제2 인산암모늄((NH4)2HPO4) 및 제3 인산암모늄((NH4)3PO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용되며, 상기 킬레이트제는 나이트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid, NTA), 이미노다이아세트산(iminodiacetic acid, IDA), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid, EDTA) 및 에틸렌 글리콜테트라 아세트산(ethylene glycol tetraacetic acid, EGTA)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 반도체나 통신을 포함한 다양한 마이크로 전자공학 분야에서 집적회로의 도선이나 나노 스케일의 패터닝에 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 기판의 표면에 형성된 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막을 선택적으로 식각함과 동시에 식각 특성을 향상시킴으로써, 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막으로 이루어지는 패터닝을 균일하게 형성할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있다.
더불어, 본 발명은 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막을 선택적으로 식각함과 동시에 식각 특성을 향상시킴으로써 식각 경계면이 매끈하게 형성되어 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 실시예는, 구체적으로 언급되지 않은 다양한 효과를 제공할 수 있다는 것이 충분히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후의 상태를 주사현미경으로 관찰한 사진이다.
도 2는 비교예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후의 상태를 주사현미경으로 관찰한 사진이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 기판의 표면에 형성된 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막을 선택적으로 식각함과 동시에 식각 특성을 향상시킴으로써, 구리(Cu) 또는 구리(Cu) 함유 금속막으로 이루어지는 패터닝을 균일하게 형성할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에서 "구리(Cu) 함유 금속막"으로는 예를 들어, 구리(Cu)/티타늄(Ti) 금속막, 구리(Cu)/니켈(Ni) 금속막, 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막 등을 예로 들 수 있는데, 본 발명에서 상기 구리 함유 금속막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 이외에 구리를 조성물로 함유하고 있는 다양한 금속막에도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 본 발명에서 "구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물"이란 회로 배선의 패터닝(patterning), 특히 구리 또는 구리 함유 금속막으로 형성되는 집적회로의 도선이나 나노 스케일의 패터닝 공정 시, 상기 구리 또는 구리 함유 금속막을 패터닝하기 위하여 상기 구리 또는 구리 함유 금속막을 식각(etching)하는데 사용되는 조성물을 의미한다.
또한, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 기판상에 형성된 구리 또는 구리 함유 금속막을 일정한 패턴으로 식각하기 위하여 사용되는데, 예를 들어, 상기 기판으로는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌(PE)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상의 폴리머를 포함하여 제조될 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 기판상에 증착된 순수한 구리 금속막 또는 구리를 조성물로 함유하고 있는 금속막을 식각하기 위하여 사용되는 것으로, 상기 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 티오요소(Thiourea)류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체 및 계면활성제를 포함하고, 식각액 조성물 전체 함량 중에서 상기 티오요소류 화합물은 0.1 내지 2 중량%, 상기 과황산염은 0.01 내지 0.1 중량%, 아미노산 0.005 내지 0.02 중량%, 글리콜 유도체 0.1 내지 0.3 중량% 및 상기 계면활성제는 0.005 내지 0.015 중량%가 포함된다.
상기 티오요소류 화합물은 구리 또는 구리 함유 금속막을 식각할 때, 구리 또는 구리 이온이 존재하는 상황에서도 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도가 저하되지 않고, 식각액 조성물이 안정적으로 유지될 수 있도록 하기 위하여 포함될 수 있다.
본 발명에서 상기 티오요소류 화합물은 티오요소 (NH2)2CS 또는 일반식 (R1R2N)(R3R4N)C=S(여기서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 에틸기 또는 메틸기에서 선택되는 어느 하나임)로 표현되는 티오요소 유도체를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 티오요소류는 식각액 조성물 전체 함량 중에서 0.1 내지 2 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 티오요소류가 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 티오요소류가 첨가된 함량이 적어 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도 저하의 효과가 미미하고, 2 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 더 이상의 효과의 증가가 현저하지 않고, 이외의 조성물의 상대적인 함량이 적어 식각액 조성물의 안정성을 저해하는 문제가 발생할 수 있다.
상기 과황산염은 구리 또는 구리 함유 금속막을 식각하는 산화제로 사용되는 물질로, 본 발명에서 상기 과황산염은 구리의 부식 전위를 양극으로 이동시켜 식각이 용이하게 수행될 수 있도록 하는 역할을 수행할 수 있다.
즉, 본 발명에서 상기 과황산염은 금속 상태인 구리 또는 구리 함유 금속막을 구리(Cu) 이온화가 가능한 가용성 부동태로 형성할 수 있는데, 상기 과황산염으로는 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 또는 과황산칼륨(K2O2S8) 중에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
본 발명에서 상기 과황산염은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 0.01 내지 0.1 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 과황산염이 0.01 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 과황산염의 함량이 적어 산화제로서 충분히 기능하지 못하는 문제가 발생할 수 있고, 0.1 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 과황산염의 상대적 함량이 과도하여 구리 또는 구리 함유 금속막의 과식각이 발생할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 상기 과황산염이 식각액 조성물 전체 함량 중에서 0.01 내지 0.1 중량%로 포함되도록 구성함으로써, 구리 또는 구리 함유 금속막이 적정량으로 식각됨과 동시에 식각 프로파일도 우수하게 형성할 수 있다.
상기 아미노산은 구리 또는 구리 함유 금속막이 동시에 식각될 수 있는 환경을 제공하고 산도 변화에 대한 완충 작용과 아울러 금속 이온의 봉쇄제 역할을 수행할 수 있다.
본 발명에서 상기 아미노산은 탄소수 3 내지 10의 아미노산으로, 상기 아미노산은 이소류신, 아르기닌, 프롤린, 티로신, 글루탐산, 글루타민 및 글리신으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
본 발명에서 상기 아미노산은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 0.005 내지 0.02 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 아미노산이 0.005 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 상기 아미노산의 효과가 충분히 나타나지 않는 문제가 발생할 수 있고, 0.02 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막이 과도하게 식각되거나 산도 변화에 대한 완충 효과가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
상기 글리콜 유도체는 산화 안정제로 작용하는 것으로, 상기 글리콜 유도체는 식각을 진행함에 따라 산화제로 사용되는 물질들이 소량 분해되는 것을 방지하여 안정화시켜 줄 수 있다.
상기 글리콜 유도체는 R1(OR2)OH로 표시되며, 여기서 R1=CnH2n+1(n=1~4)이고 R2=CmH2m(m=2~3)이다. 예를 들어, 상기 글리콜 유도체로는 3M사의 HP-계열의 하나인 HP-3(상품명)가 사용될 수 있다.
상기 계면활성제는 식각액 조성물의 구리 또는 구리 함유 금속막에 대한 침투력을 향상시키고, 금속막 표면으로 식각액 조성물이 용이하게 유동될 수 있도록 하기 위하여 첨가될 수 있다.
즉, 본 발명에서는 식각액 조성물에 계면활성제를 포함함으로써, 식각액 조성물이 식각액 내에서 균일하게 분산될 수 있도록 하고, 레지스트와 구리 또는 구리 함유 금속막 계면에서의 흡착력을 높임으로써 사이드 에칭이나 언더컷을 감소시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제 및 양이온성 계면활성제를 포함할 수 있는데, 상기 양이온성 계면활성제는 상기 비이온성 계면활성제 100 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부의 중량 비율로 포함될 수 있다.
본 발명에서 상기 비이온성 계면활성제로는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노알릴에테르 및 폴리에틸렌글리콜 비스페놀-A 에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있고, 상기 양이온성 계면활성제로는 세틸트리메틸암모늄 클로라이드, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 세틸암모늄 클로라이드 및 세틸암모늄 브로마이드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
본 발명에서는 상기 양이온성 계면활성제가 비이온성 계면활성제에 포함되도록 구성함으로써, 스프레이 분사시에 식각액 조성물의 액적을 미세하게 할 수 있고 구리 또는 구리 함유 금속에 대한 침투력을 향상시킬 수 있으며, 또한 식각액 조성물의 분산성이 향상되어 식각된 금속막 패턴의 직진성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 계면활성제는 식각액 조성물 전체 함량 중에서 0.005 내지 0.015 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 계면활성제가 0.005 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 계면활성제의 상대적인 함량이 적어 식각액 조성물이 식각액 내에서 균일하게 분산되기 어려운 문제가 발생할 수 있고, 0.015 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 레지스트와 구리 또는 구리 함유 금속막 계면에서의 흡착력 향상 효과의 증가가 현저하지 않고, 또한 이외의 조성물의 상대적인 함량이 적어 식각액 조성물의 안정성을 저해하는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 금속막의 식각 효율을 향상시키고, 식각된 금속막 패턴의 직진성 및 식각 특성을 향상시키기 위하여, 상기 티오요소류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체 및 계면활성제 이외에 염산, 질산, 인산, 벤조트리아졸 및 탈이온수를 더 포함할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 상기 티오요소류 화합물 0.1 내지 2 중량%, 상기 과황산염 0.01 내지 0.1 중량%, 상기 아미노산 0.005 내지 0.02 중량%, 상기 글리콜 유도체 0.1 내지 0.3 중량%, 상기 계면활성제 0.005 내지 0.015 중량%, 상기 염산 5 내지 20 중량%, 상기 질산 5 내지 10 중량%, 상기 인산 5 내지 15 중량%, 상기 벤조트리아졸 1 내지 3 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함할 수 있다.
상기 염산은 산화제로 사용되는 성분으로서, 상기 염산은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 5 내지 20 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 염산이 5 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 산화 특성이 충분하지 않아 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도가 저하되고 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 상기 염산이 20 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 식각 속도가 증가하여 구리 또는 구리 함유 금속막 표면의 과도한 식각이 이루어질 수 있고, 기판에 손상을 주는 문제가 발생할 수 있다.
상기 질산은 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 상기 질산은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 5 내지 10 중량%가 포함될 수 있는데식각액 조성물 전체 함량 중에서로 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도 저하가 발생하여 금속막 내의 식각 균일성이 불량해지므로 얼룩이 발생할 수 있고, 상기 질산이 10 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 식각 속도가 과속화되어 후속 공정에 문제가 발생할 수 있다.
상기 인산은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 5 내지 15 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 인산이 5 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도 저하와 구리 또는 구리 함유 금속의 잔사 발생에 따른 불량을 야기할 수 있고, 15 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도가 지나치게 빨라지게 되어 금속막 표면의 과식각이 발생할 수 있다.
상기 벤조트리아졸은 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 시 식각 속도를 조절하는 역할을 수행할 수 있는데, 상기 벤조트리아졸은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 1 내지 3 중량%가 포함될 수다.
본 발명에서 상기 벤조트리아졸이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도를 충분히 조절하기 어려워 과식각이 발생할 수 있고, 3 중량%를 초과하는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도가 저하되어 식각 시간이 길어져 생산성을 저하시킬 수 있다.
따라서, 본 발명에서 상기 벤조트리아졸은 식각액 조성물 전체 함량 중에서 1 내지 3 중량%가 포함됨으로써, 적정한 구리 또는 구리 함유 금속막 식각율과 테이퍼 각도를 형성할 수 있고 측면 식각량을 조절할 수 있다.
상기 탈이온수는 물속의 이온이 제거된 것으로, 상기 탈이온수는 비저항값이 18MΩ·cm 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 상기 식각액 조성물로 구리 또는 구리 함유 금속막을 식각하고 세척한 후, 상기 세척된 구리 또는 구리 함유 금속막을 다시 한번 식각하기 위한 제2 식각액 조성물을 더 포함할 수도 있다.
즉, 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물은 상기 티오요소류 화합물, 과황산염, 계면활성제 등이 포함된 식각액 조성물로 구리 또는 구리 함유 금속막을 식각한 후, 제2 식각액 조성물로 상기 구리 또는 구리 함유 금속막을 다시 한번 식각함으로써, 매끄럽고 균일하게 패터닝할 수 있고, 언더 컷, 식각 손실(CD skew), 경사각(Taper angle) 등의 식각 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에서 상기 제2 식각액 조성물은 글리콜 에테르 화합물 1 내지 5 중량%, 인산 20 내지 45 중량%, 초산 1 내지 10 중량%, 인산염 화합물 1 내지 5 중량%, 킬레이트제 0.1 내지 2 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함한다.
상기 글리콜 에테르 화합물은 레지스트와 구리 또는 구리 함유 금속막 사이의 계면에 침투성을 향상시킴으로써, 언더컷(레지스트가 피복되어 있는 예정된 패턴보다 금속막이 안쪽으로 식각되어 폭이 넓은 회로 배선을 형성하는 현상)을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 글리콜 에테르 화합물이 회로 배선이 형성될 영역에 식각액 조성물이 체류하는 시간을 감소시킴으로써, 균일한 식각이 일어날 수 있도록 한다.
본 발명에서 상기 글리콜 에테르 화합물은 에틸렌 글리콜 에테르류, 디에틸렌 글리콜 에테르류 및 프로필렌 글리콜 에테르류로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
예를 들어, 상기 에틸렌 글리콜 에테르류는 에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 에틸아세테이트 및 에틸 비닐에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있고, 상기 디에틸렌 글리콜 에테르류는 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 및 디에틸렌글리콜 에틸메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있으며, 상기 프로필렌 글리콜 에테르류는 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 인산은 제2 식각액 조성물에서 주 산화제로 사용되는 성분으로서, 상기 제2 식각액 조성물 전체 함량 중에서 상기 인산은 20 내지 45 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 인산이 20 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 산화 특성이 충분하지 않아 식각하고 남은 구리 또는 구리 함유 금속막을 미세하게 조정하여 식각하기 어려운 문제가 발생할 수 있고, 상기 인산이 45 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 식각 속도가 증가하여 과식각이 일어나므로 경사각이 과도하게 커지는 문제가 발생할 수 있다.
상기 초산은 제2 식각액 조성물에서 보조 산화제로 사용되는 성분으로서, 제2 식각액 조성물 전체 함량 중에서 1 내지 10 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 초산이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도 저하와 구리 잔사 발생에 따른 불량을 야기할 수 있고, 10 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도가 지나치게 빨라지게 되어 금속막 표면의 과식각이 발생할 수 있다.
상기 인산염 화합물은 구리 또는 구리 함유 금속막이 과식각되는 것을 방지하고 식각이 균일하게 진행되도록 식각 속도를 조절하기 위하여 첨가될 수 있는데, 상기 인산염 화합물을 첨가함으로써, 상기 티오요소류 화합물, 과황산염, 계면활성제 등이 포함된 식각액 조성물로 식각하고 남은 구리 또는 구리 함유 금속막의 언더컷, 식각 손실(CD skew) 및 경사각(Taper angle) 등의 식각 특성을 개선할 수 있다.
상기 인산염 화합물은 제2 식각액 조성물 전체 함량 중에서 1 내지 5 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 인산염 화합물이 1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 속도 조절제로서의 역할을 충분히 수행하기 어려운 문제가 있고, 5 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 식각 속도를 저하시켜 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각을 어렵게 할 수 있다.
본 발명에서 상기 인산염 화합물로는 제1 인산나트륨(NaH2PO4), 제2 인산나트륨(Na2HPO4), 제3 인산나트륨(Na3PO4), 제1 인산칼륨(KH2PO4), 제2 인산칼륨(K2HPO4), 제1 인산암모늄((NH4)H2PO4), 제2 인산암모늄((NH4)2HPO4) 및 제3 인산암모늄((NH4)3PO4)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 킬레이트제는 구리(Cu)가 재흡착되는 것을 방지하기 위하여 첨가되는 것으로, 상기 구리(Cu)는 환원력이 매우 강한 금속으로 이온 상태에서도 쉽게 환원되어 석출될 수 있는데, 본 발명은 상기 킬레이트제를 첨가함으로써 구리 또는 구리 함유 금속막의 식각 공정 중에 구리 이온이 화학결합을 통해 재흡착되는 것을 방지할 수 있고, 이로 인해 식각 불량을 방지할 수 있다.
상기 킬레이트제는 제2 식각액 조성물 전체 함량 중에서 0.1 내지 2 중량%가 포함될 수 있는데, 상기 킬레이트제가 0.1 중량% 미만으로 포함되는 경우에는 구리 이온의 재흡착 방지 기능을 충분히 수행하기 어려운 문제가 발생할 수 있고, 2 중량%를 초과하여 포함되는 경우에는 식각 속도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명에서 상기 킬레이트제로는 나이트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid, NTA), 이미노다이아세트산(iminodiacetic acid, IDA), 에틸렌디아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid, EDTA) 및 에틸렌 글리콜테트라 아세트산(ethylene glycol tetraacetic acid, EGTA)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상이 사용될 수 있다.
상기 탈이온수는 물속의 이온이 제거된 것으로, 상기 탈이온수는 비저항값이 18MΩ·cm 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물에 대한 실시예를 들어 더욱 구체적으로 설명하기로 한다. 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
< 실시예 1 >
티오요소류 화합물 1 중량%, 과황산염 0.05 중량%, 아미노산 0.01 중량%, 글리콜 유도체 0.2 중량%, 계면활성제 0.01 중량%, 염산 10 중량%, 질산 8 중량%, 인산 10 중량%, 벤조트리아졸 2 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 식각액 조성물로 기판상에 증착된 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였다.
이후, 상기 식각액 조성물로 세척된 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 글리콜 에테르 화합물 3 중량%, 인산 30 중량%, 초산 5 중량%, 인산염 화합물 3 중량%, 킬레이트제 1 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 제2 식각액 조성물로 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 다시 한번 식각하였다.
< 실시예 2 >
실시예 1과 동일한 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였는데, 실시예 2에서는 실시예 1과 달리 티오요소류 화합물 1.2 중량%, 과황산염 0.04 중량%, 아미노산 0.015 중량%, 글리콜 유도체 0.25 중량%, 계면활성제 0.013 중량%, 염산 15 중량%, 질산 6 중량%, 인산 12 중량%, 벤조트리아졸 1 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 식각액 조성물을 이용하였다.
< 실시예 3 >
실시예 1과 동일한 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였는데, 실시예 3에서는 실시예 1과 달리 티오요소류 화합물 0.8 중량%, 과황산염 0.08 중량%, 아미노산 0.008 중량%, 글리콜 유도체 0.15 중량%, 계면활성제 0.007 중량%, 염산 18 중량%, 질산 9 중량%, 인산 8 중량%, 벤조트리아졸 3 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 식각액 조성물을 이용하였다.
< 실시예 4 >
실시예 1과 동일한 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였는데, 실시예 4에서는 실시예 1과 달리 제2 식각액 조성물로 글리콜 에테르 화합물 4 중량%, 인산 40 중량%, 초산 3 중량%, 인산염 화합물 4 중량%, 킬레이트제 1.5 중량% 및 잔량의 탈이온수가 포함되도록 하였다.
< 비교예 1 >
상기 실시예 1과 동일한 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였는데, 비교예 1에서는 상기 식각액 조성물 중에서 티오요소류 화합물, 과황산염 및 계면활성제를 포함하지 않은 식각액 조성물만을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였고, 제2 식각액 조성물로 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 다시 한번 식각하는 공정을 수행하지 않았다.
< 비교예 2 >
상기 실시예 1과 동일한 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였는데, 비교예 2에서는 티오요소류 화합물 1 중량%, 과황산염 0.05 중량%, 계면활성제 0.01 중량%, 염산 10 중량%, 질산 8 중량%, 인산 10 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 식각액 조성물로만 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였고, 제2 식각액 조성물로 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 다시 한번 식각하는 공정을 수행하지 않았다.
< 비교예 3 >
상기 실시예 1과 동일한 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하였는데, 비교예 3에서는 티오요소류 화합물, 과황산염, 계면활성제, 염산, 질산, 인산 및 잔량의 탈이온수를 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하는 공정을 수행하지 않았고, 제2 식각액 조성물로만 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각하는 공정을 수행하였다.
도 1은 실시예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후의 상태를 주사현미경으로 관찰한 사진이고, 도 2는 비교예 1에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후의 상태를 주사현미경으로 관찰한 사진이다.
1. 식각 특성 관찰 시험
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예 1에 따라 제조된 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후(도 1)가 비교예 1에 따라 제조된 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 것(도 2)보다 패터닝이 균일함을 확인할 수 있다.
또한, 실시예 1에 따라 제조된 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후(도 1)가 비교예 1에 따라 제조된 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 것(도 2)에 비하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사가 발견되지 않았고, 이로 인해 식각 특성이 향상되었음을 확인할 수 있었다.
2. 기판 손상 및 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 존재 여부 시험
상기 실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 식각액 조성물로 기판상에 증착된 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후, 기판의 손상 여부 및 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 존재 여부를 확인하였다.
상기 실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 식각액 조성물로 기판상에 증착된 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후의 기판 상태는 하기의 [표 1]에 나타낸 바와 같다.
구분 식각 조건 기판 식각 결과
온도(℃) 기판 손상 여부 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 여부
실시예 1 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 없음
실시예 2 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 없음
실시예 3 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 없음
실시예 4 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 없음
비교예 1 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 존재
비교예 2 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 존재
비교예 3 22℃ 손상 없음 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사 존재
상기 [표 1]을 참조하면, 실시예 1 내지 4에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 경우에는 기판의 손상이 없고, 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사가 나타나지 않음을 확인할 수 있었다.
이에 반하여, 비교예 1 내지 3에 따른 식각액 조성물을 이용하여 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 경우에는 기판의 손상은 없으나, 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 잔사가 나타남을 확인할 수 있었다.
3. 식각 성능 평가 시험
상기 실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 식각액 조성물로 기판상에 증착된 구리(Cu)/몰리브덴(Mo) 금속막을 식각한 후, 식각 성능을 평가하였고, 그 결과를 하기의 [표 2]에 나타내었다.
구분 CD Loss(㎛) 테이퍼 앵글(°) 언더 컷
실시예 1 0.91 47.8 없음
실시예 2 0.90 48.3 없음
실시예 3 0.89 46.9 없음
실시예 4 0.90 48.2 없음
비교예 1 0.59 55.9 없음
비교예 2 0.62 56.2 없음
비교예 3 0.60 54.2 없음
상기 [표 2]를 참조하면, 상기 실시예 1 내지 4에 따라 제조된 식각액 조성물이 비교예 1 내지 3에 따라 제조된 식각액 조성물과 비교하여, 시디 로스(CD Loss), 테이퍼 앵글 등이 모두 우수한 것을 확인할 수 있었다.
이상, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (5)

  1. 티오요소류 화합물, 과황산염, 아미노산, 글리콜 유도체, 계면활성제, 염산, 질산, 인산, 벤조트리아졸 및 탈이온수를 포함하되,
    식각액 조성물 전체 함량 중에서 상기 티오요소류 화합물 0.1 내지 2 중량%, 과황산염 0.01 내지 0.1 중량%, 아미노산 0.005 내지 0.02 중량%, 글리콜 유도체 0.1 내지 0.3 중량%, 계면활성제 0.005 내지 0.015 중량%, 염산 5 내지 20 중량%, 질산 5 내지 10 중량%, 인산 5 내지 15 중량%, 벤조트리아졸 1 내지 3 중량% 및 잔량의 탈이온수를 포함하고,
    상기 티오요소류 화합물은 티오요소 (NH2)2CS 또는 일반식 (R1R2N)(R3R4N)C=S(여기서, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 에틸기 또는 메틸기에서 선택되는 어느 하나임)로 표현되는 티오요소 유도체가 사용되고,
    상기 과황산염은 과황산암모늄((NH4)2S2O8), 과황산나트륨(Na2S2O8) 또는 과황산칼륨(K2O2S8) 중에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되며,
    상기 아미노산은 이소류신, 아르기닌, 프롤린, 티로신, 글루탐산, 글루타민 및 글리신으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되고,
    상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제 및 양이온성 계면활성제를 포함하되, 상기 양이온성 계면활성제는 상기 비이온성 계면활성제 100 중량부에 대하여 1 내지 10 중량부의 중량 비율로 포함되며,
    상기 비이온성 계면활성제는 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 메틸에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노알릴에테르 및 폴리에틸렌글리콜 비스페놀-A 에테르로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되고,
    상기 양이온성 계면활성제는 세틸트리메틸암모늄 클로라이드, 세틸트리메틸암모늄 브로마이드, 세틸암모늄 클로라이드 및 세틸암모늄 브로마이드로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용되며,
    상기 탈이온수는 비저항값이 18MΩ·cm 이상인 탈이온수를 사용하는 것을 특징으로 하는 구리 또는 구리 함유 금속막 식각액 조성물.
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