WO2014133137A1

WO2014133137A1 - 半導体基板洗浄システムおよび半導体基板の洗浄方法

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Publication number: WO2014133137A1
Application number: PCT/JP2014/055082
Authority: WO
Inventors: 小川　祐一
Original assignee: 栗田工業株式会社
Priority date: 2013-03-01
Filing date: 2014-02-28
Publication date: 2014-09-04
Also published as: US20160013047A1; TWI517235B; KR102150291B1; JP5861854B2; KR20150124948A; TW201436023A; TWI658507B; TW201436010A; CN105009258A; JPWO2014133137A1; CN105009258B

Abstract

　Ｓｉを構成成分とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する半導体基板の洗浄方法であって、Ａｌやシリサイド膜、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などを損傷することなく効果的に洗浄を行うことを可能にする。　Ｓｉを構成成分とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する半導体基板の洗浄方法であって、前記半導体基板に、硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含む第１溶液を接触させて洗浄する第１洗浄工程と、第１洗浄工程を経た前記半導体基板に、酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン化物とを含み、温度が２５～１００℃である第２溶液を接触させて洗浄する第２洗浄工程と、を有する。

Description

半導体基板洗浄システムおよび半導体基板の洗浄方法

　この発明は、シリコンを構成元素とする層を有する半導体基板から白金または白金合金を洗浄して除去する半導体基板の洗浄方法および洗浄システムに関するものである。

　近年、トランジスタ形成プロセスではソースとドレインの抵抗を低減するために、ＮｉやＣｏ等の材料を用い、ＮｉＳｉやＣｏＳｉ等のシリサイド化が行われる。また、接合リーク電流の低減のため、ＮｉやＣｏにＰｔやＰｄを５～１０％混入した合金が用いられている。中でも、ＮｉＰｔを用いた場合は耐熱性の向上と接合リーク電流の抑制効果が期待される（特許文献１、２参照）。

　シリサイド化工程では、合金をＳｉ基板上に製膜後、熱酸化処理を施すことで合金とＳｉが反応してシリサイドが形成されるが、残留する未反応の合金は除去する必要がある。例えばＮｉＰｔシリサイド形成後に未反応のＮｉＰｔを除去するため、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素の混合液）を用いる方法が知られている（特許文献３、４参照）。ＮｉＰｔを溶解しつつＡｌのエッチングを抑える洗浄方法として、王水を用いる方法が知られている（特許文献５参照）。また、硫酸系酸化剤で処理した後に塩酸系酸化剤で処理する方法が提案されている（特許文献６参照）。

　さらにＳｉ系絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＯ_２など）からのＰｔ除去においても各種洗浄剤や提案されている。例えば、特許文献７では、洗浄液として微量のフッ酸を添加した洗浄液、例えば塩酸過水フッ酸でＰｔを除去するものが提案されており、特許文献８では、微量のフッ酸およびキレート剤を添加した洗浄液、例えば塩酸過水フッ酸キレートを用いてＰｔを除去するものが提案されている。
　さらにＳｉ系半導体（Ｓｉ半導体、ＳｉＣなどのＳｉ化合物半導体）を有する基板（Ｓｉ系基板）からのＰｔ除去においても各種洗浄剤が提案されている。例えば、特許文献９、１０では、ＳｉＣ基板を平坦化するため、王水でＰｔ除去を行ったり、ＳＰＭで金属やＴＯＣを除去したりしている。

特開２００８－２５８４８７号公報特開２００８－１６０１１６号公報特開２００２－１２４４８７号公報特開２００８－１１８０８８号公報特表２００９－５３５８４６号公報特開２０１０－１５７６８４号公報特開２０００－１００７６５号公報特開２０００－２２３４６１号公報特開２００９－１１７７８２号公報特開２０１２－０６４９７２号公報特開２０１３－２２９５４３号公報

　しかし、従来の方法では、いずれもシリサイドやＳｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板を傷めたり、ＰｔやＰｔ合金を完全除去できない、あるいはＰｔやＰｔ合金を完全除去できても洗浄に長時間を要するという問題がある。
　例えば、ＳＰＭを用いる方法では、過酸化水素の配合比率を高くすればＮｉＰｔを溶解することができるが、その際に傷めてはいけない基板を傷めたり、エッチングしてはいけないＡｌなどを溶解してしまう。
　また、王水を用いる方法では、塩酸濃度が高く、基板を傷めたり、エッチングしてはいけないＡｌを溶解してしまう。
　さらに、硫酸系酸化剤で処理した後に塩酸系酸化剤で処理する方法でも、王水同様塩酸濃度が濃く、基板を傷めてしまう。

　そこで、特許文献１１には、ＴｉＮ露出基板のシリサイド化残渣のＮｉＰｔを選択除去する洗浄剤として電解溶液＋塩酸が提案されている。しかし、この洗浄剤を用いても以下の問題が残っている。
１）Ｓｉ系絶縁膜のＰｔ除去に際し、Ｓｉ系絶縁膜が過度にエッチングされてしまう場合がある。
２）Ｓｉ系基板のＰｔ除去に際し、完全除去するには洗浄に長時間を要する。
３）Ｓｉ基板のシリサイド化残渣のＰｔ合金の除去に際し、完全除去するには洗浄に長時間を要する上、Ａｌが露出している場合はＡｌが過度にエッチングされてしまう場合がある。

　本発明は、上記事情を背景としてなされたものであり、Ｓｉを構成成分とする層を有する半導体基板を洗浄する際に、基板などを損傷することなく白金及び／又は白金合金を効果的に洗浄して除去することができる半導体の洗浄方法および洗浄システムを提供することを目的の一つとする。

　すなわち、本発明の半導体基板の洗浄方法のうち、第１の本発明は、Ｓｉを構成元素とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する半導体基板の洗浄方法であって、
　前記半導体基板に、硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含む第１溶液を接触させて洗浄する第１洗浄工程と、
　第１洗浄工程を経た前記半導体基板に、酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン化物とを含み、温度が２５～１００℃である第２溶液を接触させて洗浄する第２洗浄工程と、を有することを特徴とする。

　第２の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１の本発明において、前記半導体基板が、Ｓｉの化合物で構成される絶縁膜を有する半導体基板、ＳｉまたはＳｉの化合物半導体で構成される半導体基板またはシリサイド膜を有する半導体基板のいずれかであることを特徴とする。

　第３の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１または第２の本発明において、前記半導体基板が、白金を含むシリサイド膜が形成されていることを特徴とする。

　第４の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第３の本発明のいずれかにおいて、前記半導体基板上にＡｌが存在することを特徴とする。

　第５の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第４の本発明のいずれかにおいて、前記半導体基板が、ＳｉＯ_２と白金及び／又は白金合金が露出していることを特徴とする。

　第６の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第５の本発明のいずれかにおいて、前記半導体基板が白金及び／又は白金合金が露出したＳｉＣ基板であることを特徴とする。

　第７の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第６の本発明のいずれかにおいて、前記半導体基板が白金及び／又は白金合金が露出したＳｉＧｅ基板であることを特徴とする。

　第８の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第７の本発明のいずれかにおいて、前記ハロゲン化物が、塩化物、臭化物およびヨウ化物からなる群のいずれか１種以上を含むことを特徴とする。

　第９の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第８の本発明のいずれかにおいて、前記第１溶液は、溶質全体に対し、硝酸及び／又は過酸化水素を質量比で８０％以上含むことを特徴とする。

　第１０の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第９の本発明のいずれかにおいて、前記第１溶液は、硝酸が含まれており、その硝酸濃度を１～６０質量％含むことを特徴とする。

　　第１１の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１０の本発明のいずれかにおいて、前記第１溶液は、過酸化水素が含まれており、その過酸化水素濃度を１～３５質量％含むことを特徴とする。

　第１２の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１１の本発明において、前記過酸化水素の濃度が２～３５質量％であることを特徴とする。

　第１３の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１２の本発明のいずれかにおいて、前記第１洗浄工程における前記第１溶液の温度が２５～１００℃であることを特徴とする。

　第１４の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１３の本発明のいずれかにおいて、前記第２溶液中の硫酸濃度が４０～８０質量％であることを特徴とする。

　第１５の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１４の本発明のいずれかにおいて、前記第２溶液の酸化剤の濃度が０．００１～２ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする。

　第１６の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１５の本発明のいずれかにおいて、前記酸化剤が過硫酸であることを特徴とする。

　第１７の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１６の本発明のいずれかにおいて、前記第２溶液の前記酸化剤を含む硫酸溶液が、硫酸電解液、硫酸と過酸化水素の混合溶液、硫酸とオゾンの混合溶液からなる群から選ばれた１種以上であることを特徴とする。

　第１８の本発明の半導体基板の洗浄方法は、前記第１～第１７の本発明のいずれかにおいて、前記第２洗浄工程の前に、前記第１洗浄工程を経た前記半導体基板から、第１溶液を排除する第１溶液排出工程を有することを特徴とする。

　第１９の本発明の半導体基板洗浄システムは、Ｓｉを構成元素とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する洗浄を行う洗浄部と、
　硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含む第１溶液を収容する第１溶液収容部と、
　酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン化物とを含む第２溶液を収容する第２溶液収容部と、
　一端が前記第１溶液収容部に、他端が前記洗浄部に接続され、前記第１溶液を前記第１溶液収容部から前記洗浄部に供給する第１溶液供給ラインと、
　一端が前記第２溶液収容部に、他端が前記洗浄部に接続され、前記第２溶液を前記第２溶液収容部から前記洗浄部に供給する第２溶液供給ラインと、
　前記第１溶液供給ラインに介設され、前記第１溶液供給ラインを通じて前記洗浄部に供給される前記第１溶液の液温を所定温度に調整する第１液温調整部と、
　前記第ｌ溶液供給ラインの前記洗浄部側の先端部に接続され、前記洗浄部において前記第１溶液を送出して前記半導体基板に接触させる第１溶液送出部と、
　前記第２溶液供給ラインの前記洗浄部側の先端部に接続され、前記洗浄部において前記第２溶液を送出して前記半導体基板に接触させる第２溶液送出部と、
を備えることを特徴とする。

　第２０の本発明の半導体基板洗浄システムは、前記第１９の本発明において、前記洗浄部で前記第１溶液を用いて前記半導体基板の洗浄を行う第１洗浄工程と、前記第１洗浄工程後に、前記洗浄部で前記第２溶液を用いて前記半導体基板の洗浄を行う第２洗浄工程とを行うための前記第１溶液および前記第２溶液の供給を制御する洗浄制御部をさらに備えることを特徴とする。

　以下に、本発明について詳細に説明する。
　本発明で用いる第１溶液は、硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含むものであり、いずれか一方、または両方が混合したものでもよい。混合する場合、両者の混合比は、本発明としては特に限定されるものではない。
　なお、第１溶液に硝酸を含む場合、硝酸濃度が１～６０質量％であるのが望ましい。第１溶液に過酸化水素を含む場合、過酸化水素濃度が１～３５質量％であるのが望ましい。硝酸濃度２～３０質量％かつ過酸化水素濃度が２～３０質量％であるのが一層望ましい。
　以下に、その理由を説明する。

硝酸濃度：１～６０質量％
　硝酸の使用により、シリサイド化残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔ）が酸化される。ただし、１質量％未満の硝酸濃度ではその作用が十分ではなく、一方、６０質量％を超える硝酸濃度では基板表面に露出している金属（例えばＡｌ）やシリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などのエッチングレートが大きくなりすぎるため好ましくない。
　このため、硝酸を含む場合の硝酸濃度は１～６０質量％が望ましい。また、同様の理由で、下限を２質量％、上限を３０質量％とするのが一層望ましい。

過酸化水素濃度：１～３５質量％
　過酸化水素の使用により、シリサイド化残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔ）が酸化される。ただし、１質量％未満の過酸化水素濃度ではその作用が十分ではなく、一方、３５質量％を超える過酸化水素濃度では基板表面に露出している金属（例えばＡｌ）やシリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などのエッチングレートが大きくなりすぎるため好ましくない。
　このため、過酸化水素を含む場合の過酸化水素濃度は１～３５質量％が望ましい。また、同様の理由で、下限を２質量％とするのが望ましく、さらに下限を５質量％、上限を３２質量％とするのが一層望ましい。さらに、同様の理由で、下限を１０質量％、上限を３０質量％とするのが一層望ましい。

　第１溶液は、硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含み、これらの一方または両方を全溶質に対し質量比で８０％以上含むのが望ましく、さらに９０％以上含むのが一層望ましい。硝酸及び／又は過酸化水素は、濃度総和で１質量％以上含むのが望ましい。また第１溶液において、上記溶質以外に他の溶質を含む場合、硫酸、リン酸、塩酸、フッ酸などを含むことができ、その濃度の合計が全溶質に対し質量比で２０％未満、好ましくは１０％未満であるのが望ましい。
　第１溶液の溶媒としては好適には水が例示される。

　また、第１溶液は、第１洗浄工程に際しての温度を２５～１００℃とするのが望ましい。２５℃未満では、洗浄能力が不足である。なお、４０℃以上であれば洗浄能力はほぼ十分であり、４０℃以上が一層望ましい。また、液温が１００℃を超えるとＡｌなどのエッチングが助長されるので、上限を１００℃とするのが望ましいが、エネルギー効率やエッチングレートの点から８０℃以下の温度であることが一層望ましい。
　なお、液温を調整する場合、半導体基板に混合した溶液を接触させる際に上記温度を有するものとする。

　第１溶液を用いた第１洗浄工程では、半導体基板に対し第１溶液を接触させて行うが、接触は、第１溶液への半導体基板の浸漬や半導体基板への第１溶液の吹き付け、滴下、流下などによって行うことができる。接触に際しての接触時間は本発明としては特に限定されるものではないが、例えば１０～３００秒を示すことができる。１０秒未満の接触時間では、シリサイド化残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔ）の酸化が不足であり、３００秒を超える接触時間では基板表面に露出している金属（例えばＡｌ）やシリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などのエッチングレートが大きくなりすぎるため好ましくない。なお、同様の理由で接触時間の下限を２０秒、接触時間の上限を２００秒とするのが望ましい。

　第２溶液は、過硫酸とハロゲン化物とを含むものであり、ハロゲン化物の濃度総和が０．００１～２ｍｏｌ／Ｌであるのが望ましい。ハロゲン化物としては、塩化物、臭化物およびヨウ化物からなる群のいずれか１種以上を示すことができる。
　第２溶液の溶媒としては、好適には水を挙げることができる。以下に、ハロゲン化物の濃度総和の理由を説明する。

ハロゲン化物濃度：０．００１ｍｏｌ／Ｌ～２ｍｏｌ／Ｌ
　ハロゲン化物の使用によってＰｔを溶解する作用が得られる。ただし、ハロゲン化物の濃度総和が０．００１ｍｏｌ／Ｌ未満であると、シリサイド化残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔなど）の除去率が悪く、ハロゲン化物の濃度総和が２ｍｏｌ／Ｌを超えると、シリサイドや、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などにダメージが与えやすくなる。このため、ハロゲン化物の濃度総和は第２溶液において、０．００１ｍｏｌ／Ｌ～２ｍｏｌ／Ｌが望ましい。なお、同様の理由で、ハロゲン化物の濃度総和は、下限を０．００５ｍｏｌ／Ｌとするのが望ましく、上限を１ｍｏｌ／Ｌとするのが望ましい。

　また、第２溶液における酸化剤を有する硫酸溶液には、酸化剤として過硫酸を含むものが例示され、硫酸電解液、硫酸と過酸化水素の混合溶液、硫酸とオゾンの混合溶液などから１種以上を選択するものが挙げられる。なお、ここでいう過硫酸としては、ペルオキソ二硫酸とペルオキソ一硫酸が例示され、いずれか一方、または両方が混合されたものでもよい。このとき溶液中の酸化剤としては過硫酸と過硫酸の自己分解に伴って発生する過酸化水素がほぼ全量を占める。他に酸化剤としてはオゾン、過酸化水素が挙げられる。

酸化剤濃度：０．００１～２ｍｏｌ／Ｌ
　過硫酸などの酸化剤の使用によって、シリサイド化残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔ）の溶解の作用が得られる。ただし、第２溶液における全酸化剤の濃度の総和が、０．００１ｍｏｌ／Ｌ未満であると洗浄力が不足し、一方、２ｍｏｌ／Ｌを超過すると、Ａｌなどのエッチングレートが高く、またシリサイドや、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などのダメージも生じやすくなる。このため、第２溶液における酸化剤濃度は０．００１～２ｍｏｌ／Ｌが望ましい。また、同様の理由で、第２溶液における酸化剤濃度の下限は０．００５ｍｏｌ／Ｌが一層望ましく、第２溶液における酸化剤濃度の上限は０．５ｍｏｌ／Ｌが一層望ましい。

硫酸濃度：４０～８０質量％
　硫酸の使用によってシリサイド残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔ）の溶解の作用が得られる。ただし、第２溶液における硫酸濃度が４０質量％未満であると洗浄力が不足し、一方、硫酸濃度が８０質量％を超過すると、Ａｌなどのエッチングレートが高くなる。このため、第２溶液における硫酸濃度は４０～８０質量％が望ましい。また、同様の理由で、第２溶液における硫酸濃度の下限は５０質量％が一層望ましく、第２溶液における硫酸濃度の上限は７５質量％が一層望ましい。

　第２溶液工程では、硫酸系の酸化剤、ハロゲン化物以外に他の溶質を含むことも可能である。

　また、第２溶液は、第２洗浄工程に際しての温度を２５～１００℃とするのが望ましい。２５℃未満では、洗浄能力が不足である。なお、４０℃以上であれば洗浄能力はほぼ十分であり、４０℃以上が一層望ましい。また、液温が１００℃を超えるとシリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などを傷めてしまうため、上限を１００℃とするのが望ましいが、エネルギー効率やエッチングレートの点から８０℃以下の温度であることが一層望ましい。
　なお、液温を調整する場合、半導体基板に混合した溶液を接触させる際に上記温度を有するものとする。

　第２溶液を用いた第２洗浄工程では、半導体基板に対し第２溶液を接触させて行うが、接触は、第２溶液への半導体基板の浸漬や半導体基板への第２溶液の吹き付け、滴下、流下などによって行うことができる。接触に際しての接触時間は本発明としては特に限定されるものではないが、例えば１０～３００秒を示すことができる。１０秒未満では、洗浄が不十分であり、３００秒を超えるとシリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などを傷めてしまう。なお、同様の理由で接触時間の下限を１５秒、接触時間の上限を２００秒とするのが望ましい。
　また、第１洗浄工程と第２洗浄工程とで溶液の接触方法を変えるものであってもよい。

　また、第１洗浄工程と第２洗浄工程の間では、第１洗浄工程で洗浄された半導体基板上から第１溶液を排除する第１溶液排出工程を設けてもよい。第１溶液排出工程では、例えば超純水などのリンス液を用いた洗浄を行うことができる。

　また、洗浄はバッチ式でも枚葉式でも構わないが、接触効率の点で枚葉式の方がより好ましい。

　本発明で洗浄の対象となる半導体基板は、Ｓｉを構成元素とする層を有するものであり、シリサイド化処理がされた半導体基板、Ｓｉの化合物で構成される絶縁膜、ＳｉをベースとするまたはＳｉ系半導体膜が被覆されているＳｉ系基板を対象とすることができる。シリサイド化処理がされた半導体基板は、特に半導体基板上にＡｌが一部露出した半導体基板がより好適である。Ｓｉの化合物で構成される絶縁膜としては、ＳｉＯ_２やＳｉＮなどが挙げられる。Ｓｉ系基板を構成するＳｉ系半導体としては、Ｓｉの単元素半導体や、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＰｔ（ゲルマニド）などのＳｉ化合物半導体が挙げられる。ただしＳｉを構成成分とする層を有する半導体基板がこれらに限定されるものではない。

　本発明によれば、シリサイドやＳｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などのダメージの損傷を抑制しつつ、シリサイド化の残渣金属などの白金、白金合金（例えばＮｉＰｔ）を効果的かつ完全に除去する洗浄を行うことができる。特にウエハ表面にＡｌが露出している場合もＡｌのダメージを所定以下に抑えつつ洗浄を行うことができる。

本発明の一実施形態の半導体基板洗浄システムを示す図である。

（実施形態１）
　以下に、本発明の一実施形態の半導体基板洗浄システム１を図１に基づいて説明する。
　半導体基板洗浄システム１は、本発明の洗浄部に相当する枚葉式洗浄機２と、硝酸溶液を貯留する硝酸溶液貯留槽３と、過酸化水素溶液を貯留する過酸化水素溶液貯留槽４と、過硫酸を含む硫酸溶液を貯留する硫酸溶液貯留槽５と、塩化物、臭化物、ヨウ化物のいずれか１種以上を含むハロゲン化物溶液を貯留するハロゲン化物溶液貯留槽６とを備えている。
　なお、硝酸溶液と過酸化水素溶液とは、本実施形態では第１溶液に相当し、硝酸溶液貯留槽３と過酸化水素溶液貯留槽４とは、本実施形態では第１溶液収容部に相当する。
　また、硫酸溶液とハロゲン化物溶液とは、本実施形態では第２溶液に相当し、硫酸溶液貯留槽５とハロゲン化物溶液貯留槽６とは、本実施形態では第２溶液収容部に相当する。

　硝酸溶液貯留槽３には、送液ポンプ１１を介して硝酸溶液供給ライン１０が接続されており、過酸化水素溶液貯留槽４には、送液ポンプ１３を介して過酸化水素溶液供給ライン１２が接続されている。硝酸溶液供給ライン１０と過酸化水素溶液供給ライン１２とは下流側で合流して第１溶液共通送液ライン１４を構成しており、第１溶液共通送液ライン１４には、ヒーター１５を介して下流端側に送出ノズル１６が接続されている。ヒーター１５は、溶液を通液しつつ一過式で加熱するものであり、好適には近赤外ヒーターなどを用いることができる。
　上記硝酸溶液供給ライン１０、過酸化水素溶液供給ライン１２、第１溶液共通送液ライン１４は、本実施形態では第１溶液供給ラインを構成し、ヒーター１５は、本実施形態では、第１液温調整部に相当し、送出ノズル１６は本実施形態では第１溶液送出部に相当する。

　また、硫酸溶液貯留槽５には、送液ポンプ２１を介して硫酸溶液供給ライン２０が接続されており、ハロゲン化物溶液貯留槽６には、送液ポンプ２３を介してハロゲン化物溶液供給ライン２２が接続されている。硫酸溶液供給ライン２０とハロゲン化物溶液供給ライン２２とは下流側で合流して第２溶液共通送液ライン２４を構成しており、第２溶液共通送液ライン２４には、ヒーター２５を介して下流端側に送出ノズル２６が接続されている。ヒーター２５は、溶液を通液しつつ一過式で加熱するものであり、好適には近赤外ヒーターなどを用いることができる。
　硫酸溶液供給ライン２０、ハロゲン化物溶液供給ライン２２、第２溶液共通送液ライン２４は、本実施形態では第２溶液供給ラインを構成し、ヒーター２５は、本実施形態では、第２液温調整部に相当し、送出ノズル２６は本実施形態では第２溶液送出部に相当する。

　枚葉式洗浄機２は半導体基板支持台７を備えており、半導体基板支持台７は、図示しない駆動装置によって回転駆動が可能になっている。枚葉式洗浄機２は、本実施形態では洗浄部に相当し、半導体基板支持台７に支持された半導体基板１００に、送出ノズル１６、２６から洗浄用の溶液が送出される。送出ノズル１６、２６は、洗浄用の溶液を半導体基板１００に噴霧、滴下、または流下するように構成されている。なお、滴下、流下では圧力を与えて半導体基板１００に溶液を吹き付けるものであってもよい。

　また、半導体基板洗浄システム１には、半導体基板洗浄システム１全体を制御する洗浄制御部３０を備えている。洗浄制御部３０は、ＣＰＵとこれを動作させるプログラムや動作パラメータなどを格納し、また作業領域として使用される記憶部などにより構成される。
　洗浄制御部３０は、送液ポンプ１１、１３、２１、２３、ヒーター１５、２５、枚葉式洗浄機２の動作を制御する。また、これら機器は、手動により動作の設定や調整、オンオフを操作するものであってもよい。

　次に、半導体基板洗浄システムを使用した半導体基板洗浄方法を以下に説明する。
　まず、Ａｌが一部露出し、またシリサイド化処理がされた半導体基板や、Ｓｉ系絶縁膜有する半導体基板、Ｓｉ系基板などを基板支持台に支持する。シリサイド化処理された半導体基板は、例えば、Ａｌが存在するシリコン基板上に金属膜を形成し、前記シリコン基板に対してアニール処理を行ってシリコン基板上に白金などの貴金属を含むシリサイド層を形成したものを用いることができる。金属膜は、白金などの貴金属を含むものであってもよい。
　但し、本発明としては半導体基板の製造方法がこれに限定されるものではない。

　なお、本実施形態で好適な対象例は、Ａｌの膜厚が６０ｎｍ以下（好ましくは３０ｎｍ以下）、シリサイド層の厚さが６０ｎｍ以下（好ましくは２５ｎｍ以下）、ゲート幅が４５ｎｍ以下（好ましくは３０ｎｍ以下）のケースである。ただし、本発明で対象となる半導体基板がこれに限定されるものではない。

　また硝酸溶液貯留槽３には、後述する過酸化水素と混合した際に、硝酸濃度が１～６０質量％となるように濃度調整した硝酸溶液を収容する。また、過酸化水素溶液貯留槽４には、前述の硝酸と混合した際に過酸化水素濃度が１～３５質量％となるように濃度調整する。

　硫酸溶液貯留槽５には、後述する塩化物、臭化物、ヨウ化物などのハロゲン化物を含む溶液と混合した際に、硫酸濃度が４０～８０質量％となるように濃度調整した過硫酸含有の硫酸溶液を収容する。また、ハロゲン化物溶液貯留槽６には、前記した硫酸溶液と混合した際に、ハロゲン化物の濃度総和が０．００１～２ｍｏｌ／Ｌになるように濃度調整したハロゲン化物溶液を収容する。

　半導体基板１００の洗浄に際しては、半導体支持台７を回転駆動して半導体基板１００を回転支持するとともに、まず、硝酸溶液貯留槽３内の硝酸溶液を送液ポンプ１１によって硝酸溶液供給ライン１０を通じて所定の流量で送液し、また過酸化水素溶液貯留槽４内の過酸化水素溶液を送液ポンプ１３によって過酸化水素溶液供給ライン１２を通じて所定の流量で送液し、この２液を第１溶液共通送液ライン１４で混合して第１溶液を調製しつつ送液して、ヒーター１５で一過式に加熱する。加熱温度は、加熱後の第１溶液が半導体基板１００に接触する時に液温が２５～１００℃になるように調整する。
　上記硝酸溶液と過酸化水素の混合比は、送液ポンプ１１と送液ポンプ１３の送液量の調整により設定することができ、第１溶液の温度はヒーター１５の加熱温度などにより調整することができ、洗浄制御部３０による制御または手動操作により前記調整を行うことができる。

　硝酸溶液と過酸化水素の混合で調整された第１溶液は、硝酸濃度が１～３０質量％、過酸化水素濃度が１～３５質量％かつ濃度総和が１質量％以上、液温が３５～１００℃の状態で、送出ノズル１６から送出されて半導体基板１００に接触し、半導体基板１００の洗浄が行われる。好適には硝酸濃度２～３０質量％、かつ過酸化水素濃度２～３０質量％である。
　なお、硝酸溶液と過酸化水素溶液とは、混合状態で液温２５℃以上の時点から１０分以内（好ましくは５分以内）に半導体基板に接触するように送液速度および第１溶液共通送液ライン１４の長さを定めるのが望ましい。
　また、上記混合溶液が半導体基板１００に接触している時間は、本発明としては特定の範囲に限定されないが、この実施形態では、１０～３００秒の範囲とするのが望ましい。
　上記処理は、本実施形態では第１洗浄工程に相当する。

　なお、本実施形態では第１溶液収容部を硝酸溶液貯留槽３と過酸化水素溶液貯留槽４に分けているが、第１溶液として１槽に収容しても構わない。
　次に、硫酸溶液貯留槽５内の硫酸溶液を送液ポンプ２１によって硫酸溶液供給ライン２０を通じて所定の流量で送液し、また塩化物、臭化物、ヨウ化物のいずれかを含む溶液を貯留するハロゲン化物溶液貯留槽６内の溶液を送液ポンプ２３によってハロゲン化物溶液供給ライン２２を通じて所定の流量で送液し、この２液を第２溶液共通送液ライン２４で混合して第２溶液を調製しつつ送液して、ヒーター２５で一過式に加熱する。加熱温度は、加熱後の第２溶液が半導体基板１００に接触させる時に液温が２５～１００℃になるように調整する。
　上記硫酸溶液とハロゲン化物溶液の混合比は、送液ポンプ２１と送液ポンプ２３の送液量の調整により設定することができ、第２溶液の温度はヒーター２５の加熱温度などにより調整することができ、洗浄制御部３０による制御または手動操作により前記調整を行うことができる。

　上記硫酸溶液と塩化物、臭化物、ヨウ化物のいずれかを含む溶液の混合で調整された第２溶液は、硫酸濃度が４０～８０質量％、酸化剤濃度が０．００１～２ｍｏｌ／Ｌ、液温が２５～１００℃の状態で、送出ノズル２６から送出されて半導体基板１００に接触し、半導体基板１００の洗浄が行われる。なお、上記硫酸溶液と塩化物、臭化物、ヨウ化物のいずれかを含む溶液とは、混合状態で液温２５℃以上の時点から１０分以内（好ましくは５分以内）に半導体基板１００に接触するように送液速度および第２溶液共通送液ライン２４の長さを定めるのが望ましい。
　この際に、上記条件の範囲内でＡｌのエッチングレートが１８０Å／ｍｉｎ以下、好ましくは１５０Å／ｍｉｎ以下になるような条件で洗浄し、また洗浄時間が１２０秒以内程度、好ましくは８０秒以内になるような条件で洗浄をするのが望ましい。
　上記処理は、本実施形態では第２洗浄工程に相当する。

　上記洗浄における作用の詳細を以下に説明する。
〈Ａｌエッチング抑制〉
　第１溶液を用いることにより、Ａｌの表面に被膜ができ、第１溶液および第２溶液による洗浄の際にエッチングを抑制することができるものと推定される。

〈Ｐｔ、Ｐｔ合金剥離〉
　本発明の第１溶液を用いることにより、例えばＮｉＰｔでは、Ｎｉが溶解し、Ｐｔも酸化されてエッチングしやすくなり、次に第２溶液を用いることにより、Ｐｔがハロゲン系の酸化剤と反応して溶解するものと推定される。
　なお、Ｐｔ、Ｐｔ合金のいずれについても、基板表面にＰｔ元素が露出していれば、同じメカニズムで洗浄できるものと推定される。

〈シリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板などのダメージの抑制〉
　また、Ａｌのエッチングを抑えながら白金や白金合金（例えばＮｉＰｔ）を剥離できる溶液として王水があるが、王水はシリサイドや、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板を傷める原因とされるＣｌが高濃度であるためシリサイド、Ｓｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板を傷めてしまう。しかし本実施形態の第２溶液はＣｌ濃度を低くすることができ、また液とウエハの接触時間も短くできるため、シリサイドやＳｉ系絶縁膜、Ｓｉ系基板のダメージを抑制できる。

　本実施形態では、例えば、Ｓｉ基板上のＰｔを除去する際にＳｉＯ_２にダメージを与えることなくＰｔを効果的に除去でき、Ｓｉ基板上のＮｉＰｔを除去する際にＳｉＮｉＰｔやＡｌにダメージを与えることなＮｉＰｔを効果的に除去できる。さらに、ＳｉＣ基板上からＰｔを除去する際に、ＳｉＣにダメージを与えることなくＰｔを効果的に除去でき、ＳｉＧｅ基板からＰｔを除去する際に、ＳｉＧｅにダメージを与えることなくＰｔを効果的に除去することができる。

〈処理時間の短縮〉
　本実施形態は、２段での処理になるが、処理時間が短く、従来法より時間を短縮できる。

　なお、上記実施形態では、第１洗浄工程と第２洗浄工程について説明したが、これら工程間に超純水などを用いたリンス工程を実施することもできる。リンス工程の実施により第１溶液を確実に除去して第２溶液による洗浄効果を確実に得ることができる。

　以下に、本発明の実施例および比較例を示す。なお、実施例および比較例では、図１に概略を示す半導体基板洗浄システムを用いた。
［実施例］
　硝酸もしくは過酸化水素もしくはその両方を含む溶液からなる混合液を第１溶液とし、前記半導体に接触させ、その後、過硫酸を有する硫酸溶液と塩化物、臭化物、ヨウ化物のうちいずれか一つもしくは複数のハロゲン化物を含む溶液からなる混合液を第２溶液とし、前記半導体基板に接触させた。
　各洗浄では、混合液は、加熱および混合がされた後、直ちに（１０分以内に）、下記するベタウエハに対し接触する洗浄に供給した。

　以下では、最適な評価として、ＮｉＰｔ除去率が９５％以上を良、９５％未満を不良と評価した。最適な評価として、Ａｌのエッチングレートは、１８０Å／ｍｉｎを超えるものは、Ａｌを損傷するものとして評価は不良、１８０Å／ｍｉｎ以下は評価は良とした。
　また、シリサイドダメージの有無は、表面粗さＲａが１．７μｍ未満であればダメージなしと評価し、Ｒａが１．７μｍ以上であればダメージありと評価した。試験内容および評価結果は表１、２に示した。

（比較例１）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液を使用せず、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ）と塩酸０．１ｍｏｌ／Ｌとの混合溶液を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して、２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置、以下単にＩＣＰ－ＭＳと表記する）を用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭ（原子力顕微鏡：Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、以下単にＡＦＭと表記する）で観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に結果を示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は２０％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（比較例２）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液を使用せず、第２溶液として王水（塩酸濃度３ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は６０％、Ａｌエッチングレートは４５０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（比較例３）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液を使用せず、第２溶液として、酸化剤濃度が２．１４ｍｏｌ／Ｌ、硫酸濃度が６５ｗｔ％であるＳＰＭ溶液（Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２＝２：１）と塩酸０．１ｍｏｌ／Ｌとの混合溶液を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、Ａｌエッチングレートは２５０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージあり、ＮｉＰｔ除去率は１００％であった。

（比較例４）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液を使用せず、第２溶液として、酸化剤濃度が０．９ｍｏｌ／Ｌ、硫酸濃度が８０％であるＳＰＭ溶液（Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２＝４：１）と塩酸０．１ｍｏｌ／Ｌの混合溶液を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、Ａｌエッチングレートは１４０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなし、ＮｉＰｔ除去率は５０％であり不十分であった。

（参考例５）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度３０％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は７０％、Ａｌエッチングレートは６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（参考例６）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度９０ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は５０％、Ａｌエッチングレートは２５０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（比較例７）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ２０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１０％、Ａｌエッチングレートは５０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（比較例８）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ１２０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１０００Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（参考例９）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度０．１ｗｔ％、過酸化水素濃度０ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は４０％、Ａｌエッチングレートは１２０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（参考例１０）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度０ｗｔ％、過酸化水素濃度１ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は５０％、Ａｌエッチングレートは１１０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、ＮａＣｌ濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３）
図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、ＨＢｒ濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例４）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、ＨＩ濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例５）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度４０ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例６）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度８０ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例７）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度０ｗｔ％、過酸化水素濃度１５ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９７％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例８）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度１５ｗｔ％、過酸化水素濃度０ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは１２０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例９）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度７ｗｔ％、過酸化水素濃度６ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９６％、Ａｌエッチングレートは１００Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１０）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度３０ｗｔ％、過酸化水素濃度１５ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１４０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１１）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ３５℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１２）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ９０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１３）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ２０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は８０％、Ａｌエッチングレートは６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１４）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ３０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１５）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１６）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ９０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１７）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ１００℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１８）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度１．８ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１２０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例１９）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．００２ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２０）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．００２ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２１）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度１．５ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１５０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２２）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液としてＳＰＭ溶液（Ｈ_２ＳＯ_４：Ｈ_２Ｏ_２＝４：１）と塩酸の混合溶液（硫酸濃度８０ｗｔ％、酸化剤濃度０．９ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１４０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２３）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素濃度２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として、硫酸溶液にオゾンガスを吹き込んだ溶液に塩酸を添加した混合溶液（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．００２ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２４）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸なし、過酸化水素濃度３０ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２５）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度４０ｗｔ％、過酸化水素なし）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは１６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２６）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、７秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は８０％、Ａｌエッチングレートは８５Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２７）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、１０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２８）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例２９）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、８０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３０）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、１００秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　次に、第１溶液に、硝酸と過酸化水素以外の溶質を追加して同様の評価を行った。試験条件及び評価結果は表２に示した。なお、参考のため、実施例１の内容を合わせて表２に示した。

（比較例１１）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２．０ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％、硫酸３０ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（実施例３１）
　図１の枚葉式洗浄機で、第１溶液（硝酸濃度２．０ｗｔ％、過酸化水素２９ｗｔ％、硫酸１５ｗｔ％）を用いて、（１）シリコンウエハ上にＮｉＰｔ層が１０ｎｍ積層したベタウエハおよび（２）シリコンウエハ上にＡｌ層が５００ｎｍ積層したベタウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、３０秒間実施した。次いでウエハを純水でリンスして第１溶液を排除し、その後、第２溶液として電解硫酸（硫酸濃度６５ｗｔ％、酸化剤濃度０．０４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸濃度０．１ｍｏｌ／Ｌ）を用いて、前述の（１）ＮｉＰｔウエハ、および前述の（２）Ａｌウエハに対して２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄をそれぞれ５０℃、５０秒間実施した。処理後の溶液をＩＣＰ－ＭＳを用いて成分分析し、溶液中のＮｉ、Ｐｔ、Ａｌの濃度からウエハのＮｉＰｔの除去率、Ａｌのエッチングレートを確認し、ウエハ表面をＡＦＭで観察してシリサイドダメージの有無を確認し、表１に示した。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　次に、各試験例について、試験項目毎にまとめて以下の各表に示した。

　第１洗浄の有無において、表１における試験例の一部を抽出して下記表３に示した。
　硝酸および／または過酸化水素に接触させる第１洗浄を行うことにより、効果は高まっている。なお、表中のＡｌのＥ／Ｒは、Ａｌのエッチングレートを示している（以下、同じ）。

　次に、硝酸濃度と過酸化水素の濃度の違いに基づいて、表１における試験例の一部を抽出して下記表４に示した。また、下記の追加試験を行い、その結果を同じく、表４に示した。

（比較例１２）
　第１溶液（硝酸濃度６２ｗｔ％、過酸化水素濃度０ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１９０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（比較例１３）
　第１溶液（硝酸濃度０ｗｔ％、過酸化水素濃度０．１ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は２５％、Ａｌエッチングレートは１４０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（参考例１）
　第１溶液（硝酸濃度０ｗｔ％、過酸化水素濃度１ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は４０％、Ａｌエッチングレートは１２０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（参考例２）
　第１溶液（硝酸濃度０．１ｗｔ％、過酸化水素濃度０ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は５０％、Ａｌエッチングレートは１１０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３２）
　第１溶液（硝酸濃度１ｗｔ％、過酸化水素濃度０ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは１１５Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３３）
　第１溶液（硝酸濃度６０ｗｔ％、過酸化水素濃度０ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３４）
　第１溶液（硝酸濃度０ｗｔ％、過酸化水素濃度２ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは１１５Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３５）
　第１溶液（硝酸濃度０ｗｔ％、過酸化水素濃度３５ｗｔ％）を変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　表４に見られるように、硝酸の濃度を１～６０質量％、過酸化水素の濃度を２～３５質量％とすることにより良好な洗浄効果が得られた。

　次に、第１洗浄工程における処理時間の違いに基づいて、表１における試験例の一部を抽出して表５に示した。第１洗浄工程の処理時間を１０～１００秒とすることにより、洗浄効果が高まっており、処理時間を３０秒以上とするのが一層望ましいことが分かる。

　次に、第１洗浄工程における第１溶液の温度の違いに基づいて、表１における試験例の一部を抽出して表６に示した。また、下記の追加試験を行い、その結果を同じく表６に示した。

（比較例１４）
　第１溶液の温度を２０℃に変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は８５％、Ａｌエッチングレートは６０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（比較例１５）
　第１溶液の温度を１２０℃に変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは３００Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（実施例３６）
　第１溶液の温度を２５℃に変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　表６の結果より、第１溶液の温度を２５～１００℃とすることにより、洗浄効果が高まっており、その温度を５０℃以上とするのが一層望ましいことが分かる。

　次に、第２洗浄工程における第２溶液の種別に基づいて、表１における試験例の一部を抽出して下記表７に示した。硫酸系の酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン酸（塩）を用いることで良好な洗浄効果が得られている。

　次に、第２洗浄工程における酸化剤の濃度の違いに基づいて、表１における試験例の一部を抽出して表８に示した。また、下記の追加試験を行い、その結果を同じく表８に示した。

（比較例１６）
　第２溶液の酸化剤濃度を４ｍｏｌ／Ｌとする以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは２００Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（実施例３７）
　第２溶液の酸化剤濃度を０．００１ｍｏｌ／Ｌに変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例３８）
　第２溶液の酸化剤濃度を２ｍｏｌ／Ｌに変える以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　表８から明らかなように、第２溶液の酸化剤濃度を０．００１ｍｏｌ／Ｌ～２ｍｏｌ／Ｌとすることにより良好な洗浄効果が得られており、０．０４ｍｏｌ／Ｌ以上がより好適である。

　次に、第２溶液におけるハロゲン濃度の違い基づいて、表１における試験例の一部を抽出して表９に示した。また、下記の追加試験を行い、その結果を同じく、表９に示した。

（比較例１７）
　第２溶液のハロゲン濃度を２．００ｍｏｌ／Ｌに変えた以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは２００Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージありであった。

（実施例３９）
　第２溶液のハロゲン濃度を０．００１ｍｏｌ／Ｌに変えた以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは７０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　表９から明らかなように、ハロゲン濃度を０．００１～１．５ｍｏｌ／Ｌとすることにより良好な洗浄効果が得られており、ハロゲン濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌ以上とすることがより好適である。

　次に、第２溶液における硫酸濃度の違いに基づいて、表１における試験例の一部を抽出して下記表１０に示した。
　表から明らかなように、硫酸濃度を４０～８０ｗｔ％とすることにより良好な洗浄効果が得られており、硫酸濃度を６５ｗｔ％以上とすることがより好適である。

　次に、第２溶液の温度の違いに基づいて、表１における試験例の一部を抽出して下記表１１に示した。また、下記の追加試験を行い、その結果を表１１に示した。　

（実施例４０）
　第２溶液の温度を２５℃とした以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は９５％、Ａｌエッチングレートは５５Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

（実施例４１）
　第２溶液の温度を１００℃とした以外は実施例１と同じ条件で試験を行った。
　結果、ＮｉＰｔ除去率は１００％、Ａｌエッチングレートは１８０Å／ｍｉｎ、ＮｉＰｔシリサイドダメージなしであった。

　表１１から明らかなように、第２溶液の温度を２５～１００℃とすることで、良好な洗浄効果が得られており、５０℃以上がより好適である。

［実施例Ａ］
　（１）シリコン基板上にＰｔ層が５ｎｍ積層したベタウエハ、および（２）シリコン基板上にＳｉＯ_２層が５ｎｍ積層したベタウエハのそれぞれに対して、枚葉式洗浄機を用いて、第１溶液および第２溶液を２００ｍｌ／ｍｉｎで接触させる洗浄を行った。
　第２溶液は、加熱および混合がされた後、１０分以内に洗浄機に供給されるようにした。
　処理後の洗浄排液をＩＣＰ－ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置、以下単にＩＣＰ－ＭＳと表記する）を用いて成分分析し、溶液中のＰｔの濃度から基板のＰｔの除去率を確認した。
　ＳｉＯ_２ダメージについては、基板表面をエリプソメーターで観察してダメージの有無を確認した。ＳｉＯ_２のエッチングレートが１ｎｍ／ｍｉｎ未満であればダメージなしと評価し、１ｎｍ／ｍｉｎ以上であればダメージありと評価した。
　本実施例によれば、ＳｉＯ_２を傷めず、かつ洗浄に長時間を要することなくＰｔを９５％以上除去することができる。以下に詳細に説明する。

　第１洗浄の有無において、表１における試験例の一部を抽出して下記表１２に示した。
　硝酸および／または過酸化水素に接触させる第１洗浄を行うことにより、効果は高まっている。

　次に、硝酸濃度と過酸化水素の濃度の違いにより実施例と比較例の評価を行った。試験条件および評価結果を表１３に示す。
　表１３に見られるように、硝酸の濃度を１～６０質量％、過酸化水素の濃度を２～３５質量％とすることにより良好な洗浄結果が得られていることが分かる。

　次に、第２洗浄工程における第２溶液の種別に基づいて実施例の評価を行った。試験条件および評価結果を表１４に示す。
　表１４から硫酸系の酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン酸（塩）を用いることで良好な洗浄効果が得られていることが分かる。

　次に、第２洗浄工程における酸化剤の濃度の違いに基づいて実施例と比較例の評価を行った。試験条件および評価結果を表１５に示す。
　酸化剤濃度を０．００１ｍｏｌ／Ｌ～２ｍｏｌ／Ｌとすることにより良好な洗浄効果が得られており、０．０４ｍｏｌ／Ｌ以上がより好適であることが分かる

　次に、第２溶液におけるハロゲン濃度の違い基づいて実施例と比較例の評価を行った。試験条件および評価結果を表１６に示す。
　表１６から明らかなように、ハロゲン濃度を０．００１～１．５ｍｏｌ／Ｌとすることにより良好な洗浄効果が得られており、ハロゲン濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌ以上とすることがより好適である。

　次に、第２溶液における硫酸濃度の違いに基づいて実施例と比較例の評価を行った。試験条件および評価結果を表１７に示す。
　表１７から明らかなように、硫酸濃度を４０～８０ｗｔ％とすることにより良好な洗浄効果が得られており、硫酸濃度を６５ｗｔ％以上とすることがより好適である。

　次に、第２溶液の温度の違いに基づいて実施例と比較例の評価を行った。試験条件および評価結果を表１８に示す。
　表１８から明らかなように、第２溶液の温度を２５～１００℃とすることで、良好な洗浄効果が得られており、５０℃以上がより好適である。

　なお、洗浄対象は、上記実施例で評価したものに限定されない。例えば、上記各実施例と同様の条件に基づいて、Ｓｉ基板上のＰｔを除去する際にＳｉＯ２にダメージを与えることなくＰｔを効果的に除去でき、Ｓｉ基板上のＮｉＰｔを除去する際にＳｉＮｉＰｔやＡｌにダメージを与えることなＮｉＰｔを効果的に除去でき、ＳｉＣ基板上からＰｔを除去する際に、ＳｉＣにダメージを与えることなくＰｔを効果的に除去でき、ＳｉＧｅ基板からＰｔを除去する際に、ＳｉＧｅにダメージを与えることなくＰｔを効果的に除去することができる。

　１　　半導体基板洗浄システム
　２　　枚葉式洗浄機
　３　　硝酸溶液貯留槽
　４　　過酸化水素溶液貯留槽
　５　　硫酸溶液貯留槽
　６　　ハロゲン化物溶液貯留槽
１０　　硝酸溶液供給ライン
１１　　送液ポンプ
１２　　過酸化水素溶液供給ライン
１３　　送液ポンプ
１４　　第１溶液共通送液ライン
１５　　ヒーター
１６　　送出ノズル
２０　　硫酸溶液供給ライン
２１　　送液ポンプ
２２　　ハロゲン化物溶液供給ライン
２３　　送液ポンプ

Claims

　Ｓｉを構成元素とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する半導体基板の洗浄方法であって、
　前記半導体基板に、硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含む第１溶液を接触させて洗浄する第１洗浄工程と、
　第１洗浄工程を経た前記半導体基板に、酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン化物とを含み、温度が２５～１００℃である第２溶液を接触させて洗浄する第２洗浄工程と、を有することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
　前記半導体基板が、Ｓｉの化合物で構成される絶縁膜を有する半導体基板、ＳｉまたはＳｉの化合物半導体で構成される半導体基板またはシリサイド膜を有する半導体基板のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記半導体基板が、白金を含むシリサイド膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記半導体基板上にＡｌが存在することを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記半導体基板が、ＳｉＯ_２と白金及び／又は白金合金が露出していることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記半導体基板が白金及び／又は白金合金が露出したＳｉＣ基板であることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記半導体基板が白金及び／又は白金合金が露出したＳｉＧｅ基板であることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記ハロゲン化物が、塩化物、臭化物およびヨウ化物からなる群のいずれか１種以上を含むことを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第１溶液は、溶質全体に対し、硝酸及び／又は過酸化水素を質量比で８０％以上含むことを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第１溶液は、硝酸が含まれており、その硝酸濃度を１～６０質量％含むことを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第１溶液は、過酸化水素が含まれており、その過酸化水素濃度を１～３５質量％含むことを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記過酸化水素の濃度が２～３５質量％であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第１洗浄工程における前記第１溶液の温度が２５～１００℃であることを特徴とする請求項１～１２のいずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第２溶液中の硫酸濃度が４０～８０質量％であることを特徴とする請求項１～１３のいずれかに１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第２溶液の酸化剤の濃度が０．００１～２ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする請求項１～１４のいずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記酸化剤が過硫酸であることを特徴とする請求項１～１５のいずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第２溶液の前記酸化剤を含む硫酸溶液が、硫酸電解液、硫酸と過酸化水素の混合溶液、硫酸とオゾンの混合溶液からなる群から選ばれた１種以上であることを特徴とする請求項１～１６のいずれか１項に記載の半導体基板の洗浄方法。
　前記第２洗浄工程の前に、前記第１洗浄工程を経た前記半導体基板から、第１溶液を排除する第１溶液排出工程を有することを特徴とする請求項１～１７のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
　Ｓｉを構成元素とする層を有する半導体基板上から白金及び／又は白金合金を除去する洗浄を行う洗浄部と、
　硝酸及び／又は過酸化水素を主とする溶質として含む第１溶液を収容する第１溶液収容部と、
　酸化剤を含む硫酸溶液とハロゲン化物とを含む第２溶液を収容する第２溶液収容部と、
　一端が前記第１溶液収容部に、他端が前記洗浄部に接続され、前記第１溶液を前記第１溶液収容部から前記洗浄部に供給する第１溶液供給ラインと、
　一端が前記第２溶液収容部に、他端が前記洗浄部に接続され、前記第２溶液を前記第２溶液収容部から前記洗浄部に供給する第２溶液供給ラインと、
　前記第１溶液供給ラインに介設され、前記第１溶液供給ラインを通じて前記洗浄部に供給される前記第１溶液の液温を所定温度に調整する第１液温調整部と、
　前記第ｌ溶液供給ラインの前記洗浄部側の先端部に接続され、前記洗浄部において前記第１溶液を送出して前記半導体基板に接触させる第１溶液送出部と、
　前記第２溶液供給ラインの前記洗浄部側の先端部に接続され、前記洗浄部において前記第２溶液を送出して前記半導体基板に接触させる第２溶液送出部と、
を備えることを特徴とする半導体基板洗浄システム。
　前記洗浄部で前記第１溶液を用いて前記半導体基板の洗浄を行う第１洗浄工程と、前記第１洗浄工程後に、前記洗浄部で前記第２溶液を用いて前記半導体基板の洗浄を行う第２洗浄工程とを行うための前記第１溶液および前記第２溶液の供給を制御する洗浄制御部をさらに備えることを特徴とする請求項１９記載の半導体基板洗浄システム。