JP5197986B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Description
これに対して、ゲート絶縁膜とゲート電極との間にアルミナ膜を設け、ピンニング現象を防止して、pチャネルMOSFETのしきい値電圧を低減する構造が提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
また、nチャネルMOSFETでは、ランタニア膜を配置して、nチャネルMOSFETのしきい値電圧を低減する構造が提案されている(例えば、非特許文献2参照)。
H.S. Jung et al., Symp. VLSI Tech. Dig. p. 232, 2005 H.N. Alshareef et al., Symp. VLSI Tech. Dig. p. 10, 2006
図1は、全体が100で表される、本実施の形態1にかかるpチャネルMOS型半導体装置の断面図である。MOS型半導体装置100は、n型のシリコン基板1を含む。シリコン基板1の上には、いわゆるhigh−k絶縁膜として、例えば、膜厚が2.5nmのハフニウムシリケート(HfSiON)からなるゲート絶縁膜2が設けられている。ゲート絶縁膜2の上には、例えば、膜厚が0.1nm〜0.5nm程度のアルミナ膜12が設けられている。アルミナ膜12の上には、第1金属層3、第2金属層4が、順次設けられて、ゲート電極50が形成されている。第1金属層3は、例えばRu、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、CoおよびTiNからなり、また、第2金属層4は、例えば低抵抗金属であるWからなる。
シリコン基板1には、ゲート電極40を挟んで、p型のソース/ドレイン領域11、およびp型のエクステンション領域10が設けられている。ソース/ドレイン領域11の上には、ソース/ドレイン電極30が設けられている。ソース/ドレイン電極30は、例えばニッケルシリサイドからなる。
一方、Ru−Ta(10atm%)、Ruを用いたMOSキャパシタではフラットバンド電圧(VFB)は−0.30Vであり、この結果からゲート電圧の実効仕事関数は4.60eVであることがわかる。
これは、Ru−Al(10atm%)からなる第1金属層3からアルミナ膜12が析出し、第1金属層3とゲート絶縁膜2との間にアルミナ膜12が形成されたためと考えられる。
なお、図示しないが、シリコン基板1の表面に、膜厚が1nm程度の酸化シリコン薄膜を形成した後に、ゲート絶縁膜2を形成しても構わない。
図5は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる他のMOS型半導体装置の断面図である。図5中、図1と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
MOS半導体装置200では、シリコン基板1とメタルゲート40との間には、ハフニウムアルミネート(HfAlSiON)からなるゲート絶縁膜13が設けられている。他の構造は、MOS半導体装置100と同様である。
また、図5の構造を有するn型のMOS半導体装置の場合は、ゲート絶縁膜2として、
HfLnSiOもしくはHfLnSiONが用いられる。
Claims (8)
- シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜の上に、Ru、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、CoおよびTiNからなる群から選択される金属からなり、添加元素としてAl又は希土類元素を含むゲート電極を形成する工程と、
該ゲート電極の両側の該シリコン基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
該ゲート電極に含まれる該添加元素を析出させ、該添加元素を含む酸化膜を、該ゲート絶縁膜と該ゲート金属との間に形成する熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記添加元素の量が、30atm%以下であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 上記添加元素がAlからなり、上記酸化膜がアルミナ膜からなることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜の上に、Al又は希土類元素からなる金属膜を形成する工程と、
該金属膜の上に、Ru、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、CoおよびTiNからなる群から選択される金属からなるゲート電極を形成する工程と、
該ゲート電極の両側の該シリコン基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
該金属膜を酸化して金属酸化膜を形成する熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記金属酸化膜の膜厚が、0.1nm以上、1nm以下の範囲内にあることを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
- シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜の上に、Ru、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、CoおよびTiNからなる群から選択される金属からなり、添加元素としてAl又は希土類元素を含むゲート電極を形成する工程と、
該ゲート電極の両側の該シリコン基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
該ゲート電極に含まれる該添加元素を該ゲート絶縁膜中に拡散させて、該ゲート絶縁膜の成分を、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物と、該添加元素との化合物とする熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコン基板を準備する工程と、
該シリコン基板上に、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜の上に、Al又は希土類元素からなる金属膜を形成する工程と、
該金属膜の上に、Ru、Ir、Pt、Pd、Re、W、Mo、Ni、CoおよびTiNからなる群から選択される金属からなるゲート電極を形成する工程と、
該ゲート電極の両側の該シリコン基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、
該金属膜に含まれる元素を該ゲート絶縁膜中に拡散させて、該ゲート絶縁膜の成分を、ハフニウム系酸化物またはハフニウム系酸窒化物と、該元素との化合物とする熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記ゲート絶縁膜が、HfSiONからなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造方法。
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