TWI517235B - 半導體基板洗淨系統以及半導體基板的洗淨方法 - Google Patents

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Description

半導體基板洗淨系統以及半導體基板的洗淨方法
本發明是有關於一種將經矽化物化處理的半導體基板洗淨的半導體基板的洗淨方法及洗淨系統。
近年來，在電晶體形成製程中，為了降低源極與汲極的電阻，而使用Ni或Co等材料，進行NiSi或CoSi等矽化物化。另外，為了降低接合洩漏電流(junction leakage current)，而使用在Ni或Co中混入5%~10%的Pt或Pd的合金。其中，使用NiPt時，期待耐熱性的提高與接合洩漏電流的抑制效果(參照專利文獻1、專利文獻2)。
在矽化物化步驟中，將合金在Si基板上製膜後，藉由實施熱氧化處理而合金與Si反應形成矽化物，但需要將殘留的未反應的合金除去。例如已知有在NiPt矽化物形成後，為了將未反應的NiPt除去，而使用SPM(硫酸與過氧化氫的混合液)的方法(參照專利文獻3、專利文獻4)。
另外，作為溶解NiPt且抑制Al的蝕刻的洗淨方法，已知有 使用王水的方法(參照專利文獻5)。
另外，提出了在藉由硫酸系氧化劑處理後藉由鹽酸系氧化劑處理的方法(參照專利文獻6)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-258487號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-160116號公報
[專利文獻3]日本專利特開2002-124487號公報
[專利文獻4]日本專利特開2008-118088號公報
[專利文獻5]日本專利特表2009-535846號公報
[專利文獻6]日本專利特開2010-157684號公報
但是，現有的方法中在使用SPM的方法中，若提高過氧化氫的調配比率，則雖然可溶解NiPt，但此時會將不能損傷的矽化物損傷、或將不能蝕刻的Al等溶解。
另外，現有的方法中在使用王水的方法中，氯濃度高，會損傷矽化物，或將不能蝕刻的Al溶解。
而且，在藉由硫酸系氧化劑處理後藉由鹽酸系氧化劑處理的方法中，與王水同樣，鹽酸濃度濃，會損傷矽化物。
本發明以上述情況為背景而完成，目的之一是提供一種在將經矽化物化處理的半導體基板洗淨時，不會損傷Al或矽化物膜等而有效地進行洗淨的半導體的洗淨方法及洗淨系統。
即，本發明的半導體基板的洗淨方法中，第1發明是一種半導體基板的洗淨方法，其自形成有矽化物膜的半導體基板除去矽化物化殘渣金屬，且該洗淨方法的特徵在於包括：第1洗淨步驟，使包含硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質的第1溶液與上述半導體基板接觸而洗淨；以及第2洗淨步驟，使包含過硫酸與鹵化物、且溫度為25℃~100℃的第2溶液與經過第1洗淨步驟的上述半導體基板接觸而洗淨。
第2發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明，其中上述第2溶液中的硫酸濃度為40質量%~80質量%、上述鹵化物的濃度總和為0.001mol/L~2mol/L。
第3發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明或第2發明，其中上述第1溶液相對於全部溶質而以質量比計含有80%以上的硝酸及/或過氧化氫。
第4發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第3發明中任一項發明，其中上述鹵化物包含由氯化物、溴化物及碘化物所組成的組群的任一種以上。
第5發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第4發明中任一項發明，其中上述半導體基板形成有包含鉑的矽化物膜。
第6發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第5發明中任一項發明，其中於上述半導體基板上存在Al。
第7發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第6發明中任一項發明，其中上述第1溶液包含硝酸，上述硝酸的濃度為0.1質量%~60質量%。
第8發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第7發明中任一項發明，其中上述第1溶液包含過氧化氫，上述過氧化氫的濃度為1質量%~35質量%。
第9發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第8發明中任一項發明，其中上述第2溶液的氧化劑的濃度為0.001mol/L~2mol/L。
第10發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第9發明中任一項發明，其中上述第1洗淨步驟中的上述第1溶液的溫度為25℃~100℃。
第11發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第10發明中任一項發明，其中上述第2溶液的上述過硫酸藉由選自由硫酸電解液、硫酸與過氧化氫的混合溶液，硫酸與臭氧的混合溶液所組成的組群中的1種以上的含有過硫酸的硫酸溶液而供給。
第12發明的半導體基板的洗淨方法如上述第1發明至第11發明中任一項發明，其中包括：第1溶液排出步驟，在上述第2洗淨步驟之前，自經過上述第1洗淨步驟的上述半導體基板，排除第1溶液。
第13發明的半導體基板洗淨系統的特徵在於包括： 洗淨部，進行自形成有矽化物膜的半導體基板除去矽化物化殘渣金屬的洗淨；第1溶液容納部，容納包含硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質的第1溶液；第2溶液容納部，容納包含過硫酸與鹵化物的第2溶液；第1溶液供給線，一端與上述第1溶液容納部連接，另一端與上述洗淨部連接，將上述第1溶液自上述第1溶液容納部供給至上述洗淨部；第2溶液供給線，一端與上述第2溶液容納部連接，另一端與上述洗淨部連接，將上述第2溶液自上述第2溶液容納部供給至上述洗淨部；第1液溫調整部，介隔設置於上述第1溶液供給線上，將通過上述第1溶液供給線供給至上述洗淨部的上述第1溶液的液溫調整為特定溫度；第1溶液送出部，與上述第1溶液供給線的上述洗淨部側的前端部連接，在上述洗淨部中送出上述第1溶液而與上述半導體基板接觸；以及第2溶液送出部，與上述第2溶液供給線的上述洗淨部側的前端部連接，在上述洗淨部中送出上述第2溶液而與上述半導體基板接觸。
第14發明的半導體基板洗淨系統如上述第13發明，其中進一步包括：洗淨控制部，控制用以進行第1洗淨步驟以及第2 洗淨步驟的上述第1溶液及上述第2溶液的供給，上述第1洗淨步驟是藉由上述洗淨部使用上述第1溶液進行上述半導體基板的洗淨；上述第2洗淨步驟是在上述第1洗淨步驟後，藉由上述洗淨部使用上述第2溶液進行上述半導體基板的洗淨。
以下，對本發明進行詳細地說明。
本發明中所用的第1溶液包含硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質，可為任一者、或將兩者混合者。在混合時，兩者的混合比在本發明中並無特別限定。
另外，在第1溶液包含硝酸時，理想為硝酸濃度為0.1質量%~60質量%；在第1溶液包含過氧化氫時，理想為過氧化氫濃度為1質量%~35質量%。以下，對其理由進行說明。
硝酸濃度：0.1質量%~60質量%
藉由使用硝酸，而將矽化物化殘渣金屬(例如NiPt)氧化。但是，在硝酸濃度小於0.1質量%時，該作用不充分；另一方面，若硝酸濃度超過60質量%，則基板表面所露出的金屬(例如Al)或矽化物的蝕刻速率變得過大，因此欠佳。
因此，包含硝酸時的硝酸濃度理想為0.1質量%~60質量%。再者，根據同樣的理由，更理想為將硝酸濃度的下限設為0.2質量%、將硝酸濃度的上限設為30質量%。進而，根據同樣的理由，尤其理想的是將硝酸濃度的下限設為0.5質量%、將硝酸濃度的上限設為20質量%。
過氧化氫濃度：1質量%~35質量%
藉由使用過氧化氫，而將矽化物化殘渣金屬(例如NiPt)氧化。但是，在過氧化氫濃度小於1質量%時，該作用不充分，另一方面，若過氧化氫濃度超過35質量%，則基板表面所露出的金屬(例如Al)或矽化物的蝕刻速率變得過大，因此欠佳。
因此，包含過氧化氫時的過氧化氫濃度理想為1質量%~35質量%。再者，根據同樣的理由，更理想為將過氧化氫濃度的下限設為5質量%、將過氧化氫濃度的上限設為32質量%。進而，根據同樣的理由，尤其理想的是將過氧化氫濃度的下限設為10質量%、將過氧化氫濃度的上限設為30質量%。
第1溶液包含硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質，理想為相對於全部溶質以質量比計含有80%以上的這些的一者或兩者，而且更理想為含有90%以上。理想為含有濃度總和為10質量%以上的硝酸及/或過氧化氫。另外，於第1溶液中，於除了上述溶質以外還包含其他溶質時，理想為可包含硫酸、磷酸、鹽酸、氫氟酸等，且相對於全部溶質以質量比計其濃度的合計小於20%、較佳為小於10%。
作為第1溶液的溶劑，較佳為可例示水。
另外，第1溶液理想為將進行第1洗淨步驟時的溫度設為25℃~100℃。在溫度小於25℃時，洗淨能力不足。另外，若溫度為40℃以上，則洗淨能力大致充分，更理想為40℃以上。另外，若液溫超過100℃，則會助長Al等的蝕刻，因此理想為將上 限設為100℃，但就能量效率或蝕刻速率的方面而言，更理想為80℃以下的溫度。
另外，在調整液溫時，在使所混合的溶液與半導體基板接觸時具有上述溫度。
在使用第1溶液的第1洗淨步驟中，使第1溶液與半導體基板接觸而進行，而接觸可藉由以下方式進行：在第1溶液中浸漬半導體基板、或在半導體基板上吹附第1溶液、滴加、流下等。接觸時的接觸時間在本發明中並無特別限定，例如可示出10秒~300秒。在接觸時間小於10秒時，矽化物化殘渣金屬(例如NiPt)的氧化不足；若接觸時間超過300秒，則基板表面所露出的金屬(例如Al)或矽化物的蝕刻速率變得過大，因此欠佳。再者，根據同樣的理由，理想為將接觸時間的下限設為20秒，將接觸時間的上限設為200秒。
第2溶液包含過硫酸與鹵化物，鹵化物的濃度總和理想為0.001mol/L~2mol/L。作為鹵化物，可示出由氯化物、溴化物及碘化物所組成的組群中的任一種以上。
作為第2溶液的溶劑，較佳為可列舉水。以下，對鹵化物的濃度總和的理由進行說明。
鹵化物濃度：0.001mol/L~2mol/L
藉由使用鹵化物而可獲得溶解Pt的作用。但是，若鹵化物的濃度總和小於0.001mol/L，則NiPt等矽化物化殘渣金屬的除去率差，若鹵化物的濃度總和超過2mol/L，則容易對矽化物造成損害。 因此，在第2溶液中鹵化物的濃度總和理想為0.001mol/L~2mol/L。再者，根據同樣的理由，鹵化物的濃度總和理想為將下限設為0.005mol/L，理想為將上限設為1mol/L。
另外，作為第2溶液中的過硫酸，可列舉：自硫酸電解液、硫酸與過氧化氫的混合溶液、硫酸與臭氧的混合溶液等含有過硫酸的硫酸溶液中選擇1種以上者。另外，作為此處所謂的過硫酸，可例示：過氧二硫酸與過氧一硫酸，可為任一者、或將兩者混合者。此時作為溶液中的氧化劑，過硫酸與隨著過硫酸的自溶(autolysis)而產生的過氧化氫大致佔了全部量。
氧化劑濃度：0.001mol/L~2mol/L
藉由使用過硫酸，而可獲得矽化物化殘渣金屬(例如NiPt)的溶解的作用。但是，若第2溶液中的全部氧化劑的濃度的總和小於0.001mol/L，則洗淨能力不足，另一方面，若全部氧化劑的濃度的總和超過2mol/L，則Al等的蝕刻速率高，且亦容易產生矽化物損害。因此，第2溶液中的氧化劑濃度理想為0.001mol/L~2mol/L。再者，根據同樣的理由，第2溶液中的氧化劑濃度的下限更理想為0.005mol/L，第2溶液中的氧化劑濃度的上限更理想為0.5mol/L。
硫酸濃度：40質量%~80質量%
藉由使用硫酸而可獲得矽化物殘渣金屬(例如NiPt)的溶解的作用。但是，若第2溶液中的硫酸濃度小於40質量%，則洗淨能力不足，另一方面，若硫酸濃度超過80質量%，則Al等的蝕刻 速率變高。因此，第2溶液中的硫酸濃度理想為40質量%~80質量%。再者，根據同樣的理由，第2溶液中的硫酸濃度的下限更理想為50質量%，第2溶液中的硫酸濃度的上限更理想為75質量%。
第2溶液步驟中，除了硫酸系氧化劑、鹵化物以外，亦可包含其他溶質。
另外，第2溶液理想為將進行第2洗淨步驟時的溫度設為25℃~100℃。在溫度小於25℃時，洗淨能力不足。另外，若溫度為40℃以上，則洗淨能力大致充分，溫度更理想為40℃以上。另外，若液溫超過100℃，則會損傷矽化物，因此理想為將上限設為100℃，但就能量效率或蝕刻速率的方面而言，更理想為80℃以下的溫度。
另外，在調整液溫時，在使所混合的溶液與半導體基板接觸時具有上述溫度。
在使用第2溶液的第2洗淨步驟中，使第2溶液與半導體基板接觸而進行，而接觸可藉由以下方式進行：在第2溶液中浸漬半導體基板、或在半導體基板上吹附第2溶液、滴加、流下等。接觸時的接觸時間在本發明中並無特別限定，例如可示出10秒~300秒。在接觸時間小於10秒時，洗淨不充分；若接觸時間超過300秒，則會損傷矽化物。再者，根據同樣的理由，理想為將接觸時間的下限設為15秒，將接觸時間的上限設為200秒。
另外，亦可在第1洗淨步驟與第2洗淨步驟中改變溶液的接觸方法。
另外，在第1洗淨步驟與第2洗淨步驟之間，可設置第1溶液排出步驟，其自在第1洗淨步驟中洗淨的半導體基板上排除第1溶液。第1溶液排出步驟中，例如可進行使用超純水等淋洗液的洗淨。
另外，洗淨可為批次式亦可為逐片式，但就接觸效率的方面而言，更佳為逐片式。
本發明中成為洗淨的對象的半導體基板，是經矽化物化處理的半導體基板，較佳為可將形成有包含鉑的矽化物膜者作為對象。特別是更佳為在半導體基板上露出一部分Al的半導體基板。
根據本發明，在半導體基板的使用鉑等的矽化物化後，可進行將矽化物的損害抑制在特定水凖以下，且有效地除去矽化物化的殘渣金屬的洗淨。特別是在晶圓表面露出Al的情況下，亦可將Al的損害抑制在特定水凖以下並進行洗淨。
1‧‧‧半導體基板洗淨系統
2‧‧‧逐片式洗淨機
3‧‧‧硝酸溶液貯存槽
4‧‧‧過氧化氫溶液貯存槽
5‧‧‧硫酸溶液貯存槽
6‧‧‧鹵化物溶液貯存槽
7‧‧‧半導體基板支撐台
10‧‧‧硝酸溶液供給線
11、13、21、23‧‧‧送液泵
12‧‧‧過氧化氫溶液供給線
14‧‧‧第1溶液共通送液線
15、25‧‧‧加熱器
16、26‧‧‧送出噴嘴
20‧‧‧硫酸溶液供給線
22‧‧‧鹵化物溶液供給線
24‧‧‧第2溶液共通送液線
30‧‧‧洗淨控制部
100‧‧‧半導體基板
圖1是表示本發明的一個實施方式的半導體基板洗淨系統的圖。
(實施方式1)
以下，根據圖1對本發明的一個實施方式的半導體基板洗淨 系統1進行說明。
半導體基板洗淨系統1具備：相當於本發明的洗淨部的逐片式洗淨機2、貯存硝酸溶液的硝酸溶液貯存槽3、貯存過氧化氫溶液的過氧化氫溶液貯存槽4、貯存包含過硫酸的硫酸溶液的硫酸溶液貯存槽5、貯存包含氯化物、溴化物、碘化物的任一種以上的鹵化物溶液的鹵化物溶液貯存槽6。
另外，硝酸溶液與過氧化氫溶液在本實施方式中相當於第1溶液，硝酸溶液貯存槽3與過氧化氫溶液貯存槽4在本實施方式中相當於第1溶液容納部。
另外，硫酸溶液與鹵化物溶液在本實施方式中相當於第2溶液，硫酸溶液貯存槽5與鹵化物溶液貯存槽6在本實施方式中相當於第2溶液容納部。
硝酸溶液貯存槽3經由送液泵11連接硝酸溶液供給線10，過氧化氫溶液貯存槽4經由送液泵13連接過氧化氫溶液供給線12。硝酸溶液供給線10與過氧化氫溶液供給線12在下游側合流而構成第1溶液共通送液線14，第1溶液共通送液線14經由加熱器15在下游端側連接送出噴嘴16。加熱器15是將溶液通液且單程(single-pass)加熱者，較佳為可使用近紅外加熱器等。
上述硝酸溶液供給線10、過氧化氫溶液供給線12、第1溶液共通送液線14在本實施方式中構成第1溶液供給線，加熱器15在本實施方式中相當於第1液溫調整部，送出噴嘴16在本實施方式中相當於第1溶液送出部。
另外，硫酸溶液貯存槽5經由送液泵21連接硫酸溶液 供給線20，鹵化物溶液貯存槽6經由送液泵23連接鹵化物溶液供給線22。硫酸溶液供給線20與鹵化物溶液供給線22在下游側合流而構成第2溶液共通送液線24，第2溶液共通送液線24經由加熱器25在下游端側連接送出噴嘴26。加熱器25是將溶液通液且單程加熱者，較佳為可使用近紅外加熱器等。
硫酸溶液供給線20、鹵化物溶液供給線22、第2溶液共通送液線24在本實施方式中構成第2溶液供給線，加熱器25在本實施方式中相當於第2液溫調整部，送出噴嘴26在本實施方式中相當於第2溶液送出部。
逐片式洗淨機2具備半導體基板支撐台7，半導體基板支撐台7可藉由未圖示的驅動裝置實現旋轉驅動。逐片式洗淨機2在本實施方式中相當於洗淨部，自送出噴嘴16、送出噴嘴26，將洗淨用溶液送出至由半導體基板支撐台7支撐的半導體基板100。送出噴嘴16、送出噴嘴26以將洗淨用溶液噴霧、滴加、或流下至半導體基板100的方式構成。另外，滴加、流下時可施加壓力將溶液吹附至半導體基板100上。
另外，半導體基板洗淨系統1具備：控制整個半導體基板洗淨系統1的洗淨控制部30。洗淨控制部30包括：CPU、以及存儲使CPU運作的程式(program)或運作參數等且作為作業區域而使用的記憶部等。
洗淨控制部30控制送液泵11、送液泵13、送液泵21、送液泵23、加熱器15、加熱器25、逐片式洗淨機2的運作。另外，這 些設備亦可為藉由手動來操作運作的設定或調整、開關者。
接著，以下對使用半導體基板洗淨系統的半導體基板洗淨方法進行說明。
首先，將Al一部分露出、且使進行了矽化物化處理的半導體基板支撐於基板支撐台上。半導體基板例如可使用：在Al存在的矽基板上形成金屬膜，對上述矽基板進行退火處理而在矽基板上形成包含鉑等貴金屬的矽化物層者。金屬膜可包含鉑等貴金屬。
但本發明中，半導體基板的製造方法並不限定於此，只要為進行了矽化物化處理的半導體基板，便可作為洗淨對象。
另外，本實施方式中較佳的對象例為：Al的膜厚為60nm以下(較佳為30nm以下)、矽化物層的厚度為60nm以下(較佳為25nm以下)、閘極寬度為45nm以下(較佳為30nm以下)的案例。但是，本發明中成為對象的半導體基板並不限定於此。
另外，在硝酸溶液貯存槽3中容納硝酸溶液，該硝酸溶液是在與後述的過氧化氫混合時，以硝酸濃度為0.1質量%~60質量%的方式進行濃度調整而成。另外，在過氧化氫溶液貯存槽4中，在與上述的硝酸混合時以過氧化氫濃度為1質量%~35質量%的方式進行濃度調整。
在硫酸溶液貯存槽5中容納含有過硫酸的硫酸溶液，該含有過硫酸的硫酸溶液是在與後述的包含氯化物、溴化物、碘化物等鹵化物的溶液混合時，以硫酸濃度為40質量%~80質量%的方式進行濃度調整而成。另外，在鹵化物溶液貯存槽6中容納鹵 化物溶液，該鹵化物溶液是在與上述硫酸溶液混合時，以鹵化物的濃度總和為0.001mol/L~2mol/L的方式進行濃度調整而成。
在半導體基板100的洗淨時，隨著將半導體支撐台7旋轉驅動而旋轉支撐半導體基板100，首先，藉由送液泵11通過硝酸溶液供給線10以特定流量輸送硝酸溶液貯存槽3內的硝酸溶液，且藉由送液泵13通過過氧化氫溶液供給線12以特定流量輸送過氧化氫溶液貯存槽4內的過氧化氫溶液，將該兩種溶液在第1溶液共通送液線14中混合而製備第1溶液並送液，藉由加熱器15單程加熱。關於加熱溫度，在加熱後的第1溶液與半導體基板100接觸時，以液溫為35℃~100℃的方式進行調整。
上述硝酸溶液與過氧化氫的混合比可藉由調整送液泵11與送液泵13的送液量進行設定，第1溶液的溫度可藉由加熱器15的加熱溫度等進行調整，並可藉由利用洗淨控制部30的控制或手動操作進行上述調整。
在硝酸濃度為0.1質量%~30質量%、過氧化氫濃度為1質量%~35質量%且濃度總和為10質量%以上、液溫為35℃~100℃的狀態下，藉由硝酸溶液與過氧化氫的混合而調整的第1溶液，自送出噴嘴16送出而與半導體基板100接觸，並進行半導體基板100的洗淨。另外硝酸溶液與過氧化氫溶液理想為以在混合狀態下自液溫35℃以上的時點(time point)起至10分鐘以內(較佳為5分鐘以內)與半導體基板接觸的方式，確定送液速度及第1溶液共通送液線14的長度。
另外，上述混合溶液與半導體基板100接觸的時間在本發明中並不限定於特定的範圍，在本實施方式中，理想為設為10秒~300秒的範圍。
上述處理在本實施方式中相當於第1洗淨步驟。
另外，本實施方式中，將第1溶液容納部分為硝酸溶液貯存槽3與過氧化氫溶液貯存槽4，但第1溶液亦可容納於1槽中。
接著，藉由送液泵21通過硫酸溶液供給線20以特定流量輸送硫酸溶液貯存槽5內的硫酸溶液，並且藉由送液泵23通過鹵化物溶液供給線22以特定流量，輸送貯存包含氯化物、溴化物、碘化物的任一種的溶液的鹵化物溶液貯存槽6內的溶液，將該兩種溶液在第2溶液共通送液線24中混合而製備第2溶液並送液，藉由加熱器25單程加熱。關於加熱溫度，在加熱後的第2溶液與半導體基板100接觸時，以液溫為35℃~100℃的方式進行調整。
上述硫酸溶液與鹵化物溶液的混合比可藉由調整送液泵21與送液泵23的送液量進行設定，第2溶液的溫度可藉由加熱器25的加熱溫度等進行調整，並且可藉由利用洗淨控制部30的控制或手動操作進行上述調整。
在硫酸濃度為40質量%~80質量%、氧化劑濃度為0.001mol/L~2mol/L、液溫為35℃~100℃的狀態下，藉由上述硫酸溶液與包含氯化物、溴化物、碘化物的任一種的溶液的混合而調整的第2溶液，自送出噴嘴26送出而與半導體基板100接觸，並進行半導體基板100的洗淨。另外，上述硫酸溶液與包含氯化 物、溴化物、碘化物的任一種的溶液，理想為以在混合狀態下自液溫35℃以上的時點起至10分鐘以內(較佳為5分鐘以內)與半導體基板100接觸的方式，確定送液速度及第2溶液共通送液線24的長度。
此時，在上述條件的範圍內在如Al的蝕刻速率為180Å/min以下、較佳為150Å/min以下的條件下洗淨，另外理想為在如洗淨時間為120秒以內左右、較佳為80秒以內的條件下洗淨。
上述處理在本實施方式中相當於第2洗淨步驟。
以下對上述洗淨中的作用的詳細內容進行說明。
〈抑制Al蝕刻〉
推測：藉由使用第1溶液，而可在Al的表面形成被膜，並可在利用第1溶液及第2溶液的洗淨時抑制蝕刻。
〈剝離NiPt〉
推測：藉由使用本發明的第1溶液，而Ni溶解，亦容易將Pt氧化而進行蝕刻，接著，藉由使用第2溶液，而Pt與鹵素系的氧化劑反應而溶解。
〈抑制矽化物損害〉
另外，作為抑制Al的蝕刻且可剝離NiPt的溶液，有王水，但王水中成為損傷矽化物的原因的Cl為高濃度，因此會損傷矽化物。但是本實施方式的第2溶液可降低Cl濃度，並且可縮短溶液與晶圓的接觸時間，因此可抑制矽化物的損害。
〈縮短處理時間〉
本實施方式雖然為2階段的處理，但處理時間短，與現有方法相比可縮短時間。
另外，上述實施方式中，對第1洗淨步驟與第2洗淨步驟進行了說明，但亦可在這些步驟間實施使用超純水等的淋洗步驟。藉由實施淋洗步驟而可將第1溶液確實地除去，而確實地獲得第2溶液的洗淨效果。
[實施例1]
以下，表示本發明的實施例及比較例。另外，實施例及比較例中，使用圖1表示概略的半導體基板洗淨系統。
另外，將包含含有硝酸或過氧化氫或這兩種的溶液的混合液作為第1溶液，使其與上述半導體接觸，然後將包含含有具有過硫酸的硫酸溶液與氯化物、溴化物、碘化物中的任一種或多種鹵化物的溶液的混合液作為第2溶液，使其與上述半導體基板接觸。
各洗淨中，混合液進行加熱及混合後，立即(10分鐘以內)供用於與下述的實體晶圓(beta wafer)接觸的洗淨。
以下，作為最佳的評價，將NiPt除去率為95%以上評價為良，將小於95%評價為不良。作為最佳的評價，Al的蝕刻速率超過180Å/min會損傷Al，而評價為不良，Al的蝕刻速率為180Å/min以下而評價為良。
另外，關於矽化物有無損害，若表面粗糙度Ra小於1.7μm，則評價為無損害；若Ra為1.7μm以上，則評價為有損害。試驗內容及評價結果表示於表1、表2。
(比較例1)
藉由圖1的逐片式洗淨機，不使用第1溶液，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L)與鹽酸0.1mol/L的混合溶液作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用感應耦合電漿質量分析((Inductively coupled plasma mass spectrometry，ICP-MS)裝置，以下簡記為ICP-MS)對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM，以下簡記為AFM)觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，表1表示結果。
結果，NiPt除去率為20%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(比較例2)
藉由圖1的逐片式洗淨機，不使用第1溶液，使用王水(鹽酸濃度為3mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為60%、Al蝕刻速率為450Å/min、NiPt矽化物有損害。
(比較例3)
藉由圖1的逐片式洗淨機，不使用第1溶液，使用氧化劑濃度為2.14mol/L、硫酸濃度為65wt%的SPM溶液(H2SO4：H2O2=2：1)與鹽酸0.1mol/L的混合溶液作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，Al蝕刻速率為250Å/min、NiPt矽化物有損害、NiPt除去率為100%。
(比較例4)
藉由圖1的逐片式洗淨機，不使用第1溶液，使用氧化劑濃度為0.18mol/L、硫酸濃度為90%的SPM溶液(H2SO4：H2O2=10：1)與鹽酸0.1mol/L的混合溶液作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻 速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，Al蝕刻速率為100Å/min、NiPt矽化物無損害、NiPt除去率為30%而不充分。
(參考例5)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為30%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為70%、Al蝕刻速率為60Å/min、NiPt矽化物無損害。
(參考例6)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓 上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為90wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為50%、Al蝕刻速率為250Å/min、NiPt矽化物無損害。
(比較例7)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在20℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為10%、Al蝕刻速率為50Å/min、NiPt矽化物無損害。
(比較例8)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在120℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為1000Å/min、NiPt矽化物有損害。
(參考例9)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為0.1wt%、過氧化氫濃度為0wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解 硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為40%、Al蝕刻速率為120Å/min、NiPt矽化物無損害。
(參考例10)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為0wt%、過氧化氫濃度為1wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為50%、Al蝕刻速率為110Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例1)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為90Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例2)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、NaCl濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1) NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為90Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例3)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、HBr濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為90Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例4)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、 過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、HI濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為90Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例5)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為40wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al 的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例6)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為80wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為160Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例7)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為0wt%、過氧化氫濃度為15wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓 上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為97%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例8)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為15wt%、過氧化氫濃度為0wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為120Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例9)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為7wt%、過氧化氫濃度為6wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為96%、Al蝕刻速率為100Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例10)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為30wt%、過氧化氫濃度為15wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解 硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為140Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例11)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在35℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為70Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例12)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在90℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為180Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例13)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在20℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1) NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為80%、Al蝕刻速率為60Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例14)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在30℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例15)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、 過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為90Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例16)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在90℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al 的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為180Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例17)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在100℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為220Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例18)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓 上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為1.8mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為120Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例19)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.002mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例20)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.002mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例21)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸 (硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為1.5mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為150Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例22)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用SPM溶液(H2SO4：H2O2=10：1)與鹽酸的混合溶液(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.18mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為110Å/min、NiPt 矽化物無損害。
(實施例23)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫濃度為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用於在硫酸溶液中吹入臭氧氣體而得的溶液中添加鹽酸而成的混合溶液(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.002mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例24)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(無硝酸、過氧化氫濃度為30wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸 濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為80Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例25)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為40wt%、無過氧化氫)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為160Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例26)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫為29wt%)，分別在50℃下實施7秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為80%、Al蝕刻速率為110Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例27)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫為29wt%)，分別在50℃下實施10秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、 及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為95%、Al蝕刻速率為105Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例28)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫為29wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為90Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例29)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、 過氧化氫為29wt%)，分別在50℃下實施80秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為170Å/min、NiPt矽化物無損害。
(實施例30)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2wt%、過氧化氫為29wt%)，分別在50℃下實施100秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認 晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為190Å/min、NiPt矽化物無損害。
接著，在第1溶液中追加除了硝酸與過氧化氫以外的溶質進行同樣的評價。試驗條件及評價結果表示於表2。另外，為了參考，將實施例1的內容合併表示於表2。
(比較例11)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2.0wt%、過氧化氫為29wt%、硫酸為30wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為190Å/min、NiPt矽化物有損害。
(實施例31)
藉由圖1的逐片式洗淨機，使用第1溶液(硝酸濃度為2.0wt%、過氧化氫為29wt%、硫酸為15wt%)，分別在50℃下實施30秒的與(1)在矽晶圓上積層了10nm的NiPt層的實體晶圓、及(2)在矽晶圓上積層了500nm的Al層的實體晶圓以200ml/min接觸的洗淨。接著，藉由純水淋洗晶圓而排除第1溶液，然後，使用電解硫酸(硫酸濃度為65wt%、氧化劑濃度為0.04mol/L、鹽酸濃度為0.1mol/L)作為第2溶液，分別在50℃下實施50秒的與上述(1)NiPt晶圓、及上述(2)Al晶圓以200ml/min接觸的洗淨。使用ICP-MS對處理後的溶液進行成分分析，根據溶液中的Ni、Pt、Al的濃度確認晶圓的NiPt的除去率、Al的蝕刻速率，藉由AFM觀察晶圓表面而確認矽化物有無損害，並表示於表1。
結果，NiPt除去率為100%、Al蝕刻速率為160Å/min、NiPt矽化物無損害。
1‧‧‧半導體基板洗淨系統
2‧‧‧逐片式洗淨機
3‧‧‧硝酸溶液貯存槽
4‧‧‧過氧化氫溶液貯存槽
5‧‧‧硫酸溶液貯存槽
6‧‧‧鹵化物溶液貯存槽
7‧‧‧半導體基板支撐台
10‧‧‧硝酸溶液供給線
11、13、21、23‧‧‧送液泵
12‧‧‧過氧化氫溶液供給線
14‧‧‧第1溶液共通送液線
15、25‧‧‧加熱器
16、26‧‧‧送出噴嘴
20‧‧‧硫酸溶液供給線
22‧‧‧鹵化物溶液供給線
24‧‧‧第2溶液共通送液線
30‧‧‧洗淨控制部
100‧‧‧半導體基板

Claims (14)

  1. 一種半導體基板的洗淨方法，其自形成有矽化物膜的半導體基板除去矽化物化殘渣金屬，且其特徵在於包括：第1洗淨步驟，使包含硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質的第1溶液與上述半導體基板接觸而洗淨；以及第2洗淨步驟，使包含過硫酸與鹵化物、且溫度為25℃~100℃的第2溶液與經過第1洗淨步驟的上述半導體基板接觸而洗淨。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述第2溶液中的硫酸濃度為40質量%~80質量%、上述鹵化物的濃度總和為0.001mol/L~2mol/L。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述第1溶液相對於全部溶質而以質量比計含有80%以上的硝酸及/或過氧化氫。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述鹵化物包含由氯化物、溴化物及碘化物所組成的組群的任一種以上。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述半導體基板形成有包含鉑的矽化物膜。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中於上述半導體基板上存在Al。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨 方法，其中上述第1溶液包含硝酸，上述硝酸的濃度為0.1質量%~60質量%。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述第1溶液包含過氧化氫，上述過氧化氫的濃度為1質量%~35質量%。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述第2溶液的氧化劑的濃度為0.001mol/L~2mol/L。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述第1洗淨步驟中的上述第1溶液的溫度為25℃~100℃。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中上述第2溶液的上述過硫酸藉由選自由硫酸電解液、硫酸與過氧化氫的混合溶液，硫酸與臭氧的混合溶液所組成的組群中的1種以上的含有過硫酸的硫酸溶液而供給。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體基板的洗淨方法，其中包括：第1溶液排出步驟，在上述第2洗淨步驟之前，自經過上述第1洗淨步驟的上述半導體基板，排除第1溶液。
  13. 一種半導體基板洗淨系統，其特徵在於包括：洗淨部，進行自形成有矽化物膜的半導體基板除去矽化物化殘渣金屬的洗淨；第1溶液容納部，容納包含硝酸及/或過氧化氫作為主要溶質 的第1溶液；第2溶液容納部，容納包含過硫酸與鹵化物的第2溶液；第1溶液供給線，一端與上述第1溶液容納部連接，另一端與上述洗淨部連接，將上述第1溶液自上述第1溶液容納部供給至上述洗淨部；第2溶液供給線，一端與上述第2溶液容納部連接，另一端與上述洗淨部連接，將上述第2溶液自上述第2溶液容納部供給至上述洗淨部；第1液溫調整部，介隔設置於上述第1溶液供給線上，將通過上述第1溶液供給線供給至上述洗淨部的上述第1溶液的液溫調整為特定溫度；第1溶液送出部，與上述第1溶液供給線的上述洗淨部側的前端部連接，在上述洗淨部中送出上述第1溶液而與上述半導體基板接觸；以及第2溶液送出部，與上述第2溶液供給線的上述洗淨部側的前端部連接，在上述洗淨部中送出上述第2溶液而與上述半導體基板接觸。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的半導體基板洗淨系統，其中進一步包括：洗淨控制部，控制用以進行第1洗淨步驟以及第2洗淨步驟的上述第1溶液及上述第2溶液的供給，上述第1洗淨步驟是藉由上述洗淨部使用上述第1溶液 進行上述半導體基板的洗淨；上述第2洗淨步驟是在上述第1洗淨步驟後，藉由上述洗淨部使用上述第2溶液進行上述半導體基板的洗淨。
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