JP6977845B1 - 電子部品・部材の洗浄水供給装置及び電子部品・部材の洗浄水の供給方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 超純水に導電率付与物質や酸化還元電位コントロール物質などを溶解することで各種機能を付与した洗浄水をウエハ洗浄機に供給する際の洗浄水の微細気泡を抑制可能な電子部品・部材の洗浄水供給装置を提供する。【解決手段】 電子部品・部材の洗浄水供給装置１は、調製槽２に導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分の供給源に連通した薬剤添加管３と、超純水源に連通した供給ポンプ５を備えた原料水供給管４とが接続した構成を有する。この調製槽２には、さらに窒素ガス（Ｎ２）供給管６が接続している。そして、調製槽２には、送液ポンプ９を備えたユースポイント（ＵＰ）に連通する洗浄水供給管８が接続されていて、この洗浄水供給管８には、脱気膜１０が設けられている。【選択図】 図１
Description
本発明は、電子産業分野等で使用される電子部品・電子部材の洗浄水の供給装置及び供給方法に関し、特にウエハを洗浄した際の被洗浄物の製品歩留まりの向上に寄与しうる電子部品・電子部材の洗浄水の供給装置及び供給方法に関する。
近年、電子産業分野のウエハ処理に使用される洗浄水として、超純水に導電率付与物質や酸化還元電位コントロール物質、ガス成分などを溶解することで、各種機能を付与した機能性水が使用されている。この機能性水を洗浄水として複数台の枚葉式洗浄機に供給して、ウエハなどの電子デバイスを洗浄することがある。この洗浄水は高価であるだけでなく、排水自体も削減することが望ましいことから、洗浄水の節水を目的として、製造した洗浄水の貯留槽を設け、洗浄機で使用しない洗浄水を貯留槽に還流して循環する方式の電子部品・部材の洗浄水供給装置が特許文献１で提案されている。
しかしながら、超純水にガス成分を溶解した洗浄水では、過剰に溶解したガスに起因して供給先で微細気泡が発生し、ウエハを洗浄した際の品質を悪くする可能性がある。また、ガス成分以外の導電率付与物質や酸化還元電位コントロール物質を溶解した洗浄水であっても、この洗浄水を貯留槽に貯留した場合には、貯留槽での酸素や二酸化炭素などの混入を防止したり、貯留槽内を加圧したりする目的でＮ２ガスを吹き込むため、Ｎ２ガスが製造された洗浄水中に溶解するので、やはり微細気泡が発生する懸念がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、超純水に導電率付与物質や酸化還元電位コントロール物質、ガス成分などを溶解することで各種機能を付与した洗浄水をウエハ洗浄機に供給する際の洗浄水の微細気泡を抑制可能な電子部品・部材の洗浄水供給装置を提供することを目的とする。また、本発明は、この洗浄水供給装置を用いた安定した洗浄性を発揮する電子部品・部材の洗浄水の供給方法を提供することを目的とする。
上記目的に鑑み、本発明は第一に、原料水に対して、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分を添加した洗浄水をユースポイントに供給する電子部品・部材の洗浄水供給装置であって、前記洗浄水を製造するとともに貯留する調製槽と、前記調製槽に機能性成分を添加する添加機構と、前記調製槽に原料水を投入する投入機構と、前記原料水と機能性成分とから調製された洗浄水をユースポイントに供給する洗浄水供給管とを備え、前記洗浄水供給管に脱気機構を設けた、電子部品・部材の洗浄水供給装置を提供する（発明１）。
かかる発明（発明１）によれば、調製槽で原料水に機能性成分を添加して洗浄水を調製し、この洗浄水を洗浄水供給管からユースポイントに供給する。この際、洗浄水供給管に脱気機構を設けて、洗浄水中の溶存気体を除去することで、洗浄水に溶解しきれなかったガスや溶存している過剰なガスが排除されるので、洗浄水に微細気泡が発生するのを抑制することができる。
上記発明（発明１）においては、前記調製槽が不活性ガス供給機構を有することが好ましい（発明２）。
かかる発明（発明２）によれば、調製槽において洗浄水に酸素や二酸化炭素などが溶解するのを抑制することができるとともに、洗浄水供給管で脱気することでＮ２ガスに起因して微細気泡が発生するのを抑制することができる。
上記発明（発明１又は２）においては、前記脱気機構が脱気膜であることが好ましい（発明３）。
かかる発明（発明３）によれば、洗浄水中の溶存気体を効率良く除去することができるとともに、脱気膜の気相室側の減圧度に応じて洗浄水の脱気度を容易に調節することができる。
上記発明（発明１〜３）においては、前記導電性付与物質が、アンモニア又は塩酸であることが好ましい（発明４）。また、上記発明（発明１〜３）においては、前記酸化還元電位調整物質が、過酸化水素水、Ｈ２又はＯ３であることが好ましい（発明５）。
かかる発明（発明４，５）によれば、これらの導電性付与物質及び酸化還元電位調整物質を洗浄水とすることで、洗浄機能を好適に発揮することができる。特にＨ２又はＯ３のガス成分の場合においては、過剰なこれらガス成分を除去することで、洗浄液の機能を維持しつつ微細気泡が発生するのを抑制することができる。
また、本発明は第二に、原料水に対して、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分を添加した洗浄水をユースポイントに供給する電子部品・部材の洗浄水の供給方法であって、調製槽に前記原料水と前記機能性成分とを貯留して洗浄水を調製し、この調整した洗浄水を脱気処理した後、ユースポイントに供給する、電子部品・部材の洗浄水の供給方法を提供する（発明６）。
かかる発明（発明６）によれば、調製槽で原料水に機能性成分を添加して洗浄水を調製し、この洗浄水中の溶存ガスを脱気処理により除去することで、洗浄水に溶解しきれなかったガスや溶存している過剰なガスが排除されるので、洗浄水に微細気泡が発生するのを抑制することができる。
上記発明（発明６）においては、前記脱気処理を脱気膜により行うことが好ましい（発明７）。
かかる発明（発明７）によれば、洗浄水中の溶存気体を効率良く除去することができるとともに、脱気膜の気相室側の減圧度に応じて洗浄水の脱気度を調節することができる。
上記発明（発明６，７）においては、前記脱気処理における脱気度を前記調製槽内の洗浄水の前記機能性成分の濃度に応じて制御することが好ましい（発明８）。
かかる発明（発明８）によれば、機能性成分による洗浄性を好適に発揮することができる。特に機能性成分がＨ２又はＯ３などのガス成分の場合おいては、過剰なガス成分のみを除去するように脱気膜の気相室側の減圧度を制御することで、洗浄水の機能を維持しつつ洗浄水に微細気泡が発生するのを抑制することができる。
本発明の電子部品・部材の洗浄水供給装置によれば、調製槽で原料水に機能性成分を添加して洗浄水を調製し、この洗浄水を洗浄水供給管からユースポイントに供給する。この際、洗浄水供給管に脱気機構を設けて、洗浄水中の溶存気体を除去することで、洗浄水に溶解しきれなかったガスや過剰なガスが排除されるので、洗浄水に微細気泡が発生するのを抑制することができる。これにより、各種機能を付与した洗浄水をウエハ洗浄機に供給する際に製品歩留まりの向上が期待できる。
以下、本発明の電子部品・部材の洗浄水供給装置の一実施形態について添付図面を参照にして詳細に説明する。
〔電子部品・部材の洗浄水供給装置〕
図１は、本発明の第一の実施形態による電子部品・部材の洗浄水供給装置を示しており、図１において電子部品・部材の洗浄水供給装置１は、調製槽２に導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分（ＣＳ）の供給源（図示せず）に連通した添加機構としての薬剤添加管３と、原料水Ｗとしての超純水源（図示せず）に連通した供給ポンプ５を備えた原料水供給管４とが接続した構成を有する。この供給ポンプ５と原料水供給管４とにより、原料水の投入機構が構成される。調製槽２には、さらに不活性ガスとしての窒素ガス（Ｎ２）供給管６が接続しているとともに、調製槽２の水位を検知するレベルセンサ７が付設されている。そして、調製槽２には、ユースポイント（ＵＰ）に連通する送液ポンプ９を備えた洗浄水供給管８が接続されていて、本実施形態においては、この洗浄水供給管８には、脱気機構としての脱気膜１０が設けられている。また、調製槽２内には、導電率計、ｐＨ計あるいはＯＲＰ計などの機能性成分の濃度を直接的あるいは間接的に検知する検知手段（図示せず）が設置されている。なお、３Ａ，４Ａ、６Ａ及び８Ａは、それぞれ薬剤添加管３、原料水供給管４及び窒素ガス（Ｎ２）供給管６及び洗浄水供給管８の開閉バルブである。
図１は、本発明の第一の実施形態による電子部品・部材の洗浄水供給装置を示しており、図１において電子部品・部材の洗浄水供給装置１は、調製槽２に導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分（ＣＳ）の供給源（図示せず）に連通した添加機構としての薬剤添加管３と、原料水Ｗとしての超純水源（図示せず）に連通した供給ポンプ５を備えた原料水供給管４とが接続した構成を有する。この供給ポンプ５と原料水供給管４とにより、原料水の投入機構が構成される。調製槽２には、さらに不活性ガスとしての窒素ガス（Ｎ２）供給管６が接続しているとともに、調製槽２の水位を検知するレベルセンサ７が付設されている。そして、調製槽２には、ユースポイント（ＵＰ）に連通する送液ポンプ９を備えた洗浄水供給管８が接続されていて、本実施形態においては、この洗浄水供給管８には、脱気機構としての脱気膜１０が設けられている。また、調製槽２内には、導電率計、ｐＨ計あるいはＯＲＰ計などの機能性成分の濃度を直接的あるいは間接的に検知する検知手段（図示せず）が設置されている。なお、３Ａ，４Ａ、６Ａ及び８Ａは、それぞれ薬剤添加管３、原料水供給管４及び窒素ガス（Ｎ２）供給管６及び洗浄水供給管８の開閉バルブである。
＜原料水＞
本実施形態において、原料水Ｗとしては、脱イオン水が好ましく、特に超純水が好適である。本実施形態において超純水とは、例えば、抵抗率：１８．１ＭΩ・ｃｍ以上、微粒子：粒径５０ｎｍ以上で１０００個／Ｌ以下、生菌：１個／Ｌ以下、ＴＯＣ（Ｔｏｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃａｒｂｏｎ）：１μｇ／Ｌ以下、全シリコン：０．１μｇ／Ｌ以下、金属類：１ｎｇ／Ｌ以下、イオン類：１０ｎｇ／Ｌ以下、過酸化水素；３０μｇ／Ｌ以下、水温：２５±２℃のものが好適である。
本実施形態において、原料水Ｗとしては、脱イオン水が好ましく、特に超純水が好適である。本実施形態において超純水とは、例えば、抵抗率：１８．１ＭΩ・ｃｍ以上、微粒子：粒径５０ｎｍ以上で１０００個／Ｌ以下、生菌：１個／Ｌ以下、ＴＯＣ（Ｔｏｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃａｒｂｏｎ）：１μｇ／Ｌ以下、全シリコン：０．１μｇ／Ｌ以下、金属類：１ｎｇ／Ｌ以下、イオン類：１０ｎｇ／Ｌ以下、過酸化水素；３０μｇ／Ｌ以下、水温：２５±２℃のものが好適である。
＜機能性成分＞
本実施形態において、機能性成分とは、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上である。
本実施形態において、機能性成分とは、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上である。
（導電性付与物質、ｐＨ調整物質）
本実施形態において導電性付与物質とは、原料水Ｗに溶解することでイオン（アニオンまたはカチオン）を生成し、そのイオンによって原料水Ｗに導電性を付与する物質を意味する。このような導電性付与物質としては、酸性の付与物質としては、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸などの液体及びＣＯ２ガスなどのガス体を用いることができる。また、アルカリ性の付与物質としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又はＴＭＡＨ等を用いることができるが、半導体ウエハの洗浄に使用される場合には、アンモニア、ＣＯ２（溶解水であってもよい）が好適であり、特にアンモニアが好適である。このアンモニアは所定の濃度のアンモニア水として用いることが好ましい。これらの導電性付与剤は、洗浄水のｐＨなど所望とする液性に応じて適宜選択すればよい。なお、これらの導電性付与物質は、通常ｐＨ調整物質としても用いることができる。
本実施形態において導電性付与物質とは、原料水Ｗに溶解することでイオン（アニオンまたはカチオン）を生成し、そのイオンによって原料水Ｗに導電性を付与する物質を意味する。このような導電性付与物質としては、酸性の付与物質としては、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸などの液体及びＣＯ２ガスなどのガス体を用いることができる。また、アルカリ性の付与物質としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又はＴＭＡＨ等を用いることができるが、半導体ウエハの洗浄に使用される場合には、アンモニア、ＣＯ２（溶解水であってもよい）が好適であり、特にアンモニアが好適である。このアンモニアは所定の濃度のアンモニア水として用いることが好ましい。これらの導電性付与剤は、洗浄水のｐＨなど所望とする液性に応じて適宜選択すればよい。なお、これらの導電性付与物質は、通常ｐＨ調整物質としても用いることができる。
（酸化還元電位調整物質）
本実施形態において、酸化還元電位調整物質とは、原料水Ｗに溶解することで、原料水Ｗに酸化性あるいは還元性を付与して酸化還元電位を変動させる物質を意味する。このような酸化還元電位調整剤としては、特に制限はないが、フェリシアン化カリウムやフェロシアン化カリウムなどは、金属成分を含有するため好ましくない。したがって、酸化還元電位を高く調整する場合には、過酸化水素水などの液体やオゾンガス、酸素ガスなどのガス体を用いることがこのましい。また、酸化還元電位を低く調整する場合にはシュウ酸、硫化水素、ヨウ化カリウムなどの液体や水素などのガス体を用いることが好ましい。半導体ウエハの洗浄に使用される場合には、過酸化水素水等の液体やオゾンガスや水素ガス等のガス体（これらのガス体の溶解水であってもよい）が好ましく、特に酸化還元電位の制御が比較的容易であることから過酸化水素水やオゾンガスや水素ガスを用いることが好ましい。これらの酸化還元電位調整物質は、洗浄水の酸化還元電位の正負など所望とする液性に応じて選択すればよい。
本実施形態において、酸化還元電位調整物質とは、原料水Ｗに溶解することで、原料水Ｗに酸化性あるいは還元性を付与して酸化還元電位を変動させる物質を意味する。このような酸化還元電位調整剤としては、特に制限はないが、フェリシアン化カリウムやフェロシアン化カリウムなどは、金属成分を含有するため好ましくない。したがって、酸化還元電位を高く調整する場合には、過酸化水素水などの液体やオゾンガス、酸素ガスなどのガス体を用いることがこのましい。また、酸化還元電位を低く調整する場合にはシュウ酸、硫化水素、ヨウ化カリウムなどの液体や水素などのガス体を用いることが好ましい。半導体ウエハの洗浄に使用される場合には、過酸化水素水等の液体やオゾンガスや水素ガス等のガス体（これらのガス体の溶解水であってもよい）が好ましく、特に酸化還元電位の制御が比較的容易であることから過酸化水素水やオゾンガスや水素ガスを用いることが好ましい。これらの酸化還元電位調整物質は、洗浄水の酸化還元電位の正負など所望とする液性に応じて選択すればよい。
〔電子部品・部材洗浄水の供給方法〕
次に前述したような構成を有する本実施形態の電子部品・部材の洗浄水供給装置を用いた電子部品・部材の洗浄水の供給方法について説明する。
次に前述したような構成を有する本実施形態の電子部品・部材の洗浄水供給装置を用いた電子部品・部材の洗浄水の供給方法について説明する。
まず、原料水供給管４から原料水Ｗを調製槽２に供給するとともに、この原料水Ｗの供給量に対して、所定の濃度となるように添加機構としての薬剤添加管３から導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分を添加する。このとき複数の機能性成分を添加する場合には、複数の添加機構を設けて、それぞれの機能性成分を添加してもよいし、複数の機能性成分を合流させて添加してもよい。ここで、機能性成分がガス（気体）の場合には、薬剤添加管３により調製槽２の底部から該ガスを供給して溶解させてもよいし、該ガスが水に溶解しにくい場合には、原料水供給管４にガス溶解膜を設けて、原料水に直接ガスを溶解すればよい。また、機能性成分がガス（気体）のときには、過剰量を溶解するように供給するのが好ましい。このようにして、調製槽２内で洗浄水Ｗ１を製造する。このとき、調製槽２に窒素ガス供給管６から窒素ガスを供給して、調製槽２内を窒素ガス雰囲気とすることで、洗浄水Ｗ１に大気中に含まれる酸素や二酸化炭素が溶解するのを防止する。
そして、所定量以上の洗浄水Ｗ１が調製槽２に貯留されたことをレベルセンサ７で検知したら、送液ポンプ９を駆動して、洗浄水供給管８から枚葉式洗浄機などのユ−スポイント（ＵＰ）に洗浄水Ｗ１を供給する。この際、洗浄水供給管８に設けた脱気膜１０により脱気した状態で送液する。これにより、洗浄水Ｗ１に溶解しているガス成分を除去する。
このとき、調製槽２内の機能性成分の濃度検知手段の測定結果に応じて、脱気膜１０における脱気度を制御することが好ましい。例えば、機能性成分が液体の場合には、十分な脱気度となるように脱気膜１０の気相側の脱気度を調整すればよい。また、機能性成分がアンモニアガス、Ｈ２あるいはＯ３などのガス成分である場合には、これらのガス成分が所定の濃度で洗浄水Ｗ１に残存するように脱気膜１０の気相側の脱気度を弱く調整すればよい。
このようにしてユースポイントに洗浄水Ｗ１を供給することで、貯留槽２内の洗浄水Ｗ１が減少し、所定の量を下回ったことをレベルセンサ７で検知したら、原料水供給管４から原料水Ｗを調製槽２に供給するとともに薬剤添加管３から機能性成分を添加することで、洗浄水Ｗ１を補充してやればよい。
以上、本発明について添付図面を参照にして前記実施形態に基づき説明してきたが、本発明は前記実施形態に限定されず、種々の変更実施が可能である。例えば、調製槽２の後段に、中継槽としての貯留槽を設けて、この貯留槽に洗浄水供給管８を接続してもよい。また、洗浄水供給管８を、ユースポイントを経由して、調製槽２や貯留槽に還流する循環流路とすることで、ユースポイントで使用しなかった洗浄水Ｗ１を循環再利用可能としてもよい。
以下の具体的実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
［比較例１］
図２に示すように図１において、脱気膜１０を有しない電子部品・部材の洗浄水供給装置１を用意した。この電子部品・部材の洗浄水供給装置１を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガス（導電性付与物質）を調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８からユースポイントとしての模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８０％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
図２に示すように図１において、脱気膜１０を有しない電子部品・部材の洗浄水供給装置１を用意した。この電子部品・部材の洗浄水供給装置１を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガス（導電性付与物質）を調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８からユースポイントとしての模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８０％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例２］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、過酸化水素（酸化還元コントロール物質）を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８２％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、過酸化水素（酸化還元コントロール物質）を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８２％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例３］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガス（酸化還元コントロール物質）を３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８２％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガス（酸化還元コントロール物質）を３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８２％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例４］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガス（酸化還元コントロール物質）を１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８２％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガス（酸化還元コントロール物質）を１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８２％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例５］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガス（導電性付与物質）を導電率が１μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７５％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガス（導電性付与物質）を導電率が１μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７５％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例６］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、過酸化水素を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７７％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、過酸化水素を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７７％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例７］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガスを３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７７％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガスを３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７７％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［比較例８］
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガス（導電性付与物質）を導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガスを１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７７％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
比較例１において、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガス（導電性付与物質）を導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガスを１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８から模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは７７％であった。これは洗浄水Ｗ１に微細気泡が生じたためと推測される。
［実施例１］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガスを調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８５％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガスを調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８５％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例２］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１００μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガスを調製槽２に添加するとともに、過酸化水素を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１００μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガスを調製槽２に添加するとともに、過酸化水素を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例３］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１００μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガスを調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガスを３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給するとともに、導電率が１００μＳ／ｃｍとなるようにアンモニアガスを調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガスを３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例４］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガスを１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、アンモニアガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガスを１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例５］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加し洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例６］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、過酸化水素を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、過酸化水素を１００ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例７］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガスを３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｏ３ガスを３０ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
［実施例８］
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガスを１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
図１に示す洗浄水供給装置を用いて、原料水Ｗとして超純水を５０Ｌ／分で調製槽２に供給し、ＨＣｌガスを導電率が１００μＳ／ｃｍとなるように調製槽２に添加するとともに、Ｈ２ガスを１．４ｐｐｍとなるよう調製槽２に添加して洗浄水Ｗ１を調製した。この洗浄水Ｗ１を洗浄水供給管８の途中で脱気膜１０により脱気した後、模擬洗浄機に送液したところ、洗浄機でウエハを洗浄した際の歩留まりは８８％であった。これは洗浄水Ｗ１における微細気泡が減少したためと推測される。
１ 電子部品・部材の洗浄水供給装置
２ 調製槽
３ 薬剤添加管（添加機構）
４ 原料水供給管（投入機構）
５ 供給ポンプ（投入機構）
６ 窒素ガス（Ｎ２）供給管
７ レベルセンサ
８ 洗浄水供給管
９ 送液ポンプ
１０ 脱気膜（脱気機構）
Ｗ 原料水
Ｗ１ 洗浄水
２ 調製槽
３ 薬剤添加管（添加機構）
４ 原料水供給管（投入機構）
５ 供給ポンプ（投入機構）
６ 窒素ガス（Ｎ２）供給管
７ レベルセンサ
８ 洗浄水供給管
９ 送液ポンプ
１０ 脱気膜（脱気機構）
Ｗ 原料水
Ｗ１ 洗浄水
Claims (7)
- 原料水に対して、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分を添加した洗浄水をユースポイントに供給する電子部品・部材の洗浄水供給装置であって、
前記洗浄水を製造するとともに貯留する調製槽と、
前記調製槽に前記機能性成分を添加する添加機構と、
前記調製槽に前記原料水を投入する投入機構と、
前記原料水と前記機能性成分とから調製された前記洗浄水をユースポイントに供給する洗浄水供給管とを備え、
前記洗浄水供給管に脱気機構を設け、かつ
前記調製槽内に、前記調製槽内の前記洗浄水の前記機能性成分の濃度を直接的あるいは間接的に検知する検知手段を設け、
前記脱気機構における脱気度が、前記検知手段により検知した前記調製槽内の前記洗浄水の前記機能性成分の濃度に応じて制御される、電子部品・部材の洗浄水供給装置。 - 前記調製槽が不活性ガス供給機構を有する、請求項１に記載の電子部品・部材の洗浄水供給装置。
- 前記脱気機構が脱気膜である、請求項１又は２に記載の電子部品・部材の洗浄水供給装置。
- 前記導電性付与物質がアンモニア又は塩酸である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品・部材の洗浄水供給装置。
- 前記酸化還元電位調整物質が過酸化水素水、Ｈ２又はＯ３である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品・部材の洗浄水供給装置。
- 原料水に対して、導電性付与物質、酸化還元電位調整物質及びｐＨ調整物質から選ばれた１種以上の機能性成分を添加した洗浄水をユースポイントに供給する電子部品・部材の洗浄水の供給方法であって、
調製槽に前記原料水と前記機能性成分とを貯留して洗浄水を調製し、
この調整した洗浄水を脱気処理した後、ユースポイントに供給し、
前記調製槽内に設けた検知手段により、前記調製槽内の前記洗浄水の前記機能性成分の濃度を直接的あるいは間接的に検知し、
前記脱気処理における脱気度を、前記検知手段により検知した前記調製槽内の前記洗浄水の前記機能性成分の濃度に応じて制御する、電子部品・部材の洗浄水の供給方法。 - 前記脱気処理を脱気膜により行う、請求項６に記載の電子部品・部材の洗浄水の供給方法。
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